1、UDC 621.38.049.774: 621.375 L 68 GB 中华人民共和回国家标准仲-88半导体集成电路运算放大器空白详细规范Blank detail sPecification for semiconductor integrated circuit operational amplifiers (可供认证用)1888-06-23发布1889-02-01实施回来栋3位局发布中华人民共和国国家标准半导体集成电路运算放大器空白详细规范Blank detail specification for semiconductor inlegrated circuit operational
2、amplifiers GB 9425-88 本规范规定了编制半导体集成电路运算放大器(以下简称器件详细规范的基本原则。要求资料下列(1)(9)项要求的内容与肯页表巾各栏要求资料相对应，编制详细规范时应填写在相应的栏中。详细规范的识别(1)授权发布详细规范的国家标准化机构名称。(2) IECQ详细规范的编号。(3)总规范号和年代号。(4)详细规范的国家标准编号、发布日期及国家标准体系需要的资料。画件的识别(5)器件类型(6)典型结构和应用资料。如果设计的器件是多用途的，应在详细规范中说明。这些用途对器件所要求的特性和检验都应得到满足。如果器件属静电敏感型，应在详细规范巾声明。(7)外形图(或)与
3、外形有关的参考文件。(8)质量评定类别。( 9)能在各类器件之间进行比较的最重要的性能参考数据。本规市中，方括号所列内容仅供指导编制详细规范用，不必在详细规范中列出。本规范中，表示应在详细规范中填写的值。( x )表示需要时应给出的值。中华人民共和国电子工业部1988-04-23批准1989-02-01实施1 GB 9425-88 (NAI (和能得到规范的团体名称、BJ噜且，、(lECQ详细规范的编号、发布号和或)日期)(2) 评定器件质量的依据sGB 4589.1 (半导体集成电路总规范、，n ，、I C详细规范的国家编号若国家编号与IECQ编号一致，本栏可以不填(4) 器件型号详细规范订
4、资说明z见本规范第7章( 5) i 参考数据1 舰辘说明(7) 外形依据.GB 7092 (半导体集成电路外形只寸。外形圈.(可在本规范第10章列出详细资料。引出端识到J:C画出引线排列，包括图示符号。标志:按GB4589.1第2.5条和本规范第6章可在本规范第6章列出器件上标志的标法示例。2 简要说明(6) 双极哩!/双极-MOS型/CMOS型集成运算放大器半导体材料.(Si) 封装.C空封或非空封再fi( 8 ) f按GB4589.1第2.6条、. , 口口，、按本规范鉴运合格的器件，其制造单位的有关资料，可在合格产品一览表中查到。2 CB 9425-88 4 极限值(绝对最大额定值)若无
5、其它规定，适用于全工作温度范田。编制详细规范时，任何增加的值可在适当处给出。最好在本规范第10章给出曲线条款号参数口可dvLJ 伊行数值J、l最大l单位4.1 电源电压Vs ( x ) 一;】一口Ix i;二二二;-I了广7V 一;二十!牛一队F-g二一二4.3 i 共模输入电压范围:一:11工V ICR V i.4 最大容许功耗PD (M.AX ) X mW 4.5 工作温度范围1A 4.6 贮存温度Wi，回 l 销出去豆路时限4.8 i 引出端耐焊接温应49 l 调和白眼电阳iJl王差4.7 5 电工作条件和电特性电特性的检查要求见本规范第8章。编制详细规范时，任何增加的特性可在适当处列出
6、。当同一详细规范中规定了几种器件时，相应的值应连续列出，以避免相同值的重复。最好在本规范第10章给出曲线)c 5;1 电工律侍者元其它规定，适用于全工作温度范围-5.1.1 电源电压5.1.2 电21电流(必蛋时)5.1.3 外接元件及其精庭蛋求.3 5.2 电特性若无其它规定，适用于全工作温度范围。条款号特性和条件5.2.1 输入失调电压Vs= (规定), V IC=O , vo= :J GB 9425-88 符二./JI 1 it三巳-.1:_:_ V10 mV A3 A4 !二-一一一一一一一一一，-，-1一一-5.2.2 输入失调电流Vs= (规定) V1c=o , VIO=O 5.2
