1、ICS49.060V04中华人民共和国国家标准GB/T349562017/IEC62396-1:2016大气辐射影响航空电子设备单粒子效应防护设计指南AtmosphericradiationeffectsAccommodationofatmosphericradiationeffectsviasingleeventeffectswithinavionicselectronicequipment( I E C 6 2 3 9 6 - 1 : 2 0 1 6 , P r o c e s s m a n a g e m e n t f o r a v i o n i c s A t m o s p
2、h e r i cr a d i a t i o n e f f e c t s P a r t 1 : A c c o m m o d a t i o n o f a t m o s p h e r i c r a d i a t i o ne f f e c t s v i a s i n g l e e v e n t e f f e c t s w i t h i n a v i o n i c s e l e c t r o n i ce q u i p m e n t , I D T )2017-11-01发布2018-05-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标
3、准化管理委员会发布目 次前言 引言 1 范围1 2 规范性引用文件1 3 术语和定义1 4 缩略语8 5 大气辐射环境1 1 6 大气辐射效应对航空电子设备的影响1 8 7 系统设计指南2 4 8 航空电子设备S E E率的计算2 8 9 单粒子效应符合性验证3 7 附录A (资料性附录) 热中子评价3 9 附录B (资料性附录) 航空电子设备S E E率计算方法4 0 附录C (资料性附录) 国外可用的测试设备4 5 附录D (资料性附录) 大气中子注量率高度纬度变化表5 2 附录E (资料性附录) 1 8 .3 k m以上高空S E E影响分析5 4 附录F (资料性附录) 重离子S E
4、E率预计方法5 8 附录G (资料性附录) 适用于大气中子环境的S E E截面数据( 2 0 1 4 ) 6 0 附录N A (资料性附录) 国内1 4 M e V中子源试验单位示例6 8 附录N B (资料性附录) 采用非白光中子(与大气能谱不同)截面计算小特征尺寸器件的S E E率6 9 参考文献7 1 GB/T349562017/IEC62396-1:2016前 言本标准按照G B / T 1 .1 2 0 0 9给出的规则起草。本标准使用翻译法等同采用I E C 6 2 3 9 6 - 1 : 2 0 1 6 航空电子过程管理 大气辐射影响 第1部分:航空电子设备单粒子效应防护设计指南
5、 。本标准与I E C 6 2 3 9 6 - 1 : 2 0 1 6相比,主要做了以下编辑性修改: 本标准名称改为“大气辐射影响 航空电子设备单粒子效应防护设计指南” ; 增加了资料性附录N A 、 N B 。本标准由中国航空工业集团公司提出。本标准由全国航空电子过程管理标准化技术委员会( S A C / T C 4 2 7 )归口。本标准起草单位:中国航空综合技术研究所、北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司、中航工业第一飞机设计研究院。本标准主要起草人:李明、陈冬梅、王群勇、薛海红、陈宇、张峰、李刚。GB/T349562017/IEC62396-1:2016引 言机组人员和乘客在飞行过
6、程中会遭受大气辐射(中子和质子) ,这种辐射同样也会影响航空电子设备,并诱发单粒子效应( S E E ) 。在过去的几年里,国内外针对机组人员和乘客遭受大气辐射影响的问题已经开展了大量研究,取得了丰硕的研究成果;针对航空电子设备大气中子辐射效应的标准化工作已经得到了航空制造业的高度重视,是正在开展的飞机机组人员和乘客大气辐射相关工作的进一步延伸。大气辐射效应是航空电子设备软、硬故障率的影响因素之一。从系统安全性角度来讲,在使用所计算的故障率时, A R P 4 7 5 4 A (硬故障率与软故障率计算通用方法)标准中描述的方法同样适用于大气辐射故障率。此外,本标准参考了J E D E C (
