GB T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法.pdf

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资源描述

1、中华人民共和国国家标准半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials 本标准适用于单晶硅、多晶硅叶1金属杂质元东和非金属杂质元素含险的测定。UDC 669. 782 :543.06621 . 315 .592 GB 4298-84 本标准包括杂质元素(十六个)的反应堆中子活化仪器分析方法、制和畔的反应堆Lj 1 F活化改射化分离分析方法、磷的反应堆rj1子ijl;化放射化分离分析方法、

2、氧的粒ff;化仪器分析力法和碳的筑:r I舌化仪器分析方法。第一篇杂质元素(十六个)的反应堆中子活化仪器分析方法1 适用范围本篇方法适用于单晶硅、多晶佳Ltl十六个杂!员元素的测:屯。测定范围z杭量:大Fl 10 6 ppm; 镇最大i2x103ppm;铁量大rl x 10 ppm;钻最大于2105 ppm,铜量大于sx10ppm;钵最大于510ppm;嫁量大于910-6 ppm;肺量大于日106 ppm g银最大1-6 10- ppm; Iii 量大于2JO5ppm;搁量大于1106ppm;销量大于3J06ppm;饲量大J3 10 ppm;钧母大于7x 10 ppm;金量大f6x roppm

3、 g格桂大l101 ppm。2 原理佳材料经反应堆中子辐照后,硅基体和待测元素镣除外,镇经仙,p)反应均经仙,V)反应生成放射性核索见表1) 0冷却适当时间,待31s i衰变后(315 I的半衰期X12.62h,时vi普仪测量各生成核的特征射线的强度,进行各元素的:;j二量分析。在测定铜适时,要扣除Na和1天然本底在s11keV峰rjl的贡献。丰适用范围由正立中所给下限实验条件(J)(样屋、辐阳和测量条件)确定E任制一项实验条件的战善均口J相应提高本项指标。国家标准局1984-03-28发布1985 03 01实施27S GB 4298-84 表it辛恻;i; 接反应靶核司位幸热q,f k应半

4、袁掉11 li:世峰能凶,Me、1度,o截面,b h keV (恒、1主气;寸(川69.2 4.4 12.74 511 II. 578:l!I. 6 I 1 I 垃I,J15, ()() 26 5 2011.2 889.26 一一( . I 川(二f(1,I (丁r4 35 15 9 665 :120. 03 Fe ,FrI引,15 Fe 0 31 1. 15 1070.4 1099 22 仁。Co( n,1Co 00 o7 46182 72 1332 50 /, n z 口,)“Zn 48 . 6 0 715 5858. 1 1115 50 IV 口,)响28 6 40 23 9 479.5

5、0 (a Gal n, I 12Ga 40 () .j 7 14 .1 834.02 I.u llEu Tei I 饲料】在2Ik体积1i: 到性悻酣13.2011 uo10 511 HIU 飞:1it、。:l I禹峭酷f3.8) 2. !)0孔1110 1 1) 2 13 . il (u 分;4制。ri曲3, I 目,1.00 !01 王(j, RI 一一一“lJI硝r11ij:,:”拍ir国:,)XJ5X1011(rm- i 1 ,蝠阳11:,uh,拎却Jh (制冷111刷h】l民峙的II缸子I旷j气置。1l)(J)iooowpm的:,;。278 GB 4298 84 织表3兀革;试ifi

6、j 1气ri.! 市lj丰j、准溶液放皮标准制;取t占午i ! jtg;卢主.m I g;c束斗一Zn (it i司t丰3.0fl x IO 甜酸!3.201 I . 5 3 I 3. 7 l 金属t主盐酸13.2lll和Ga 5.川。,025o.os!3.8) I Li面峭酸13.171As 金属liljlf;j( o10 仪器低本!民测量仪,配有币zomm金挂面垒型半导体探测器,其本!成均lcpm0 11 分析步骤11 1 样品和标准的制备11.1.1 样品z将硅材料切成币202(单位gmm)困片或14川42(怕位:mm)的方片,其质量为l2g,其余步骤同5.1. 1款。11.1.2 标准

