1、ICS 29.045 H 80 和国国家标准=Ii二-、中华人民G/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法Test mdhod for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer 2014-02-01实施2013-05-09发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检窥总局中国国家标准化管理委员会/ 弘巾，。扩ms的/悔一飞J气问回回国:z-MV川、也庐J)蓓一，r吨G/T 29505-2013 目次前言.皿I 范围.2 规范性引用文件-3 术语和定义4 方法提要.2 5 干扰因素.6 仪器设备
2、.37 粗糙度测量步骤8 报告.8 附录A(规范性附录)粗糙度测量规范和有关输出的例子附录B(资料性附录)有关硅片粗糙度分布的试验和模型(源于SEMIM40附录)11参考文献.25 I G/T 29505-2013 副吕本标准按照GB/T1. 12009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位z有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。本标准主要起草人z孙燕、李莉、卢立延、霍富义、向磊。阳山GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法1 范围本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、
3、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序，并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量3也可用于其他类型的平坦品片材料，但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。本标准不适用于带宽空间波长10nm的测量仪器。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注目期的引用文件，仅注目期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 14264 半导体材料术语3 术语和定义GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3. 1 自相关函数autocorrelation
4、 function 强谱线密度函数的傅立叶转换。它表示一个表面轮廓和经滑移或横向移动的同样轮廓之间关于其自身的相似性。3.2 自相关长度autocorrelation length 要求横向滑动以把自相关函数简化为一个等于e-1乘以它的0滑动值的值。有时使用10%或者0值定义替代E一1。3.3 双向反射分布函数bi-directional reflectance distribution function; BRDF 由一个表面来描述光散射的分布，以不同的发光度(辐照度归一化不同的发光(辐射率)，并且近似于每单位投射的立体角散射功率除以人射功率。3.4 尼奎斯特准则Nyquis criteri
5、on 检测到的最短空间波长。它是两倍于取样间隔。3.5 一维光栅方程式one-dimensional grating equation 按最普通的形式，它是一个由一维正弦光栅给定衍射级位置的表达式。3.6 功率谱密度(PSD)函数power spectral density (PSD) function 一个表面特征函数，它比例于表面的傅立叶变换系数的平方，并且可以看作是每单位空间频率的粗GB/T 29505-2013 糙度率。3. 7 分辩能力的瑞利判据Rayleigh criterion of resolving power 利用一个图形的最大与另一个图形的最小迭加来辨别一对衍射图形的条件
