1、中华人民共和国国家标准压高技绝缘子术条瓷件件GB 772 87 Technical specifications of porcelain element for high voltage insulators 代替GB772 77 本标准适用于交流额定电压1ODO V及以上架空电力线路、电器和配电装晋绝缘子k用的未装配（或不装配）的瓷件（以下简称瓷件）。瓷件使用场所的周围环境温度为一4040。安装在电器立的瓷件，其使用场所的正值温度应符合其相应电器标准的规定，如无特殊规定，正值温度一般为40。本标准不适用于在有破坏瓷及袖的介质气体或液体）中工作的瓷件。对于在SF，气体中使用的资件，呵由供需双
2、方协议参照采用。本标准参照采用了国际电工委员会（！EC）如下出版物：a. !EC 233电气设备用空心绝缘子试验第二版1974年；b. !EC 168额定电压高于1000 v的系统用户内和户外瓷或玻璃支柱绝缘子的试验第二版1979年； !EC 383额定电压高于1000 v的架空线路用庭或玻璃绝缘子的试验第三版1983年。1 术语1. 1 外观质量部分a. 斑点一一熔化在瓷件表面上的杂物（如铁质、石膏等）所形成的异色斑点gb. 烧缺一一坯体内杂物烧去后所形成深入瓷体上的凹陷pc. 杂质一粘附在每件表面上的钵屑、砂粒、石英粉等颗粒，d. 气泡因杂物分解在瓷体表面所形成的泡；e. 轴面针孔轴面上呈
3、现的不深入瓷体的，直径在1mm以下的小孔5f. 袖泡因烧成不良而在袖面上形成的泡sg. 开裂烧成后在瓷体或军由面上形成的裂口，裂纹指宽度很微小的开裂（如龟裂等）；h. 堆袖一高出正常柏丽的积轴部分；i. 缺袖瓷件规定应上袖的表面上露出的瓷体无袖部分；j. 折痕坯泥折叠在坯件表面上而未开裂的痕迹$k. 压痕坯件表面因受压而造成的凹陷痕迹；I . 刀痕一由于坯件加工不当，在表面上造成的细条痕迹；m. 波纹一一由于坯件加工不当，在表面上造成的不平痕迹sn. 粘袖Z件在熔烧时因瓷件相互或与外物粘连而损坏轴面或瓷体的缺陷$o. 碰损坯件或瓷件相互或与外物相碰击而伤及轴面或瓷体的缺陷；P 生烧瓷件最终烧成
4、温度低于坯料成瓷温度或保温时间不够以致瓷件烧成不充分，经孔隙性试验有吸红现象者$国家机械工业委员会1987-11-23批准1988-10 01实施71! j. GB 772-87 q. 过火瓷件最终烧成温度高于坯料成瓷温度或保温时间过长所形成的瓷体发脆以及由于温度过高而引起的起泡现象，r. 氧化起泡姿件因烧成不良而引起瓷体膨胀或起泡现象gs. 缺砂瓷件规定应上砂的表面上露出的无砂现象；(. 堆砂一局部高出正常上砂层的砂粒堆积现象，u. 标记不清一商标或标记模糊而辨认不清。1. 2 制造工艺部分a. 湿法成型采用真空挤市l泥段，在坯料具有塑性状态下应用各种加工工艺压旋、车削等）成刑的hi.击；b
5、. 湿接一一经粗加工的单个泥坯，在其具有塑性状态下用粘接剂将两个以上的泥坯永久地接合起来。1. 3 形fr公差部分形状与位置公差部分的术语，除应符合GB1183形状和位置公差术语及定义的规定外，还应符合F述规定：a. 伞缘变形度一一资件伞缘上的各点与基准平面（检查平台平面）间的最大距离；b. 壁l旱均匀性一在瓷套的同一端面上，最厚瓷壁与最薄瓷壁之差值；c. 有限结构尺寸影响姿件装配附件的部位尺寸；d. 无限结构尺寸一硅件不装配附件的部位尺寸。1. 4 本标准所采用的其他术语应符合GB2900.“电工名词术语绝缘子的规定。2技术要求2. 1 瓷件的尺寸偏差2. 1. 1 瓷件应按规定程序批准的图
6、样制造。2.1.1.1 湿法成型瓷件般尺寸偏差应符合表l的规定。表I湿法成型瓷件一般尺寸偏差mm 偏差瓷件公称尺寸有限结构无限结构三三45士）.5 士z.0 45 60 士2.02. 5 60 70 士z.5 士3.070 80 士3.0士4.0二8090士3.5 士4,5 :90 i 10 士4.0士5,0 11 0 125 士4,5 士6.0 二125 140 士50 士6.5 140 155 士6.0 士7.5 7oz GB 772 87 续表l口1n1偏差瓷件公称尺、f有限结构无限结向15570 士65 士80 l 70 185 7 () +9 0 185 200 + 1. 5 +9.
