1、ICS 29.045 日82中华人民共和国国家标准GB/T 29506-2013 300 mm硅单晶抛光片300 mm polished monocrystaHine silicon wafers 2013-05-09发布2014-02-01实施币。由.3ji/飞:气万:c. 局黯41FIi;茸层茸32的中华人民共和国国家质量监督检验检班总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T 29506-2013 目。昌本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位z有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业
2、标准计量质量研究所。本标准主要起草人:闰志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。I GB/T 29506-2013 300 mm硅单晶抛光片1 范围本标准规定了直径300mm，p型、(100)晶向、电阻率0.50.cm20 0 cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括
3、所有的修改单适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分z按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 4058 硅抛光片氧化语生缺陷的检验方法GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB
4、/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法GB/T 14140 硅片直径测量方法GB/T 14264 半导体材料术语GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T 19922 硅片局部平整度非接触式标准测试方法GB/T 24578 硅片表面金属沽污的全反射X光荧光光谱测试方法GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法GB/T 29504 300 mm硅单晶GB/T 29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法GB/T 29508 300 mm硅单晶切割片和磨削片YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压
5、测试方法SEMI MF 1390 硅片翘曲度的元接触自动扫描测试方法3 术语和定义GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。1 GB/T 29506-2013 4 要求4. 1 物理性能参数硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合GB/T29504的要求。4.2 几何参数及表面要求硅抛光片的几何参数应符合表1的要求。硅抛光片所有在表1中未列出的参数规格，由供需双方协商解决。表1300 mm硅抛先片几何尺寸参数及表面质量项目指标硅片厚度(中心点)/m775 一厚度允许偏差/m士20一十一总厚度变化/m飞之/二1. ; 一一一一翘曲度/m王45 一一一一一一-一一二
6、一一总平整度CTIR)/m乏J远1. 0 二十一一一一一一一一一二局部平整度CSFQR)(25mmX25 rnm)/rn o. 10 0.12户m 80 局部光散射休LLSsO. 16m 1.0 (正表面)/C个/cm2)二三0.2m 15 -一一一表面金属含量!C原Cu/Cr/Fe/Ni 芝三l. OX1010 -_-子数/cm2)Al/Zn/!Z/Na/Ca 5.0X100 一体金属(铁)含量/C以f数/时主主5. (l ; 1010 4.3 晶体完整性4.3. 1 晶体完整性应符合GB/T29504的妥求.4.3.2 氧化诱生缺陆与晶体完整性、抛光工艺等诸多因素有关，氧化诱生缺陷指标由供
7、需双方协商确定。4.4 表面取向硅抛光片的表面取向及表面取向偏离应符合GB/T29508的要求。4.5 基准标记硅抛光片的切口基准轴取向及尺寸应符合GB/T29508的要求。4.6 直径及直径允许公差硅抛光片的直径及直径允许公差应符合GB/T29508的规定。2 GB/T 29506-2013 4.7 表面质量硅抛光片表面质量应符合表2的规定。表2抛光片表面质量目检要求序号项H 最大缺陷限度1 划伤元卜一一一一-卜一一一-L 2 蚀坑元卜一一一一一一一-一一3 雾元一-一-一一一一一一一-一一一一-一一-一一一一4 亮点/C个/片元卡一一-5 区域f占1亏无卜一一一一一-正卜一-，-一-一一一
8、一6 崩边元卜-一一一表一一一一7 裂纹，鸦11元面一一一一4一一8 凹坑元卜一一-一一一一一一-一一一一-一一一一一-一一宁一-_- -9 沟(槽)无卜一一一一一一一一一一一一一10 小丘元一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一11 椅皮，波纹元卜一一一一一-12 刀痕元13 崩边元一一14 背裂纹，鸦爪无表15 面区域f占H无卜一二一一_ 户一16 刀痕元4.8 边缘轮廓硅片经边缘倒角及边缘抛光，抛光处理后的边缘轮廓应符合YS/T26的要求，特殊要求可由供需双方协商确定。5 试验方法5. 1 硅抛光片的导电类型测量按GB/T1550进行。5.2 硅抛光片电阻率测量按GB/T6616
