GB T 4597-2012 电子管词汇.pdf

1、远望ICS 3 1. 100 L 35 ,.-和国国家标准11: 中华人民GB/T 4597-2012 代替GB/T4597 1996 帆FE，剧，刷，两刑刚刚，llw汇词向自子电Vocabulary of electronic tubes CIEC IEV 50531: 1974 , MOD) 2013-02-15实施2012-11-05发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会OA飞，mmh吃、qZHh白伪句i飞/缸蜻呵俨户、叫崎配町AfJf如脚eu陪同ed-YG/T 4597-2012 目次前言.T 1 范围-2 基本术语l2. 1 电子管的一般分类2. 2

2、发射和空间电荷22. 3 气体中的放电42. 4 电子束/注聚焦和偏转62. 5 电子管噪声82. 6 电压、电流和功率122. 7 电压、电流和功率以外的一般性能和参数172. 8 特性和工作条件212. 9 脉冲特性253 结构283. 1 电极(一般的)、元件和发射极283. 2 控制极和收集极303. 3 结构(管壳、电子枪和附件)354 电子管类型. . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 4. 1 空间电荷控制管和二极管394. 2 空间电荷波管和空间电荷控制微波管424. 3 阴极射线管和存储管464. 4 光敏管494. 5 充气管524.6

3、X射线管575 性能和参数四5. 1 空间电荷波管和空间电荷控制微波管585. 2 阴极射线管685. 3 存储管755.4 光敏管815. 5 摄像管865. 6 辐射计数管以外的充气管m5. 7 辐射计数管.1 () 1 5.8 X射线管目。昌本标准按GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本标准代替GB/T4597-1996(电子管词汇。本标准与GB/T4597一1996相比主要变化如下:GB/T 4597-2012 删除原标准中2.1. 27、2.1. 28和3.7等离子体显示器件的内容，并删除原标准中4.6. 117 4.6. 133的名称和内容。删除原公式(1)。增加术语多注行波

4、管(见4.2.39)、冷阴极酷控管(见4.2.41)、尖峰漏过功率(见5.6.43)。部分术语名称和定义内容的修改。格式变化。原第1章、第2章、第3章、第4章分别对应本标准的第2章、第3章、第4章、第5章。本标准采用重新起草法修改采用IECIEV 50531 :1974(国际电工辞典第531部分:电子管。本标准在相同术语的定义末尾或标题后给出了IECIEV 50531: 1974中的相应编号。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由全国电真空器件标准化技术委员会(SAC/TC167)归口。本标准起草单位:中国电子技术标准化研究所。本标准主要起草人:张朋、陈兰。本标准所代替标准的历次版

5、本发布情况:GB/T 4597-1984、GB/T4597-1996。-GB/T 4597-2012 电子管词汇1 范围本标准规定了电子管基本术语和定义、与电子管结构相关的术语和定义、与电子管类别相关的术语和定义、与电子管参数特性相关的术语和定义。2 基本术语2. 1 电子管的一般分类IEC IEV 50531:1974，定义531-11J2. 1. 1 电子器件electronic device 主要由电子在真空、气体或半导体巾的总功来实现电传导的一种器件。lEC IEV 50531: 1974.定义53111-01J2. 1. 2 电子管electronic tube 在气密管+内由存在i

6、lft314气体介质巾的电子或离子来实现电报问电传导的一种电子器件。但只作照明j目的桦件除外。IEC IEV 50531:1974.定义531-11-02J2.1.3 真空管vacuum tube 管内真空度达到使其电特性堪本1-.不受任何残余气体l&，蒸气的电离影响的一种电子管。IEC IEV 50531 d974.定义531-11-03J2. 1.4 电子束管electron-be:tm tube 性能取决于一个或多个电子束的形成和控制的一种电子管。IEC IEV 50531 :1974，定义531-1104J2. 1. 5 充气管gas-filled tube 离子管ion tube 电

