1、GB 中华人民共和国国家标准UDC GB 50809 - 2012 硅集成电路芯片工厂设计规范Code for design of silicon integrated circuits wafer fab 硅集成电路芯片工厂设计规范P 实施2012 -12 - 01 发布2012 - 10 - 11 申圃计划生版川桔/c飞万牛、寸飞盯，-7，少了久以习民但由战西马刊F汹矿;-:(:!r(王:!(，曲，二哇， 唱飞那tiJlt划生成:主髦磨话:400-670干93_fH)L在些些组11则叫飞;主l持r蹭讲学第二统一书号:1580177.963 S/N:1580177.963 联合发布中华人民共
2、和国住房和城乡建设部中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 价:18.00元定911158017I1 j963-C)S Il 中华人民共和国国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范Code for design of silicon integrated circuits waf巳rfab GB 50809 - 2012 主编部门:中华人民共和国工业和信息化部批准部门:中华人民共和国住房和城乡建设部施行日期:20 1 2 年1 2 月1 日中国计划出版社2012北京中华人民共和国国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范GB 50809-2012 会中国计划出版社出版网址:地址:北京市西城区木樨地北里甲11
3、号国宏大厦C座4层邮政编码:100038 电话:(010) 63906433 (发行部)新华书店北京发行所发行北京世知印务有限公司印刷850mmX 1168mm 1/32 3印张76千字2012年12月第1版2012年12月第1次印刷为统一书号:1580177. 963 定价:18.00元版权所有侵权必究侵权举报电话:(010) 63906404 如有印装质量问题，请寄本社出版部调换中华人民共和国住房和城乡建设部公告第1497号住房城乡建设部关于发布国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范的公告现批准硅集成电路芯片工厂设计规范为国家标准，编号为GB 50809-2012，自2012年12月1日起实施
4、。其中，第5.2.1、5.3. L8. 2. 4、8.3.11条为强制性条文，必须严格执行。本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。中华人民共和国住房和城乡建设部2012年10月11日前言信息产业部电子工程标准定额站参编单位:中国电子工程设计院中芯国际集成电路制造有限公司上海华虹NEC微电子有限公司主要起草人:王毅勃王明云李骥肖劲戈江元升黄华敬何武夏双兵陆崎谢志雯朱琳刘娟刘序忠高艳敏朱海英徐小诚刘姗宏主要审查人:陈霖新薛长立韩方俊王天龙刘志弘彭力刘峡侃李东升毛煌林杨琦周礼誉 2 目次124444777888900012444578 局川UUUHUUHHUHHH布及定择局择划构散H
5、定附定则语十规选布Ll选规吉. 疏.规. E规水.器气的般术艺盯址体导筑构火最般构械原阳般排防火卢、E一技工i厂总-建结防#一结机拍UJ一、灭体d筑微热排、3总术工JJJ总J2建I23防123冷给1234电quqnzJA吐44FUPbpbbnzOORUOORU。11AO白nd4&FURU巧JOOQd 1 000oququnu-qdqAUIFU勺dtoo口dnUTi9臼FD7。oqu141i11吨1414999缸。，少9uqG。ru。49qoJndquqndndA哇 护u2uu保tuu却气uuukU是统，冷空生生蔽系um川环体缩体ZU卫明电与屏关区捐-u循气压气弘理全说录月配明地静信磁相化艺水水
6、艺宗燥空种化管安词名叫叫供照接防通电艺净工纯废工大干真特间境用准。123456工J23456789K空环范标时口山quQ山队队qummmmmmmmmm规用主川口四本引附 2 Contents 1 General provisions ( 1 ) 2 Terms ( 2 ) 3 Process design ( 4 ) 3. 1 General requirement ( 4.) 3. 2 Technology selection ( 4 ) 3.3 Process layout . ( 4 ) 4 Site master design ( 7 ) 4. 1 Site selection ( 7
