1、1 范围中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件分规范Semiconductor devic Seetioaal哩防clfi幅，tionfor discrete devices (可供认证用本规范适用于除光电子器件之外的半导体分立器件。2 总则GB 12560-90 IEC 747-11-85 本规范应与有关的总规范一同使用。本规范给出了有关评定半导体器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选序列、抽样要求、试验和测试方法的细节。2. 1 有关文件GB 4589. l(IEC 747-10/QC 700000)半导体器件分立器件和集成电路总规范2.2 温度的推荐值(优选值)见IEC747-1(半导
2、体器件分立器件和集成电路总则的6.5条。2.3 电压和电流的推荐值(优选值)见IEC747-1的6.6条。2.4 引出端识别2.4.1 二极管用下述方法之一清晰地表示二极管的极性:2.4. 1. 1 整流二极管图形符号的箭头指向阴极。2.4.1.2 按下述色标:8. D2-04A(GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸)，IEC191-2(半导体器件的机械标准化第2部分尺寸的A20)和更小外形的二极管:用一条明显的色带或一色点在这些二极管的阴极端进行标志。但当用色带识别型号时，则可用两倍宽的第一条色带以识别阴极端。如果二极管的封装比D2-03B(GB7581 ,IEC 191-2的AIB)
3、还小，其阴极端色标有可能与型号标志混淆时，则后者应予省略。b. 比D2-04A外形更大的二极管:阴极应使用红色。2.4.2 晶体管应在详细规范中给出引出端识别。2.4.3 闸流晶体管用下述方法之一表示引出端:2.4.3.1 闸流晶体管图形符号的箭头指向阴极端。国家技术监督局1990-12-06批准1991-10-01实施GB 12560-90 2.4.3.2按下述色标:用虹色标志阴极端。当标志阳极端时，则应使用蓝色(或黑色)。当标志控制极时.则应使用白色(或黄色)。2.4.3. 3 坦上边标恋方法在技术上不可行时，应在详细规范中给出引出端识别。2.5 型号名称的色标2.5.1 电子器件工棋联合
4、会(JEDEC)那号编号下述色，标适用于小倍号二极管型号名称的编号部分及其之后可能出现的后辍字母。编号的顺序应从左至右，在左边用一条较宽的色带，或者在靠近管体的左边安排色组来表示。两位数编号时应先用一个0。颜色数字后缀字母黑。棕A 红2 B 橙3 C 黄。绿5 E 就6 F 紫7 G 灰8 H 自9 J 2.5.2 公共档案局电子(PRO肌I!CTRON)那号编号下述色栋适用于小借号二极管z方法I方法II方法I窄带两条宽带管体颜色方法H一条宽带之脂再用窄带AA白棕Z臼。峭黑BA-红Y-灰BAY-灰1-棕儿棕x-型民BAX翩黑2-红弘红W.蓝BAW翩蓝也橙c-橙V-银BAV唰绿4嗣黄。黄T-黄B
5、AT-黄绿已绿s-橙BAS户橙6蓝F-蓝7侧紫G啕紫8灰H-灰各自J刷臼阴极端用宽带表示2.5.3 其他型号编号应在详细规范中规定色标，用与上述色栋相间的颜色表示从0到9的数字。GB 12560- 9 0 3 质量评定程序3. 1 初始制造阶段半导体分立器件初始制造阶段，对硅器件而言，即改变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第一道工序，或对其他半导体材料类似改变的第一道工序。3. 2 结构相似器件为了得到鉴定批准、逐批检验和周期检验的样品，半导体分立器件的型号可按下述进行分组03.2.1 电测试的分组具有相同的设计、在同一条生产线上制成的，而仅在于电特性极限或额定值不同的器件，应按其不同电特性极限
6、或额定值分为若干型号的子批。上述器件最好应包含在同一详细规范中，但是在任何情况下，应在鉴定批准试验报告中说明所采用的分组细节。3.2.1. 1 不同电特性极限或额定值对于适用于各子批不同电特性极限或额定值的具体测试，每个子批应按规定抽取一组样品。这种具体划分的实例为:a. 二极管划分为具有不同电压额定值的子批Fb. 晶体管划分为具有不同正向电流传输比极限的子批;c. 整流二极管划分为具有不同电压额定值的子批;d. 闸流晶体管划分为具有不同电压额定值的子批。3.2.1.2 相同电特性极限对于适用于所有子批相同电特性极限和测试条件的具体测试，用下述之一种测试评定总批:a. 由所有子批按相等的或成比
7、例的抽取一组样品，或b. 由总批中随机抽取一组样品。这种具体测试的一个实例是，当相同极限适用于所有型号时，则按b条对所有反向电压额定值的二极管型号进行正向电压降测试。3.2.2 尺寸、气候和机械试验或检验的分组用相同方法封装的、具有相同内部机械结构基本型式、使用相同零部件并经共同的涂覆和密封程序的器件，按下述可以认为是结构相似的，并按规定抽取一组样品，评定这种相似器件的总批。注相同零部件系指按相同图纸或相同规范自制的或购得的合格零部件。3.2.2.1 相同生产线制成的器件注相同生产线系指具有等效的设备、相同的工序控制图或规范、使用相同零部件和材料、设置在同一厂区并能生产相同器件的生产线。上述分
