1、ICS 27.120 F 88 量昌中华人民ft ./、不日国国家标准GB/T 5201一2012代替GB/T5201-1994 带电粒子半导体探测器测量方法Test procedures for semiconductor charged particle detectors (lEC 60333: 1993 Nuclear instrumentation-Semiconductor charged particle detectors-Test procedures , NEQ) 2012-06-29发布.t()T，.!t 如。p060.1;1J功苗.革数码防伪中华人民共和国国家质量监督检
2、验检疫总局中国国家标准化管理委员会2012-11-01实施发布GB/T 5201-2012 目。吕本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替GB/T5201-1994(带电粒子半导体探测器测试方法)，本标准与GB/T5201一1994(以下简称原标准)相比，主要技术变化如下:一增加了前言;一-增加了第2章规范性引用文件，其他章的编号依次后推;一将原标准术语、符号改为第3章术语和定义，并完全引用GB/T4960. 6一2008，不再另行编写;一一删除了原标准2.2符号部分，在文中用到符号的地方予以说明;一一增加了4.1测试的参考条件或标准试验条件代替原标准3.1;-一一将原标准
3、3.3和3.4合并为4.3;删除了原标准3.7;一一5.1电压-电流特性CV-I特性)增加了反向V-I特性测试;一一将原标准4.3噪声测量前的悬置段改为5.3.1测量方法和测量系统，其他节编号依次后推;将原标准4.3.6探测器噪声随放大器时间常数的变化增加新内容后，改为5.3.7;5.4.2电荷收集时间增加了对快飞慢探测器的区分标准;第7章环境试验完全引用GB/T102632006，不再另行编写。本标准使用重新起草法参考IEC60333 :1993(核仪器半导体带电粒子探测器试验程序编制，与IEC60333: 1993的一致性程度为非等效。本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会CSAC/TC3
4、0)提出并归口。本标准起草单位:中核(北京)核仪器厂。本标准起草人:李志勇、王军。I GB/T 5201-2012 带电粒子半导体探测器测量方法1 范围本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验方法。本标准造用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器。全耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 4960. 6-2008核科学技术术语第6部分:核仪器仪表GB/T 10263一20
5、06核辐射探测器环境条件与试验方法GB/T 13178 2008 金硅面垒型探测器3 术语和定义GB/T 4960.6-2008界定的术语和定义适用于本文件。4 一般要求4. 1 测量应在参考条件或标准试验条件(见表1)下进行。表1参考条件或标准试验条件项目参考条件环境温度20 c 相对湿度65% 大气压强101. 3 kPa 交流供电电压U N 交流供电频率50 Hzb 交流供电波形正弦波直流供电电压额定值环境Y辐射(空气吸收剂量率)0.1Gy/h 外磁场干扰可忽略外界磁感应可忽峪放射性污染可忽略标准试验条件18 C22 c 50%75% 86 kPa106 kPa (1土1.O% )UN
6、(1土1%)X50Hz波形总畸变5% 土1%0.25Gy/h 小于引起干扰的最低值小于地磁场引起干扰的2倍可忽略a单相电源220V或三相电源380V.当用电池供电时，其电压的变化为额定值的土1%，不考虑纹波。b交流供电频率，特殊情况按产品标准规定处理。1 GB/T 5201-2012 4.2 探测器的各种性能测量均应处于完全黑暗的条件下进行。4. 3 测量时，不得超过探测器允许的工作偏压、最大粒子注量率等限定条件;所用仪器的技术指标不应对探测器参数的测量结果有明显的影响。4.4 测得的性能参数的复现性应在测量的不确定度范围内。4.5 探测器漏电流在偏置电阻上引起的电压降应小于所加探测器偏压的1