7、J o i n t E l e c t r o n D e v i c e E n g i n e e r i n g c o u n c i l )标准J E S D 8 9 A ,该标准是电子设备遭受地面(高度低于3 0 4 0 m )大气辐射产生软错误的参考标准。本标准确定了飞机在遭受大气电离辐射环境下对其电子产品可能诱发的潜在影响以及处置这些影响的通用方法,适应于航空电子系统的设计人员,电子设备或组件的研制生产及应用单位也可参考使用。GB/T349562017/IEC62396-1:2016大气辐射影响航空电子设备单粒子效应防护设计指南1 范围本标准主要为1 8 .3 k m以下飞行的
8、飞机中航空电子设备大气辐射效应防护设计提供指导,同时也为1 8 .3 k m以上飞行的飞机中航空电子设备大气辐射效应防护设计提供参考。本标准定义了辐射环境及其在航空电子设备中产生的辐射环境效应,提出了在航空电子系统中防控这些效应的设计要求。本标准旨在指导航空电子设备研制单位与设计师在航空电子设备单粒子效应方面形成标准的设计流程与方法。本标准提供了识别航空电子设备辐射问题所需的详细辐射环境,提供了电子器件单粒子效应率的定量计算方法。全面的系统安全性分析方法应当考虑单粒子效应率,并在器件级与系统级证明考虑单粒子效应率之后航空电子设备满足应用要求。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少
9、的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。G B / T 3 4 9 5 5 2 0 1 7 大气辐射影响 航空电子设备单粒子效应试验指南( I E C 6 2 3 9 6 - 2 : 2 0 1 2 ,I D T )I E C 6 2 2 3 9 - 1 : 2 0 1 5 航空电子过程管理 第1部分:电子元器件管理计划的编制与维持( P r o c e s sm a n a g e m e n t f o t a v i o n i c s m a n a g e m e n t p l a n P a r t
10、 1 : P r e p a r a t i o n a n d m a i n t e n a n c e o f a n e l e c t r o n i c c o m -p o n e n t s m a n a g e m e n t p l a n )I E C 6 2 3 9 6 - 3 航空电子过程管理 大气辐射影响 第3部分:航空电子系统大气辐射单粒子效应防控优化系统设计 P r o c e s s m a n a g e m e n t f o r a v i o n i c s A t m o s p h e r i c r a d i a t i o n e f f
11、e c t s P a r t 3 : O p t i s -m i s i n g s y s t e m d e s i g n t o a c c o m m o d a t e t h e s i n g l e e v e n t e f f e c t s ( S E E ) o f a t m o s p h e r i c r a d i a t i o n I E C 6 2 3 9 6 - 4 : 2 0 1 3 航空电子过程管理 大气辐射影响 第4部分:高压航空电子设备及其潜在单粒子效应设计指南( P r o c e s s m a n a g e m e n t f o
12、 r a v i o n i c s A t m o s p h e r i c r a d i a t i o n e f f e c t s P a r t 4 :G u i d e l i n e s f o r d e s i g n i n g w i t h h i g h v o l t a g e a i r c r a f t e l e c t r o n i c s a n d p o t e n t i a l s i n g l e e f f e c t s )I E C 6 2 3 9 6 - 5 航空电子过程管理 大气辐射影响 第5部分:热中子注量率及其在航空电
13、子系统中的效应评估指南( P r o c e s s m a n a g e m e n t f o r a v i o n i c s A t m o s p h e r i c r a d i a t i o n e f f e c t s P a r t 5 : G u i d e -l i n e s f o r a s s e s s i n g t h e r m a l n e u t r o n f l u x e s a n d e f f e c t s i n a v i o n i c s s y s t e m s )E I A 4 8 9 9 电子器件管理计划筹备标