7、 5 ZOO 250 十s.oJO. 5 250 300 8. 5 + ). 5 300 350 9 0 士12.5350 400 10. 0 士14-0 400 450 士12.0 +16. 5 450 500 13. 0 士18.05时）600士15.0 士21.0600 700 6. 0 士23.0 700 800 士18.0士26.0800 900 19. 0 士28.0900 l cc 0 20. 0 士30.0 工000 o. 01s d+5 士0025 d十5注表中“瓷件公称尺寸”为被测量部位的长（高）度（HJ或直径（D) 2.1.1.2 鉴件的爬电距离，如果规定值是公称值，则其
8、负偏差应不超过下式规定，上偏差不作规定。L运300时O. 04 L+l. 5 mm J,300时O.025 L十6mm 式中，二Ill!电距离的公称值，mm,如果爬电距离的规定值是最小值则实测值不应小于规定值。2.1.1.3 湿法成型的瓷件其壁厚偏差应符合表2的规定。表2瓷件壁厚偏差瓷壁厚度运1515 25 25 35 35 45 偏差一3一4一5一645 55 55 65 -7 一8注壁厚的上偏差不作规定，但不应影响安装连接。对瓷套，不应超过所在部位直径的般尺寸偏差。2.1.1.4 瓷件不上袖部位的尺寸偏差不应超过土5.0 mm，或由供需双方协议。mm 65 10 2. 1. 2 资件磨削部
9、位的直径尺寸偏差，当未指明时应符合表3的规定。如无精度要求者按表1的规定。2.2 自件的形位公差2.2. 1 湿法成型的瓷件，其形位公差应符合如下规定：701 GB 7 7 2 8 7 a. 瓷件两端困平1i度J夜不跑过0.026Dmn1 (1般指直径，或端面尺、J-); h. 瓷件轴线的直线度应不超过0.8%1!+1. 5mm(H为瓷件长度或高度）；、气瓷It仨体长度H与宦径D的比值J/DO时，瓷件轴线的直线度由供需双方协议。由于轴线的弯曲可能引起瓷件伞裙的倾斜而影响瓷件两端与金属附件的装配时瓷件两端伞裙倾斜不向使Hm，.JlmmO032 D+3 mm(Hm，.一一伞裙至端面的最大距离，Hm
10、m伞裙至端面的最小距离，D瓷件端部伞裙直径，mm）。c. ？，：件的厕度应不超过下列规定：表3瓷件磨削部位的直径尺寸偏差mm 偏差等级偏差等级il 径且十径I级E级E级l级E级E级C:250 士o.9 士z.s士3.5500 630 士.4 士3.5一七55 250 315 士. 0 2. 5 4. 0 630 800 . 6 士4.0士6() 315 400 士.2 3. 0 士45 800 I 000 . 8 4. 5 十7.0 .400 500 I 2 3. 0 5 0 ）运250sf o. 01n+2. 5mm Il250时O.02Dmm 式中瓷牛直径，mmod. 姿件司端面的壁厚均匀
11、性应符合表4的规定。表4瓷件端面壁厚均匀陀口lt丑. 厚15 15 25 25 35 35 45 45 55 55 65 二65均匀性3 4 5 6 7 8 10 （不大fle. IS:形悬式绝缘子和针式绝缘子监件的伞缘变形度，应不超过0.02Dmm(D 瓷件伞裙直径，m n 2.2. 2 瓷件经磨削后的形位公差及表面状态，应符合下列规定：a. j中两端面平行度应不超过等级IO. 18%D mm 等级EO. 35%D mm 等级田O. 52?/,D mm 式中：）瓷件直径，mm。b. 瓷件的J.下端同轴度应不超过：等级I0.15%H mm 等级EO. 25%H mm 等级EO. 30%H mm