7、5%。4.6 对在低真空下工作的探测器可在O.1 Pa5 Pa下测量有关性能。对在高真空下工作的探测器应在低于0.0001 Pa压强下测量有关性能。5 电特性5. 1 电压-电流特性(V-I特性测量反向V-I特性时，应按图l连接好线路。对应每一反向偏压值，分别记录其所对应的反向电流值。同时应记录测量时的环境温度。R 国1反向电压、电流测量框圄测量正向V-I特性时，应按图2连接好线路。用固定某一正向电流(如5mA)时的正向电压降表示。R 图2正向电压、电流测量框固5.2 电窑-电压特性电容-电压特性测量框图见图3。电桥工作频率应在103Hz 105 Hz之间。电桥加到探测器上的交流信号的峰-峰值
8、应小于探测器偏压的1/100隔直流电容Co(单位为pF)的数值至少应比被测探测器的最大结电容大10倍，耐压应比被测探测器所加最大偏压高1倍。电感L也可用一高阻R代替，选取阻值时应保证电阻上的压降与探测器偏压相比可以忽略，并使电源的输出电容不影响测量结果。，、 GB/T 5201-2012 固3电容-电压测量图具体测量步骤如下:1) 测量某一偏压下未接探测器时系统的电容Cj;2) 接好探测器，再测量该偏压下探测器电容与系统的电容之和C2，该偏压下探测器的电容CD由式。)计算:CD =C2 - Cj . ( 1 ) 式中:CD一一探测器电容，单位为皮法(pF)。3) 改变偏压，重复上述测量，得到探
9、测器电容随偏压的变化特性。5.3 噪声测量5.3. 1 测量方法和测量系统利用脉冲高度法进行探测器噪声的测量。测量时测量系统按图4连接。如果所用的多道脉冲幅度分析器属于数字型，则可直接与电荷灵敏放大器相连，元需使用放大器。R 负载电阻，单位为欧姆(0);C, 检验电容，单位为皮法(pF);Z一一匹配阻抗，单位为欧姆(0)。图4噪声测量框图多道脉冲幅度分析器3 GB/T 5201-2012 5.3.2 测量要求5.3.2. 1 放大器应具有准高斯成形功能，成形时间可调。成形后的脉冲形状如图5所示。它由成形器的性能和时间常数确定。图5中给出了确定形状的参数t1/2，tp和t，应在t川为l阳的条件下
10、测量噪声。相对幅度顶中心线100%1-一-一一-一一-一-50% j-说明:tp 脉冲达峰时间，单位为微秒(s); t，二脉冲尾时间，单位为微秒(s); I F t1/2一一脉冲波形中幅度为峰值幅度一半处两点之间的时间间隔，单位为微秒(s)。图5准高斯脉冲形状时间5.3.2.2 精密脉冲幅度产生器输出的脉冲信号应是上升时间不大于放大器成形时间常数5%的指数衰减信号。脉冲信号的衰减时间应保证在等于放大器成形时间常数的时间间隔内，脉冲幅度下降小于2%。产生器的积分非线性应小于0.1%。5.3.2.3 检验藕合电容c一般小于10pF。5.3.2.4 测量系统增益及信号幅度应工作在线性范围内，并使其在
11、多道脉冲幅度分析器上测得的谱峰半高宽大于12道。5.3.3 输入信号校准探测器加正常工作偏压，用已知能量的带电粒子放射源照射探测器(如果使用源，需要在真空条件下进行)，在多道脉冲幅度分析器上得到一个对应谱。移开放射源，打开精密幅度脉冲产生器，调节产生器的输出，使其在多道幅度分析器上的峰位与放射源的峰位重合。5.3.4 放大器噪声及其随外接电窑变化的测量A 金测量放大器噪声时，取下探测器，在前置放大器输入端用屏蔽帽封闭，在多道幅度分析器中分别记GB/T 5201-2012 录对应于产生器信号为El和Ez的谱线。将产生器信号调为El当谱的峰位道计数大于4000时，取谱线上计数大于峰值计数一半的各点
12、，谱线峰位道ml用加权平均法由式(2)计算:式中:EJmz Nz ml-N; ml-一一能量El所对应的峰位道数，单位为道(channel); m; -第i道的峰位道数，单位为道(channel); N;-第t道的计数，单位为个(count)。用内插法确定以半高宽表示的放大器噪声t:.mAo ( 2 ) 如果应用计算机曲线拟合法，只要保证半高宽(FWHM)偏差在士5%以内(90%置信度)，可使用较低的计数。将产生器信号改为Ez，用上述方法确定谱线峰位mz0 外接电容为零时放大器噪声t:.EA由式(3)计算zt:.EA = (Ez -E1 A=I一一一一一lt:.mA飞1Z- mll 式中:t:
