1、1范中华人和子行业军用标准半导体分立器件GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field effect transistor of type CS4 G p , G T and GCT c1asses 1. 1 主题内容SJ 20012 92 本规范规定了CS4型硅N沟道结型场效应晶体管以下简称器件的详细要求，按GJB33 8525C时，按1.33mW /.C的速。-. 2一A a #1 b2 D
2、D1 J K L L1 VG吕(V) 30 引出端极性:1.摞极2.漏极3.栅极单位:mmA3-01B 口11nnom 口lax4.32 5.33 2.54 L 01 O. 407 O. 508 5. 31 5.84 4.53 4.95 O. 92 1. 04 I 1. 16 0.51 1.21 12. 5 25.0 1. 27 句_. lcF l.mb和T町一J一一.-一-一一-(mA) (C) 一一-10 55+175 SJ 20012. 92 1.4 主要电特性(TA-25C) 参数型号极限值_.-_ 符号(单位测试条件值大值/ossl) (mA) Vos-10V CS4C 1 3.5
3、V一0CS4D 3 10 CS4E 8 20 CS4F 18 30 CS4G 28 40 V GS(off) (V) Vos-10V CS4C 4 /D=lA CS4D 4 CS4E 8 CS4F 8 CS4G 8 Vos=10V /D-3mA F2) (dB) 所有型号5 f=30MHz RG=lMO Vos=10V CS4C 2000 5000 IYfoll1) (S) /D=3mA f=lkHz 其他型号3000 8000 Vos=lOV C Z , . CpF) /D=3mA 所有型号6 f-1MHz Vos=10V c.2、r . (pF) /D=3mA 所有型号3 f=lMHz V
4、os=10V CS4C 12 Gn.2) CdB) /D=3mA CS4D P f-30MHz 其他型号15 注:1)脉冲法(见4.5. 1). 2) C档，在VGS=O条件下测试。2 引用文件3一GB 4586 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 3 要求3. 1 详细要求SJ 20012 92 场效应晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规艳的规定。3.2 设计结构和外形尺寸件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层
5、应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定(见的。3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 证4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不应接收。选测试试GJB33表2GT和GCT级3.热冲击低温应为55C，南温应为十175C 5.密封不要求6.高反不要求_._.-. 7.中间测试IGSS1、Inss和/YI.L一一一8.电老化见4.3. 1 一一一一一.-.-一
6、-_-后测试本规范表1的A2分组;9. b.1nss=初始值的士10%; b./YI/l一初始值的士20%4. 3. 1功条件VGS- 24V; V凶=0;TA=150C 4.4 致性检验4一SJ 20012 92 质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4. 4. 1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表l的规定进行。4.4.2 B组检验8组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。表4的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规程表3的规定进行。表4的步辄且川。4. 5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. l脉冲测试脉冲测试应按GJB12
7、8的3.3.2.1的规定。表1A组GB 4586 检验或试验LTPD 方法条件A1分组GJB 128 5 外观和机械检验2071 -一一一一一A2分组5 栅，惊击穿电压G1 漏惊短路IGs=lA Vns=O 源截止电流2. 1 漏源短路Vn5=0 VGS= -10V 零栅压极电流3 源短路Vns= 10V VGS=O 脉冲法(见4.5. 1) CS4C CS4D CS4E CS4F CS4G 栅F摞止电压5 Vns=10V Ins=lA 一._.-后测试和变()要求应按本规范后测试和变化量()要求应按本规范极值符号位小值V(BR)s 30 V IGSS1 10 nA lre电1 3.5 mA
8、3 10 mA 8 20 mA 18 30 mA 28 40 mA V G5(01l) 一5一SJ 20012 .92 续表1A组检验检验卜LTPDI符号极限-一-寸-小值位GB 4586 方法条件CS4C CS4D CS4E CS4F CS4G 4丛zaaoon6oo-一一一VVVVV A3卦组高温工衍，雷止电5 -T.mb= 125.C 2. 1漏源短路VDS=O VGS=一10Vh瞌Z一10A A4分组5 号共源短路10 VDs=10V I yr.ll 正向跨ID-3mA1) f=1kHz 冲法(见4.5. 1) CS4C 2000 5000 S CS4D 3000 8000 S CS4