7、 ) 4. 2 Overall planning and plan layout ( 7 ) 5 Architecture and structure . ( 8 ) 5. 1 Architecture ( 8 ) 5. 2 Structure ( 8 ) 5. 3 Fire evacuation ( 9 ) 6 Microvibration (1 0) 6. 1 General requirement (1 0) 6. 2 Structure (1 0) 6.3 Machinery (1 1 ) 7 Utilitiesu 8 Plumbing and fire protection (1 4
8、 ) 8. 1 General requirement (1 4 ) 8. 2 Water supply and drainage (1 4 ) 8. 3 Fire protection (1 5 ) 8. 4 Fire hydrant (1 7 ) 9 Electrical (1 8 ) 3 1. 0.1 为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规，满足硅集成电路芯片生产要求，确保人身和财产安全，做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好，制定本规范。1. O. 2 本规范适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。1. O. 3 硅集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电
9、路芯片生产工艺要求，同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供必要条件。1. O. 4 硅集成电路芯片工厂的设计，除应符合本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。9. 1 Power supply and distribution (1 8 ) 9. 2 Lighting (1 8 ) 9.3 Grounding . (1 9) 9. 4 Protection of electrostatic discharge (1 9 ) 9.5 Telecommunicatio丑andsafety (20) 9. 6 Electro magnetic compatibility . (21)
10、10 Process-related systems (23) 10. 1 Clean room (23) 1 凸J巳、10. 2 Process exhaust (24) 10. 3 Pure water (25) 10.4 Waste water (27) 10. 5 Process recirculated cooling water . (2 7) 10. 6 Bulk gases (28) 10. 7 Compressed dry air (29) 10.8 Vacuum (30) 10. 9 Specialty gases ( 3 1 ) 10. 10 Chemicals (32)
11、 11 Space management . (35) 12 Environment, safety and health (37) Explanation of wording in this code (38) List of quted standards ( 3 9 ) Addition: Explanation of provisions (41) 4 . JHHJ mm川 1 各或不同的存储区域之间进行传输、存储和分发的自动化系统。2.0.9 纯水pur巳water根据生产需要，去除生产所不希望保留的各种离子以及其他杂质的水。2.0.10 紧急应变中心emergency respo