13、.EA一一以半高宽表示的放大器噪声，单位为千电子伏(keV); m 能量El所对应的峰位道数，单位为道(channel); mz 能量Ez所对应的峰位道数，单位为道(channel); t:.mA 以半高宽表示的放大器噪声，单位为道(channel)。上述测量中所选El与Ez之差应大于谱线FWHM值的3倍。( 3 ) 在前置放大器的输入端接不同容量的电容，重复上述测量，获取放大器噪声随外接电容的变化曲线，从而可得到前置放大器噪声随电容变化的斜率。5.3.5 探测器噪声测量时，探测器加预定偏压，测得能量为El和Ez的产生器信号所对应的谱线，如图6所示。同样，在峰位道计数大于4000时记录峰位ml
14、、m和半高宽t:.mT则探测器与放大器系统总噪声t:.ET由式(4)计算:t:.ET = (Ez -E1 T=I一一一一一lt:.mT飞mz一-mll式中zt:.ET一一以半高宽表示的探测器和放大器的总噪声，单位为千电子伏(keV); m 一一能量El所对应的峰位道数，单位为道(channel); mz 一一能量Ez所对应的峰位道数，单位为道(channel); t:.mT-一一以半高宽表示的探测器和放大器的总噪声，单位为道(channel)。若脉冲谱线呈高斯或准高斯形状，可用下述方法求得探测器噪声。( 4 ) 首先从5.2中测得的电容-电压曲线查得在预定偏压下探测器的电容，再由5.3.4中测
15、得的放大器噪声随外接电容变化曲线，查出对应此电容时放大器的噪声。此噪声值代表除探测器以外的电噪声t:.mEo探测器噪声可用式(5)、(6)计算:5 GB/T 5201-2012 式中:b.mn =Vb.m飞-b.mb.En = V b.E -b.E b.mn一-以半高宽表示的探测器噪声，单位为道CchanneD;b.mT二-以半高宽表示的探测器和放大器的总噪声，单位为道CchanneD;b.mE一-以半高宽表示的除探测器噪声以外的电噪声，单位为道CchanneD;b.En -一一以半高宽表示的探测器噪声，单位为千电子伏CkeV); b.ET二一以半高宽表示的探测器和放大器的总噪声，单位为千电子
16、伏CkeV); b.EE 以半高宽表示的除探测器噪声以外的电噪声，单位为千电子伏CkeV)。为使结果有效，b.ET与b.EECb.mT与b.mE)至少应相差20%。计数/道El m 1 5.3.6 探测器噪声随偏压的变化EZ m2 圈6噪声测量的典型脉冲幅度谱. C 5 ) C 6 ) 道数测量时，改变探测器的工作偏压，重复5.3.5的测量步骤，可得到不同偏压下探测器的噪声。需要时可绘出b.En随偏压变化的曲线。5.3.7 探测器噪声随般大器时间常数的变化利用图4的测量系统，测量探测器噪声随放大器成形时间的变化。为此要求放大器的成形时间应能在较宽范围内变化。由于成形时间不同，放大器噪声也不同，
17、并且噪声随外接电容变化情况也不同。因此，改变成形时间时，应从噪声中扣除相应的放大器噪声。测量时，在预定的探测器工作偏压下，改变放大器的成形时间，重复5.3.4和5.3.5的测量步骤，可得到预定偏压下，探测器的噪声随放大器成形时间的变化曲线。如需不同偏压下探测器噪声随放大器成形时间的变化，只需改变探测器工作偏压，重复上述步骤即可。F GB/T 5201-2012 5.4 时间性能5.4. 1 探测器电上升时间探测器的电上升时间接图7的测量系统进行测量。快前置放大器输入端接不同容量的电容，输入其幅度小于偏压1/10的阶跃电压。由示波器观察得到快前置放大器上升时间随外接电容的变化曲线。按图7接好探测
18、器并加预定偏压，然后输入其幅度小于偏压1/10的阶跃电压。由示波器观察得到输出波形上升时间t，0 从快前置放大器上升时间随外接电容变化曲线找到对应于探测器电容值时的快前置放大器上升时间tr0探测器电上升时间t.由式(7)计算:t. =J仁77式中:人一一探测器电上升时间，单位为纳秒(ns); 人一一系统总上升时间，单位为纳秒(ns); tr一一前置放大器上升时间，单位为纳秒(ns)。为使结果有效，t，与tr应至少相差20%。改变偏压，重复上述步骤，从而得到不同偏压下的探测器电上升时间。图7探测器电上升时间测量框图5.4.2 电荷收集时间对于t。与t，相差大于20%的探测器可用下面方法测量电荷收