12、 stf1, 11 瓷件民（高）度，mmoc. 瓷斗端面的粗糙度应符合表5的规定。GB 772 87 表5磨削表面粗糙度去也粗糙！主25 12- 5 6. 3 3. 2 l 6 R睛，Im无密封要求，只是适用范围由于制造t的原因油密封面气体密封面特殊要求的光滑面需要磨削者问z检查时，一般可采用试品与标样瓷）凭目力观测的方法进行比较，必要时采用仪器进行测量。2. 3 瓷件的外观质量2. 3. 1 瓷件应按图样规定的部位均匀地上层瓷袖。轴面应光滑，不应有显著的色调不均现象。2. 3. 2 瓷件友面缺陷不应影响瓷件的安装和连接，且不应超过表6的规定。类瓷件不应有尘烧、过火和氧化起泡现象。表6瓷件外观
13、质量瓷f牛分类单个缺陷斑点、杂质、缺袖H D 粘袖或碰损面积别烧缺、气泡等直径内表面外表面cm mm mm mm mm I 之二503 20.0 so.o 40.0 2 、二、504003 5 25，。JOO 0 so. 0 3 400 l ODO 4 35.0 140.0 70.0 4 I 000 3 000 5 40.0 !60.0 80.0 5 3 000 7 500 6 so.o zoo.a !CD. 0 6 7 500 15 oc 1 9 70.0 280.0 140.0 7 15 000 12 JOO 0 400 0 200.0 注：.D表中H一一瓷件高度或长度，cm;D 瓷件最大
14、外径，cm。内表面（内孔且胶装部位，但不包括悬式头部肢装部位）缺陷总面积不作规定。(iJ括弧内数值适用于线路针式和悬式绝缘子的瓷件。外表面缺陷深度总国和、或高度mm 盯mI 100. 0 150.0 (100.0) 200.0 2 (140.0) 2 400.0 2 600.0 2 I 200 2 HI!OD十I 000 2. 3. 3 当耐污型产品的爬电距离LIHz.2时（L一爬电距离，H瓷件高度，mm），其允许的缺陷总面积，应不大于表6中各该类外表面缺陷总面积乘以L/H1/2的系数。2.3.4 瓷件主体部位外表面单个缺秘面积应不超过表6外表面缺轴面积的0.7倍。2. 3. 5 轴面缺陷不能
15、过分集中。柏面针孔在任500 mm2面积范围内应不超过20个。缺陷的堆聚（例如堆砂）应算作单个缺陷。2-3-6 堆袖、折痕的高度或深度应不超过表5的规定，刀痕和波纹的深度应不超过0.5 mm.以上缺陷不计算面积。2. 3. 7 瓷件烙烧支承面不上轴部位不算作缺袖，但其不上袖高度应不超过表7的规定，超过部分接缺袖汁11真面积。磨自1部位表面不算作缺袖。705 GB 7 7 2 8 7 友7瓷件烙烧文承面不仁轴高度盯1盯l类别也：件分类1 2 4 5 7 不i轴高度，不大于，mm3 5 10 2. 3-8 线路绝缘子瓷件不允许有裂纹，但线路棒式绝缘子姿件允许在距离主体（包括电极）部j_i CITl
16、 以外的伞梭表面上有裂纹。电器和配电装置用瓷件般不允许有开裂。作为主绝缘用的及承受较大冲击机械负荷的瓷件，允许在距离主体（包括电极）部位lcm以外的伞棱表面上有裂纹，其宫廷件允许在距离电极部位lcm以外的表面上有裂纹。以上裂纹的宽度应不超过。.05 cm，单个长度应不超过lcm，裂纹总长不应超过0. 1 x外表面缺陷总面积 0 05 2. 3. 9 瓷件表面缺陷超过本标准规定时，缺陷的修补按主管部门的有关规定进行，但应由供需双方协议。2. 4 瓷件剖面应均质致密，经于L隙性试验后不应有任何渗透现象。孔隙性试验的压力不低于20 I o Pa ，压力与时间（h）的乘积应为180JOh Pa 。2.
