1、ICS 3318001M 33 园雪中华人民共和国国家标准GBT 24366-2009通信用光电探测器组件技术要求Technical requirements of OptOelectrOnic detector module for communication2009-09-30发布 2009-12-01实施宰瞀髁鬻瓣警糌瞥翼发布中国国家标准化管理委员会仅111刖 罱GBT 24366-2009通信用光电探测器组件系列标准包括：通信用光电探测器组件测试方法；通信用光电探测器组件技术要求。本标准与GBT 24365通信用光电探测器组件测试方法配套使用。本标准在编制的过程中，参照了IEC 620
2、071：1999光纤系统用半导体光电器件第1部分：基本额定值和特性的第6部分和第7部分，并结合我国光通信用光探测器组件的情况而制定。本标准在起草过程中，注意到与下列标准的协调一致：GBT 156512 2003半导体分立器件和集成电路第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性；GBT 1890442002半导体器件 第124部分：光电子器件 纤维光学系统或子系统用带不带尾纤的pin-FET模块空白详细规范；GBT 189045 2003半导体器件 第125部分：光电子器件 纤维光学系统或子系统用带不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范标准。本标准由中华人民共和国工业和信息化都提出。本标准由中国通
3、信标准会协会归口。本标准起草单位：武汉邮电科学研究院、深圳新飞通光电子技术有限公司。本标准主要起草人：杨现文、李世瑜、盂湘、李春芳、镇磊。通信用光电探测器组件技术要求GBT 24366-20091范围本标准规定了通信用光电探测器组件的技术要求。本标准适用于数字应用光通信系统以及模拟应用光通信系统中的光电探测器组件。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GBT 114
4、99-2001 半导体分立器件文字符号GBT 15651z一2003半导体分立器件和集成电路第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性SJT 11363-2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求ITuT G657(2006) 接入网使用的弯曲损耗不敏感的单模光纤和光缆的特性ITU-T G957(2006) 与同步数字体系有关的设备和系统的光接口3术语和定义、缩略语31术语和定义下列术语和定义适用于本标准。311OMA加压灵敏度stressed receiver sensitivity in OMA在规定调制速率和规定的正弦抖动加压条件下，并满足随机比特差错率要求时，光接收机在R点(见ITU
5、_T G957图1)所能接收到的最小光调制幅度OMA。它考虑了在应用条件下，光接收机所具有并允许的最坏消光比、脉冲上升和下降时间、光发射侧的光回损，连接器性能劣化和测试容差所引起的功率代价。312击穿电压breakdown voltage输入光功率等于零，逐渐增加APD的反向偏压，暗电流随之增大，当暗电流达到10 pA(或100 vA)时所对应的反向偏压称为APD的击穿电压。313光电倍增因子multiplication factorAPD在规定温度、光波长、光功率和反向偏压下，有培增时的光电流L与无倍增时光电流。之比。314频响平坦度frequency response flatness在某
6、一频率范围内的响应值偏离其最佳拟合直线的最大值。315二阶失真second order distortion在多频道模拟传输系统中，由于系统的非线性传输特性，多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶项的互调失真，其中二阶项引起的互调失真称为二阶失真。】GBT 24366-2009316三阶失真third order distortion在多频道模拟传输系统中，由于系统的非线性传输特性，多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶项的互调失真，其中三阶项引起的互调失真称为三阶失真。32缩略语及符号下列缩略语和符号及GBT 11499、GBT 1565122003的缩略语和符号均适用于本标准。APD Aval
7、anche Photo Diode 雪崩二极管CS0 Second order distortion 二阶失真CTB Third order distortion 三阶失真ESD Electro-Static Discharge 静电放电NRZ Non Return to Zero 非归零OMA Optical Modulation Amplitude 光调制幅度ORL Optical Return Loss 光回波损耗PD Photodiode 光电二极管PIN P-type。Intrinsic-NtypeP型一本征一N型PRBS Pseudo-Random Bit Sequence 伪随机
8、比特序列RollS The Restriction of the Use of 电气、电子设备中限制使用某些有Certain Hazardous Substances in 害物质指令Electrical and ElectronicEquipmentTIA Transimpedance Amplifier 跨阻抗放大器4分类41应用类型按照应用类型的不同，可以分为2类：数字应用光电探测器组件、模拟应用光电探测器组件。42光电探测器组件的管芯类型按照光电探测器组件的管芯类型的不同，可以分为2类：PINTIA光电探测器组件、APDTIA光电探测器组件。43波长按波长的不同，可以分为2类：短波长光