19、集时间。 ( 7 ) 用短射程单能粒子源照射探测器，用示波器观测到的输出信号上升时间为to。按5.4.1测得上升时间儿。则探测器电荷收集时间tc可由式(8)计算ztc =乒仨t:( 8 ) 式中ztc一一探测器电荷收集时间，单位为纳秒(ns); t。观测到的探测器电上升时间(电荷收集时间与电子学上升时间之和)，单位为纳秒(ns); t，一二一系统总上升时间，单位为纳秒(ns)。注:t。与t，应至少相差20%。若to与t，相差大于20%.则认为是慢探测器E若t。与t，相差小于20%，则认为是快探测器。7 GB/T 5201-2012 对于t。与人相差小于20%探测器，可用快质子脉冲加速器或脉冲光
20、源在探测器中产生大量电子空穴对。使用取样示波器直接测量这些电子-空穴对形成的电流脉冲，由其宽度度量电荷收集时间。在给出电荷收集时间时，应注明所用放射源的类型及名称、放大器的上升时间。5.4.3 时间分辨率探测器的时间分辨率按图8的测量系统进行测量。用激光二极管脉冲产生器(LDP)产生的光脉冲做为时幅变换器(TAC)的起始脉冲。被测探测器的输出信号触发TAC的停止信号，在多道脉冲幅度分析器上得到一个时间分布谱。恒比重瓦别器的恒比数调至20%，延迟置于上升时间(10%90%)的1.1倍。调节成形时间以获得最佳时间性能。通常，不用积分，而当微分时间常数略大于前置放大器的输出信号上升时间时，可得到最佳
21、性能。系统中有一个启动多道脉冲幅度分析器的成形放大器，用于幅度选择。应在1MeV100 MeV之间选择3个以上能量进行时间分辨率测量，且各能量间的间隔应近似相等。使用己校准的精密脉冲产生器，调节LDP使其输出信号幅度与脉冲产生器所选择的脉冲幅度对应。进行时间测量时，应关掉精密脉冲产生器。采用这种方法，FWHM至少12道，峰位道计数至少4000时获取时间分布峰。如采用计算机曲线拟合法，应保证FWHM偏差在:1:5%以内(90%置信度)。至少用两个已刻度的延迟时间值来刻度时间轴后才能测量FWHM及十分之一高宽(FWTM)(其单位为ns)0 (采用平方相减的方法从已测得的系统时间分辨率中求出探测器自
22、身的时间分辨率)每次测量需注明以下参数:a) 脉冲光的光谱特性zb) 探测器偏压;c) 恒比重瓦别器的恒比数和延迟时间;d) 快成形放大器的微分时间和上升时间。起始停止圄8时间分辨测量系统8 , 6 核辐射性能6. 1 能量分辨率探测器系统的能量分辨率用规定能量的带电粒子产生的谱线半高宽表示。放大器应具有准高斯成形器。选取t川为1s时测量能量分辨率。探测器能量分辨率按图9的测量系统进行测量。用放射源测量能量分辨率时，应关闭精密脉冲产生器。G/T 5201-2012 测量时应使用标准放射掘。对面垒型、表面钝化离子注入平面硅型和惶漂移金硅面垒型半导体探测器，用241Am源5.486MeV和5.44
23、3MeV的峰或创7Bi内转换电子的0.976MeV及0.48MeV对测量系统进行标定。应保证所用源的自吸收等因素对测量结果的影响可以忽略。一z 图9能量分辨率测量框圄使用臂、时，放射源和探测器应置于真空室内，源到探测器灵敏面距离应大于被测探测器有效直径的1.5倍。使用内转换电子放射源，可以在大气中进行测量。使用的电子学设备应能保证所测谱线半高宽大于12道。当谱线中能量为El的峰位计数大于4000时，按5.3.4中内插法和公式(2)计算得出以道数表示的半高宽.ms及峰位对应道数矶。若另一个能量E2的峰位对应道数为m2则以能量表示的谱线半高宽.Es由公式(9)计算z式中:E, -E, .Es=一一
24、.mstl-m2 .Es 一一在谱的能量分辨率测量中得到的总半高宽，单位为千电子伏(keV); ml、m2一一分别代表能量E1、E2所对应的峰位道数，单位为道(channeD;.ms 一一在谱的能量分辨率测量中得到的总半高宽，单位为道(channeD。若谱线呈高斯或准高斯形式时，可用下述方法扣除系统噪声贡献。 ( 9 ) 用与探测器结电容值相等的电容代替探测器，利用5.3.4的方法测得除探测器以外的电噪声.EE。则探测器能量分辨率.ER由式(10)计算:.E R =.J .E; -.E . ( 10 ) 式中:.ER -一以半高宽表示的探测器能量分辨，单位为千电子伏(keV); 9 GB/T