6、。当一个透镜没有像差时，点状物体的像呈现衍射图形。当一个图形原理上的最大与另外一个图形的第一个最小相遇时，把这个像描述为被分解了。当从仪器的物镜观察点状物间的距离可分辨时，这个判据是适用的，对于圆形透镜为z0.61). NA 其中NA是物镜的数值孔径(阑)，).是照射光摸丘。LH JU W AU M围J副范川剧长叩波的度行宽运带器频仪间定空给00 句3VJ 俨twn atw 叩嗷，-a剧团叫，且h刷FJ圳的叫MW吨叭响、A率长频波间间空空n3 qa 3. 10 空间波长spatial wavelengtb 在一个纯正弦轮廓的相邻两峰间的问隔。3. 11 传递函数transfer funct6f
7、t 在全部涮量空间波长范国内仪器的响应。一个轮廓仪在全部测量空间波段范围内应有100%的响应，每一个测量仪器对应于一个完美的响庵，尤某是在低空间频率极限(截断长度)(traversing length) 和高空间频率极限处应具有相同的偏离。时以利用能量带来检查高空间频率响应附近的这个极限。3. 12 截断长度traversing Ic吨th沿一给定方向取样的最大距离。最大可测量的空间波长小于截断长度。3. 13 波长定标wavelength scaling 如果在某一波长可以使用的散射测量能够预测另一波长的散射测量，表明一个表面给予了波长定标(标度)。3.14 波纹waviness 与粗糙度比
8、较，表面结构是那种彼此更宽间距的组织构成。4 方法提要4. 1 本标准包含对局部和整个面的表面特征的标准化扫描图形，然后以一组缩写代码形式描述粗糙度及测量条件。4.2 硅片的表面粗糙度测量通常涉及三种类型的粗糙度测量仪器，这些类型包括但不局限于:一一轮廓仪:AFM和其他扫描探针显微镜z光学轮廓仪z高分辨机械探针系统。-一一干涉仪z干涉显微镜。散射仪z全积分散射仪(TIS)，角分辨光散射仪(AR1S)，扫描表面检查系统(SS1S)。2 GB/T 29505-2013 4.3 硅片表面粗糙度使用最广泛的是均方根(rms)粗糙度(Rq)和平均粗糙度(Ra)。其他粗糙度检测参数也可利用。5 干扰因素5
9、. 1 硅片表面粗糙度测量使用了如轮廓高度测量方法、光学干涉方法以及光学散射方法等不同类型的技术，由于各种不同方法对测量点的限制或测量区域不同、方法精度不同等因素的影响可能造成对同一硅片测量绝对值的较大差异。5.2 不同粗糙度参数表征的含义不同，数值差异明显。测量参数是使用者根据研究对象、研究工艺等感兴趣的目的选择的，因此不注明测试方法或测试设备的粗糙度参数数值没有实用意义。5.3 粗糙度测量的一个共同特性是它们都依赖于使用仪器的带宽和传递功能。第一种是测量仪器的带宽，测量仪器的带宽或使用的带宽可能严重影响粗糙度测量结果，第二种带宽影响来自分析软件，因此应使用规定的波长单位，且轮廓仪应能够调节
10、扫描长度和带宽。另外，通用的高或低的空间频率滤光片也对测量结果有影响。这些都造成了相同表面使用不同测量仪器报告的数值会有很大的不同。本标准规范了仪器带宽及其传递功能方面的使用，并在测试报告中体现这些信息。5.4 粗糙度在一个晶片表面上可以有相当大的变化。它可能有一个择优的方向或者是各向异性，被称为方向性飞例如切割工艺的硅片可以产生低对称性，而单片抛光能产生高对称性。而很多测量方法被限制在一个很小的测量范围内并且限制在一个或两个扫描方向。因此本标准提出并定义了使用标准化图形的方法，能够清楚地表述扫描位置，且测量图形可以获得有代表性的和可重复的结果。同时这些图形应与不同的制造步骤在硅片上观察到效果
11、一致，这些工艺步骤能够在硅片表面产生从镜面到元穷大分布的旋转对称的特征。在附加的相关信息中包括了描述几种类型的粗糙度变化，扫描图形以及报告的结果之间关系的模型，以帮助使用者说明和解释这些变数。5.5 薄膜的存在可影响光散射方法的测量。6 仪器设备6. 1 轮廓仪(profilometers)AFM，机械和光学剖面(轮廓)仪的高空间频率极限分别和机械触点的半径或激光斑点的直径和强度分布近似。其响应函数复杂，并且在某些情况下是探针和被测表面的综合效果。为了获得合理的、可比较的并且可重复的测量，需要设定这种仪器的高端空间频率极限，或者选择适度地远离设定的高端空间频率极限。6.2 干涉显微镜(inte