14、准( S t a n d a r d f o r p r e p a r i n g a n e l e c t r o n i c c o m p o n e n t s m a n -a g e m e n t p l a n )3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。注:本标准的使用者可以采用与其机构内部习惯用法一致的另外的术语定义。1GB/T349562017/IEC62396-1:20163.1航空推荐规程 aerospacerecommendedpractice由自动化工程师协会( S A E )发行的与航空电子相关的文件。3.2模拟电路单粒子瞬态 analoguesinglee
15、venttransient;ASET由单个粒子的电荷沉积引起的模拟器件输出端虚假信号或电压。3.3可用性 availability系统在t时刻工作的可能性,与系统在t时刻之前出现故障和被修复的次数无关。注:对于设备而言,t即为设备预期的总工作时间除以设备应该能够运行的时间(例如,设备功能时间加维修时间) 。3.4航空电子设备环境 avionicsequipmentenvironment在设备的生产周期和维修寿命内,设备性能不损耗或退化的条件下,设备必须承受的环境条件。3.5适用性 capable表示元器件能够成功用于某用途的能力。3.6已鉴定 certified经评估,其产品、过程或服务达到合
16、适的第三方标准,已获证书并登记注册。3.7表征 characterization通过对元器件进行抽样测试,确定其关键电参数值的过程,此过程能预测典型试验下所有被测元器件的性能。3.8元器件应用 componentapplication保证元器件能满足其所属设备设计要求的过程。3.9元器件制造商 componentmanufacturer负责元器件规范和生产的组织。3.10不能复现 couldnotduplicate;CND对某一设备诊断检测后的报告结果。3.11临界电荷 criticalcharge在灵敏范围内注入或沉积的能够引起单粒子效应的最小电荷。注:对于大部分设备,临界电荷单位为皮库仑(
17、 p C ) ;对于小尺寸设备,临界电荷单位为法库仑。3.12截面 cross-section质子或中子沉积电荷诱发单粒子效应的概率与敏感面积。注1:利用以下公式可计算截面:=错误数/粒子注量。注2:截面的单位是平方厘米每器件或平方厘米每比特位( c m 2 / d e v或c m 2 / b i t ) 。2GB/T349562017/IEC62396-1:20163.13纠二检三 doubleerrorcorrectiontripleerrordetection;DECTED系统或设备的一套纠检错方法,该方法检测数字字信息,确定字信息是否出错,如果出错,则根据状态加以纠正。注:该方法可以纠
18、正2位出错,能够检测并报告3位出错。3.14数字电路单粒子瞬态 digitalsingleeventtransient;DSET由单个粒子沉积电荷引起的虚假数字信号或电压,可在一个时钟周期内传到整个电路。3.15电子 electronic具有1 / 1 8 4 0原子质量单位的基本粒子,带有1 .6 0 2 1 0 - 1 9 C的负电荷。3.16电子元器件管理计划 electroniccomponentsmanagementplan;ECMP设备制造商的文件,定义了将元器件用于单个设备或成套设备的程序和规范。注:通常, E C M P涵盖了元器件控制的各个相关方面,包括系统设计、开发、生产和
19、生产后保障。3.17电子元器件 electroniccomponents非破坏或设计使用损伤情况下,无法再分的电气电子设备。注:有时也称为电子零件或零件。例如,电阻、电容、二极管、集成电路、混合电路、定制集成电路、继电器等。3.18电子设备 electronicequipment由设备制造商生产的产品,包含电子元器件。例如,最终产品、半装配件、在线可更换单元及在售可更换单元。3.19电子飞行仪表系统 electronicflightinstrumentationsystem;EFIS航空电子系统的实例,要求系统开发确保等级A类级,因为飞行员处于飞行员/系统信息交换之中。3.20专家 exper