25、5201-2012 6.Es一一在谱的能量分辨率测量中得到的总半高宽，单位为千电子伏CkeV); 6.EE一一以半高宽表示的除探测器噪声以外的电噪声，单位为千电子伏CkeV)。当6.EE可忽略时，探测器的能量分辨率可直接用6.Es表示。除电噪声以外，其他因素对谱线展宽的贡献可由式(11)和(12)计算:6.mo =v6.m; -6.m 6.Eo =v 6.乓-6.E、BJ飞，1丰nL唱EA唱EAr飞/飞. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 式中z6.mo一一以半高宽表示的除电噪声以外，其他因素引起的谱线展宽，单位为道
26、Cchannel); 6.E。一一一以半高宽表示的除电噪声以外，其他因素引起的谱线展宽，单位为千电子伏CkeV); 6.mT一一-以半高宽表示的探测器和放大器的总噪声，单位为道Cchannel); 6.ET一一一以半高宽表示的探测器和放大器的总噪声，单位为千电子伏CkeV); 6.ms一一在谱的能量分辨率测量中得到的总半高宽，单位为道Cchannel); 6.Es一一在谱的能量分辨率测量中得到的总半高宽，单位为千电子伏CkeV)。为使式(10)、(11)、(12)中的结果有效，6.EsC6.ms)与6.EE、6.ETC6.mT)至少应相差20%。在给出探测器能量分辨时应注明以下几点za) 所用
27、放射源的种类、名称和能量;b) 探测器的工作条件(偏压、环境温度、温度、真空度等); 0 放大器的成形方法及时间tl/川d) 探测器的灵敏面积及灵敏层厚度;e) 探测器偏压电阻;f) 测量系统的总噪声(含探测器hg) 单位时间峰面积;h) 最大计数率及总计数。能量分辨率也可采用GB/T13178-2008中6.2的方法进行测量。6.2 死层能量损耗死层能量损耗用图9所示的测量系统进行测量。用单能重带电粒子测量探测器的死层能量损耗。所用重带电粒子在硅中射程应小于探测器灵敏层厚度的80%，在死层中损失的能量不应超过该人射粒子总能量的5%。推荐选用Z41Am源5.486MeV的粒子，其他符合上述要求
28、的粒子也可使用。粒子进入探测器前应经过准直，使入射角不得大于500多孔准直器中心孔应对准探测器灵敏面中心。粒子沿探测器灵敏面法线入射，测得一个谱，谱线峰位对应能量Ej0变换探测器的位置，使粒子与探测器灵敏面法线成。角人射，得另一谱线，谱线峰位对应能量Ez。由于粒子在死层中损失能量只占其总能量的很少一部分，故可认为在死层内粒子能量损失率CdE/dX)基本不变。沿探测器法线方向人射的粒子在死层中的能量损耗;)E由式(13)计算:cos8 ;)E = (Ej - Ez )一土旦二一 C 13 ) 1- cos8 若查出该粒子在探测器材料中的能量射程关系，则就可得到该探测器的死层厚度。测量时若取。=6
29、00，则沿探测器法线方向人射粒子在死层中的能量损耗等于Ej-Ez 0 在给出死层能量损耗时应注明探测器所加的偏压值，不同偏压条件下的探测器死层能量损耗是有变化的。6.3 灵敏层厚度灵敏层厚度用图9所示的测量系统进行测量。测量时使用一组不同能量的单能重带电粒子入射探10 GB/T 5201-2012 测器的灵敏面。粒子进入探测器前应准直，并且沿探测器灵敏面法线方向入射。记录探测器输出信号幅度(峰位道)与粒子能量的关系，得出如图10所示曲线。当入射粒子在硅中的射程小于灵敏层厚度时，输出信号幅度与人射粒子的能量成线性关系，斜率为伊。当粒子射程超过灵敏层厚度时，输出信号幅度将偏离线性关系，斜率下降。以