8、组能适用的试验有za. 日检pb. 尺寸pc. 可焊性、耐焊接热zd. 引出端强度;e. 腐蚀，例如稳态湿热;f. 温度变化;g. 温热循环(或密封hh. 振动;i. 恒定加速度zj. 冲击。GB 12560-9 0 注:这种器件的实例，是在相同生产线上制成的、并用相同零部件制成的管壳封装的各种型号的晶体管。3.2.2.2 不同生产线制成的器件上述分组能适用的试验限于za. 目检zb. 尺寸zC. 可焊性、耐焊接热;d. 引出端强度;e. 腐蚀，例如稳态湿热。3.2.3 耐久性试验的分组对于耐久性试验(例如电耐久性和高温贮存)而言，具有相同器件设计、在相同生产线上制成的，而仅在于电特性极限或额
9、定值不同的器件，应按其不同电特性极限或额定值分为各种型号的子批。这些器件最好应包含在同一详细规范中，但在任何情况下，应在鉴定批准试验报告中说明所采用的分组细节。3.2.3.1 在B组(逐批)规定试验时除在空白详细规范中另有规定外，对于各种耐久性试验，如从符合下述要求的任一子批中按规定抽取一组样品，则可评定总批:a. 被选子批的器件总数，同具有较低额定值或不太严格电特性极限的所有其他子批的器件总数之和?不少于所有子批的总批量的60%; b. 在生产过程中，在上述的三个月内.应对总批中和该周期内提交检验过的那种批中具有最高额走值或最严格电特性极限的子批，抽取适当的样品量进行电耐久性试验。3.2.3
10、.2 在C组(周期)规定试验时对于各种周期性耐久性试验，按空白详细规范的规定抽取一组样品，可评定总批。样品最好从器件数量最多的子批中抽取，但也应保证在较长的期限内适当轮换其他型号。3.3 鉴定批准的检验要求应与本标准表5和表6规定的那些抽样要求?起，正常地采用QC001002(程序规则的11.3. 1条的方法的。如果采用有关的空白详细规范另作规定的抽样要求，则允许采用QC001002的11.3. 1条的方法a)。3.4 质量一致性检验3.4. 1 组和分组的划分应按下列各表划分组和分组:表1A组一逐批分组检验或试验引用标准条件Al 外部目检GB 4589. 1中4.2.1. 1 A2a 不工作
11、按规定A2b、A3、A4电特性有关标准按适用方法的规定表2B组一一逐批(I类情况，见GB4589. 1的2.6条)分组| 检验或试验| 引用标括| 条件Bl尺寸(互换性)按详细规范所给的图GB 12560-90 续表2分组检验或试验引用标准条件B2a 电特性(设计参数)有关标准适用时，按规定电特性(不同条件下)有关标准适用时，按规定;B2b 例如高温测试电额定值验证(脉冲有关标准适用时，按规定;B2c 例如浪涌电流(整流二极管)B3 引出端强度GB 49371)中2.1按规定F例如引线弯曲DB4 可焊性GB 4937中2.2.1按规定B5 温度快速变化GB 4937中3.1继之以z湿热循环，或
12、密封IEC 749 , III , 4 GB 4937中3.7B6 机械冲击，或振动GB 4937中2.4GB 4937中2.3)按规定取时叫自详细规范继之以=恒定加速度GB 4937中2.5要求时)B7 不适用B8 电耐久性有关标准按规定方法，168h B9 高温贮存GB 4937中3.2在最高贮存温度下，168h CRRL 放行批证明记录按空白详细规范中规定的计数数据注:1) 半导体分立器件机械和气候试验方法。2)不适用于超小型器件。表3C组一一周期分组检验或试验引用标准条件Cl 尺寸按详细规范所给的图C2a 电特性(设计参数)有关标准按规定C2b 电特性(不同条件下)有关标准按规定;例如
13、在极限温度下测试C2c 电额定值验证(脉冲)有关标准按规定;例如浪涌电流(整流二极管)C2d 热阻结到外壳)有关标准按规定C3 引出端强度GB 4937中2.1按规定s例如拉力或转矩1)C1 耐焊接热GB 4937中2.2.2按规定C5 温度快速变化GB 4937中3.1继之以2湿热循环，或密封IEC 749 , III , 4 GB 4937中3.7C6 机械冲击，或振动GB 4937中2.4GB 4937中2.3i按问叫叫范继之以2恒定加速度GB 4937中2.5要求时)GB 12560-90 续表3分组检验或试验引用标准条件稳态湿热，或GB 4937中3.5按规定，取决于封装C7 湿热循
14、环IEC 749 ,III , 4 电耐久性，或等效的加速应力试有关标准按规定的条件，1000 h C8 验C9 高温贮存GB 4937中3.2在最高贮存温度下，1000 h C10 低气压GB 4937中3.3在本处或在D组中规定Cll 标志的耐久性GB 4937中4.2按规定CRRL 放行批证明记录按空白详细规范中规定的计数数据注，1)不适用于超小型器件。3. 5 D组试验仅对鉴定批准，当要求时，应在空白详细规范或详细规范中规定本组试验。3.6 筛选当在详细规范或订货单中规定筛选时，则应按表4对生产批中的全部器件进行筛选。通常，筛选在A组、B组和C组检验之前进行。当在符合A组和B组逐批检验