12、nse center 内设各种安全报警系统和救灾设备的安全值班室，为24h事故处理中心和指挥中心。语2.0.1 硅片wafer 从拉伸长出的高纯度单晶硅的晶键经滚圆、切片及抛光等工术2 序加工后所形成的硅单晶薄片。2.0.2 线宽critical dimension 为所加工的集成电路电路图形中最小线条宽度，也称为特征尺寸。clean room 空气悬浮粒子浓度受控的房间。2.0.4 空气分子污染airborne molecular contaminant 空气中所含的对集成电路芯片制造产生有害影响的分子污染物。洁净室2.0.3 1 2.0.5 标准机械接口standard mechanica
13、l interface卢适用于不同生产设备的一种通用型接口装置，可将硅片自动载入设备，并在加工结束后将硅片送出，同时保护硅片不受外界环境污染。2. o. 6 港湾式布置bay and chase 生产工艺设备按不同的洁净等级进行布置，并以隔墙分隔生产区和维修区。2.0.7 大空间式布置ball room 生产工艺设备布置在同一个区域，全区采用同一洁净等级，未划分生产区和维修区。自动物料处理系统temCAMHS) 在硅集成电路芯片工厂内部将硅片和掩模板在不同的工艺设automatic material handling sys-2.0.8 3 2 3工艺设计氧化/扩散、溅射、化学气相淀积、离子注
14、入等工序在内的核心生产区，以及包括更衣、物料净化、测试等工序在内的生产支持区。3.3.3 核心生产区的布局应围绕光刻工序为中心进行布置(图3.3.3) ，工艺布局应缩短硅片传送距离，并应避免硅片发生工序间交叉污染。3.1一般规定3. 1. 1 硅集成电路芯片工厂的工艺设计应符合下列要求:1 满足产品生产的成品率的要求;2 满足工厂产能的要求;3 具有工厂今后扩展的灵活性;4 满足节能、环保、职业卫生与安全方面的要求。3. 1. 2 硅集成电路芯片工厂设计时应合理设置各种生产条件，在满足硅集成电路生产要求的前提下，宜投资少、运行费用低、生产效率高。3.2技术选择3.2.1 生产的工艺技术和配套的
15、设备应按硅集成电路芯片工厂的产品类型、月最大产能、生产制造周期、投资金额、长期发展进程等因素确定。3.2.2 对于线宽在O.35m及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用4英寸6英寸芯片生产设备进行加工。3.2.3 对于线宽在O.13m及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用8英寸芯片生产设备进行加工。3.2.4 对于线宽在20丑m90nm工艺及以下的硅集成电路的研发和生产，宜采用12英寸芯片生产设备进行加工。图3.3. 3 硅集成电路芯片生产工艺流程3.3.4 4英寸6英寸芯片核心生产区宜采用港湾式布局。3.3.5 8英寸12英寸芯片核心生产区宜采用微环境和标准机械接口系统，并宜采用大空
16、间式布局。3.3.6 8英寸12英寸芯片核心生产区宜将生产辅助设备布置在下技术夹层。3.3.7 工艺设备的间隔应满足相邻设备的维修和操作需求。3.3.8 操作人员走道的宽度应符合下列原则:1 应满足设备正常操作的需要;2 应满足人员通行和材料搬运的需要;3 应满足材料暂存的需要。3.3工艺布局3.3.1 3.3.2 工艺布置应满足产品类型、规划和产能目标的要求。工艺布局应根据生产工序分为包含光刻、刻蚀、清洗、. 4 5 ilili-Tilth-ih-d川LIl-1ll|!il-3.3.9 生产厂房宜设置参观走道，并应避免影响生产的人流和物流路线以及应急疏散。3.3.10 8英寸12英寸芯片生产
17、宜根据生产规模设置自动物料处理系主是(AMHS)。 6 4总体设计4. 1厂址选择4. 1. 1 厂址选择应符合国家及地方的总体规划、技术经济指标、环境保护等要求，并应符合企业自身发展的需要，基础设施优良。4. 1. 2 厂址所在区域应大气含尘量低，并应无洪水、潮水、内涝、腮风、雷暴威胁。4. 1. 3 厂址场地应相对平整，距外界强振动源及强电磁干扰源较远。4.2 总体规划及布局4.2.1 工厂厂区应包括办公、生产、动力、仓储等功能区域，并应以生产区为核心进行布置。4.2.2 厂区宜结合工厂发展情况预留发展用地。4.2.3 厂区的人流、物流出人口应分开设置。4.2.4 工厂的动力设施宜集中布置