20、t在特定领域对应用知识和技能具有论证能力的人员。3.21固件错误 firmerror在半导体领域是指器件中电路单元的一种故障。是不能通过重置来解除的故障,除非重启系统或加电温循,该故障现象才会消失。注1:此类故障会明显地表现为软故障,会在后续检测中表现为未发现故障,并且会影响现场可更换单元( L R U )的平均非计划拆卸间隔时间( M T B U R )的数值。注2:参见软错误。注3:固件错误是半导体领域使用的术语。3.22固件故障 firmfault应用于飞机功能等级的术语。是不能通过重置来解除的故障,除非重启系统或针对相关功能单元重新加电,该故障现象才会消失。注:此类故障会影响现场可更换
21、单元( L R U )的平均故障间隔时间( M T B F )的数值,并且会在后续检测中表现为未发现故障。3GB/T349562017/IEC62396-1:20163.23电传飞行控制 flybywire;FBW航空电子系统实例,要求系统开发确保等级A类级,因为飞行员不处于飞机稳定控制回路内。3.24功能性危害分析 functionalhazardanalysis;FHA依据已经定义的危害等级对所有危害进行的评估。3.25京电子伏 GeV辐射粒子能量单位(十亿电子伏) 。注:等效S I能量为1 6 0 .2皮焦耳( p J ) 。3.26戈瑞 grayGy电离辐射剂量的国际单位,单位质量(
22、k g )电离与激活的沉积能量( J ) 。注:相关单位为厘戈瑞( c G y )和拉德( r a d ) , 1 c G y等于1 r a d 。3.27硬错误 harderror即使开关电源也不可恢复的,大气辐射引起的电路单元永久或半永久性损伤。注:硬错误包括单粒子烧毁( S E B ) 、单粒子栅穿( S E G R )和单粒子锁定( S E L ) 。此类故障明显表现为硬故障,会影响现场可更换单元( L R U )的平均故障间隔时间( M T B F )的数值。3.28硬故障 hardfault应用于飞机功能等级的术语。指现场可更换单元( L R U )中器件产生的永久性失效。注:硬故
23、障会导致受损现场可更换单元( L R U )拆卸,替换永久性损伤的器件,之后,系统/系统架构才会恢复至完全功能正常状态。此类故障会影响所修复的现场可更换单元( L R U )的平均故障间隔时间( M T B F )的数值。3.29重离子 heavyions重于氢和氦的带正电荷的原子核。3.30闭环测试 in-the-loop一种测试方法。该方法将现场可更换单元( L R U )置于模拟大气中子环境的辐射束中,并通过辐射束外的电子装置向L R U提供输入,以形成闭环系统。注:电子装置可能包含一台主机用于运行飞机仿真模型。还会包括恰当的信号调试装置以提高与L R U的兼容性。具有自动控制功能时,
24、L R U的输出会自动发送至驱动装置或直接发送至主机。主机将自动形成闭环稳定的工作回路(类似电传飞控状态) 。具有导航功能时, L R U的输出会发送至显示系统,飞行员随后可参与形成导航闭环回路。3.31集成模块航空电子设备 integratedmodularavionics;IMA在多任务计算机环境中执行飞机功能,将执行每个特定功能的特定系统的计算限定在一个由通用计算资源(单一数字电路)处理的范围内。3.32锁定 latch-up触发体硅C M O S中寄生p n p n电路,导致锁定的寄生电流超过器件正常电流的现象,该现象将一直持续直至电源断电。注:锁定可能是一种特殊的软故障(固件/软错误
25、) ;导致器件损伤时,为硬故障。4GB/T349562017/IEC62396-1:20163.33线性能量传输 linearenergytransfer;LET在半导体中沿辐射径迹,单位长度上沉积的能量。注:单位为兆电子伏特平方厘米每毫克( M e V c m 2 / m g ) 。3.34线性能量传输阈值 linearenergytransferthreshold;LETth器件在粒子注量1 1 0 7 i o n s / c m 2辐射下产生单粒子效应所需的最小线性能量传输值。3.35外场可替换单元 linereplaceableunited;LRU在系统的维护周期中可被替换的航空电子设
26、备部件。3.36兆电子伏 MeV辐射粒子能量,百万电子伏。3.37平均故障间隔时间 meantimebetweenfailure;MTBF可靠性要求的指标,指设备或系统在服役过程中的平均故障间隔时间。3.38平均非计划拆卸间隔时间 meantimebetweenunscheduledremovals;MTBUR可靠性的度量指标,是服务设备或系统的平均非计划拆卸间隔时间。注:世界航空公司技术术语,指设备或系统在服务过程中可能由软错误导致的非计划拆卸的平均间隔时间。因此这是设备或系统的可靠性的定量指标。 M T B U R的数值是影响航空公司运营成本的主要影响因素。3.39多位翻转 multipl