7、特性基本上由人为引入的气体的电离作用来决定的一种电子管。IEC IEV 50531:1974，定义531-11-05J2. 1. 6 微波管microwave tube 工作在微波波段的种电子管。2. 1. 7 X射线管X-ray tube 由阴极产生的电子经电场加速轰击阳极靶而产生X射线辐射的高真空器件。如旋转阳极X射线管、双焦点X射线管。回GB/T 4597-2012 2.2 发射和空间电荷1EC IEV 5053 1: 1974，定义531-12J2.2.1 电子发射electron emission 电子从材料表面逸出到空间的过程。1EC IEV 50531:1974，定义531-12

8、-01J2.2.2 逸出功(电极材料的)work function (of electrode materiaD 将某一电极材料中处于费米能级的电子移到材料外无穷远处所帘的能量。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-02J2.2.3 接触电势差contact potential difference 接触电位差两种材料相接触时，在两端形成的电势/位差，其值为两种材料逸出功之差除以电子电荷量所得的商。1EC IEV 50531:1974，定义531-12-03J2.2.4 热电子发射thermionic emission 因电极温度增加而引起的电子发射。IEC IEV 5053

9、1:1974，定义531-12-04J2.2.5 光电子发射photoelectric emission 由入射的光辐射引起的电子发射。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-05J2.2.6 场致发射field emission 仅由电场所引起的电子发射。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-06J2.2.7 一次原电子发射primary-electron emission 由热、光电或电场直接引起的电子发射。IEC IEV 50531: 1974，定义531-12-07J2.2.8 二次电子发射secondary-electron emission 由电子

10、或离子轰击电极材料表面而引起的电子发射。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-08J2.2.9 2 二次电子发射电流secondary-electron emission current 由二次电子发射和入射原电子的反射所形成的电流。IEC IEV 50531: 1974，定义531-1209JG/T 4597-2012 2.2.10 二次电子发射系数secondary-electron emission factor 二次电子发射电流与入射一次电子电流/原电子电流的比值。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-10J2.2. 11 热电子发射效率thermi

11、onic-emission efficiency 饱和热电子发射电流除以阴极加热功率所得的商。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-11J2.2.12 肖特基效应Schottky effect 由阴极表面存在的加速电场引起的热电子或光电子发射相对于无电场时发射量增加的现象。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-12J2.2.13 阴极中间层cathode interface layer 在氧化物阴极的基金属和涂层之间的一种不良导电层。IEC IEV 50531: 1974，定义531-12-13J2.2.14 空间电荷space charge 由电子或离子在

12、管内空间形成的电荷。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-14J2.2.15 空间电荷限制状态space-charge limited state 由于空间电荷在阴极前面形成的最低负电势/电位使热电子发射电流与阴极温度基本无关的一种工作状态。IEC IEV 50531: 1974，定义531-12-15J2.2.16 饱和状态saturation state 温度限制状态temperature limited state 在给定温度下，电子发射电流仅受阴极发射能力限制的一种工作状态。IEC IEV 50531 :1974，定义531-12-16J2.2.17 漂移空间drif

13、t space 未加射频场但电子注/电子束可产生相对再分布的区域。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-17J2.2.18 互作用区interaction region 射频场和电子注/电子束的空间电荷波之间产生相互作用的区域。IEC IEV 50531:1974，定义531-12-18J2.2.19 互作用间隙interaction gap 其尺寸比所考虑的波长要小的互作用区。3 回GB/T 4597-2012 IEC IEV 50531:1974，定义53112-19J2.2.20 发射电流emission current 电子发射形成的电流。2.2.21 二极管中的反向

14、发射reverse emission in a diode 阳极的电子发射。2.2.22 小岛效应island effect 由于阴极表面产生了极不均匀的电场，致使阴极表面的某些区域电子发射很难截止，形成了所谓发射小岛的一种现象。2.2.23 脉冲发射pulse mission 在规定的脉冲工作的条件下，来自阴极的电子发射。2.2.24 峰值发射peak emission 在规定的峰值电压条件下，来自阴摄的电手发射。2.2.25 阴极发射cathode emisson 在规定的工作条件下，来白阴极的电子发射。2. 3 气体中的放电IEC IEV 50531 :1974，定义531-13J2.3