9、进行。5.3 硅抛光片径向电阻率变化的测量按GB/T11073进行。5.4 硅抛光片间隙氧含量测量按GB/T1557进行。5.5 硅抛光片代位碳含量测量按GB/T1558进行。5.6 硅抛光片厚度、总厚度变化及总平整度测量按GB/T29507进行。5. 7 硅抛光片局部平整度测量按GB/T19922进行。3 GB/T 29506-2013 5.8 硅抛光片翘曲度测量按SEMIMF 1390进行。5.9 硅抛光片局部光散射体测量按GB/T19921进行。5. 10 硅抛光片表面金属含量测量按GB/T24578进行，或按供需双方协商的方法进行。5. 11 硅抛光片体内金属(铁含量测量按YS/T67
10、9进行。5. 12 硅抛光片的晶体完整性测量按GB/T1554进行。5.13 硅抛光片氧化诱生缺陷检验按GB/T4058进行。5. 14 硅抛光片表面取向量按GB/T1555进行。5. 15 硅抛光片切口基准轴取向测量按GB/T13388进行。5. 16 硅抛光片切口尺寸测量按GB/T26067进行。5. 17 硅抛光片直径测量按GB/T14140进行。5. 18 硅抛光片表面质量检验按GB/T6624进行。5. 19 硅抛光片边缘轮廓测量按YS/T26进行。6 检验规则6. 1 栓查和验收6. 1. 1 产品应由技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书
11、。6. 1. 2 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批硅抛光片以批的形式提交验收，每批应由按照用户要求的同一规格的硅抛光片组成。6.3 栓验项目6.3. 1 每批抛光片抽检的项目有z直径、晶向及其偏离度、切口基准轴取向、切口尺寸、导电类型、电阻率、径向电阻率变化、间隙氧含量、替位碳含量、硅抛光片厚度、总厚度变化、翘曲度、总平整度、目检表面质量、氧化诱生缺陷、边缘轮廓。6.3.2 局部平整度、局部光散射体尺寸及数量、表面金属沽污、体金属(铁)含量等项目由供需双方协商后进行检验。
12、6.4 抽样6.4. 1 对于非破坏性检测项目，检测按GB/T2828. 1一般检验水平II，正常检验一次抽样方案，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。6.4.2 对于破坏性检测项目，检测按GB/T2828.1特殊检验水平5-2，正常检验一次抽样方案，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。6.5 检验结果的判定6.5. 1 导电类型、晶向检验若有一片不合格，则该批产品为不合格。6.5.2 其他检验项目可以按照6.4进行抽检，接收质量限(AQL)见表3.也可以对产品进行全数检验，或按供需双方协商的方法进行。4 G/T 29506-2013 表3硅抛光片检验项目及接收质量限序号检验项目接收质量限(A
13、QL)1 电阻率1. 0 2 径向电阻率变化1. 0 3 间隙氧含量1. 0 4 代位碳含量1. 0 5 厚度1. 0 6 总厚度变化1. 0 7 翘曲度1. 0 8 总平整度1. 0 9 局部平整度1. 0 工10 局部光散射体尺寸及数量2.5 一一-11 表面金属含量1. 0 12 体金属(钦含量1. 0 一一一13 氧化诱生缺陷2.5 14 切口基准轴取向1. 0 卜一一一一一一15 切口尺寸1. 0 16 直径1. 0 一一一17 边缘轮廓2.5 亮点1. 0 二一一区域沽污1. 0 表划伤1. 0 面一一一一18 崩边、裂纹累计1.0质量沟槽、凹坑、小丘、桔皮、波纹等累计1.0刀痕1
14、. 0 累计2.5 7 标志、包装、运输和贮存7. 1 硅抛光片应在洁净间内装人专用的抛光片装运盒，外用洁净的塑料袋和防潮、防静电的铝韬袋依次密封，双层包装。每个抛光片盒应贴有产品标签。标签内容应包括=a) 产品名称(牌号); b) 产品规格;c) 片数sd) 产品批号ze) 出厂日期。7.2 经双层包装的片盒再装入一定规格的外包装箱，并采取防震、防潮措施。包装箱内应有装箱单，外GB/T 29506-2013 侧应有小心轻放、防潮、易碎、防腐等标识，并标明:a) 需方名称、地点zb) 产品名称、牌号:; c) 产品片数及重量zd) 供方名称。7.3 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取
15、防震、防潮措施。7.4 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。8 质量证明书6 每批产品应有质量证明书，其内容应包括:a) 供方名称zb) 产品名称及规格、牌号;c) 产品批号;d) 产品片数(盒数he) 各项参数检验结果和检验部门的印记50 出厂日期。的ONiommNH益。国华人民共和国家标准300 mm硅单晶抛光片GB/T 29506-2013 中号中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里凋北街16号(10004日网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读者服务部:(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销陪印张O.75 字数14千字2013年6月第一次印刷开本880X12301/16 2013年6月第一版峰16.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107书号:155066 1-47272定价GB/T 29506-2013 打印H期:2013年7月4HF002A