7、z移含铜和肺各10目的标准溶液置于岳英安瓶中,烘,封口,铝?自i包装。标准各取陆每份。11 2 辐照样品和标准置于同一个铝筒巾,在反应堆热ilF通运;-1低于51013n/ (cm2 SJ处辐照40h,样品辐照结束后l5h内必须完成样品的处理和放化分离,并开始测量。11 . 3 辐照后样品和标准的处理11.3.1 样占Ii:处理步骤同5.3.l款,处理后的样品待放化分离与纯化。11 .3 .2 标准2将装有铜和耐标准的石英安韶用王水(3.25)煮数分钟,水洗,烘F, li中碎,用盐酸(3. 20)段取三次,每次浸取时各加铜、肺裁休23mg,定量移入lOOml容量瓶:!,用水稀释至斩、线,混匀。

8、11 . 4 样品和标准的放射化分离11.4.1 样品:将腐蚀后的硅样品破碎,移人溶样装置(见图2)的聚四氟乙烯蒸铜器中,该蒸倔器预先加入tsml氢氟酸(3.23)、15ml硝酸(3.17)、7ml水和铜、西载休各!Om臣,力口热i可流分解1 .仙,温度控制在250270。待样品完全分解后,关ftj冷凝水,继续蒸馆1.弛。冷却后,残渣用盐酸(3. 20)溶解,转移到soml烧杯中,加人1ml铁反载体溶液(9.川,用氧氧化馁(3.22)调节酸度全碱性,加热,使生成时酸铁(FeAs01)沉淀。过滤,沉淀留作阔的净化用,滤被留作制的净化用。11.4.1.1 畔的净化sJJll入盐酸(3.20)溶解肺

9、酸轶沉淀,向溶液加入5ml过氧化氧(9.5),煮沸,再加入5ml过氧化氢(9.5),重复煮沸一次。将溶液转移到蒸铜器中(见图3),加入lOml过氧化氢9.5)和10ml氢澳酸(9.的进行蒸榴(蒸至近r,收集馆出液水中。残前再重复蒸锵.;欠。合并t阳出液,JU热,却l入1g次磷酸铀(9.仆,煮沸5min,至出现黑色金属目中沉淀,使用布氏漏斗过滤(滤纸李先准确称量),用水和l乙固守洗涤,在红外灯F烘f,称最(计算化学回收兰卡,洲国:放射性。281 7 282 GB 4298 84 ” 卢一” 图2溶丰T装置., 1 石理护2一小电炉$3 聚叫制乙愉在榴樨1一蒸i甜苦苦HJLJ I 5 聚lflJ掘

10、乙t串连按器6一回流冷凝玻璃在营7 聚四氟乙烯白:8 橡胶事f) 4银搜iffil!. i I GB 428 84 2 图3蒸榴器l一电炉,2 在锢烧瓶I3 )J日酸漏斗,4冷凝器,s一接收烧杯11.4.1.2 铜的净化z将除去碑后的滤被用盐酸(3.19)调至pH2,再过量儿滴,)JUO.5ml b坤裁体路液(9. 3)和!Oml亚硫酸纳饱和熔液(9.7!,j温热,再加入)Qml慌氨酸轩溶液(9. 8),煮沸Y刻,什成白色硫氨酸亚铜沉淀,转移至离心营中,在离心机上离心,奔去清液,iii:淀用水洗数次。用2nil 硝酸(3.17)溶解沉淀,JU铁反载体溶液和醉载体溶液各O.5ml,加人氢氧化钱(

11、3. 22),哇!戊氢氧化铁和硝酸铁沉捷。过滤,弃去沉淀,用盐酸(3.20)调节滤液酸度至pH2,再过量儿淌,重复i!L注lifr氯酸亚铜一次,使用布氏漏斗过滤(滤纸事先准确称最),用水和乙醉洗涤,烘号,称益;(i ;算化学回收寄:,测量放射性。11.4.2 标准11.4.2.1 畔的净化2移取含0.001问冽的标准溶液,加人!Omg硝载体,稀释至2030时,)J日人ig 次磷酸纳9.lJ, Ju热煮沸.5min,生成金属肺沉淀,使用布氏漏斗过滤,用水和乙醉洗涤,快i、称量(ii:算化学回收率,测量放射性。11.4.2.2 铜的净化移取含0.001问钢的标准溶液,加入JOmg铜载体和!Omg铁