15、.1 电离ionizing event 气体分子受到外界能量的作用分解成离子和电子的现象。IEC IEV 50531: 1974，定义531-13-01J2.3.2 雪崩avalanche 由于一个带电粒子与气体分子碰撞而产生大量带电粒子的一种积累过程。IEC IEV 50531 :1974，定义531-13-02J2.3.3 气体放电gas discharge 在电场作用下使气体电离而形成电流的物理现象。lEC IEV 50531:1974，定义531-13-03J2.3.4 辉光煎电glow discharge 在冷阴极充气管中主要由正离子或光子轰击阴极而释放电子的一种气体放电现象，J l

16、斗，于fJ!，111现管内气体所特有的辉光。IEC IEV 50531: 1974，定义531-13-01J4 G/T 4597-2012 2.3.5 弧光煎电arc discha咆e与辉光放电比较，阴极势降/位降较小的一种气体放电。注:从阴极释放的电子主要是由热电子发射或场致发射两者单独或同时作用形成的。由离子轰击而释放的电子发射只起一小部分作用。IEC IEV 50531:1974，定义531-13-05J2.3.6 电晕放电corona discharge 在导体附近产生微弱发光的一种气体放电现象，放电时不使导体过度发热，而发光仅限于导体周围场强超过给定值的区域。注:电晕稳、压管中，电晕

17、通常发生在高电压、低电流微安数量级)的区域巾.这个区域是浸没在压强高于几百帕斯卡的气体中两个不加热电极之间的。IEC IEV 50531:1974，定义531-13-06J2.3.7 间隙gap 两个电极之间的导电区域。IEC IEV 50S31: 1974，定义:i:1-13-07J 2.3.8 主间隙main gap 通过负载电流的间隙。IEC IEV 50531: 1974，定义531-13-08J2.3.9 启动间隙starter gap 触发间隙tr恒gergap 一种间隙.其导通电流能寻|起主间隙放屯。IEC IEV 50531，1974，定义531-13-09J2.3.10 气体

18、倍增gas multipli,ation 气体中由初始电离辐射产生的离子在强电场作用下再产生更多离子的过程。IEC IEV 50531:1974，定义531-13-10J2.3. 11 击穿(在气体中)breakdownCin a gas) 间隙电阻从几乎是无穷大值变到较低值的突然转变，其结果是形成放电。IEC IEV 50531 :1974，定义531-13-11J2.3.12 自持放电self-maintained discharge 去掉外部电离源后仍能维持的放电。IEC IEV 50531 :1974，定义531-13-12aJ2.3.13 非自持放电non-self-maintain

19、ed discharge 去掉外部电离源后就停止的放电。IEC IEV 50531:1974，定义531-13-13J5 -GB/T 4597-2012 2.3.14 等离子体plasma 电子和离子密度接近相等的电离气体媒质。lEC IEV 50531: 1974，定义531-13-14J2.3.15 引燃的统计延迟statistical delay of ignition 从加上使放电开始的规定电压起到引燃开始为止的延迟时间的统计平均值。IEC IEV 50531:1974，定义531-13-15J2.3.16 逆弧arc-back 与正常通电方向相反的击穿。IEC IEV 50531 :

20、1974，定义531一13-16J2.3. 17 弧穿arc-through 在预定的非导通期间，导致正向导通的失控状态。IEC IEV 50531:1974，定义531-13-17J2.3.18 不着火misfire 在规定的条件下，主阳极和阴极之间建立不起放电。IEC IEV 50531:1974，定义531-13-18J2.3.19 着火firing 在一定的条件下，主阳极和阴极之间建立起放电，间隙电阻从接近无穷大值突然转变到较低值的现象。注:微波气体放电管不适用。2.3.20 引燃(在气体中)ignitionCin a gas) 施加规定的条件，使得间隙电阻从几乎是无穷大值变到较低值的