12、rferencemicroscope) 干涉仪的高端空间频率极限是由调焦光学所限定，在某些情况下由探测器阵列的像素间隔所决定。为了获得合理的、可比较的并且可重复的测量，需要设定这种仪器的高端空间频率极限，或者选择适度地远离设定的高端空间频率极限。6.3 散射仪(scatteringinstruments) 6.3.1 对于相当平滑的表面来说，光散射强度和粗糙度之间仅存在一种简单的关系。式(1)和式(2)给出了平滑表面的瑞利判据，它常常用于估计平滑表面的极限。; 4 X;aco叮m光栅扫描扑。对整个质量合格区。QA)的扫描图形8点9点光栅扫描扣。注z横线代表所有线扫描的扫描方向，线中心点=点测量
13、位置。圄1测量的硅片表面位置图形7.4 选择测量取向GB/T 29505-2013 7.4. 1 类型A平行和垂直于基准平分线的线性扫描。类型A一般用于所有的表面。7.4.2 类型B一与基准平分线呈450角的线性扫描。类型B对(111)硅片的某些表面状况是有效的。7.5 选择局部测量条件7.5. 1点。7.5.2线。7.5.3面。7.6 测量并计算测试数据7.6. 1 详细说明报告的测量计算平均(A)范围(R)7 GB/T 29505-2013 最大值(M)标准偏差，1aS-17.6.2 在收集的数据内说明带宽和扫描长度极限。7.6.3 记求描述这些选择的缩写(见附录A例子)，用逗号并使用十进
14、制记数法分开相邻的缩写。由此产生一个7位的缩写。如上所述的这7位缩写的次序要遵循表2中要素的次序。表2粗糙度测量代码a要素缩写项A 1 2 3 4 轮廓仪AFM SPM OPR MPR B 1 仪器于涉仪1M -,-C 1 2 3 散射仪TIS ARLS SSIS 一-一一一一一1 9 民C S 图形b中心) ， 、9占FQA/光珊FQA/同心FQA/螺旋形扫描R8扫描R扫描-一-二一-A B 图形取向A B 一一一一一一一L 局部测量条件，点续Q A Z T 参数bRq R且Rz RI A R M D 计算b平均范围最大值标准偏差(1.，.-1) J/ J 带宽/m空白处填入2位有效数字*波
15、长m)/短波长严m)a本标准表2中列出的代码不具有识别仪器传递的功能.b如果规定的要素多于1，按规定的次序在相关的位处连接代表的字母。见附录A例子。7.6.4 图1的坐标位置表述参见表108 报告通常一个硅片报告一个值。而给定的图形多于一个时，报告的计算值在次序上按表2列出的次序。8 GB/T 29505-2013 附录A(规范性附录)粗糙度测量规范和有关输出的例子典型的测量报告表示如下，它可以是仪器自动输出的，或直接手动完成的。仅在第一例中列出要素和代码。下面提出的定量数据仅仅是为了举例说明，它不表示实际的仪器或样品的测量。A.1 机械轮廓仪剖面仪)机械轮廓仪的测量规定为MPR，5，L，A，
16、A，A，250/10。表示一个局部线性扫描和图形取向A的5点图形测量，并且是从250m到10m的整个带宽上报告的Ra平均值。要素z轮廓仪，机械的;5点;线性扫描;取向A;Ra; 平均;250/10m 代码:MPR 5 L A A A 250/10 输出例子=MPR, 5 , L ,A , A , A , 250/10=0. 53 nm A.2 角分辨光散射角分辨光散射仪的测量规定为ARLS，9，B，P，Q，A.40/2.0。表示一个单光斑的和图形取向B的9点图形的测量，并且是从40m到2m的整个带宽上报告的rms(Rq)平均值。输出例子:ARLS.9，B.P.Q，A，40/2.0=0. 15
