1、道国ICS 31-030 L 90 中华人民共和国国家标准GB/T 5594. 820 15 代替GBjT5594.8 1985 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第8部分:显微结构测定方法 Test methods for properties of structure ceramic used in electronic components and device- Part 8: Test method for microstructure 2016同01-01实施2015-05-15发布4 发布中华人民共和国国家质量监督检验检蔑总局中国国家标准化管理委员会L飞，。了町、hmJfmh叫的
2、14川归。乒协脏的中华人民共和国国家标准电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第8部分z显微结掏测定方法GB/T 5594.8-2015 * 中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号(10004日网址总编室，(010)68533533发行中心，(010)51780238读者服务部，(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销祷开本880X12301/16 印张0.5字数12干字2015年4月第一版2015年4月第一次印刷9唾月号，155066. 1 -51261 定价14.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有
3、侵权必究举报电话:(010)68510107GB/T 5594.8-2015 前GB/T 5594(电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法分为以下部分z气密性测试方法(GB/T5594.1); 杨氏弹性模量泊松比测试方法(GB/T5594.2); -第3部分z平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3) ; 第4部分z介电常数和介质损耗角正切值的测试方法(GB/T5594.4); 体积电阻率测试方法(GB/T5594.5) ; 第6部分z化学稳定性测试方法(GB/T5594.6); 第7部分z透液性测定方法(GB/T5594.7); 第8部分z显微结构测定方法(GB/T5594.8) ; 电击穿
4、强度测试方法(GB/T5594.9)。本部分为GB/T5594的第8部分。本部分按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本部分代替GB/T5594.8-1985(电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法显微结构的测定。本部分与GB/T5594.8-1985相比，主要有下列变化:标准名称改为电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第8部分z显微结构测定方法;3.1 显微结构定义中，增加了晶界、相间物质、空间上的相互排列和组合关系等;4 样品的制备中，增加了小尺寸样品，可以直接采用单面磨制气7 测试结果的综合表示中，增加了部分显微结构照片，将晶粒大小放在前面。显微缺陷、气孔数量、玻璃相等部分放在后面z一一
5、删除了气孔、玻璃相含量等级表示方法(见GB/T5594.8-1985中4.2.2、4.3)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中华人民共和国信息工业和信息化部提出。本部分由中国电子技术标准化研究院归口。本部分起草单位z中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、江苏常熟银洋陶瓷器件有限公司。本部分主要起草人z江树儒、曹易、高永泉、霍文斌。本部分所代替标准的历次版本发布情况为zGB/T 5594.8 1985。I 1 范围电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第8部分:显微结构测定方法GB/T 5594.8-2015 GB/T 55