30、斜率比减小10%的点对应的入射粒子在硅中射程表示灵敏层厚度。给出探测器灵敏层厚度时，应注明探测器的工作偏压。峰位/道数, , ,-, , ， . ，一_气 -酬-，气乒今丁二90%伊一一一-一一-一-T民- , ，吃图10入射粒子能量与信号幅度的关系6.4 位置灵敏探测器的位置分辨率和线性图11为位置灵敏探测器的示意图。电阻性底层图11位置灵敏探测器示意图能量/keVE 能盐信号F=E(X/L) 位置信号图12为位置灵敏探测器的测量系统，该系统具有同时测量位置和能量的能力。测量时脉冲成形参数选择最佳值。11 GB/T 5201-2012 前置放大器位置信号R 图12位置灵敏探测器测量系统测量位
31、置分辨率和线性时，将刻有缝隙的屏蔽罩置于探测器前面垂直于测量方向。在探测器灵敏区位置，屏蔽罩上至少要有五条分布均匀的缝隙，如图13所示。利用屏蔽罩前面的单能电离辐射源测量，源的位置对应每个缝隙，都成像在探测器的表面上。也可以用一个源从一个缝隙移到另一个缝隙进行测量。-屏蔽罩们U隙。们C C 放射源图13位置测量装置测量的具体要求如下:a) 每一个缝隙的成像宽度要足够细，不至于在位置分辨率测量中引起较大误差。(如果对有限的缝隙宽度作任何修正，不能只用简单的平方相减，任何修正不能超过记录值的10%); b) 为了保证在位置线性测量时准确，缝隙之间距离的测量误差要小，而且尽可能靠近探测器表面;最外侧
32、的缝隙应在探测器灵敏区端边的二倍缝隙宽度以内;c) 用上述方法得谱线，谱中每个峰的半高宽至少要12道以上，峰道记数最低为4000，确定位置线性和分辨率。位置灵敏探测器的位置积分非线性是以测量总长度的百分数表示的最大位置线性偏离。由谱中测得各位置信号峰的道数mi及峰半高宽.mi，mo和mm分别表示最小和最大峰道数，各信号峰对应缝隙像位置为DoDmo使Do=O，则Dm为两个最外边缝隙像的距离。用最小二乘法将CDo，mo)、CDj，mj)、CDz,mz) , (丘，m;), CDm ，mn)各点拟合成一条直线。令.Dmax为m=mi点的值Di与拟合直线上对应值D之间的最大偏差，则探测器的积分非线性由
33、式(14)计算，每个缝隙像的位置分辨率由式(15)计算:12 t:.Dmax INL=D:ax t:.Di = t:.风mm-mo INL 一一位置灵敏探测器的位置积分非线性，单位为百分数(%); t:.Dm四一-Di与拟合直线上对应值D之间的最大偏差，单位为毫米(mm);Dm 一一即第m个缝隙像与第一个缝隙像间的距离，单位为毫米(mm);t:.Di 一一位置分辨率半高宽，以长度表示，单位为毫米(mm);t:.mi 一一位置灵敏探测器位置信号产生的峰的半高宽，单位为道(channel); GB/T 5201-2012 . ( 14 ) . ( 15 ) mm 一一用带有缝隙的罩子测量位置灵敏探
34、测器第m个位置峰的峰位道数，单位为道(channel); m。一一用带有缝隙的罩子测量位置灵敏探测器起始位置峰的峰位道数，单位为道(channeD。如果用其中一个位置分辨率值表征整个探测器，则此值是用所测量的全部缝隙像半高宽中最大值计算测得的。记录测量结果时应记录6.1中测量能量分辨率时所记录的各种测量参数。线性测量结果应提供以下参数:a) 探测器的详细资料(包括探测器厚度、探测器几何条件、有效长度等); b) 能量与位置测量中使用的成形时间特性;c) 人射粒子类型和能量;d) 工作条件。7 环境试验如需进行相应的环境试验，详见GBjT10263-2006 0 13 N-ON-ONmH阁。华人
35、民共和国家标准带电粒子半导体探测器测量方法GB/T 5201-2012 国中祷中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里河北街16号(100045)网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读者服务部:(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销善印张1.25 字数26千字2012年10月第一次印刷开本880X 1230 1/16 2012年10月第一版* 书号:155066 1-45592 21. 00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107定价1111 GB/T 5201-2012 打印H期:2012年10月23日F002