17、 5 号主件应能耐受三次温度急剧变化而不损坏，其试验温度差按表8规定。表8温度循环试验温度差瓷件尺寸，mm温度差瓷件类型直径高（长）度厚度c 三三400运1000 运4570 最A 400 600 l 000 1 200 45 60 60 B型瓷件杆600 750 l 200 1 500 60 70 50 径750 l 500 70 40 50 120 60 A型瓷件杆120 150 50 径150 40 注。（Il当瓷件的直径、高度或厚度（或杆径）分别与按表8确定的温度差不同时，应取最小温度差作为瓷件温度循环试验的温度差。2厚度定立按GB775. 1绝缘子试验方法第一部分一般试验方法的定义确
18、定。元A型瓷件瓷体内最短击穿距离！，至少为资绝缘于外部两电极间空气的最短距离f,. 半的瓷件，即f，二三f,/2, .I I型瓷件：瓷体内最短击穿距离L，小于每绝缘于外部两电极距l司空气的最短距离J,半的瓷件，ni, J,/2. 2. 6 瓷件（瓷瓷、瓷管）壁厚工频击穿电压应不低于表9的规定。. 。壁厚mm 1颇击穿电压kV高级值）JO 15 65 80 GB 772-87 表日壁厚工频击穿电压20 25 90 100 注当瓷件哇厚介于击中的中间数值时，其击穿电压按线性插入法确定。30 40 50 60 105 115 125 135 2. 7 作主绝缘用的B型及空心主E件，应能耐受连续5mi
19、n的工频火花电压试验而不击穿、损坏或异启发热。2.a 作非主绝缘用的瓷件，其瓷壁应能耐受连续5min的工频电压试验而不击穿，其试验电压值为我9规定值的1/2。it 对F小型瓷件或由于结构上的原因按本条试验时可能要发生闪络的瓷件，应施加该坚件发生闪络叫的闪恪电压的90%。2.9 瓷件用按产品标准的规定进行超声波探视！检查，瓷件内部不应有超声波能发现的缺陷（如生烧、氧化、开裂和气孔夹层等）。2. 10 3是件应按产品标准或图样的规定进行机械强度和内压破坏试验。2. 11 本标准未规定的或其它特殊要求，如尺寸偏差等，应符合有关标准或图样的规定或由供需双方协议。由于电气性能还取决于所带附件或相应的产品
20、结构故其电气性能应在装配成相应的产品后进行试验。2. 12 自交货之日（即制造厂发出提货通知单之日）起两年内，如果用户在遵守本标准和按规定程序批准的运输、保管、安装和运行规定的条件下，发现有瓷件不符合本标准规定时，制造广必须无偿地给予更换。3检验规则3. 1 瓷件成由制造厂技术检验部门验收，制造厂应保证全部送交的瓷件符合本标准的要求。3. 2 按照本标准规定的检验规则和试验方法，用户有权检验瓷件的质量和指标是否符合本标准规定的各项要求。3.3 瓷件的检验分为逐个（例行）试验、抽样抽查）试验和型式试验。3.4 惋验瓷件的试验方法应符合如下标准a. GB 775. 1绝缘子试验方法第1部分一般试验
21、方法hb. GB 775. 2绝缘子试验方法第2部分电气试验方法h GB 775. 3绝缘子试验方法第3部分机械试验方法hd. JB/Z 262超声波探测怪件内部缺陷指导性技术文件。3.5 出厂的每只瓷件应按表10规定顺序进行逐个试验，如瓷件有不符合表中规定的任何一项要求则此瓷件不符合本标准要求。71J7 GB 772-87 表JO逐个试验项Hif. 可试验项目名称试验根据试验方法外观检查木标准第2.3 l在及4,2条Gil 775. l 2 尺寸检查年标准第2.I是Gil 775. l 3 形位公差检查本标准第2.2条(,!l 775. l 4 超声波探测检查本标准第2.9是BIZ 262
22、J 工频火花电压试验本标准第2.7条G日775.I 6 瓷壁耐压试验中标准第1.8条c;n 775. 2 7 逐个机械负荷试验丰标准苦苦2.l 0条“日775. 3 注.I.丁尺寸及开三位公差检荒草检奄图样上规定俭查的尺寸。(il用整体成型方法制造的资套、瓷壁耐压试验允许按抽样试验的试品数量进行抽样试验，如不合恪则应进行这个试验。3. 6 瓷件的抽样试验3. 6. 1 瓷件成按批进行验收，以同一工艺方法制成的同伞型号（或代号）的瓷件）作一批，每批数量对大咆瓷件相当l5类及以上瓷件）不应超过500只，小型lit件不应超过3200只。3. 6.2 瓷件应按批进行抽样试验，抽样试验在逐个试验合格后的