18、并靠近工厂的负荷中心。4.2.5 厂区内车辆停放场地应满足当地规划要求。4.2.6 动力设施主要噪声源宜集中布置，并应确保场区边界的噪声强度分别符合现行国家标准工业企业噪声控制设计规范GB 87及工业企业厂界环境噪声排放标准)GB12348的限值规定。4.2.7 厂区内应设置消防车道。4.2.8 工厂厂区内宜规划设备临时存储场地。4.2.9 厂区道路面层应选用整体性能好、发尘少的材料。4.2.10 厂区绿化不应种植易产生花粉及飞絮的植物。 7 吁=一气-一111才l|llhaf-i吁5.2.2 生产厂房的主体结构宜采用钢筋混凝土结构、钢结构或钢筋海凝土结构和钢结构的组合，并应具有防微振、防火、
19、密闭、防水、控制温度变形和不均匀沉降性能。5.2.3 生产厂房宜采用大柱网大空间结构形式，柱网尺寸宜为600mm的模数。5.2.4 生产厂房变形缝不宜穿越洁净生产区。 建筑与结构5 防火疏散5.3.1 硅集成电路芯片厂房的火灾危险性分类应为丙类，耐火等级不应低于二级。5.3.2 芯片生产厂房内防火分区的划分应满足工艺生产的要求，并应符合现行国家标准电子工业洁净厂房设计规范)GB50472 的规定。5.3.3 洁净区的上技术夹层、下技术夹层和洁净生产层，当按其构造特点和用途作为同一防火分区时，上、下技术夹层的面积可不计入防火分区的建筑面积，但应分别采取相应的消防措施。5.3.4 每一生产层、每个
20、防火分区或每一洁净区的安全出口设计，应符合下列规定:1 安全出口数量应符合现行国家标准洁净厂房设计规范GB 50073的相关规定;安全出口应分散布置，并应设有明显的疏散标志;3 安全疏散距离可根据生产工艺确定，但应符合现行国家标准电子工业洁净厂房设计规范)GB50472的规定。5.3 2 筑5. 1. 1 硅集成电路芯片工厂的建筑平面和空间布局应适应工厂发展及技术升级。5. 1. 2 硅集成电路芯片工厂应包括芯片生产厂房、动力厂房、办公楼和仓库等建筑。生产厂房、办公楼、动力厂房之间的人流宜采用连廊进行联系。5. 1. 3 生产厂房的外墙应采用满足硅集成电路芯片生产对环境的气密、保温、隔热、防火
21、、防潮、防尘、耐久、易清洗等要求的材料。5. 1. 4 生产厂房外墙应设有设备搬入的吊装口及吊装平台。5. 1. 5 生产厂房建筑及装修应避免采用含挥发性有机物的材料和溶剂。5. 1. 6 生产厂房应设置与生产设备尺寸和重量匹配的货运电梯。5. 1. 7 生产厂房内应设有工艺设备、动力设备的运输安装通道;搬运通道区域的高架地板应满足搬入设备荷载要求。5. 1. 8 生产厂房中技术夹层、技术夹道的建筑设计，应满足各种风管和各种动力管线安装、维修要求。5. 1. 9 生产厂房外墙和室内装修材料的选择应符合现行国家标准建筑内部装修设计防火规范)GB50222和电子工业洁净厂房设计规范)GB50472
22、的规定。建5.1 9 构5.2.1 抗震设防区的硅集成电路芯片工厂建筑物应按现行国家标准建筑工程抗震设防分类标准)GB50223的规定确定抗震设防类别及抗震设防标准。结5.2 6防微振6.1一般规定6. 1. 1 硅集成电路芯片厂房应满足光刻及测试设备的防微振要求。6. 1. 2 硅集成电路芯片厂房的选址应对场地周围的振源进行充分的调查与评估。6. 1. 3 厂址选择除既有环境的振源外，尚应计及在未来可能产生的振源对拟建厂房的影响。6. 1. 4 振动大的动力设备和运输工具等应远离对振动敏感的净化生产区域，动力厂房与生产厂房不宜贴近布置。6. 1. 5 硅集成电路芯片厂房宜在下列阶段进行微振测
23、试和评价:1 在建设前，对场地素地进行测试和评价;2 生产厂房结构体完工后，对王布置光刻及测试设备的区域进行测试;3 生产厂房竣工时，对布置光刻及测试设备的区域进行测试。6.2结构6.2.1 生产厂房防微振除应计及场地振动外，尚应计及动力设备、洁净区机电系统、物料传输系统运行中产生的振动，以及人员走动的影响。6.2.2 生产厂房结构宜采用在下夹层实施小柱距柱网或在下夹层设置防振墙或柱间支撑等有利于微振控制的措施。6.2.3 生产厂房结构分析时应计及由于防微振需要所设的支撑或防振墙等抗侧力构件的影响。6.2.4 生产厂房的地面宜采用厚板型钢筋混凝土地面。布置微振敏感设备区域的建筑地坪厚度不宜小于