27、ebitupset;MBU单个电离粒子在电子器件中硅材料上沉积能量,导致同一个字中不止一个比特位发生翻转的现象。注:由于M C U (多单元翻转)定义的引入, M B U的定义已经更新。3.40多单元翻转 multiplecellupset;MCU单个电离粒子在电子器件中硅材料上沉积能量,诱发集成电路( I C )中几个比特位同时发生翻转的现象。3.41中子 neutron质量数为一且不带电荷的基本粒子。注:是除氢以外的原子核的组成部分之一。3.42无故障发现 nofaultfound;NFF对某一设备诊断检测后的报告结果。注:设备在使用中出现错误或故障信息后开展检测,却发现设备完全功能正常,
28、并且在后续设备检测中发现其在技术规范内正常工作。3.43粒子注量 particlefluence对于单向粒子束,是指与粒子束垂直的截面内单位表面积穿过的粒子数量。注1:对于各向同性的粒子束,是指穿过球面单位截面区域的粒子数量。注2:单位是个每平方厘米( n / c m 2 ) 。5GB/T349562017/IEC62396-1:20163.44粒子注量率 particleflux单位时间内的粒子注量。注:单位是个每平方厘米秒 n / ( c m 2 s ) 或个每平方厘米小时 n / ( c m 2 h ) 。3.45介子 pionorpi-meson亚原子粒子。可能的电荷为( + 1 ,
29、- 1 , 0 ) ,由高能原子核反应产生。3.46初步系统安全性评估 preliminarysystemssafetyassessment;PSSA基于功能性危害评估以及决定安全性的失效条件等级,对给定的系统结构和功能进行系统性评估。3.47质子 proton具有一个原子质量数且带一个单位正电荷的基本粒子,是所有原子核的组成部分之一。3.48可靠度 reliabilityR(t)对于具有恒定失效率的系统来讲,系统在0到t的时间间隔内保持运转的条件概率,用下述公式表示:R(t) = e-t= 1 / M T B F3.49风险 risk在规定的成本、时间及技术参数内达到整个计划目标的潜在失效的
30、度量。3.50单位翻转 singlebitupset;SBU半导体器件吸收足够辐射导致单个单元逻辑状态发生改变的现象。注:进入新一轮写入周期,可恢复原始逻辑状态。3.51单粒子烧毁 singleeventburnout;SEB单个辐射事件触发能量吸收导致功率电子器件或部件烧毁的现象。3.52纠一检二 singleerrorcorrection,doubleerrordetection;SECDED系统或设备的一套纠检错方法,该方法检测数字字信息,确定字信息是否出错,如果出错,则根据状态加以纠正。注:该方法可以纠正1位出错,能够检测并报告2位出错。3.53单粒子效应 singleeventeff
31、ect;SEE单个粒子(如G C R ,太阳高能粒子、高能中子和质子)入射器件产生的响应。注:响应包括:非破坏性(如翻转)和破坏性的(如锁定或栅穿)现象。3.54单粒子功能中止 singleeventfunctionalinterrupt通常指在复杂器件(如微处理器)中发生翻转,引起控制路径被改变,导致器件停止运行正常功能的现象。6GB/T349562017/IEC62396-1:2016注1:有时称为锁定,是指器件有时处于“冻结”状态(参见6 .2 .6 ) 。注2:重置配置寄存器( F / F )至默认值可以恢复功能。3.55单粒子栅穿 singleeventgaterupture;SEG
32、R功率绝缘栅器件吸收足够辐射电荷导致功率绝缘栅的栅区击穿的破坏性现象。3.56单粒子锁定 singleeventlatch-up;SEL含有最少4层半导体p - n - p - n结构的器件,吸收足够辐射后,导致无论怎样施加输入,在某节点上始终维持一个固定的状态直至器件断电的现象,可能是破坏性现象,也可能是非破坏性现象。注:单个辐射粒子在器件中相互作用发生电离沉积,在半导体材料(包括体硅C M O S )中触发形成寄生p - n - p - n电路,导致寄生锁存电流超过正常电流;如果器件持续供电,这个状态会一直持续。锁定可能是一种特殊的软故障(固定/软错误) ;也可能导致器件损伤,此时为硬故障
33、。3.57单粒子瞬态 singleeventtransient,SET单个高能粒子入射集成电路节点导致瞬时电压漂移(电压脉冲)的现象。注1:可采用专用术语A S E T和D S E T 。注2:参见6 .2 .4 。3.58单粒子翻转 singleeventupset;SEU半导体器件吸收足够辐射导致单元逻辑状态发生改变的现象。注1:进入新一轮写入周期,可恢复原始逻辑状态。注2:逻辑单元可能是存储位单元、寄存位单元或锁存器单元等。3.59单粒子硬错误 singleharderror;SHE器件吸收足够辐射在器件中产生永久性位锁死、在设备中造成硬错误的现象。3.60软错误 softerror锁存