21、突然转变，从而导致希望的放电。lEC IEV 50531:1974，定义531-13-12J2.4 电子束/注聚焦和偏转lEC IEV 50531 :1974，定义531-14J2.4. 1 准直collimation 使电子束/注在一规定的截面内形成并维持沿规定路径运动的过程。IEC IEV 50531:1974，定义531-14-01J2.4.2 聚焦focusing 控制电子束/注使其收敛以便在给定点上获得最小或最佳截面的过程。IEC IEV 50531:1974，定义531-14-02J2.4.3 6 交叉点crossover point 电子束的第一个会聚点。lEC IEV 5053

22、1: 1974，定义531-14-03J2.4.4 电子束/注压缩系数beam compression factor 电子束/注压缩比G/T 4597-2012 在指定截面内电子束/注的平均电流密度对参考截面(通常为阴极表面)的电子束/注平均电流密度的比值。lEC IEV 50531:1974，定义531-14-04J2.4.5 电子束发散角beam-divergence angle 由交叉点发出的锥形电子束的立体角。IEC IEV 50531: 1974，定义531-14-05J2.4.6 静电聚焦electrostatic focusing 用静电场使电子束/注聚焦。IEC IEV 505

23、31:1974，定义531-14-06J2.4.7 磁聚焦magnetic focusing 用磁场使电子束/注聚焦。IEC IEV 50531:1974，定义531-14-07J2.4.8 偏转deflection 用电场和/或磁场使电子束/注改变方向。IEC IEV 50531:1974，定义531-14-08J2.4.9 静电偏转electrostatic deflection 由静电场引起的偏转。IEC IEV 50531:1974，定义531-14-09J2.4.10 磁偏转magnetic deflection 由磁场引起的偏转。IEC IEV 50531:1974，定义531-1

24、4-10J2.4. 11 偏转电压deflection voltage 加在一对偏转电极间的电压。lEC IEV 50531:1974，定义531-14-11J2.4.12 偏转电流deflection current 偏转线圈中的电流。IEC IEV 50531:1974，定义531一14-12J2.4.13 对称偏转symmetrical deflection 加上偏转电压时，两个偏转电极的电压平均值保持不变的一种偏转方式。lEC IEV 50531:1974，定义531-14-13J7 -w GB/T 4597-2012 2.4.14 静电偏转灵敏度electrostatic defle

25、ction sensitivity 在规定条件下，束点位移除以偏转电压变化量所得的商。IEC IEV 50531:1974，定义531-14-14J2.4.15 磁偏转灵敏度magnetic deflection sensitivity 在规定条件下，束点位移除以偏转电流所得的商。IEC IEV 50531 :1974，定义531-14-15J2.4.16 偏转因数deflection coefficient 静电的或磁的偏转灵敏度的倒数。IEC IEV 50531 :1974，定义531-14-16J2.4.17 偏转均匀性因数deflection uniformity factor 静电的

26、或磁的偏转灵敏度的最大变化对该偏转灵敏度最大值之比。注:这是一个非均匀性因数。IEC IEV 50531:1974，定义53111-17J 2.4. 18 光点spot 屏面或靶面受电子束轰击时激发克的小区域。IEC IEV 50531: 1974，定义531-14-18J2.4.19 扫描钱scan line 束迹trace 扫描scan 在屏面上或靶面上、由远功束点描绘的口JYL的或ilJ记求的径迹。IEC IEV 50531:1974，定义531-14-19J2.4.20 光栅raster 由扫描线组成的基本上均匀地覆盖屏面或靶面的预定的规则图形。IEC IEV 50531:1974，定