7、.3 输入偏置电流Vs= (规定)，V1c=o , VIO=O 5.2.4 共模输入电庄范围Vs= (规定), KCMR C规定110 x 11B X nA nA A3 A4 A3 A4 -，二一V1CR二I_I_IV一A3 A4 5.2.5 共模抑制比I I I A3 Vs= (规定), Rs = (规定JhCMR I x I x I ; d I A4 5.2.6 I I I I A3 Vs=(规定)，Rs= (规定)，i1 Vs= ()判定)I KSVR I x j x 1 tV /V I A4 5.2.7 I I I A3 vszmJ巳_oUUYEJ AVD I二二1_1_/mvlAi
8、5.2.8 I 输出蜂-蜂电压Vs= (规定), I L= C I!;，应o _:_I_ 5.2.9 电源电流Vs= (规立), I?L= 1=0 fs 5.2.10 I功耗! I I I I PD I x I x I mW 1 A1 5.2.11 I 输人电阻 ! I-I-i-i Vs= (1处片，丁，卅五fIID ! I(X)I I 5.2.12 I 输入电容Vs= (规定).开环CI ( x ) 5.1 失-调=电压规调定整范围 R= (规定Vloa ( x ) 5.2.14 I 输出电阻Vs= (规定)，开环Ros 二三1-1Q 5川| 输出坦菌电撞Vs= (规定10s ( x ) 1
9、 I mA 4 条款号5.2.16 5.2.17 5.2.18 CB 9425-88 续表输入失调电流温度系敏符号Ia吊豆|最大尚讲究生JLJJlliL1iI-1持性和1条件Vs= (规定), VIc=O , Vo=。输入锅置电流温度系数Vs= C规定), V1c=O , Vo=O IIB ( x ) pA/C | :函时f-I-!r-一i-I-()I001 5.2.19 I 晴态晌应_.1-.1 1 :.J JHJ !_ _:_ _ _ 1_1、川、什:二i附加黯j司自主1kovi二7日1-;-试验i叫iELJ:1三iElEll电压转换速率! 1 I I_Vs= l些),Av= (以Ttfl
10、hJLl巴口一一|工211二二| 通道分离度! . I 1 _ .-I._VS-士干Av=C干年:J，f二_C SR I.忖-11-LiL5.2.22 I 建立时间I I 一一IC1t:kl定丁一一二卢L171-l三j1土J一生5.2.23 I制输噪声电压! VN ( i( )(X 按规起)5.2.24 5.2.25 6 标志制输入噪声电流1 IR I MX)|( )|n i 按规寇)h. I ( x ) I ( X ) I nA f 单位增益带宽1 l按规范除在首页表(7 )挂(本规范第1章给出的资料外，其官特殊资料应在本章给出。7 订货资料若无其官规寇，订购器件至少需要下列资料za. 准确
11、的型号(需要时，给出额定电压值); b. 详细规范的国家标准编号;C. 质量评寇类别zd. 当有美时，奋友布号和/或日期的rECQ详细规范，e. 其官细节o) 8 试幢.件租幢幢要求6 GB 9425-8a 编制详细规范时，下列表中的数值和确切的试验条件，应由器件型号业按有关标准中有关试验的要求而规定，两者择一的试验或试验方法应选取一种。当同一详细规范中规定了几种器件时，相应的条件和(或)数值应连续列出，以避免相同条件和(或数值的重复。抽样要求，根据采用的质量评定类别，引用GB4589.1结3.6.2条表6和表7的规定。若无其它规定，A组采用.QL抽样方案。A组一嚣批所有试验均为非破坏性的(见
12、GB4589.1第3.6.6条)检验或试验引fj文件A 1 份组外部目检I GB -1589.H在5.1.1条一一一一一一一A3 分组25C下的静态特性GB 3442半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基! 本原理-一十二A4a.份组最高工作温度下的静态I (B :;44 特性A4b分组最低工作温度下的静态GB 3442 特性一一一一一A5 分组25C下的动态特性GB 3442 6 条件若无其它规定T.=25C见GB4589.1第4意-一一_.-一一二一一一一-按本规742自5.2.1至5.2.10条TA L:!:支本规迫第4.5条规定J, 同A3分组TA (按本规市第4.5条规定J,