12、反我休,b川、氢2队写GB 4298 84 氧化镀(3.22),生成氢氧化铁沉淀,过滤,弃去沉淀,用盐酸(3.19)将滤液调学pH2,而d:,; Jt 滴,加入tomI业硫酸纳溶液(9. 7)和lOml俯氨酸钊溶液(9. 8),生成硫氨酸币制,使用在氏ihli过滤(滤纸宰先准确称量,用水和乙醉洗涤,烘干,称量(计算化学回收二料,测试放射呐。铜和碑的化学回收率一般在60%以上。11 .5 放射性测量采用低本!良测量仪进行测量。样品和l标准均需洲也半衰期曲线,以检验放射卡t纯度。l土 lOmin,半衰期j!Jlj最延续两个兑气衰期以上。12 分析结果的计算按式(5 )计算铜、碑的含量zA,、r/m

13、, mx: 一一一一一一. . . . . . . . . . . . . ( A,ox m 式c1,A,0, A,0一一由半衰期曲线外推至出堆时,样品和标准的放射性强度,cpm;叭,可s一一样品和标准的化学回收率。硫氨酸亚铜换算为铜的换算因数为0.52,刷版铁换算为阔的换算困数为0.391rn, 样品中待测元素的含量,ppm m,一一标准的质量,臣,m一一样品质量,E。12 . I当l.,1: L,时根据公式(5 )给出定量结果。2.33vli A,为样品第个测量点的放射性强度(cp时,L,一I;一(置信度为95川,均步!J断极限,B为仪器本底与经放化分离后残留杂质放射性之和,Im为样品测量

14、时间。12.2当A,二L,时给出探视l极限Ld(ppm)。L 2.71 +4.65/B d= A,0rn . . . . . . . . . . . e ,I . 式rjl:一一衰变常数,Sl I Id衰变时间,So13 精密度铜和耐标准,的精密度均好子5%。方法精密度g铜仔于8.6 %,呻好子14%。第三篇嚼的反应堆中子活化放射化分离分析方法14 适用范围本篇方法适用于单品硅、多品硅中磷量的测定。测定范围z磷量大于7104 ppm。15 原理役中磷(以稳定问位亲3Jp存在)经中f辐照后,生成放射性同位素12p,核反应为:11p ( n,) :2 p 0 通过放射化分离,从辐照后的硅样品中将3

15、2p分离出来,测桂英H放射性,采用相对法与机准中El比较,测定样品中磷的浓度。284 GB 4298-84 但由于存在暗基体的二级反应z 30S; (n, Y)31Si - P (n, y) P 结果也1.成了32p。故用上述相对法所拥出的磷浓度包括两部分2样品中待测的原始磷浓度和位基体的二级反应所牛成的表观磷浓度(由硅二级反应F扰导致磷浓度测定的偏高部分)。因此,待测的原始磷浓度应等于相对法视lj得的磷的总浓度减去表观磷浓度。当表JM磷浓度远小于待测的原始磷浓度时,口J以将其忽略,厅甘当f币;分析浓度低j二10310ppm的砖中磷时,在观磷浓度则必须进fr计算扣除。16 试剂和材料16 .

16、1 16.2 16.3 16.4 16.5 16.6 16.7 16. 8 16.9 16.10 盐酸(!.SN).白J氯酸(比重1.67)。钟反载休溶液(!Omz钟mI) g将金属僻溶于盐酸(3.20) 1j10 钻反载体溶液(!Omg钻ml),将金属钻溶于硝酸(3.18)中。金反载休溶液(!Omg金mI),将金属金溶于王11th I ,/;- /f, 叭hD0 ( 1 ) / o 23.4 在1i自(99. 99 ?ii以上), 6.mg;cm20 23 .5妇;自(99.99%以上), 2.5mg;cm2。24 仪器和设备24. 1 一相加符合i普仪系统(见图4) 配有两个75mm75m