27、义531-14-20J2.4.21 屏面灼伤screen burn 由于长时间(或大密度)的电子或离子轰击使屏面上一些荧光材料毁坏而造成亮度减低的现象。IEC IEV 50531:1974，定义531一14-21J2.5 电子管噪声IEC IEV 50531:1974，定义531-15J2.5.1 8 电子管噪声tube noise 电子管内发生的不需要的电信号的扰动。IEC IEV 50531:1974，定义531-15-01JGB/T 4597-2012 2.5.2 等效噪声电阻equivalent noise resistance 一个电阻，若把它引入理想的无噪声电子管的输入电路中，则在

28、相应的频带内于基准噪声温度290K下在电子管输出端产生的噪声电平与实际电子管的噪声电平相等。IEC IEV 50531: 1974，定义531-15-02J2.5.3 热噪声thermal noise 在耗热体中由于热扰动而引起的随机噪声。IEC IEV 50531:1974，定义531-15-03J2.5.4 分配噪声partition noise 由不同电极间电流分配的随机起伏所引起的电子管噪声。IEC IEV 50531 :1974，定义531-15-04J2.5.5 散粒噪声sbot noise 电子通过某一表面时电流的随机起伏所引起的电子管噪声。IEC IEV 505:1: 1974

29、，定义531-1:1-0;)12.5.6 闪变噪声fHcker noise 随电流而变的一种电子管噪卢.其特征是功率频谱密度随频率的增高rfii降低。IEC lEV 50531: 1974，定义531-15一06J2.5.7 1/ f噪声 / f noise 大小与频率成反比的电子管噪卢。IEC IEV 505:n:1974.定义:1-1307J2.5.8 离子噪声in noi:.e 电子束/电子注内的离子所引起的电子管噪声。IEC IEV 50531 :l974，定义531-15一08J2.5.9 颤噪效应microphony 麦克风效应microphonic effect 因电子管零件的位

30、移或变形所引起的电极电流的不良调制。IEC IEV 50531: 1974，定义531-15-09J2.5.10 嘘声hiss 与拖长的瞠瞠声相似的声频范围内的电子管噪声。IEC IEV 50531 :1974，定义531-15-10J2.5. 11 交流声hum 哼声由电子管电源引起的一种不良的音频调制。IEC IEV 50531:1974，定义531-15-11J9 GB/T 4597-2012 2.5. 12 喃啪声crackling 由于绝缘电阻或接触电阻的改变而引起电极电流的突然变化而产生的声频干扰。IEC IEV 50531:1974，定义531-15-12J2.5.13 闪弧fl

31、ash-arc 罗呵点效应Rocky-Point effect 由于电极表面的不规则性、气体的释放等原因在电极之间形成连续的电弧(通常是持续时间短且自行终止)而引起电流非预期的突然增大。IEC IEV 50531: 1974，定义531-15-13J2.5.14 S效应S effect 表面电荷效应surface-charge-effect 由于玻璃壳或其他绝缘零件上电荷的变化而引起的电极电流的变化。IEC IEV 50531:1974，定义531-15-14J2.5.15 白噪声white noise 在单位频率间隔内噪声功率均匀分布但各分量间并无相互关系的噪声。2.5.16 射频噪声rad

32、io-frequency noise 射频频带内的噪声。2.5.17 本底噪声background noise 电子管本身产生的、其功率频谱密度随频率平滑变化或与频率无关的噪声。例如热噪声、散粒噪声、闪变噪声等。2.5. 18 调制噪声modulation noise 由载波调制在管内产生的噪声，它含有上边带和/或下边带分量。2.5. 19 调幅瞟声amplitude-modulation noise (AM noise) 具有幅度调制特征的噪声。2.5.20 调频噪声frequency-modulation noise (FM noise) 具有频率调制特征的噪声。2.5.21 脉间噪声in

33、terpulse noise 在规定带宽内脉冲间歇期间出现的噪声。2.5.22 伴生调频incidental self-generatedJ frequency modulation 由于电源、波纹等原因所产生的电子管振荡频率的随机变化和/或周期变化。2.5.23 脉内噪声intrapulse noise 在规定带宽内脉冲导通期间出现的噪声。10 2.5.24 躁声功率noise power 单位时间内噪声能量。注:用规定时间间隔内的平均值表示。2.5.25 射频噪声功率radio-frequency noise power 在规定射频频带内的噪声功率。2.5.26 有效噪声功率availab

