1、中华人民共和国第四r . . toot 标准SJ1228 77 : 2AP30N2AP31型错宽带检波二极L. . . . . . . Oi 本标准适用于频率为400MHZ以下的2AP30、1000MHZ以下的2AP31错半导体宽带检波二极管(以下简称产品).该产品主要用于无线电电子设备的超高频检波和超高频毫伏表中作探头检波之用.1.产品除应符合本标准规定外，尚应符合5J908一74，半导体二极管(二类)总技术条件的规定.2.产品外形尺寸应符合部标准5J20678 (半导体二极管外形尺寸的规定，管壳上的极性符号应为句.3，环境试验项目、顺序及环境试验后考核标准按5J908一74半导体二极管(二
2、类总技术条件第23条和第24、25条.4.技术要求与试验方法，(1)产品电参数应符合电参数规范表的规定，其测试方法应符合部标准5117118077、5J1230，. 1231一77错检波和开关二极管测试方法的规定.(2)振动强度试验s将非工作状态的产品管身紧固在振动台上，其规范是250士10HZ，振动加速度为10土19，振动方向为沿管轴平行方向s振动时间为每个方向0.5个小时，试验后测最J5类超过电参数规范表的规定为合格.(3)机械冲击试验z率为直两个数，以不将非工作状态的产品管身紧固在冲击台上，其规范为E冲击频率为50土10次/分，冲击加速度100士10g，冲击方向为沿管轴平行和垂直两个方向
3、，冲击次数为每个方向500次，试验后测量J5类电参数，以不超过电参数规范表的规定为合格.-九七八年六月-81 S1228 77 一一一十一一一二一二二二二一一一一一( 4)产品经变频振动验验、热冲击试验、交变潮热试验后，测量产品的JS类电参数、以不超过电参数规范表的规定为合格。(5)瞬间断路试验(SJ908一74半导体二极管(二类)总技术条件第12条本试验应与机械冲击试验结合进行将产品管身紧困在冲击台上，其规范按本标准第4条(3)款的规定，所加正向电流应大于产品正向特性的拐点值，用显示灵敏度不低于1S的瞬间短断路监仪作监测，如试验中出现断路现象，试验后应测量产品的JS类电参，如超过电参数规范表
4、的规定则判为瞬间断路试验及机械冲击合格，符合电参数规范表的规定，则仅判为瞬间断路试验不合格.(6)高温性能试验(SJ90874半导体二极管(二类)总技术条件第13条)，将产品置于70土20的环境中加最高反向工作电压和整流电流，工作15分钟，以此时产品的整流电流与电参数规范表规定的流电流的奕化率不超过土15%为合格.(7)低温性能试验(SJ908一74半导体二极管(二类)总技术条件第14条)，将产品置于-55土30的低温箱中放置1小时后，加最高反向工作电压和最大整流电流，此时产品的整流电流与电参数规范表的流电流的奕化事不超过土15%为合格，要求对每个产品在30秒内究.(8)短期寿命试验(SJ90
5、8一74(半导体二极管(二类)总技术条件第16条)，在室温下将产品加最高反向工作电压和最大整流电流逝项试验，试验后考核产品的JS类电参数，以不超过电参数规范表的规寇为合格.(9)高温贮存试验(SJ908一74半导体二极管(二类)总技术条件第17条)，将产品在电参数规范表规寇的结温下连续贮存，试验后在下放置2小时，考核JS类电参数以不超过电参数规范表的规寇为合格.(10)频率特性试验:比试验按部标准SJI77一77错检波二极管特性的测试方法的规寇进行.频率400MHZ，所加负载电阻为750，为1000MHZ所加负载电阻为500.按定义用标准电压表作监视，以率为O.IMHZ时的整流电压为标准，然后
6、坛加频率到400MHZ，此时2AP30产品的整流电压下降不得超过O.lMHZ时的整流电压的土20份，2 511228 1 7 十一一一-一一一此时2AP31产品的整流电压下降一般不得超过O.lMHZ时的整流电压的士5%.最后坛加频率到1000MHZ，此时2AP31产品的整流电压下降一般不得超过o.lMHZ时的整流电压的土30%.该试验每半年进行一次，从成品检验合格的产品中抽取10只，特性试验后允许有2只不合格.若不合格产品数超过2只时，应另抽黯3 品进行该项试验，若仍有2只以上产品不合格则该产品应停质量，直到此项试验合格. 2AP30r.31 TJM! Co I 电岳三F走h VR VB 10
7、M VRMl IsuR 外形部:f，;数型辛d主(mA) (V) (V) l(mA) ! (V) (V) 皿A) -一一一一一-2AP30C 2 ,10( 50A) 20 5 15 10 300 75 EA 2型!0，6 2AP30D 2 1;_)(运30A)20 5 15 10 300 75 EA 2型-一一一AP30E 2 10(运11A)35 5 25 15 300 75 0, 6 EA 2型2AP31A 2 10(30A) i 25 5 20 15 300 75 :O.3 EA 2型, - , 一一一10(3叫)!、2AP31B 2 35 25 15 300 75 0，3 I EA 2
8、型一一一干一一!最大负荷i试条件VF;:;IV h见括号IR=800A 时间1秒试JS JS LX C C C C 的MHMMmtB叶叶注2此参数为低温性能试验，短此参数为高温性能试峻的试验条件.条件.SJI228 77 1 符号说明白)IF正向电流-一错检波二极管加规定的正向电压(Vr-)在极间通过的电流.(2) VR反向电压一错检波二极管通过规定的(反向电流h)在极间产生的电压.(3) VRM最高反向工作电压(峰值)一一一般等于或小于2/3的错检波二极管的击穿电压值(VB) VRM1, VRM2分别为高、低温性能试验时的最高反向工作电压.(4) 10高频整流电流一一在特运线中规定频率新寇电
9、压条件下所通过错检波二极管的工作电山(5) 10M最大整流电流(平均值)一一在电阻性负荷的工频正弦半电路中允许连续通过错检波二极管的最大工作电流.(6) VB击穿电压(峰值)-一错检波二极管在给寇的反向电流下的电压值.(7) Co零偏压电容一一在零偏压下，错检披二极管的总电容.(8) C;r极间电容-一在二极管二端加规定偏压下错检波二极管的总电容.(9)捡波效率一错检波二极管输入端加上规定的正弦波电压(峰值)时在输出端上革流电压与输入端电压(峰值)之比.=工旦旦XI00%V2 V,u (10) l:mli.浪涌电检披二极管正向脉冲电流的最大值.(11) T C-c) 一极管在规定使用条件下班允
10、许的最高结温.5 SJ 1228 77 录2新旧对照表新型号原型号新型号原型占、主, -_ - -2APl 2APl 2AP19 2AP12 2AP12 2AP20 2AP2 2AP2 2AP13 2AP13 2AP3 2AP3 2AP22 2AP14 2AP14 2AP23 2AP4 2AP4 2AP15 2AP15 2AP29 2AP4B 2AP24 2AP16 2AP16 2AP25 2AP5 2AP5 2AP17 2AP17 2AP6 2AP6 2AP21 2AP21 2AP28 2AP7 2AP7 2AP27 2AP27 2AP26 、一-一一2AP8A 2AP8A 2AP27A 2AP27A 2APs 2APSB 2AP30A 2APSB 2AP30C 2AP30B 2APSC 2AP30C 2AP9 2AP9 2AP30D 2AP30D 一一-甲、，一2API0 2API0 2AP30E 2AP30E 2API0B 2AP31A 2AP31A 2APll 2APl1 2AP31B AP31B 6