17、mNal(Tl)挠测器,两台币i且帐中分析器,台符合电路和一台400道分析器。测量木底为0.5cpm。24.2 l.2m回旋加速器a粒子能量31.2MeV。24.3 辐照系统t包括锅!照啊!室,气动传送装置和束流积分仪。丘ff高压而IIf旺If前置光电J旷.一4 光电前资Na! 放大器倍2日啻,t Na! 倍JJ11!写放大器四盹挝合放大串单且脉冲单i且肿冲分析器符合电路,析;ii;400ill!求冲l口!芷分析嚣钟脉冲1刊号I J Ill丰凡主兮器闯4 v相)JII符合说仪系统的棋国289 4298-84 两周抛光成i克l后,片是;i节水、;)乙的(23. l ) 每次GB 25. 1 样品

18、和标准的自lj备Z5.1.1 样品:样品切成cll8 2 (单位!T!ffi)困户;,治洗,自然i燥,称埠,用铝?在(2:l.5)包装。25 .1 .z 标准:以l.纯石英(S i02)的为标准,氧含量泊53.3 。标准同样切成世l82(单位,mn1) !lili I,用蒸饱水、龙成乙醉(23.11滔洗,自然f燥。用两层铝泊(23.4和23.5各!二)包装。25 .2辐照样品和标准囱气QJ传送装置!次i兰人回旋加速器的外靶窒分别进fl辐照,辐熙1前t强由W:r宽积分仪记录。样品的辐!流强为12J,辐照时间为lho标准的辐照ifrt强为0.20.3 !,辐照时间为5 min。辐照过程中应保将流强

19、稳定,并用压缩空气冷却样品。问旋加速器产哇的粒子能最为31.2/vleV,穿过任;宿街(6.mg/cm)、空气品:“.2 mg/ cm) 和包装iflifi(2. 5 rng/ c m2)后,到rj)在样品表面的能量为28.7Me V。因标准比样占ir多包一旦铝汩(6.Jmg/cn1勺,故到达f,J;、;ift丽的能量为27.7MeV。25.3 辐1后样品初标冶的处理25.3.1 样品)别量取1015ml民合酸(23.3J三份于气个腐蚀槽巾,将样品依次腐蚀三次,每次腐蚀后i主J;有用蒸销水把样品洗净。样品腐蚀盯用无水乙醉洗涤,f:燥,称量,然后,进行放射制测址。腐蚀以j主控制在约6mg/cm2

20、。在除去表团沾i!);兰后的粒f能量:为27.7Me V。25.3.2 t,J;、础24自l一去!徊,!it主测量。25 .4 放射性视rji过科品和标而it.J放f铠ii火器中,用一相加符合谱仪系统测量。样品冷却2h后川It;测与士,叫主;1Qmi n,持!;):洲J,!:1 h。标准冷却J1012h后开始担j话,每次测量lmin,捋续视11,;)Qmin0 在测挝jjf,中,用Na串j、叶iffi、对话仪系统进行本J、定和监督。分析步骤25 分析结果的计算26 在人身J料f能i盐和测量;系统相同条件h按式(21)lt算将削儿%1:样山,ijJ 似扎t“、I兀j截面”沽,il-J含i圭;:m

21、,二一4R, 1 e ) 工qr,m,rn,-件训兀A旨在样品和标准1j 1相对含埠,I一流强,;r 入射和f全身j,fi,mg:cn11; .4-辐i结束时刻的放射性强眩,cpm;一一产核的衰变常数,min1 , I一辐Jl.世时间,rnin; 峭lfJ、x布JS)革lj代表样品丰llt币准。、A平门tI与其J实俭洲i二丘,R平口叮出表查得,m,为已划r1r11.rt人公式(21JUJDJ求l!irn,o .” I 21 I $ 2 2 7 l写F?,( 1 e-丁牛ti,A g且;精密度27 将在1艾如古玩含坛;1x)()1I102pprnrli, 中占街道生r120勺,棋?污,:,;rl

