1、ICS 77.040.01 H 17 道国中华人民共和国国家标准GB/T 8758-2006 代替GBjT8758-1988 呻化镣外延层厚度红外干涉测量方法2006-07-18发布Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference 中华人民共和国国家质量监督检验检痊总局中国国家标准化管理委员会2006-11-01实施061205000084 中华人民共和国国家标准呻化镰外延层厚度红外干涉测量方法GB/T 8758-2006 * 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16
2、号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销* 开本880X 1230 1/16 印张0.5字数8千字2006年10月第一版2006年10月第一次印刷* 书号:155066 1-28139定价8.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533前言本标准是对GB/T8758一1988).n);m一一-从1到人之间极值的级数差;PhPn一一分别为l和人所对应的相移，波长/m2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 0.46 32 34 36 38
3、40 I 0.47 I 0.446 I 0.423 I 0. 405 I O. 385 O. 368 0.35 6. 2 由公式(2)计算外延层的厚度:2 式中:Tn一一外延层的厚度，单位/-lm;n一一外延层的折射率;。一一入射角，单位度;其他符号与公式(1)中的相同。1 . P 人(P一一+n) T-n22? -2(n2 -sin2)古0.337 . ( 1 ) 5.0 I 10 。0.009 0.009 0.013 0.011 0.015 0.014 0.017 0.016 0.019 0.018 0. 021 0. 02 0.023 0.021 0.024 0.023 0.026 0.
4、024 O. 027 I O. 025 0.029 0. 027 0.228 0.03 0.028 0.249 0.032 0.029 O. 267 0.034 0.03 0.282 0.036 0.031 0.295 0.038 0.033 0.324 0.306 0.04 0.034 . ( 2 ) G/T 8758-2006 7 精密度根据多个实验室的结果，对于厚度大于2m的呻化嫁外延层，本测量方法的测量精密度为0.018 T士0.25m，T为外延层的平均厚度，单位m。8 测量报告测量报告应包括以下内容za) 所使用的仪器;b) 样品的材料、编号;c) 衬底和外延层的导电类型及衬底的电阻
5、率;d) 各个极值所对应的计算厚度Tn;e) 平均厚度T;f) 图示样品的测量部位。goN|民H筒。GB/T 8758-2006 附录(资料性附录)计算实例A 计算步骤按图A.1所示的GaAs外延片样品反射光谱图计算外延层厚度。GaAs材料的折射率n=3.34，样品的衬底电阻率为0.001n. cm。反射附件的入射角8=100。A. 1. 1 确定第一个和最后一个极值波长:1=14.85m，6 =8.08m; 由表1得出相移:1/2=0.03，民/2=0.016;从图A.1可看出极值级数差:m=5;将以上数据代人公式。)得:P6=11.43，取民=11.5;将R代入公式(2)得:T6 =13.
6、32。A.l 计算结果A.2 表A.ln 人/m钱/2P. T./m 1 14. 85 0.03 6.5 13.41 2 12.76 0.025 7.5 13.42 3 11. 11 0.021 8. 5 13.34 4 9.87 0.019 9. 5 13.33 5 8.89 0.017 10.5 13.33 6 8.08 0.016 11. 5 13.32 平均13.36 样品厚度计算结果如表A.1:15 14 13 12 11 波长!11m10 9 8 100 80 60 汉、锄 40 时14.85 12. 16 11. 11 9.81 8.89 8.08 20 100 800 1 000 900 波数/cm-11 100 1 200 。GaAs外延片样品反射光谱固圄A.l侵权必究书号:155066 1币28139定价z8. 00元* 版权专有
