1、中华人民共和国国家标准交流系统用高压绝缘子人工污秽试验方法固体层法Artificlal pollution tests 00 hlgh-voltage insulators to be used on a. c. systems Solid -Iayer method GB/T 4585.2-91 本标准等效采用国际标准IEC507(1975): 、 GB/T 4585. 2 91 f=J:志. . ( 5 ) B 试品安装8. 1 绝缘子一般应垂直安装在雾室内，只有当绝缘子在实际运行中根本不存在垂直安装状态下使用时.才考虑模拟运行条件的安装方式(如水平、倾斜等)。8.2 绝缘子必须安装上运行
2、时所具有的全部金属附件(如均压环、线夹等)。8. 3 绝缘子与任何接地物(绝缘子支持物除外)之间的距离应为每100kV试验电压不小子o.5 m.们写在少为1m 0 9 试验程序9. 1 耐受污层电导率与耐受盐密试验将染有规定污层电导率或规定故密的试品安装于第室中，然后加I规定的试验电月二并同时供给雾，试验保持至试品|河络或泄漏电流渐减小，局部放电逐渐减轻，或者是将试品置于雾室后再供雾、待试品污层达到饱和混润后，施加电压并维持军闪络，如不闪络则维持15rnin。每风试品的同污层只允许进行一次试验.该试验应进行三次(试品数最应为3只).如果三次未发生闪络，因v耐受污层电导来试聆或耐受盐密试验通过;
3、如果仅出现一次闪络，应进行第四次试验，如果该次试验不发生闪络，则耐受通过。9. 2 最大耐受污层电导率或最大耐受盐密试验绝缘F在完电压下的最大耐受污层电导率或最大耐受盐密用这级耐受法求得。首先从本标准第6. 1条表l或表2中选取适当的污居电导率或盐密，作为绝缘子预期的最大耐受污展电导率或最大耐受盐密，并以此作为起始污层电导率或起始盐密，然后按表I或表2巾规定的污层电导率或盐密等级，级进行耐受试验，在每级污层电导率或盐密1、的试验程序及试品数量与第9.1条相同。如果在该污:电导率或盐密下通过了规定的耐受电压试验，则不进行更低污层电导旦在或盐密下的试验。绝缘r能通过耐受污层电导率或耐受盐密试验的最
4、高污层电导率或最高哉密，为其在该电压F的最大耐受污压电导率或最大耐受盐密。9. 3 最大耐受19压试验绝缘子手E定巧层电导率或一定盐密F的最大耐受电LE用逐级耐受法求得.以预期的最大耐受咆照作起始电斥，每级升降电压为起始电蜒的5%左右。每级电压下的试验程序及民品数最匀第9.1条相同，如果在某电压F通过了耐受污层电导率试验或耐受盐密试验，则不进行更低电压下的试验。绝缘f能通过耐受污层I包导率试验或耐受盐密试验的最高电压，为在该污屋电导率或盐密F的l!k大耐受电压、GB/T 4585. 291 附录A形状系数计算方法(参考件)按照绝缘子的设计图样汁算形状系数步骤如.: Al 将绝缘于轮廓线按其曲率
5、半径或斜率分成若干段，然后给每一线段配平面盲角坐标系，这些坐标系的x轴均与绝缘子的回转轴线重合、当轮廓线是直线段时，y轴!主位于轮廓线的左侧，如图AI. A4所示;当轮廓线是阿弧段时，Y输院通过i亥阿弧的圆心，通过圆心作X铀的平行线NV .将位TX轴与J.VN轴划分的四个区域中的圆弧分别称为1二囚弧右段，下圆弧左段、上圆弧左段、下圆弧右端，如图A5图A8所/示。Y 1 A y , y , B !I 1- -yl-呵-y , R V, A () X X 因Al雪A2Y Y y，-_B A B /j J 1- - -A y , A 一-(1 图A3l好A1G/T 4585.2-91 N N 。，(
6、0.却.)。X 图A5Y B A 。(0，1/0)X 。图A7A2 各轮廓线段所对应的形状系数按下述各式计算sA2.1 图Al所示直线段形状系数的计算按式(A1) : Y 0 叶，Y.) Y. y Y. 。一-x图A6B A X 图A8f一1._ Y 2 zz一-ln一(A 1 ) zcosa Y 1 A2.2 图A2所示直线段形状系数的计算按式(A2): f= 1 -_ Y2 一-2cos1I1 A2.3 图A3所示直线段形状系数的计算按式(A3): -1、( A2 ) G8/T 4585.2-91 f=土lnY2.(A3)2111 A2.4 图A4所示直线段形状系数的计算按式(A4), f
7、 h 一211111 .( A4 ) A2.5 图A5和图A6所示弧段的计算按式(A5)、(A町、(A7) , 当r-lI0一FJ 2Jr2 -g ln V- 11 +勾，11+ r - 11 + J r - 11 i+ E 110 . ( A6 ) J;一扎俨当r2_y=OfzJ二Iv1/ + 211011十12_ YirHH-HH-HH-HH-(A7) l YoY Jl , A2.6 图A7和图A8所示弧段的计算按式(A8)、(A的、(A10) , 当r-lIlOf= 2J-y ln V-11十211，11+川-III + Jr2 - 11 i+ g 1!, . ( A 9 ) JT2_y
8、 当rgi=0f=1 v- 11 +些吐主立i|2. . .( A 1 0 ) l 11011 J , A3 绝缘子的形状系数为各线段所对应的形状系数之和。77 GB/T 4585. 2 91 附录B闪络试验(参考件)将电压逐渐升高至闪络的方法不作为本标准推荐的试验方法，仅供特殊目的使用。试验条件及电源容量同前。其试验程序如F:将染污后的绝缘子按本标准第6章规定安装于雾室中，使试品的污层充分湿润，即污层电导增加fiJ最大值或表面形成水膜，边缘将要滴水，然后立即升f豆豆闪络，其升压速度在40%预期闪络电压以前不作规定，而后以每秒为预期闪络电压的10%20%的速度升高电EE7f闪络，每只试品闪络-次.J斗试验3只试品，以二只试品闪络电压的平均值作为试品的|对络电压值(每次问络电压值应为该次升ff过校中所达到的最高值).且各次闪络值与平均值之差的绝对值应不大于平均值的15%。附加说明z本标准由全国绝缘子标准化技术委员会提出。本标准由西安电瓷研究所归口。本标准由西安电瓷研究所负责起草。本标准主要起草人刘荣淑、苏玫。自本标准实施之日起，原中华人民共和国第a机械部部标准JB2590-79(绝缘f人工污秽试验方法团体层法作废。78