34、le noise power 传送到匹配负载的噪声功率。2.5.27 基准噪声功率reference noise power 在规定的基准温度(一般为290K)下，等效电阻上的噪声功率。2.5.28 超准噪声功率excess noise power 在同一频带内被测管或噪声源供给的噪声功率和基准噪声功率之间的差值。2.5.29 噪声功率频谱密度noise power spectral density 某一频率下单位带宽内的平均噪声功率。2.5.30 噪声温度noise temperature 与被测管或噪声源给出相等有效噪声功率的等效电阻的温度。2.5.31 基准噪声温度reference n

35、oise temperature 提供基准噪声功率的噪声源的温度。2.5.32 起准噪声温度excess noise temperature 被测管或噪声源的噪声温度与基准噪声温度之间的差值。2.5.33 有效输入噪声温度effective input noise temperature GB/T 4597-2012 折合到放大器输入端的超准噪声温度。或与输入端在基准温度下的真实放大器的输出端上产生相同噪声输出功率的等效无噪声放大器输入端所必须的超准噪声温度。2. 5. 34 输入端工作日呆声温度operating input noise temperature 折合到放大器输入端的噪声、温度

36、，或与输入端在基准温度下的真实放大器的输出端上产生相同噪声输出功率的等效无噪声放大器输入端所必须的噪声温度。2.5.35 噪声温度比noise temperature ratio 噪声温度对基准噪声温度的比值。2.5.36 起准噪声比excess noise ratio 超准噪声温度对基准噪声温度的比值。或同一频带内超准噪声功率对基准噪声功率的比值。11 -GB/T 4597-2012 2.5.37 载波噪声比carrier-to-noise ratio 载波功率对噪声功率的比值，两者均在规定的同一带宽内测量，并在规定的时间间隔内取平均值。2.5.38 噪声系数(放大管的)noise fact

37、orC of an amplifier tube) a) 当输入端为规定的基准噪声温度(通常为290K)时，在规定的频带内由电子管输出的可得噪声功率对在同一频带内假设该电子管元噪声时输出的有效噪声功率的比值;b) 当输入端为规定的基准噪声温度(通常为290K)时，输入端的信噪比对输出端的信噪比的比值。2.5.39 暗电流噪声dark current noise 无辐照时输出的电流统计起伏的均方根值。注:本条术语仅适用于光城管。2.5.40 信号中噪声noise in signal 有信号输入时，输出的电流统计起伏的均方根值。2.5.41 信噪比signaHo-noise ratio 信号输出电

38、流与噪声电流(暗电流i噪卢或信号中噪声)的比值。2.5.42 噪声等效输入equivalent input of noise 当信号输出电流等于暗电流。最卢时，所对山的入射辐射。2.5.43 日呆声能当量equivalent energy of noise 噪声等效能量输出暗脉冲谱上以辐射能过为标尺的一个阀缸。此间但以上的总计数率为50s L 2.6 电压、电流和功率IEC IEV 50531:1974，定义531-16J2.6. 1 电极电压electrode voltage 电极和某一规定参考点(通常是阴极)之间的电压。注:除非另有说明，电极电压在可及的端头上测量。IEC IEV 5053

39、1:1974，定义531一16-01J 2.6.2 电源电压supply voltage 除信号电压外，由外部电源加到电极电路中的电压。IEC IEV 50531:1974，定义531-16-02J2.6.3 12 电极电流electrode current 通过电极间的空间流进或流出电极的净电流值。注:除非另有说明，电极电流在可及的端头上测量。IEC IEV 50531: 1974，定义531-16-03JGB/T 4597-2012 2.6.4 电极耗散electrode dissipation 由于电子和/或离子轰击的结果，以热的形式在电极上耗散的功率。IEC IEV 50531:197