23、批中随机抽取试品进行抽样规则按1巳3384（高压，绝缘子抽样方案规定。3.5.2.1 批量与样本容量（每项试验的试品数）字码关系按表11规定。表11批量与样本容量字码批量检查1)( 平N s l s 2 s 3 二15A A .,4 16户zsA A J; 26 50 A J; 丑51 90 B B （、91 150 J; 且c 151 500 B c 口501 l 200 c c f; l 201 3 200 c D E 注1、表巾字母A，对于特大型产品，允许样本容量为“1”。恒、1自口无特殊规定，检查水平按下列规定 s l 特大型瓷仲（相当于7类Ph. s 2 大型瓷件（相当于56类），c
24、. s 3 一般瓷件或有重要要求的瓷件。7 （）抖GB 772 87 3. 6.2. 2 计仲抽样厅案的判定准则列于表120表12判定准则声lj定数样本F码样本容最A R. .4 A., R, I.、A n, 1 。n, 2 。2 ; JC H 4 2 ” 1 3 。2 ( ,. 6 1 2 5 。2 ) 10 I 少 8 。2 E 16 2 性，A, 接收判定数。第一次抽样的接收判定数为A，第二次抽样的接收判定数为A,.扎拒收判定数。第一次抽样的拒收判定数为R，：，第二次抽样的判定数为R., 次抽样的样本容量或二次抽样的第一次抽取的样本容量n, 二次抽样的第二次抽取的祥本容量。3. 6-3
25、抽样试验项目及其试验顺序规定于表130表13抽样试验项目If. 甘项日名称试验根据试品数量1 尺寸及形位公差检查本际准第2.1及2.2条按检查水平规定抽出自数的全部2 温度循环试验本标准第2.5是经项l试验后的全部3 机械破坏负荷试验本标准第2.I 0条按检查水平规定并经I2试验.j 孔隙性试验本标准第2.4条按检查水平规定注CD尺寸及形位公差检查呈检查图样规定的重要尺寸及爬电距离。：，；大型瓷f丰经温度循环试验合格的试品，可以提交用户使用(:l）如机械破坏试验有两种机械负荷试验时，其试品数量应为检查水平规定数量的两倍e：扣孔隙性试验用的试块，可以选取机械破坏负荷试验后的瓷块或用相同工艺制造的
26、问等厚度的试块.i1t行。试验采用i十件二次抽样方案当样本容量为“1”时，采用1tf牛一次方案，其判定程序pf如果第样卒n】中，不合格品数d，A，则该批接收。若d，二三R，则拒收该批。如果A.,d,I，则用在该批中重新再抽取第二次样本叫进行重复试验。在第二次样本中的不合格品数仇加I:.d町Bilili 次联合样水中的不合格品数之和，如d，十d，A，则该批接收。如d,+d，关R，则拒收i主批。但若在第709 GB 7 7 2 8 7 工次试验时仅尺寸或形位公差和外观质量不合格，允许遂只进行检查，合格品则口I以出。3. 7 瓷件的型式试验新产品试制！型或正常产品修改结构、改变原材料配方及仁艺方法时
27、，必须进行型式试验。每项试验的试品数最大型瓷件为3只（对于大型瓷件的破坏性试驹项！允许抽I只），小型瓷件为5只。塑式试验在逐个试验合格后按表14的规定进行。试验时，即使有争只试品不符合表14巾规定的任何一项要求，则型式试验不合格。表14型式试验项目l于母项目名称试验根据试验数量尺寸及形位公差检查本标准第2.l及2.2条抽出总数的全部2 温度循环试验本标准第2.5条经项1试验后的全部3 内压破坏试验本标准第2.10条经项2试验后的3只或5只4 机械破坏负荷试验本标准第2.10条经项2试验后的3只或5只璧厚工频击穿电压试验本标准第2.6条经破坏试验后的瓷块，每只试品5 取块孔隙悻试验本标准第2.4
28、条经破坏试验后的瓷块，每只试品6 取一块I主t尺寸及形位公差检查系检查图样规定的重要尺寸和爬电距离。孔隙性试能和壁厚工频击穿电压试验时，如大型瓷件试晶仅一只时贝uJiY选取三块瓷块进行。如型式试验中包括项3和项4的试验或真中之一项，则“抽出总数的全部飞即各项试验试品数量之和。4 包装与标志4. 1 瓷件的包装必须保证在正常运输途中不致因包装不良而损坏瓷件。有特殊要求的瓷件应保持姿件表面清洁干净，密封表面应严加防护。4-2 姿件应按图样规定的部位清晰而牢固地标出制造厂商标及制造年份。4.3 瓷件包装箱（或篓）上应标明：a. 制造厂名称，b. i中型号（或代号hc. 瓷件数量sd. 包装箱的重量pe. “小心轻放”、“姿件”等字样或指示标记。4.4 随着每批送交的监件附有产品检验合格证，此证应具有制造厂技术检验部门的印章。附加说明：木标准由两安电瓷研究所归口。本标准由西安电瓷研究所负责起草。本标准主要起草人刘树横。710