17、nm A.3 干涉显微镜干涉显微镜测量规定为IM，5，A，A，T，D.250/10。表示一个局部区域和图形取向A的5点图形测量，并且是从250m到10m的整个带宽上报告的峰-谷(Rt)的标准偏差。输出例子:IM，5, A.A, T ,D.250/10=0. 05 nm A.4 全积分散射全积分散射仪(TIS)测量规定为TIS，S.P，A，Q，D，38/0.50。表示一个局部光斑和图案取向A的全FQA/螺旋扫描的测量，并且是从38m到0.5m的整个带宽上报告的rms(Rq)标准偏差。输出例子:TIS.S.P, A.Q,D.38/0. 50=0. 02 nm A.5 光学轮廓仪(剖面仪)光学轮廓仪
18、测量规定为OPR.9，L.B，A，AD.80/0.50。表示一个局部线性扫描和图形取向B的9点图形测量，并且是从80m到0.5m的整个带宽上报告的Ra平均值和标准偏差。输出例子:OPR.9，L，B.A.AD，80/0.5=0.17 nm(Ra.平均值),0. 02 nm(Ra.标准偏差)9 GB/T 29505-2013 A.6 AFM AFM测量规定为AFM，5, A, A, Z, A, 20/0. 040表示一个局部区域(面积)和图形取向A的5点图形测量，并且是从20m到0.04m的整个带宽上报告的Rz平均值。输出例子:AFM，5，A，A，Z，A，20/0.04=0. 43 nm 10 G
19、B/T 29505-2013 附录B(资料性附录有关硅片粗糙度分布的试验和模型(源于SEMIM40附录B.1 摘要B. 1. 1 传统的粗糙度测量仅在一个表面上挑选的几个点处进行，并且实际上仅有少数方法，像光散射能对整个表面扫描。因此定义硅片整个在面的粗糙度，雷要进行系统的、标准化的探讨。可以定义一个或几个代表整个表面的测试点囱形，目的是使平均粗糙度的偏差和其标准偏差与真值偏离很小。探讨寻找这样的图形并证实它们能代表整个表面的工作，分为阔步:a) 在各种硅片表面上试验研究各种图形;b) 模拟表面的粗糙度图并使用选择的图形。B. 1.2 对于硅片表团的试验研究，使用了五种不同的位置图形，硅片的表
20、面为最终抛光、粗抛和酸腐蚀。图形的组成分别是点、五点、九点、1一点和十三点(十三点是五点和九点圆形相加)，使用10m、30m、80严m和250m被长的滤光片进行测量，因此对每个研究的硅片，任一波长撞光片的五种图形得到了20个平均粗糙度伯和相应的标准偏差qB. 1.3 这些表面雾的图显本分别为没有变化豆豆近似旋转对称的变化，或整个表面有一个梯度的变化。对于使用的硅片组合和选择的滤光片设置，利用各种位置圈形测量的表面平均粗糙度，其变化超过四个和半个大小的数量级。相应的标准偏差小于平均粗糙度的10%，而有四个200mm的最终抛光片例外，它们的标准偏差达到50%60%。就平均粗糙度和l榈应的标准偏差而
21、耳，对每个硅片的5点、9点和10点位置图形进行了比较。当对应旺片的总平均粗糙度(对-个硅片所有图形的全部点的平均规格化时发现，平均粗糙度的变化(标准偏差)和测量酌标准偏差在任何情况F小于或近似等于10%。B. 1.4 根据三种不同模型模拟产生的粗糙皮图个具有蓝转对称的、一个线性梯度的和一镜面对称的粗糙度图形。对每个表面分别考虑到粗糙度的任何不对称性和中心粗提度以及边缘租糙度，产生了两个像素尺寸1m旷的圈。对两个图中的任一个是作为元参数来使用的。对于以25系数设计试验得到的两个图，那里对称性作为第五参数考虑，这些参数在两个等级之间(0.1和0.2)变化。1点、5点和9点位置图形被应用于各种作圈，
22、并且使用一个图全部点的真实值计算f平均粗糙度和粗糙度的标准偏差。对1点图形观察到了很强的影响。国此，硅片中心的一个点不能代表整个表面的平均粗糙度这一结论是合理的。5点测量提供的粗糙度平均准确到士6%，9点为士2.5%。同样，5点的标准偏差准确到士1.6% ，9点为士1%，发现二级影响小于主要影响。因此得出结论=针对适当均匀的硅片表面，5点和9点测量图形可很好地提供整个硅片表面粗糙度及其变化的估算。B.2前言B. 2.1 采用各种各样技术完成表面粗糙度的测量，最普通的技术是在真实空间中机械的或光学的剖面仪或倒易空间的光学散射仪。粗糙度测量工艺的数值结果很大程度上取决于几个参数，如包括滤光片在内的