34、器或存储单元中的错误输出信号可以通过该器件针对该锁存器或存储单元执行一个或多个正常功能后加以纠正的现象。注1:通常,这一术语一般指辐射或电磁脉冲诱发的错误,并非指制造加工过程中引入物理缺陷导致的错误。注2: S E U , S E F I , M B U , M C U和或S E T会产生软错误。商用行业采用软错误( S E R )这一术语,而航空电子系统、航天与军用系统领域一般采用更专业的术语如S E U 、 S E F I等。注3:术语“软错误”首次由I n t e l公司的M a y与W o o d s (针对D R A M与集成电路I C )在其1 9 7 8年4月国际可靠性物理年会I
35、 R P S上提出,而术语“单粒子翻转”由N R L的G u e n z e r , W o l i c k i与A l l a s在其1 9 7 9年N S R E C论文中子与质子诱发D R A M单粒子翻转中引入。3.61软故障 softfault在飞机功能级使用的术语。指数字硬件电子电路中发生无效数字逻辑单元状态更改的现象。注1:该故障,不涉及现场可更换单元( L R U )中永久性损伤器件的替换问题,但是,需要恢复逻辑单元至有效状态,才能使系统/系统架构恢复至完全功能正常。数字产品执行功能时出现“未发现故障”综合症时怀疑与该故障现象有关,这很可能影响L R U的M T B U R值。
36、如果软故障导致L R U中发生错误的器件更换,则该“更换”会影响被修复L R U的M T B F值。注2:逻辑单元包括逻辑门和存储单元。3.62太阳高能粒子事件 solarenergeticparticle(SEP)events在太阳耀斑或日冕物质抛射期间出现的太阳粒子(质子、离子和一些中子)增加的现象。7GB/T349562017/IEC62396-1:2016注:增强现象会持续几小时至几天。少量粒子具有足够的高能谱,会在大气层中产生显著增加的次级中子。3.63替代元器件 substitutecomponent设备设计定型后作为替代品在设备中使用的元器件。注:在某些情况下,使用术语“交替元器
37、件” ,表明这个元器件“等同或优于”初始使用的元器件。3.64系统安全性评估 SystemSafetyAssessment;SSA用于验证安全要求符合性的评估。3.65系统 system执行一项特定飞机功能或一系列飞机功能的硬件和软件的集合。3.66电离辐射总剂量 totalionisingdose;TID器件在规定的时间内吸收的电离的累积辐射剂量。3.67绝对减缓 totalmitigation100%减缓针对某一类型单粒子效应,在应用过程中通过采用特定措施减缓影响。注: S E L和S E B可通过限制输入电压低于S E L和S E B发生的阈值,实现1 0 0 %减缓。3.68验证 va
38、lidation当缺少早期历史数据且无厂家鉴定数据可供分析时,设备制造商使用的鉴定元器件辐射容限的一种方法。3.69白光中子源 whiteneutronsource白光中子源提供了一种宽能谱中子源,整个能谱从最低至最高能量范围均与自然大气辐射环境或地面辐射环境的能谱形态相似。4 缩略语下列缩略语适用于本文件。A C : 咨询通告( A d v i s o r y C i r c u l a r )A I R :大气电离辐射模型( A t m o s p h e r i c i o n i z i n g r a d i a t i o n )A N I T A :厚靶产生的与大气中子谱相似的中
39、子辐射源( T S L ,瑞典) A t m o s p h e r i c -l i k e N e u t r o n s f r o m t h i c k T A r g e t ( T S L , S w e d e n ) A R P :航空推荐规程( A e r o s p a c e r e c o m m e n d e d p r a c t i c e s )A S E T :模拟电路单粒子瞬态( A n a l o g u e s i n g l e e v e n t t r a n s i e n t )A S I C :专用集成电路( A p p l i c a