22、 x 10 ppmlbt, J lU1日290 GB 4298-84 第五篇碳的?在子活化仪器分析方法28 适用范围本篇方法适用于单晶硅、多晶佳t1碳含量的测定。j则应范围2碳量大于8101ppm, 29 原理用青+i6化分析法测定嵌是基于12c付,n)i1 N反应,反应阉能是0.311eV,产核N是纯发射体,半衰期为9.96min, 低于轰击硅时,与硅及硅中轻元素可能户生的核反应列于表40出表可见,低于能量小1,5Me 时,产生的干扰反应最少,冷却J适当时Ill,日,扰核素仅有1F和30p。故用mT 5 MeV)活化在一后,可用相加符合谱仪视lj得i1N、1F和p二个核素的混合放射性衰变曲线

23、,然后用计算机对该曲线迸行最小二乘It分解,求得11N放射性,与标准作相对比较,即可求出样品tj1做含量。表4JC幸核反应B (d,n)C H B cd,2n1C N id,t)13N 14N1d,dn113N N N Id n)150 , 11N 1d,an1C 0忡,叫“N。160叶,!F 0 1d,nJ17F 29Si d,nJP S d, 1)剧lp s i Si (d, p)Si 10Si Cd,l Al 30 试剂和材料30.1 铝活(99.99%以上):厚度为43.Zmg/cm2,30.2 金汩(99.99 %以上):厚度为280mg/cm2,31 仪器和设备31 .1 1. 2

24、 m回旋加速器s低于能量沟15.6.1eV,31 .2 计算机z内存为32k,字沟8Bit, 阔能产核特讪半衰期1eV nin Q、J0 /3 20 0 5 9 4.9 .96 12 Q。2 5 88 20 3 8.4 9 96 Q. 0 卢10臼.7 1 . 8 I l Q 0 矿2.5 Q. 0 Q、。 157 2 3 291 GB 4298-84 32 分析步骤32 .1 忏,占有Jt,J、准的削备32.1.1 样川同25.I . I款。用织衍(23.4)包装样品。32 .1 .2 标准:以1日J纯石墨竹为标准,制成世182(单位:mm)国IJ,用两层铝衍(2:.4)包装。32 .2细照

25、样川和标准llJ气功传送装置(24.3)依次运人回旋加速器的外靶室分别迸行辐照,辐照ititI且由束it积分仪记录。样品的辐照J耐甚为24A,辐!照时间为10n1in。标准的辐照lfrt:i量为0.30.ii,辐照时间为flmin。辐照过程中,应保挎流强稳定,并用压缩空气冷却j样品。回旋加速器产尘的7乱子能屋为15.6MeV,穿过金?自(30. 2) 铝?自(30. 1 )窗、空(h.i(5.zmg;cm) 和l包装和馅(23.4)后,到这样品表面的能量为3.711eVo因标准比样品多包1.z;切;自(23. 4 ),故到达标准表面的能量为2.9MeV。32 .3 辐照后样品和标准的处理32.

26、3.1 样i1l1:问25.3.1款。在陈去表面沾污以后的低f能屋为2.9MeVo32 .3 .2 杯准:同25.3.2,i);。在除去表面沾污区后71子能量:为2.9McVo32 .4 放射性洲运样【ll.1平1日标准丛j放1二铝海灭器巾,用vv相JU符合i;i仪系统(24 1 )测量。样11冷iifJ30min)日丹吁:洲崖,每次测量lmin,捋续测量90min左布。标准冷却2h后ff始测埠,每次测量lmin,持续视ulii n m AV 在测坠过程tj1 用iNa标准源对谱仪系统进行标定和监督。部分析结果的计算在计算机t,对测得的F混合衰变曲线进行最小二乘It分解,求得各核素在辐照停止时刻的放射何i I数卒及其误差。计算机程序用Basic语言编制,按P,N和I三组份进fj分解,并对测试数如进行了死时间校正和光滑处理。求得的Nlfa射性代人公式(20;即可求出碳含量。” 精密度方沾精密度Pf于40%。附加说明本标准由有色金属i业总公民J:tii.Wo本丰,;111w有色金属6Jf究总院和中国科:院原f核研究所负责起草。本标准也草人周五胆、章家II o 292

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