23、使用仪器响应功能(函数)的空间带宽、扫描长度、探针直径、扫描速度等。这些参数彼此是不独立的，并且对机械的剖面仪应标准化。不同类型的仪器报告的粗糙度值通常不一致，但是它们是相关的，只要设置它们的参数不是太困难。公制标准化粗糙度例如平均粗糙度Ra，均方根(rms)粗糙度Rq，当用剖面技术完成时，主要涉及到线扫描。采用调整一系列线扫描的方法，实现剖面仪器的面扫描通常GB/T 29505-2013 是很慢的。用剖面仪扫描一个硅片整个表面要消耗很多小时，用AFM完成一硅片的整个表面甚至需要几年。B.2.2 建立在光散射基础上的技术可以非常迅速地扫描整个硅片表面，大约1min2 mino然而，它们的响应功
24、能有一限定的空间带宽区，近似从0.5m40m。B.2.3 为了获得一个标准化的硅片表面的粗糙度值，首先要解决:a) 定义一个位置图形，可执行一维或两维的扫描Eb) 与测量结果一起，报告重要的参数。第一个任务是，为了收集典型的整个真实硅片表面粗糙度变化的数据进行试验;为了找到一组位置，它的粗糙度能非常好地与整个表面的粗糙度一致，需要数字模拟。用收集重要参数和设计一个合适的缩写码，从理论上解决第二个任务。B.2.4 本附录报告的相关粗糙度测量结果同样使用真实的试验设计(DOX)(design-of-experiment)进行的数值模拟。B.3 粗糙度定义各种粗糙度的定义已由美国、日本和欧洲的国家和
25、国际研究机构标准化了。相关标准巳列人标准第2章，参考文献中还有一些供选择的文件。使用最广泛的是平均粗糙度Ra和均方根(rms)粗糙度Rq，两者都涉及一个轮廓相对参照线的平均偏离。B.4 粗糙度测量B. 4.1 试验资料B. 4. 1. 1 为了收集有关整个硅片表面粗糙度变化的数据，调查了四个硅片的问组中的每一个。选择代表不同工艺步骤和抛光技术的硅片z最终的抛光硅片，150mm，1:#4:# 最终的抛光硅片，200mm , 5:# 8:# 粗抛硅片，200mm, 9:# 12:# 酸腐蚀硅片，200mm，13:#16:# B. 4.1.2 对于雾用SSIS表征硅片，用光学元接触轮廓仪进行粗糙度测
26、量。进行长度3mm的扫描取得粗糙度数据并分别用19m、30m、80m和250m的滤光片进行估值。根据图B.l显示的四种不同位置图形进行扫描，图中还指示了扫描的方向z12 i ) 硅片中心，一种扫描;ii ) 五点，硅片中心加上半径2/3处的四个点;iii ) 九点，硅片中心加上半径2/5处的四个点再加上半径4/5处的四个点;iv) 十点，硅片中心的两点加上半径1/2处的四个点和半径负10mm处的四个点FV) 十三点，上述iI和Iii的结合。1点5点B.4.2 结果10点。川。9点图.l佳置图形GB/T 29505-2013 B. 4. 2.1 和相应的标准偏差一起报告每个位置图形的平均值。可以
27、考虑用平均值来表征整个硅片的粗糙度，而标准偏差是粗糙度均匀性的一个唐景。表R.l和表R.2是这些结果的摘要。可以把这些平均值和标准偏差称作各自位置图形的、对于每个硅片和使用的每种滤光片波长的位置平均值和位置标准偏差。表B.1粗糙庭副量结果，10m和3Dm滤光片平均/标准俯差A 被测片二一丁一片号10m滤光片30m滤光并表面状态位置图形一一一二il fii IV V 11 lIi IV V 1 0.08 0.086/ 0.089/ 0.090/ 0.086/ 0.390 0.306/ 0.36 0.389/ 0.396/ 0.005 0.009 0.007 0.008 O.()ZO 白.0300
28、.028 0.025 0.090/ 0.094/ 0.090/ 0.093/ 0.4081 0.413/ 0.410/ 0.410/ 2 0.09 0.43 直径150mm O.叹)70.010 0.005 0.009 。，)370.035 0.028 0.035 最终抛光).090/ O.WZ/ 0.090; 。.092/0.404/ 0.401/ 0.387/ 0.402/ 3 0.09 。.410.000 。.0080.005 0.001 0.018 0.030 0.022 0.027 0.090/ 0.097/ 0.090/ 0.095/ 0.402/ 0.420/ 0.414/ 0.