40、4，定义531-16-04J2.6.5 反向电极电流reverse electrode current 以相反的方向流过电极的电流。IEC IEV 50531:1974，定义531-16-05J2.6.6 电极的冲击电流surge current of an electrode 电极的浪涌电流在非稳态工作下，例如开关接通或发生故障时电极电流的峰值。IEC IEV 50531:1974，定义31-16-06J2.6.7 电极的故障电流fault current of an electrode 在发生故阵时，例如逆弧或外部短路时电极的冲击电流。IEC IEV 505:)1: 1971.起义531-

41、1G-07J 2.6.8 饱和电压saturation vllltage 电极电压的一个特定值.超过此值时因变培(例如阴极电流)将不随电报电压而HQ.著变化。IEC IEV :0531 :1974，在义531-16-08:;2.6.9 灯丝电压fiIament voltage 灯丝两端之间的电压。IEC IEV 50531:1971.j.主义S31-16-09J2.6.10 灯丝电流filameut current 流过灯丝的电流。IEC IEV 50531:1974，定义531-16-10J 2.6. 11 热丝/子电压heater voltage 热丝/子两端之间的电压。lEC IEV 5

42、0531:1974，定义531-16-11J2.6.12 热丝/子电流heater current 流过热丝/子的电流。IEC IEV 50531 :1974，定义531-16-12J2.6.13 灯丝或热丝/子起始冲击电流filament or heater starting surgeJ current 在规定条件下，由于施加灯丝或热丝/子电压而产生的灯丝或热丝/子电流峰值。IEC IEV 50531 :1974，定义531-16-13J13 回G/T 4597-2012 2.6.14 热丝/子与阴极间的绝缘电流heater-cathode insulation current 热丝/子与

43、阴极间的电流heater-cathode current 当热丝/子和阴极之间有一个电势/位差时，其间产生的电流。这个电流包括漏电流以及由热丝/子和阴极电子发射而引起的任何电流。IEC IEV 50531:1974.定义531-16-14J注:仅适用于热丝与阴极没有公共点的情况。2.6.15 阴极电流cathode current 流过阴极的电流(不包括灯丝电流或热丝/子电流)。IEC IEV 50531: 1974.定义531-16-15J2.6.16 阳极电流anode current 流过阳极的电流。IEC IEV 50531:1974.定义531-16-15J2.6.17 栅极电流gr

44、id current 电子管栅极引线中的总电流。当电子从栅极端子流到外部电路时，栅极电流为正。IEC IEV 50531:1974.定义531-16-16J2.6.18 截止电压cut-off voltage 把某一变量(例如阳极电流)减小到规定的低值时的电极电压(例如控制栅负电压)。注:对于阴极射线管，此变量既可以是电子束电流，也可以是光点亮度。IEC IEV 50531:1974.定义531-16-17J2.6.19 栅偏压grid bias voltage 在规定条件下，决定工作点的栅极电压的平均值。IEC lEV 50531:1974.定义531-16-18J2.6.20 栅极输入电压

45、grid input voltage 栅极激励电压grid driving voltage 加到控制栅极上的对阴极变化的电压。IEC 1EV 50531:1974.定义531-16-19J2.6.21 栅极输入功率grid input power 栅极激励功率grid driving power 输入栅极的交变电流和交变电压的瞬时值的乘积在一个周期中的平均值。IEC 1EV 50531: 1974，定义531-16-20J2.6.22 14 阳极电源功率anode supply power 阳极输入功率anode input power 由电源馈给阳极的直流功率。IEC IEV 50531:1974.定义531-16-21J2.6.23 激励功率driving power 射频输入功率radio-frequency input power 传输给放大管输入端或输入参考平面的射频功率。lEC IEV 50531:1974，定义531-16-22J2.6.24 输出功率output power 从电子管馈给输出电路或通过输出参考平面的总功率。lEC IEV 50531:1974，定义531-16-23J2.6.25 有效输出功率useful output power 负载功率load power 传输给负载本身的有功功率。