9、电探测器组件、长波长光电探测器组件。44光输入类型按照光输人类型的不同，可以分为2类：可插拔光电探测器组件、尾纤光电探测器组件。5技术要求51 PINTIA光电探测器组件511极限工作条件PINTIA光电探测器组件的极限工作条件如表1所示，除非另有规定，适用整个工作温度范围。表1 PINTIA光电探测器组件的极限工作条件参数名称 符 号 单 位 最小值 最大值贮存温度 k 一40 85一5 75工作管壳温度 T一 一40 85b2表1(续)GBT 24366-2009参数名称 符 号 单 位 最小值 最大值焊接温度 几 260。相对湿度 RH 5 95O5 406TIA工作电压 K V05 6
10、0。PIN反偏电压 n V 05 20输入光功率 氨 dBm 3ESD阈值 V V 50030尾纤最小弯曲半径一i5“尾纤最大抗拉强度z F N 988商业级要求。o工业级要求。焊接时间小于10 s。o仅适用于TIA工作电压的典型值等于+330V时。仅适用于TIA工作电压的典型值等于+50 V时。1基于标准人体放电模型。g仅适用于带尾纤的探测器组件。“仅适用于ITU_T G657光纤。512光电特性PINTIA光电探测器组件的光电特性如表2所示。表2 PINTIA光电探测器组件的光电特性要 求特 性 符号 条 件 单 位最小值 最大值400 1 100光响应波长 1 260 1 700推荐使用
11、+5 V、TIA工作电压 V。 V+33 V系列中的一种灵敏度(最小可探测光功 Vj、PRBS码型、速率和误码率按S dBm率) 规定，NRZn、PRBS码型、速率和误码率按过载光功率 P眦 dBm规定，NRZ动态范围 Dy 11_5 dBvR、PRBS码型、速率、误码率和0MA加压灵敏度 一75 dBm所加抖动按规定。NRZ光回波损耗 oRL A按规定 12 dB带宽 B 一3 dB，Vl、A和垂。按规定 MHzGBT 24366-2009表2(续)要 求特 性 符号 条 件 单 位最小值 最大值注：除非另有规定，T一一25。8 10GE适用。6适用时。52aDTIA光电探测器组件521极限
12、工作条件APDTIA光电探测器组件的极限工作条件如表3所示，除非另有规定，适用整个工作温度范围。表3 APDTIA光电探测器组件的极限工作条件参数名称 符 号 单 位 最小值 最大值贮存温度 Tl。 一40 855 75工作管壳温度 To 一40 85b焊接温度 T-Id 260。相对湿度 RH 5 9505 40dTIA工作电压 y。 V一05 6OAPD反偏电压 h V O VrBR输入光功率 弧 dBITl 0ESD阕值 ysD V 50030尾纤最小弯曲半径415“尾纤最大抗拉强度一 F N 988商业级妥求。o工业级要求。焊接时间小于10 s。4仅适用于TIA工作电压的典型值等于+3
13、30 v时。仅适用于TIA工作电压的典型值等于+50 V时。1基于标准人体放电模型。g仅适用于尾纤探测器组件。“仅适用于ITu-TG657光纤。522光电特性APDTIA光电探测器组件的光电特性如表4所示。4表4 APDTIA光电探测器组件的光电特性GBT 24366-2009要 求特 性 符号 条 件 单 位最小值 最大值400 1 100光响应波长 1 280 1 700光电倍增因子 M n、和垂。按规定 3 10Vz、A、PRBS码型、速率和误码率按灵敏度S dBm规定，NRZn、A、PRBS码型、速率和误码率按过载光功率 P。t dBm规定，NRZ光回波损耗 0RL A按规定 25 d
14、B推荐使用+5 v、TIA工作电压V。 V+33 V系列中的一种击穿电压 V雎 Id一10 pA 75 V击穿电压温度系数 r 02 V带宽 B 一3 dB吣V和币。按规定 MHz注：除非另有规定，了乙。一25。53模拟应用的PIN-PD光电探测器组件531极限工作条件PIN-PD光电探测器组件的极限工作条件如表5所示，除非另有规定，适用整个工作温度范围。表5 PIN-PD光电探测器组件的极限工作条件参数名称 符 号 单 位 最小值 最大值贮存温度 t。 一40 85工作管壳温度 To 40 85焊接温度 T|Id 260相对湿度 RH 5 95PIN反偏电压 VR V 05 20工作电流 m
15、A 10输人光功率 氨 dBm ESD闭值 VE V 500030尾纤最小弯曲半径。1S4尾纤最大抗拉强度。 F N 984焊接时间小于10 s。b基于标准人体放电模型。仅适用于尾纤探测器组件。o仅适用于ITuTG657光纤。GBT 24366-2009532光电特性PINPD光电探测器组件的光电特性如表6所示。表6 PIN-PD光电探测器组件的光电特性要 求特 性 符号 条 件 单 位最小值 最大值400 1 100光响应波长 1 100 1 700响应度 R 长波长、Vi、按规定 08 K|硪Vn、V-、v2、调制速率、载噪比按最小可探测光功率 S dBm规定光回波损耗 oRL 按规定 35 dB暗电流 Id 氨-0，h按规定 nA反向电压 V带宽 B 一3 dB帅V和中。按规定 GHz频响平坦度 Vn、频率范围按规定 dB二阶交调失真 Cso h、蟊、，1和，2按规定 一70 dBC三阶交调失真 CTB 瓯、，l和，2按规定 一80 dBc注：除非另有规定。了乙。一25。54环保符合性产品中的组成单元分类应符合SJT 11363-2006中表1要求，有毒有害物质的含量应符合SJT 11363-2006中表2的要求。