29、415/ 4 0.09 0.40 0.000 0.010 0.004 0.009 0.015 0.025 0.016 0.024 0.14/ o. 15/ 0.15/ 0.14/ 0.746/ 0.827/ O. 795/ 0.769/ 5 0.23 1. 17 0.05 0.06 0.06 0.06 0.35 0.33 0.32 0.29 o. 13/ o. 15/ 0.15/ 0.14/ 0.746/ 0.846/ 0.801/ 0.768/ 6 0.26 1. 36 直径200mm 0.07 0.06 0.06 0.06 0.35 0.36 0.33 0.32 最终抛光0.13/ 0.1
30、2/ 0.13/ 0.13/ 0.736/ 0.699/ o. 752/ o. 726/ 7 O. 10 0.53 0.03 0.04 0.06 0.04 0.23 0.23 0.32 0.22 O. 12/ 0.11/ 0.12/ O. 12/ 0.648/ 0.626/ 0.636/ 0.644/ 8 0.09 0.50 0.02 0.02 0.03 0.02 0.15 0.14 O. 18 0.13 13 GB/T 29505-2013 表B.1 (续平均/标准偏差A 被割片片号10m滤光片30m滤光片表面状态位置图形ii 111 Iv V ii iii Iv v 9 2.64 2.41
31、/ 2.45/ 2.39/ 2.42/ 7.21 6.398/ 6.538/ 6.387/ 6.432/ 0.25 0.32 0.39 0.29 O. 77 0.83 0.91 O. 78 2.56/ 2.69/ 2.37/ 2.64/ 6.760/ 7.147/ 6.419/ 7.022/ 10 2.64 6.84 直径200mm 0.36 0.19 0.41 0.27 0.95 0.50 1. 00 0.27 粗抛2.77/ 2. 78/ 2.46/ 2.78/ 7.310/ 7.302/ 6.545/ 7.305/ 11 2. 75 7.30 0.07 O. 10 0.45 0.09 0
32、.19 0.30 1. 05 0.27 2.48/ 2.50/ 2.43/ 2.47/ 6.566/ 6.521/ 6. 146/ 6.478/ 12 2. 76 7.30 0.32 /0.32 0.42 0.31 0.91 O. 75 1. 05 0.77 332.0/ 335.0/ 352.6/ 334.5/ 13 327.2 826.2 873.5/ 869.5/ 906.5/ 874.4/ 6. 73 16.25 12.37 13.76 43.16 50.22 28.56 46. 13 344.9/ 344.7/ 353. 1/ 14 337.9 345.3/ 876.8 899.9/
33、 915.5/ 930.0/ 直径200mm 18.74 9.19 12.11 13.00 60.49 24.15 43.19 39.69 酸腐蚀15 339.5 340.58/ 335.2/ 363.4/ 337.0/ 887.7 913.7/ 879. 1/ 966.1/ 891. 7/ 13.42 6.07 7.22 9.58 68.10 24.64 30. 75 47.65 33 1. 8/ 337.6/ 348.7/ 335.4/ 16 337.6 922.8 886. 1/ 896.0/ 92 1. 8/ 890.2/ I 8.84 13.37 9.26 12.41 37.57 3
34、8.04 27.16 37.14 表B.2粗糙度测量结果，80m和250m谑光片平均/标准偏差A 被测片片号表面状态80m滤光片250m滤光片位置图形ii Iii Iv V 11 iii Iv v 1. 426/ 1. 416/ 1. 434/ 1. 426/ 4.678/ 4.836/ 4.786/ 4.813/ 1 1. 33 4. 34 0.075 O. 134 O. 108 0.115 0.484 0.632 0.435 0.578 2 1. 57 1. 470/ 1. 482/ 1. 444/ 1. 471/ 4.944/ 5.441/ 5.34 4.592/ 5.258/ 直径15
35、0mm 0.112 0.147 0.112 O. 133 0.312 0.613 0.434 0.591 最终抛光1. 460/ 1. 472/ 1. 357/ 1. 466/ 4. 788/ 5.164/ 4.353/ 5.047/ 3 1. 49 4.81 0.025 O. 131 0.080 O. 108 0.403 0.823 0.507 O. 735 1. 394/ 1. 446/ 1. 461/ 1. 435/ 4.528/ 4.814/ 4.934/ 4.760/ 4 1. 33 4.09 0.089 0.115 0.09 0.106 0.619 0.584 0.503 0.58
