1、I CS 31. 260 L45 备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范Semiconductor optoelectronic devices-Blank detai I specification for power I ight-emitting diodes 2009-11-17发布2010-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布. 、SJ/ T 11393-29 . -. ，一- a.唱圈，.Fd、a FAE -, E、. . . , -tL:-、._- -. I -, . 自由、-一二.，h 飞一, ，向
2、、-. - -., 0; .一.一 - - 1 , , 、-, . L凶, , , . . 1. _ - , 7 . . _. .: 、t, 、- . . ,-.0( , ，、二1. .川. 一、. . 一- . 1 . ，一-二、，V ，士. f . ,. I 二. 二一，、-. C _, _ -，;，、.户._甲、二- ., -.- 一-，:，;:-. :在. SJ/T 11393-29 授权发布详细规范的国家标准化机构的名称11 IECQ详细规范号发布号和，或发布日期2 评定电子元器件质量的依据:3JI详细规范的国家编号- 4 GB/T 4589. 1-2006 半导体器件分立器件和I如
3、果国家编号与IECQ编号相同，则本栏可不填写集成电路总规范GB/ T 12565一1990半导体器件光电子器件分规范_.详细规范用于=半导体功率发光二极管相关器件的型号订货资料:见本规范第7章。1二机械说明7 12 简略说明外形标准zI EC 6019卜2(如果可行应强制国家标准如果没有IEC外形标准外形图E可以放到第10章并给出更多的详细资料引出端识别=画图说明管脚的功能，包括图形、符号发光二极管z类型:表面/侧面发光半导体材料:GaAIAs/lnGaA1P/ GaN 封装z树脂/金属/玻璃/陶瓷可以增加某些重要的相关数据标志:文字，符号或图形J13 质量评定类别若有的话，详细规范应规定器件
4、上标志的内容见总规范的2，5和(或本规植第6章按总规范的2.6参考数据=按本规范鉴定合格的器件的有关制造单位的资料，可在现行合格产品一栏表中查到。4 极限值绝对最大额定值体系2 除非另有规定，这些值适用于整个工作温度范围.仅重复使用带标题的条号.任何附加值应在适当地方给出，但没有条号。曲线应在本规程第10章中给出.) 5J 6J (8J (9J SJ/ T 11393-29 符号要求单位簸11、最大T . 电曾 , T_ 瓦，1 (规定最长焊接时间 s 和/或距曹先的最小距离)x 111m 反向电压 , V mA A Iry峙r.，.、呗而.、 :单.号2 -甲一3 光通量1m A; 4 半强
5、度角deg C2a 5 峰值发射波长nm A3 6 主波长(适用于色光nm A3 7 光谱辐射带宽C2a 8 显色指数(适用于自光)A4 9 相奖台混f适用于自光)K A4 10 |色品坐标 i4 Jr按规定 x 11 |黯陋.R，宵X KIW C2a 1，按规定散品每件按规定6 标志任何详细资料(陈;nl章7栏中和/或总规植的2.5给出的之外)f挂在此给出oJ 3 、J. 7 订货资料除非另有规定，订购一种具体器件至少需要以下内容i-一准确的型号(如果要求，标称的电压值); 一一有版本号戒日期的IEC(详细规范号;(丁子一一按分规范的3.7规定的原量评定类别及如果要求时3.6中规定的筛选顺序
6、.-二，任何其它细节.专.-试验条件和检验要求j 杏以下各啦!中给出的试验条件和检验要求，其所有数值和确切的试验条件应按照给定型号的要求和相提标准中规定的有关试验予以规定) 阳在同一详细规商中包含若干规格的器件时，有关的试验聋件和/或数值应以连续的方式给出，避免相同的条件和躏数值重复出现 当制定排细规范时.如果检验或检验方法有二种以上的选择应确定一种。一千除非另有规定，下列文本中引用的条号对应予总规范的条号.测试方法引自分规范的3.4. 关T抽样要求，应依据适用的质量评定类别引用或参照分规范3.7的规定。对于A组检验，制定详J 细规革时应选定AQL或LTPD抽样方案. 喃、.SJ/T 1139
7、3-2009叫, v v、一.、蝇，目 . ! . 、-r , ., , , 、. , 4 , , SJ/T 11393-29 A姐一一逐挝LSL一规范下限值USL一一规拖上限值根据本规范第5章所有试验是推破坏性的见3.6.6)条f牛检验就试验l符号|引用标准除非另有规庭，SJ/T 11394-20 Z嗣二25C(见总规拖第41在Jl分组外部目幢 A2a分组不能王作棒件z极性极性颠倒光洒量方法2003J，技巍在. (，骂王O.lLSL 噜i. , 正向电J1ir,. 方法l例l. b按规定短路I主三o.1l1SL 开路z际注目SL反向电流H 1. 方法I3按规定栩，提色温适用于自光z 方法44
8、品按规定二月.5USL或运O.5L.)1A2b分组电特性正向电E际方法l佣lJ，般规定俨( , 反向电流1. 方蛙1003a 技按规庭t 曹 . IA3分组光特性光通量|队|方法2003， f 峰值发射波长., 方法25品按规定A4分组b色度特性主擅长适用于单色光方法4003Z按规定ILSL 出L相关色温适用于自光方法4004k挂嫂定LSL USL 色晶坐标方法4001琪4002b撞规定、-、LLSL USL H.万法.(O6k鼓规定LSL 5 SJ/T 1t 393-29 8姐一一逐批(对于等级要求为I类的器件，见2.6条LSL-规拖下限值USL一一规范上限值t根据A组只有标明(D)的试验是
9、破坏性试验(见3.6.6条检验或试验CD): 缝之以z循环(D) (仅对非空腔器件或密封(仅对空腔器件)终点测试光通量正向电压-反向电流-相关鱼温(仅适用于自光?或主波长.! IS1/T 11;394-2009方法431.6按规定-(仅适用于单色光)分组恒定加速度49:n. n, 5 I按规窟仅对主脏器件终点测试按B5分组i 6 检槌E革试验要求/极限值LSL U$L USl. LSL I USL LSL USL , 检验或试最d , B8分组电耐久性终点测试光通量正向电压反向电流相关色温(仅适用于臼光)或主波*:(仅适用于单色光)CRRL分组注:IVD为韧始值. . B组续、.晶条件除非另有
10、规定，符号引用标准T. rI. T_=25C , (见总规范第4:)院本规租附录Al创hv S1/r 113-2创)9方法23I.披规定、 SJ/ T 11394-29方法11J，撞规定r. SJ/ T ll3倒一2创泊方法13撞规定7 SJ/T 11394-2侃方法44品技;银定. 4号、. SJ月11394-29方法43元披规定提供B3、阳和阳分组的属性资料.提供B8分组前后的测试数据., SJ/T 1139也-2创)9检企1Il试验要求/极限值矗小最大. 飞恤，.、v、，I . .圃，O.8IVD J. 2USL 。.9Lst2USL 、1. 1t;SL 1.S1. USL 一 , 7 . -. . , . SJ/ T 11393-2009 , C姐一一周期LSL一一规范下限值USL一顿也上限值只有标明(D)的试验是破坏性试验(见3.6.6条栓或试脸振JJ锐忡击继:之以21.恒定加速度. A. 1 试验电路Rs一一限流电阻1D一一眩目二极管-A. 2 工作条件且按本规范4.5的规定.兀按规定。IF 附录A(规范性附录)电耐久性试验R. D y y SJ/ T 11393- 2009 11