6、94的本部分规定了氧化铝器、氧化镀瓷、滑石甏和镜橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显微结构的测定方法。本部分适用于氧化铝瓷、氧化镀瓷、滑石瓷和镶橄榄石暨等电子元器件结构陶瓷显微结构的测定。本部分只涉及光学显微镜的测定内容和测定方法。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 9530-1988 电子陶瓷名词3 术语和定义GB/T 9530-1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1 显微结构microstructure 品相主晶相、次晶相)、玻璃相、气
7、相、品界等的组成、形态、大小、数量、种类、分布、均匀度、缺陷、相间物质等的在空间上的相互排列和组合关系。3.2 晶相crystal ph踊e在多相系统中由晶体构成的部分。3.3 气孔pore 存在于陶瓷体中的小孔。与大气连通的称开口气孔，封闭的称闭口气孔，包在晶粒内部的称晶内气孔，处在晶粒之间的称晶间气孔。3.4 玻璃相glass phase 在多相系统中由玻璃态构成的部分。它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成。4 样品的制备样品尺寸酌情而定。对于小尺寸样品，可以直接采用单面磨制F一般样品可取10mmX10 mmX 5 mm(长宽厚或科ommX5 mm，并根据分析要求磨制成下列任何一种
8、试样z1 GB/T 5594.8-2015 a) 光片z单面抛光，然后采用化学侵蚀、热侵蚀等方法，使其晶界显露zb) 薄片z将样品的厚度磨至30m;c) 光薄片z将薄片单面抛光;d) 超薄光薄片z双面抛光，将样品的厚度磨至30m以下。5 测量仪器各种类型的偏光显微镜、反光显微镜和全自动图像分析仪。6 测定内容和测定方法6.1 晶相6.1.1 概述先确定陶瓷中各种晶体的名称，分别主、次晶相，然后再依次测定下列项目。6.1.2 晶相形态6. 1.2.1 晶形的完整性根据晶体生长发育情况，可分为自形晶、半自形晶和他形晶。6. 1.2.2 晶体的形态可分为粒状、针状、柱状(或短柱状、网状、板状和鳞片状
9、等。6.1.3 晶粒大小6. 1.3.1 概述测定时可采用显微镜中的目镜刻度尺、数字显示显微镜测定仪和全自动图像分析仪进行测量。晶粒大小的分类和命名如表1所示。隐晶质d0.2 6. 1.3.2 平均粒径微晶粒0.2d1 表1粒径的分类和命名细品被中晶粒1d10 10d30 单位为微米粗晶粒粗大品粒30d100 d注100测量方法同上，分别测量出上述晶粒，然后取其平均值(晶粒数根据不同情况而定，一般不少于100颗。6. 1.3.3 粒径大小的差异根据晶粒大小的差异，可以分为以下三种类型za) 均粒状z晶粒大小相近，或虽有少量大晶粒存在，但大小晶粒粒径之比小于3: 1; b) 非均粒状z非均粒状亦
10、可称为似斑状，晶粒大小有差异，但晶粒大小粒径之比小于5I 1; c) 斑状z晶体颗粒差异较大，晶粒粒径之比超过5:10 2 哩 . b G/T 5594.8-2015 6. 1. 4 晶相的含量测定时可采用下列方法za) 点数计算法z待测相在所观察的总点数中所占的点数百分比zb) 直线计算法z待测相在所观察的总线段中所截的线段百分比pc) 面积计算法z待测相在所观察的总面积中所占的面积百分比。6.2气孔6.2.1 气孔的形状、大小和分布用光学或电子扫描显微镜测定气孔的形状、大小和分布。6.2.2 气孔的百分含量按晶相含量的测定方法，测定气孔的百分含量。6.3 玻璃相按晶相含量的测定方法，测定玻
11、璃相的百分含量。6.4 显微缺陆主要是指欠烧、过烧、熔蚀、取向、孔隙、微裂纹和斑状显微结构等。7 测定结果的综合表示根据以上各项的测定结果，编写测试报告，照片注明制样方法，对于陶瓷显微结构，可以综合起来加以考虑。显散结构的表示格式见罔1，E 皿l叫一|叫一圄1显微结构的表示格式可按上述格式的内容相加组合来表示。示例1: 晶粒大小晶体形态显微结构缺陷30m-l00m 板状熔蚀N 草草径大小的差异拉径大小的差异大小粒径之比大于5: 1 粗晶粒板状熔蚀斑状示例l(对应图2)的显微结构简称为粗晶粒板状熔蚀斑状显微结构。如果部分内容缺少，可以不表示。巴ON|.叮mmvH函。GB/T 5594.8-2015 圈295%氧化铝瓷粗晶粒极状熔铀斑状显微结构光片)500 x 示例2:晶粒大小晶体形态粒径大小的差异10m-30m 粒状大小粒径之比小于5I 1 中晶粒粒状非均粒状示例2(对应图3)的显微结构简称为中晶粒粒状非均粒状显微结构。圄399%氧化铝瓷中晶粒粒状非均粒状显微结构(光片)200X 侵权必究版极专有争番书号:155066 1-51261 14.00元定价:5594.8-2015 打印H期:2015年5月29日F002