36、5 14 GB/T 29505-2013 表B.2(续)平均/标准偏差A 被测片片号80m滤光片250m滤光片表面状态位置图形ii 111 Iv V ii iIi iv V 2.582/ 2.638/ 2. 531/ 2.566/ 6.676/ 6.627/ 6.560/ 6.592/ 5 3.29 7.33 0.45 0.71 0.65 0.60 0.45 0.99 0.95 0.82 2.560/ 2. 724/ 2.510/ 2.590/ 6.804/ 6.834/ 6.443/ 6. 772/ 6 3.65 7.49 直径200mm 0.65 O. 79 0.67 0.69 0.57
37、0.93 0.92 0.80 最终抛光2.682/ 2.493/ 2. 641/ 2.602/ 6.914/ 6.601/ 7.057/ 6.810/ 7 2.02 5.45 0.72 0.56 0.81 0.61 1. 37 0.81 1. 47 0.97 8 1. 97 2.400/ 2.317/ 2.279/ I75/ 5.56 6.268/ 6.342/ 6.232/ 6.374/ 0.45 0.40 0.54 0.40 0.59 0.69 1. 08 0.62 9.94/ 9 11. 12 10.19/ 10.10/ 10.02/ 15.15 14.25/ 14.50/ 14.47/
38、 14.36/ 1. 06 1. 09 1. 27 1. 04 1. 31 1. 18 1. 22 10.54/ 10 10. 13 11. 05/ 10.27/ 10.92/ 14.40 15.44/ 15.58/ 14.59/ 15.62/ 直径200mm 1. 34 O. 78 1. 35 1. 03 2.01 O. 77 1. 88 1. 28 粗抛11. 35/ 11. 26/ 10.13/ 11.29/ 16.56/ 16.27/ 14.83/ 16.42/ 11 11. 29 15.75 0.31 0.45 1. 23 0.41 0.59 0.81 1. 26 O. 74 12
39、10.60 10.11/ 9.86/ 9.92/ 9.90/ 14.42 14.33/ 14. 10/ 14.41/ 14.17/ 1. 10 0.95 1. 12 0.99 1. 31 1. 14 1. 26 1. 21 13 1 257.0 1 404/ 1 391/ 1 439/ 1 406/ 2 127/ 2 118/ 1 789.6 2185/ 2 147/ 140.8 123.44 88.10 122.83 33 1. 59 295.83 270. 70 291. 78 1 460/ 14 1 42 1. 9 1 514/ 1 497/ 1 501/ 2 154.6 2256/ 2
40、366/ 2322/ 2349/ 直径200mm 109.9 53.27 95.92 78.94 154.21 222.41 216. 72 203. 72 酸腐蚀15 1 374.7 1 500/ 1 396/ 1 549/ 1 438/ 1 970.4 2350/ 2071/ 2348/ 2186/ 199.2 94.33 95.25 147.56 508.52 257.41 198.70 384.36 1 421/ 1450/ 1 477/ 1437/ 16 1 478.4 2006.4 2075/ 2219/ 2264/ 2180/ 109.9 108.89 104.51 109.71
41、 186.85 297.40 252.44 271. 75 L一一B.4.2.2 用不同位置图形得到的平均值变化也可以由下面两种方法计算得到=a) 对每个硅片各自位置的平均值和标准偏差的平均sb) 各自位置的标准偏差和对应的标准偏差的平均。把这些平均值分别称为硅片的平均值和硅片的标准偏差。把对应的标准偏差称为硅片平均的标准偏差和硅片标准偏差的标准偏差。表B.3和表B.4以及图B.2和图B.3报告了这些数据。15 GB/T 29505-2013 表B.3每个硅片所有位置图形ii, iii和iv(硅片平均)的平均和对应的相对标准偏差被测片表面状态直径150mm 最终抛光直径200mm 最终抛光直径