24、300mm。当钢筋混凝土地面兼作上部结构的挠板基础时，厚度不宜小于600mm。6.3机械6.3.1 动力设备应采取动平衡好、运行平稳、低噪声的产品。6.3.2对于易产生振动的动力设备及管道应采取隔振、减振措施。6.3.3 对于靠近振动敏感区的管道应控制管道内介质的流速。6.3.4 精密设备和仪器的防微振宜采用专用防振基座，其基座平台的基本频率应避开其下支承结构的共振频率和其他振源的共振频率。 11 7冷热源7.0.1 硅集成电路芯片厂房的冷热源设置应满足当地气候、能源结构、技术经济指标及环保规定，并应符合下列要求:1 宜采用集中设置的冷热水机组和供热、换热设备，供应应连续可靠;2 应采用城市、
25、区域供热和当地工厂余热;3 可采用燃气锅炉、燃气热水机组供热或燃气澳化程吸收式冷热水机组供冷、供热;4 可采用燃煤锅炉、燃油锅炉供热，电动压缩式冷水机组供冷和吸收式冷热水机组供冷、供热。7.0.2 在需要同时供冷和供热的工况下，冷水机组宜根据负荷要求选用热回收机组，并应采用自动控制的方式调节机组的供热量。7.0.3 冷热源设备台数和单台容量应根据全年冷热负荷工况合理选择，并应保证设备在高、低负荷工况下均能安全、高效运行，冷热源设备不宜少于2台。7.0.4 过渡季节或冬季需用一定量的供冷负荷时，可利用冷却塔作为冷源设备。7.0.5 冷水机组的冷冻水供、回水温差不应小于50C，在满足工艺及空调用冷
26、冻水温度的前提下，应加大冷冻水供、回水温差和提高冷水机组的出水温度。7.0.6 非热回收水冷式冷水机组的常温冷却水的热量宜回收利用。7.0.7 当冷负荷变化较大时，冷源系统设备宜采用变频调速控制。7.0.8 电动压缩式制冷机组的制冷剂应符合有关环保的要求，采用过渡制冷剂时，其使用年限应符合国家禁用时间。7. O. 9 燃油燃气锅炉应选用带比例调节燃烧器的全自动锅炉，且每台锅炉宜独立设置烟囱，烟囱的高度应符合相关国家标准及当地环保要求的规定。7.0.10 锅炉房排放的大气污染物，应符合现行国家标准锅炉大气污染物排放标准)GB13271和大气污染物综合排放标准GB 16297的规定，以及所在地区有
27、关大气污染物排放的规定。 13 8 给排水及消防8.1一般规定8. 1. 1 给排水系统应满足生产、生活、消防以及环保等要求，应在水量平衡的基础上提高节约用水和循环用水的水平，并应做到技术先进、经济合理、节水节能、减少排污。8. 1. 2 给排水系统应在满足使用要求的同时为施工安装、操作管理、维修检测和安全保护提供基础条件。8. 1. 3 给排水管道穿过房间墙壁、楼板和顶棚时应设套管，管道和套管之间应采取密封措施。无法设置套管的部位也应采取密封措施。8. 1. 4 给排水管道在可能冻结的区域应采取防冻措施，外表面可能产生结露的管道应采取防结露措施。洁净区内给排水管道绝热结构的最外层应采用不发尘
28、材料。8.2给排水8.2.1 给水系统应按生产、生活、消防等对水质、水压、7(温的不同要求分别设置。8.2.2 生产和生活给水系统宜利用市政给水管网的水压直接f共水。8.2.3 当市政给水管网的水压、水量不足时，生产、生活给水系统应设置贮水装置和加压装置进行调节。贮水装置不得影响水质并设有水位指示。加压装置宜采用变频调速设备，并应设置备用泵，备用泵供水能力不应小于供水泵中最大一台的供水能力。8.2.4 不同水源、水质的用水应分系统供水。严禁将城市自来水管道与自备水源或回用水源的给水管道直接连接。14 8.2.5 生产废水的排水系统应根据废水的污染因子、摩水浓度、产水流量以及废水处理的工艺确定，
29、宜采用重力流的方式自流至废水处理站。8.2.6 生产废水干管宜设置在地沟或生产厂房下夹层内，严寒地区的室外管沟内的排水管应采取保温防冻措施。8.2.7 排放腐蚀性废水的架空管道应采用双层管道，不宜采用法兰连接。如必须采用时，法兰处应采取防渗漏措施。8.2.8 洁净区内工艺设备的生产排水宜采用接管排水，设备附近宜设置事故地漏。排水干管宜设置透气系统。8.2.9 洁净区内应采用不易积存污物、易于清洗的卫生设备、管道、管架及其附件。8.2.10 有害化学品贮存间和配送间应设置用于输送事故泄漏的化学药剂和消防排水至安全场所的排水措施。8.2.11 用于贮存事故泄漏的化学药剂及消防排水的室内地沟等设施的