9、E 3000 8000 S CS4F 3000 8000 S CS4G 3000 8000 S 小信号共摞短路7 VDS=10V C幽6 pF 输入电容ID= 3mA1) f=lMHz 小信号共摞短路11 VpS= 10V I C . 3 pF 反馈电容1D=3mAl) f=1MHz 小信号共源功率G3 VDs=10V G归增益1D= 3mA1) f=30MHz CS4C 12 dB CS4D 12 dB CS4E 15 dB CS4F 15 dB CS4G 15 dB 一6一检验或试共源点噪声系数一一一A5和A6分不适用A7分组低温工作:小信号正向跨导CS4C CS4D CS4E CS4F
10、CS4G 姐一一2路十二一方法12 10 SJ 20012 92 续表1A组检验GB 4586 LTPD 条件VDs=lOV ID=3mAl) f=30MHz RG=1MO 10 Tmbz= 55C Vns=10V f=lkHz ID=3mA1) 脉冲法(见4，5. 1) -注:l)C档，在VGS=O条件下测试一一检验或试验61分组可焊性标志的耐久性B2分组热冲击(握度密封方法2026 1022 1051 一一卢-表2B组检验GJB 128 条试条件C，但TA= 55C Tn=+175C 极限值单符号位小值F 5 dB I YI.I z 7500 S 12000 S 12000 S 12000
11、 .S 12000 S -LTPD 件15 度应为10 一7一SJ 20012 92 续表2B组检验GJB 128 检验或试验一LTPD 1 方法| 条牛，咱目，一一一一一a.细检b.租检后测试1071 见表4.步骤1、3和4的分组稳态工作寿命(高温反偏)5 1027 I TA=150C V凶-0VGS=一24V见表4.步骤2、3、4、5和6最后测试B4分组开帽内部观检(设计核实)键合强度2075 每批1只，0失效2037 I试验条件A所有的内部引分别进行拉力试验20(C 0) B5分组不适用一一一一一86分组高温寿命(不工作)、后测试:! 1032 I TA=175C 7 ，一见表4，步骤2
12、和6。表3C组检验一一甲GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件C1分组15 外形尺寸2066 见图l一-._-一一一，一，) -_咽_冒C2分组热冲击(破璃应力1056 试验条件A10 引出端强度2036 试验条件E密封1071 - 一一-一8一SJ 20012 92 00 46 E B 组-qc-。表一续一检验或试验LTPD 方法条&a da咽a. b. 综合温度/温度期试验1021 2071 试见表4，步骤1、3和4C3分冲击动恒定加速度后测试10 2016 2056 2006 见表4.步骤l、3和4C4分组盐气15 1041 C5 不适用 C6 工作寿命偏 10 1026 TA=1
13、50C V凶=0Vas 24V 见表4.步骤2.3.4，5和6后测试表4B组和C组的最后测试方法|条件极一峭步GB 4586 试符号位1 止电流2. 1 IGSSl 一-10 nA V凶=0Vas嚣-10V一9一SJ 20012 92 续表4B组和C组的步GB 4586 测试方法条件2 止电流2. 1 短路Vos=O VGS= 10V 3 零栅压极电3 摞短路Vos=10V VGS=O 脉冲法(见4.5. 1) CS4C CS4D CS4E CS4F CS4G 4 小信号共摞短路10 Vos=10V 正向导In=3mAl) f=1kHz 冲法见4.5. 1) CS4C CS4D CS4E CS
14、4F CS4G 5 零栅压极电流3 源短路Vos=10V VGS-o 脉冲法(见4.5.1) 6 号共源短路10 V凶-10V正向跨导In=3mAl) f=1kHz 脉冲法(见4.5. 1) 注:1) C挡在VGS=O条件下测试5 交货准备一10一测试极单符号最J、值位IGSS3 20 nA I酣3.5 mA 3 10 mA 8 20 mA 18 30 mA 28 40 mA 1 Yf.ll 2000 5000 S 3000 8000 S 3000 8000 S 3000 8000 S 3000 8000 S tJ.I瞄初始的士15%tJ. 1 Yfa 11 初始的士25%SJ 20012-92 一一包装要求应按GJB汩的规定。6 说明合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层(见3.2. 1)。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。CS4与厂用型号3DJ7对照:FGHIJ nfnrnt7句，?-adTasd,.,TEEdTEEd DDDnD q吨Mqununun4UCDEFG A丛Eaaaaa4a喳QUQJVQdcdQJM CCCCC 附加说明:本规砸自中国电子工业总公司科技质量局提出。本规施由中国电子技术标准化研究所归口。本规植由中圄电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人t王长福、张宗国、吴志龙、刘美英、。计划项目代号:B91018. 一一咀一11一