42、200mm 粗抛直径200mm 酸腐蚀被测片表面状态直径150mm 最终抛光直径200mm 最终抛光直径200mm 粗抛16 平均值的平均平均值的相对标准偏差片号A % 10m 30m 80m 250m 10m 30m 80m 1 0.088 0.392 1. 425 4. 767 2.34 0.90 0.65 2 0.091 0.410 1. 465 4.992 2.80 0.66 1. 33 3 0.091 0.397 1. 430 4. 768 1. 41 2.29 4.43 4 0.092 0.412 1. 434 4. 759 4.17 2.22 2.45 5 0.146 o. 78
43、9 2.584 6.606 6.09 5.15 2.07 6 o. 145 0.798 2.598 6.694 7.79 6.25 4.32 7 0.128 0.729 2.605 6.857 4.16 3.74 3.81 8 0.116 0.637 2.332 6.281 3.35 1. 76 2.66 9 2.418 6.441 10.08 14.41 1. 35 1. 31 1. 23 10 2. 541 6. 775 10.59 15.21 6.30 5.37 4.18 11 2.669 7.052 10.91 15.89 6.89 6.23 6.20 12 2.469 6.411 9
44、.96 14.28 1. 54 3.60 1. 30 13 339.87 883. 15 1411. 66 2 143.24 3.27 2.30 1. 78 14 347.57 915.12 1 490.70 2 314.67 1. 37 1. 64 1. 87 15 346.41 919.62 1 48 1. 90 2 256.45 4.32 4. 77 5.29 16 339.38 901. 30 1 449.77 2 185.77 2.52 2.04 1. 93 表B.4所有位置图形ii、iii和iv(硅片标准偏差的平均标准偏差和用硅片平均值归一化每个硅片对应的相对标准偏差标准偏差的平均
45、标准偏差的相对标准偏差片号A % 10m 30m 80m 250m 10m 30m 80m 1 0.007 0.026 0.106 0.517 2.2 1. 4 2.1 2 0.007 0.033 0.123 0.453 2.8 1. 2 1. 4 3 0.004 0.023 0.079 0.578 4.6 1. 6 3. 7 4 0.005 0.019 0.091 0.569 5.5 1. 4 1. 6 5 0.059 0.302 0.603 0.797 3.8 6.2 5.3 6 0.065 0.347 o. 703 0.807 4.0 1. 8 2.9 7 0.042 0.261 0.6
46、99 1. 219 10.4 7.3 4.9 8 0.025 0.156 0.463 0.789 4.7 4.0 3.1 9 0.320 0.834 1. 14 1. 397 3.1 1. 1 1. 1 10 0.321 0.816 1. 17 1. 553 4.4 4.0 3.2 11 0.205 0.516 0.663 0.889 7.9 6.6 4.5 12 0.353 0.901 1. 06 1. 234 2.2 2.3 0.9 250m 1. 69 8.55 8.52 4.38 1. 24 3.25 3.40 0.89 0.96 3.54 5.83 1. 13 1. 68 2.40
47、7.13 4.52 250m 2.2 3.0 4.6 1. 3 4.6 3.1 5.2 4.1 1. 8 4.5 2.2 0.6 GB/T 29505-2013 表B.4(续)标准偏差的平均标准偏差的相对标准偏差被测片片号A % 表面状态10m 30m 80m 250m 10m 30m 80m 13 11. 78 40.65 117.5 299.4 1. 4 1. 3 1. 9 一直径200mm 14 13.35 42.61 86.4 197.8 1. 4 2.0 2.0 酸腐蚀15 16 9% 8% 制7%暴费苦6% l总灰5%罢4%草3%革2%1% 0% 8.90 41. 16 129.6 321. 5 1. 1 2.6 4.1 10.49 34.25 107.8 245.6 O. 7 0.7 0.2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 片号黯10m滤光片。30m草草光片翻80m滤光片口250m滤先片图B.2对所有被研究硅片和10J.Lm、30m、80严m及250m波长的滤光片，用硅片平均值归一化位置图形ii、iii和iv的平均值及相对标准偏差12% 10% 制理提8%!总古Z 6% 运事III罢4%恃主2%0%