30、贮存容积不应小于最大罐化学药剂容积。8.3消防8.3.1 硅集成电路芯片工厂除应采取防火措施以外，还应结合我国当前的技术、经济条件，配置必要的灭火设施。8.3.2 洁净区内除应设置室内消火栓系统、自动喷水灭火系统和灭火器系统外，还应根据生产工艺或设备的具体条件和要求，有针对性的设置其他消防设备。8.3.3 消防水泵应设备用泵，消防泵房应设置备用动力源。8.3.4 厂房室外消防给水可采用高压、临时高压或低压给水系统，并应符合现行国家标准建筑设计防火规范)GB50016的规定。8.3.5 生产厂房洁净生产层及上、下技术夹层除不通行的技术夹层外，应根据面积大小、设备台数等设置室内消火栓。8.3.6
31、设置于生产厂房内的室内消火栓宜设单独隔断阀门。8.3.7 生产厂房洁净生产层及洁净区吊顶或技术夹层内，均应设置自动喷水灭火系统，设计参数宜按表8.3.7规定确定。表8.3.7自动暖水灭火系统设计参数设计喷水强度8.3.8 洁净区的建筑构造材料为非可燃物且该区域内也无其他可燃物的存在时，该区域可不设自动喷水灭火系统。8.3.9 垂直单向流的洁净区和洁净区域应使用快速响应喷头。8.3.10 洁净区吊顶下喷头宜采用不锈钢柔性接管与自动喷水灭火系统供水管道相连接。8.3.11 存放易燃易爆的特种气体气瓶柜间内应设置自动喷水灭火系统喷头二8.3.12 在硅烧配送区域应设置直接作用于各气瓶的水喷雾系统，系
32、统的动作信号应来自火灾探测器，且火灾探测器应与气瓶土的自动关断阀联动。8.3.13 工艺排风管道的消防保护应符合下列要求:1 设置于厂房内，用于输送可燃气体且最大等效内径大于或等于250mm的金属或其他非可燃材质的排风管道，应在风管内设置喷头;2风管内自动喷水灭火系统的设计喷水强度不得小于1. 9L/min .时，风管内自动喷水灭火系统设计流量应满足最远端5个喷头的出水量，单个喷头实际出水量不应小于76L/min，水平风管内喷头距离不得大于6.1m，垂直风管内喷头最大间距不得大于3.7m;3 为风管内喷头供水的干管上应设置独立的信号控制阀;设置喷头保护的排风管应设置避免消防喷水蓄积的排水4 措
33、施;5 安装在腐蚀性气体风管内的喷头及管件应采取防腐蚀材 16 质或衬涂合适的防腐材料;6 风管内喷头的安装应便于定期维护检修。8.4 灭火器8.4.1 在洁净区内应设置灭火器。8.4.2 洁净区内宜选用二氧化碳等对工艺设备和洁净区环境不产生污染和腐蚀作用的灭火剂。8.4.3 在洁净区内的通道上宜设置推车式二氧化碳灭火器。8.4.4 其他灭火剂的选择应计及配置场所的火灾类型、灭火能力、污损程度、使用的环境温度以及与可燃物的相容性。 17 9电气9.1供配电9. 1. 1 硅集成电路芯片工广应根据当地电网结构以及工厂负荷容量确定合理的供电电压。9. 1. 2 硅集成电路芯片工厂用电负荷等级应为级
34、，其供电品质应满足芯片生产工艺及设备的要求，并应符合现行国家标准时共配电系统设计规范)GB50052、爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范)GB50058及电子工业洁净厂房设计规市)GB50472的规定。9. 1. 3 硅集成电路芯片厂房配电电压等级应符合生产工艺设备及动力设备的要求。9. 1. 4 硅集成电路芯片厂房的供电系统应将生产工艺设备土司动力设备的供电分设，生产工艺设备宜采用独立的变压器供电并采取抑制浪涌的措施。带电导体系统的形式宜采用单相二线制、三相三线制、三相四线制，系统接地型式宜采用TN-S或TN-C-S系统。9. 1. 5 对于有特殊要求的工艺设备，应设不间断电源(UPS)或备
35、用发电装置。9.2照明9.2.1 硅集成电路芯片工厂生产区域照明的照度值应根据工艺生产的要求确定。9.2.2 生产广房技术夹层内宜设置检修照明。9.2.3 生产厂房内应设置供人员疏散用应急照明，其照度不应低于5.01x。在安全出人口、疏散通道或疏散通道转角处应设置疏散标志。在专用消防口应设置红色应急照明指示灯。9.2.4 生产厂房洁净区宜选用吸顶明装、不易积尘、便于清洁的灯具。当采用嵌入式灯具时，其安装缝隙应采取密封措施。9.2.5 生产厂房的光刻区应采用黄色光源，黄光的波长应根据生产工艺要求确定。9.2.6 生产厂房备用照明的设置应符合下列规定:1 洁净区内应设计备用照明;2 备用照明宜作为