40、t i o n s p e c i f i c i n t e g r a t e d c i r c u i t )B L 1 A , B L 1 B , B L 2 C :三校介子设施(加拿大)提供的束流 B e a m l i n e d e s i g n a t i o n s a t t h e T R I U M Ff a c i l i t y ( C a n a d a ) 见G B / T 3 4 9 5 5 B I T :自测试( B u i l t - i n t e s t )B P S G :硼磷硅酸盐玻璃( B o r o p h o s p h o s i l
41、i c a t e g l a s s )C E C C :电子器件协会( C E N E L E C e l e c t r o n i c c o m p o n e n t s c o m m i t t e e C E N E L E C )8GB/T349562017/IEC62396-1:2016C M O S :互补金属氧化物半导体( C o m p l e m e n t a r y m e t a l o x i d e s e m i c o n d u c t o r )C O T S :商用器件( C o m m e r c i a l - o f f - t h e
42、- s h e l f )D - D :氘-氘( D e u t e r i u m - d e u t e r i u m )D O E :能源部美国 D e p a r t m e n t o f e n e r g y ( U S A ) D R A M :动态随机存取存储器( D y n a m i c r a n d o m a c c e s s m e m o r y )D S E T :数字电路单粒子瞬态( D i g i t a l s i n g l e e v e n t t r a n s i e n t )D S P :数字信号处理器( D i g i t a l s
43、 i g n a l p r o c e s s o r )D - T :氘-氚( D e u t e r i u m - t r i t i u m )D U T :试验样品( D e v i c e u n d e r t e s t )E:能量( E n e r g y )E C M P :电子元器件管理计划( E l e c t r o n i c c o m p o n e n t s m a n a g e m e n t p l a n )E D A C :检错和纠错( E r r o r d e t e c t i o n a n d c o r r e c t i o n )
44、E E P R O M :电可擦可编程只读存储器 E l e c t r i c a l l y e r a s a b l e p r o g r a m m a b l e r e a d o n l ym e m o r y 见G B / T 3 4 9 5 5 E P R O M :电可编程只读存储器 E l e c t r i c a l l y p r o g r a m m a b l e r e a d o n l y m e m o r y 见I E C 6 2 3 9 6 - 3 E F I S :电控制器飞行系统( E l e c t r o n i c f l i g
45、h t i n s t r u m e n t a t i o n s y s t e m )E S A :欧洲航天局( E u r o p e a n S p a c e A g e n c y )e V :电子伏特( E l e c t r o n V o l t )E X P A C S :基于E x c e l的大气宇宙射线谱计算程序( E x c e l - b a s e d P r o g r a m f o rc a l c u l a t i n g A t m o s p h e r i c C o s m i c - r a y S p e c t r u m )F B W :电传飞行控制系统( F l y - b y - w i r e )F H A :功能危害评价( F u n c t i o n a l h a z a r d a s s e s s m e n t )F I T :故障率单位,定义在1 0 9小时出现一次故障为1 F I T ( F a i l u r e i n t i m e )F P G A :现场可编程门阵列( F i e l d p r o g r a m m a b l e g a t e a r r a y )G C R :银河宇宙射线( G a l a c t i c c o s m i c r a y
