1、中华人民共和国第四机械工业部标电一SJ 1551一79(暂行)北1 980 中华人民共和国部部硅外延电阻试方法r -1 ISJ 1551 791 L一一_J准压法本标准适用于检测N/N +, P /P +结构硅外延层的净杂质浓度，杂质浓度与电阻率的关系曲线(见图1) ，可求得电阻率。1.涮试范围:lX1014-1X1017原子/cm3 2. 2 若在硅外延片表面形成一个面积为A的肖特基二极管，在反向的势垒区向外延层中扩展。结的势垒电容C及其随电压V的变化率势垒边界z处的净杂质浓度n(x )有如下关系g下，结dC 与距n (x ) =C 3 / q e eo A 2 ( -dC、dV ,/ (
2、1 ) x =e eo A /C ( 2 ) 式中g电子电荷q= 1.60 X 10 - 19 C 硅的介电常数e= 11.8 真空电容率eo=8.85 X 10甲14F /c m 将有关常数代入(1 )、(2 )式得gt: rr ? ,rt. A / dC、n(x)=9.75X106C3/4( _一一一】( 3 ) 飞dV,/ S嚣8.17X103D2/C( 4 ) 式中:n (x )一一距势垒边界-z处的净杂质浓度呢原子/cm 3 , C一一结的势垒电容，pFJ, c-YD ，d一，a结的势垒电容随电压的变化率，pF /V , 结的直径，cm , 距势垒边界的距阂，m。z 中华人民共和发布
3、1 980年6月1日试行共4页第2页S J 1551 79 3.泪11量:23.1势垒的制备g选择适当的金属和方法(例如真空蒸发金或求探针), 洁的无损伤的硅表面树备肖特基势垒。直径在cO.5.，1.2tfim吟之间。3.2 电极g可用蒸金或嫁托J3 9 X103D2 /Wepl , 足g( 2 ) 、B/m /飞20 延层的l 2 34568 2 34568 2 34568 2 34568-2 34 5:-;6:-:8;-2;-;:3-:4-;:5-;:6-;8:-:2;-;:-3-:4-;:-5;:68 1014 1015 1016 1017 10111 1019 1020 1021 杂质浓度飞原f/cm勺图110 E 10-1 o 峙 fjl 10-2 :t: 10-3 ;f: 2 10- 共4页第4页SJ 1551 79 C ci L-_ dV V 图2