36、正常照明的一部分，且不应低于该场所一般照明照度值的20%。9.3接地9.3.1 生产设备的功能性接地应小于1Q，有特殊接地要求的设备，应按设备要求的电阻值设计接地系统。9.3.2 功能性接地、保护性接地、电磁兼容性接地、建筑防雷接地，宜采用共用接地系统，接地电阻值应按其中最小值确定。9.3.3 生产设备的功能性接地与其他接地分开设置时，应采取防止雷电反击措施。分开设置的接地系统接地极宜与共用接地系统接地极保持20m以上的问距。9.4防静电9.4.1 硅集成电踏芯片厂房生产区应为一级防静电工作区。9.4.2 防静电工作区的地面和墙面、柱面应采用导静电型材料。导静电型地面、墙面、柱面的表面电阻、对
37、地电阻应为2.5X104 1X106，摩擦起电电压不应大于100V，静电半衰期存应大于O.15。9.4.3 防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品，并应根据生产工艺的需要设置静电消除器、防静电安全工作台。9.4.4 防静电环境的门窗选择应符合下列要求:1 应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面;2 金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，并应接地; 19 3 室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时，其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层。9.4.5 防静电环境的净化空调系统送风口和风管，应选用导电材料制作，并应接地。9.4.6 防静电环境的净化空调系统、各种配管使用部分绝缘性材
38、质时，应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地。当使用导电性橡胶软管时，应在软管上安装与其紧密结合的金属导体，并应用接地引线与其可靠接地。9.4.7 生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗、吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接;导静电地面、防静电活动地板、工作台面、座椅等应做防静电接地。9.4.8 生产厂房防静电接地设计及其他要求，应按现行国家标准电子工程防静电设计规范)GB50611的有关规定执行。9.5 通信与安全保护9.5.1 硅集成电路芯片工厂内应设通信设施，并应符合下列要求:1 厂房内电话/数据布线应采用综合布线系统，综合布线系统的配线间或配线柜不应设置在布置工艺设备的洁净区内;2
39、 应设置生产、办公及动力区之间联系的语音通信系统;3 应根据管理及工艺的需要设置数据通信局域网及与因特网连接的接入网;4 宜设置集中式数据中心。9.5.2 生产厂房应设置火灾自动报警系统，其防护对象的等级不应低于一级，火灾自动报警系统形式应采用控制中心报警系统，并应符合下列要求:1 应设有消防控制中心，并应符合现行国家标准建筑设计防火规范)GB50016的规定;2 生产厂房内火灾探测应采用智能型探测器。在封闭房间内使用或存储易燃、易爆气体及有机溶剂时，房间内应设置火焰探测器;3 生产厂房洁净区内净化空调系统混入新风前的回风气流中，宜设置高灵敏度早期报警火灾探测器;4 在洁净区空气处理设备的新风
40、或循环风的回风口处，宜设风管型火灾探测器。9.5.3 生产厂房应设置火灾自动报警及消防联动控制。控制设备的控制及显示功能应符合现行国家标准建筑设计防火规范GB 50016及电子工业洁净厂房设计规范)GB50472的规定。9.5.4 生产厂房应设置气体泄漏报警装置，并应符合现行国家标准建筑设计防火规范)GB50016及特种气体系统工程技术规范)GB50646的规定。9.5.5 生产厂房应设化学品液体泄漏报警装置，并应符合现行国家标准电子工厂化学品系统工程技术规范)GB50781的规定。9.5.6 生产厂房应设置广播系统，洁净区内应采用洁净室型扬声器。当广播系统兼事故应急广播系统时，应符合现行国家