13、同A3分组按本规范第5.2.19至5.2.25条检验要求规范值1.1本规范第5.21至5.2.10条国A3分组同A3分组同本规范第5.2.19至5.2.25条GB 9425.:88 B组一嚣批标有(D)的试验为破坏性的(见GB4589.1第3.6.6条)条件检验要求检验或试验引用文件若无其它规定TA=25C规范值见BG4589.1第4章B1 分组尺寸GB 4589.1第5.2条及同本规范第1章附录CB分组可焊性面峰山成电路机械和气候试验方法第2.5条| B6分组温度快速变化2GB 4590 两槽法(非军封器件)第3.2条温度按严格度A( OC-I00C ) 时间按严格度A( ，) ta3-10
14、S 或s两箱怯(空封器件)第3.1条温度按本规范第4.5条随后进行t. 加速潮热(D)(非空封器GB 4590第3.5条循环次数按严格度D(6次)件)试验后测量:(饲A3分同A3分组同A3分组组)或gl第3.12密封空封器件3.13条按规定B8份组电耐久性(16Sh ) GB 4590第4.7条平均功耗为详细规范允许的最大值1此时T，.为详细规范允许的最大值3在上面两个条件下，电掠电压为洋细规范允许的最大值.)试验后测量I(同A3分l叫组组)同A3分组，在96h内测完CRRL 分组就B4，B5和B8提供计数检查结果7 GB 9425-88 C组一周期标有(D)的试验为破坏性的(见GB4589.
15、1第3.6.6条检验或试验引用文件Cl 分组尺寸GB 4589.1 第5.2条及附录cC3份组引线强度aGB 4590 弯曲(D)第2.2条拉力(D)第2.1条C4 分组耐焊接热(D)GB 4690 第2.6条试验后测量:(同A3分组)恒定加速度空封器件)I GB 4590 第2.10条试验后测量I(同A3分组的分组稳态湿热(D)(非空封器GB 4590 件)约3.7条试验后测量I(同A3分组C8 分组电耐久性(1川)I G 45附4.7条试验后测量，(同A3分组C9 分组高温贮存(D)GB 4590 第3.3条试验后测量:(同A3分组8 条牛若无其它规定TA=25C(见GB4589.1第4章
16、按规定按规定按方法A(260C槽焊)同A3分组同A3分组按严格度A同八3分组同B8分组同A3分组，在96h内测完1000h，温度按木规范第4.6条闰A3分组检验要求规范值同本规范第1章无损伤无损伤同A3分组同A3分组同A3分组同A3分组同A3分组一一一GB 9425-88 续表条件检验或试验引用文件若无其它规定TA=25C见GB4589.1第4章。11份组标志耐久性GB 4590 按规定第4.3条CRRL 给组就C4，CS，C7、C8和C9提供计数检查结果9 D组一撞撞批准当需要时，在详细规范中规定条件检验就试验引用文件若无其它规定TA=25C见GB4589.1第4章D8 分组-电耐久性GB
17、4590第4.7条，同B8分组d! 茹茹毅i剖灿2剖川0川0J1 3000h GB 4589.1 第3.6.1.5条10 附加资料10.1 仅当器件规范和使用需要时才提供)，例如zk 有关规范值的温度衰减曲线:b. 详细外形图。10.2 电特性测试与GB3442不同的特殊资料在此必列出。10.3 电耐久性试瞌线路11 型号说明11. 1 11.2 方植固或电原理圈外接元件及褂健条件附加说明，本标准由集成电路标准化技术委员会运放工作组起草。检验要求规范值检验要求规范值。曲llmN啡。 。国华人民共和国家标准中GB 9425-88 半导体搞成电路运算融大哥空白详细规范 电子工业出版社出版(北京万寿路27号江苏省武进县凹凸印刷广印刷中国电子技术标准化讲究所爱行版权专有不得翻印 即张击字数:18千字1990年10月第-次印刷定价:1.10元开本:880 X 1230 1/16 199010月第-版印数:1一1000册 ISBN 7-5053-1167-0!TB.219