41、标准火灾自动报警系统设计规范)GB50116的有关规定。9.5.7 芯片工厂内应设置闭路电视监控系统，监控摄像机宜采用彩色摄像机，闭路电视监控系统监控图像存储时间不应少于15d。9.5.8 芯片工厂内宜设置门禁系统，所有进入洁净区的通道均应设置通道控制，洁净区内门禁读卡器宜采用非接触型。9.6电磁屏蔽9.6.1 硅集成电路芯片生产相关王序的房间和测量、仪表计量房间，凡属下列情况之一，应采取电磁屏蔽措施:1 环境的电磁场强度超过生产设备和仪器正常使用的允许值;2 生产设备及仪器产生的电磁泄漏超过干扰相邻区域所允许的环境电磁场强度值; 21 3 有特殊电磁兼容要求时。9.6.2 环境电磁场场强宜以
42、实测值为设计依据。缺少实测数据时，可采用理论计算值再加上6dB8dB的环境电平值作为干扰场强。9.6.3 生产设备和仪器所允许的环境电磁场强度值，应以产品技术说明要求为依据。9.6.4 对需要采取电磁屏蔽措施的生产工序，在满足生产操作和屏蔽结构体易于实现的前提下，宜直接对生产主序中的设备工作地环境进行屏蔽。9.6.5 对需要采取电磁屏蔽措施的区域，屏蔽结构的屏蔽效能应在工作频段有不小于10dB的余量。屏蔽室的电磁屏蔽效能，可按表9.6.5的数值确定。表9.6.5屏蔽室的电磁屏蔽效能频段l 简易屏蔽l 一般屏蔽|高性能屏蔽川HzlGHzI lGHz I GB50016 采暖Ji风与空气调节设计规
43、范GB50019 供配电系统设计规范GB50052 爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范GB50058 洁净厂房设计规范GB50073 工业企业噪声控制设计规范GBJ87 , 火灾自动报警系统设计规范GB50116 建筑内部装修设计防火规范GB50222 建筑工程抗震设防分类标准GB50223 电子工业洁净厂房设计规范GB50472 电子工程防静电设计规范GB50611 特种气体系统工程技术规范GB50646 电子工厂化学品系统工程技术规范GB507, 81 电磁屏蔽室屏敲效能的测量方法GB/T12190 工业企业厂界环境噪声排放标准GB12348 锅炉大气污染物排放标准GB13271 化学品分
44、类和危险性公示通则GB13690 大气污染物综合排放标准GB16297 39 中华人民共和国国家标准硅集成电路芯片工厂设计规范GB 50809 - 2012 条文说明 E 制定说明硅集成电路芯片工厂设计规范)GB50809-2012，经住房和城乡建设部2012年10月1日以第1497号公告批准发布。本规范紧密结合当前我国电子信息产品制造业对硅集成电路芯片的需求，切实体现了我国集成电路芯片工厂工程建设中新技.术、新工艺、新设备和新材料的应用成果和先进经验;特别是参考和借鉴了国内已建成的数十条集成电路芯片生产线工程的先进技术和运行经验，做到了既结合国情又与国际同类标准接轨。本规范编制经过了准备、征
45、求意见、送审和报批四个阶段。编制工作主要遵循了以下原则:1.遵循先进性、科学性、协调性和可操作性等原则。2.严格执行国家住房和城乡部标准定额司发布的工程建设标准编写规定)(建标(2008J182号)。3.将直接涉及人民生命财产安全、人体健康、环境保护、能源资源节约和其他公共利益等条文列为必须严格执行的强制性条文。本规范于2011年12月在上海召开了规范审查会。审查会专家一致认为规范条文涵盖了硅集成电路芯片工厂工程设计的主要内容，具有较强的实用性、科学性、协调性和可操作性。该规范的发布和实施，将对我国硅集成电路芯片工厂工程设计水平的提高发挥积极作用，同时将推动硅集成电路芯片工厂工程建设的技术进步
46、。审查会后，编制组根据审查意见对规范进行了认真的修改、补充和完善，并于2012年4月6日形成了最终的硅集成电路芯片工厂设计规范报批稿报住房和城乡建设部。 43 E 为便于广大设计、施工、科研、学校等单位有关人员在使用本规范时能正确理解和执行条文规定，(硅集成电路芯片工厂设计规范编写组按章、节、条、款、项的顺序编制了本规范的条文说明，对条文规定的目的、依据以及执行中需要注意的有关事项进行了说明。但是，本条文说明不具备与规范正文同等的法律效力，仅供使用者作为理解和把握规范规定的参考。 44 1 3 4 目次J总则(47) 工艺设计. (48) 3. 1 一般规定们3. 2 技术选择们3. 3 工艺布局U们总体设计(54) 4.1 厂址选择 (54) 4. 2 总体规划及