15、及C组周期检验的要求之后进行筛选时，则应重新进行可焊性、密封和A组检验。6 按空白详细规范的规定，可以要求增加筛选后的试验。筛选序列和步骤应按表40表4筛选步骤检验或试验引用标准11)盯内部目检2 高温稳定性3 温度快速变化GB 4937中3.141)盯恒定加速度GB 4937中2.5 GB 4937中3.7.3或3.7.45日密封和阻:C68-2-17 ,Qc 电测试有关标准6A (老化前)电测试有关标准6B 老化前)电测试有关标准6C (试验后)老化守有关标准，或按详细规范的规7 定序列条件A BIC DIE 正在考虑中 时间和温度，按详细规范的规 XIX , 定按详细规范的规定 XIX
16、在最苛刻的方向，加速度等级按详细规范的规定 XIX 方法3.7.3或3.7.4，继之以、 XIX 方法Qc选择参数(变化量)，剔除不合 格品选择参数(属性), 剔除不合格品 按详细规范规定，剔除不合格 口口口按详细规洁的规定 持续时间(h)，168 72 4 GB 12560-90 续表4步骤检验或试验?i用标准条件电测试按6A或6B的规定。剔除不合8 有关标准格品。如果不合格品超过(老化后)10%，则为拒收批注，1)除在详细规范中另有规定外，通常不适用于非空腔器件(其他试验方法正在考虑中)。2)不适用于输向引线的双端插头二极管。3)对透明二极管，可在序列中任何时候进行本项试验。3. 7 抽样
17、要求表5和表6为二极管和晶体管的空白详细规范给出了抽样要求。表5A组检验抽样要求LTPD3) 分组I类I类II类1Il类IL AQL A1 5 5 5 0.65 A2a2)的晶体管1. 0 1. 0 1. 0 II 0.15 二极管0.7 0.7 0.7 II o. 10 A2b2)1) 晶体管5 5 3 II o. 65 二极管3 3 2 II o. 4 A3 7 7 7 S4 1. 0 A4 20 20 20 S3 2. 5 注，1) AQL值适用于每伞分组中不合格器件的总数。2)如果A组检验选择LTPD，则只有A2分组允许采用AQL。3)批允许不合格品率的最大合格判定纯为4。IL II
18、II II II S4 S3 AQLl) II类AQL 0.65 0.15 0.10 0.65 0.4 1. 0 , 2.5 IL II II 11 II S4 S3 序列A BIC DIE 1II 类AQL 0.65 o. 15 0.10 0.4 0.25 1. 0 2.5 的如果用100%的检验证明某批中不合格器件的数量少于0.1%，则不要求对该批再进行本分组中电参数的抽样检验。表6B组和C组检验抽样要求LTPD!) 1II类分组I类和II类筛选序列A B C D E B1 15 15 15 15 15 15 C1 30 30 30 30 30 30 B2 C2a 15 15 15 15
19、15 15 C2b .1 5 15 15 15 15 15 C2c 15 15 15 15 15 15 GB 125 6 O 9 0 续表6LTPOl) III类分组I类和11类筛选序列A B C D E C2d 20 20 20 20 20 20 B3 C3 15 15 15 15 15 15 B4 C4 15 15 15 15 15 15 B5 C5 20 20 20 20 20 20 B6 C6 20 20 20 20 20 20 B7 C7 20 20 20 20 20 20 B8 C8 10 5 7 10 7 10 B9 C9 15 5 7 10 7 10 注:1)批允许不合格品率的
20、最大合格判定数为404 试验和测试方法引用有关试验和测试方法的国家标准并与IEC标准或文件的对照如表7所示;当详细规范要求并按下列规定时(见GB4589. 1的4.3条)，则应采用这些方法。表7有关试验和测试方法叫符号名称叫TGB 通用G-001 基准点温度747习和747-6，4023，町，2.1町，2.14024 , 1, 6.1 热阻(晶体管除外)747-2和747-6，4023.町.2.2G-002 Z由瞬态热阻抗町，2.24024.2.2 G-003 R也热阻(晶体管)47(CO)886 4587 , 2.10 G-004 静电敏感器件试验方法47(CO)955 信号和开关二极管一般
21、测试0-001 VF 正向电压747-3 , N ,1. 2 6571, 2. 1. 2 0-002 IR 反向电流747习，N,1. 1 6571 , 2. 1. 1 0-003 Q , 0-004 t 反自恢复时间z6571 , 747-3.町，1.4. 2 规定IRM2. 1. 4. 2 规定VR正向恢复时间) 0-005 正向恢复峰值电压747-3，町，1.4. 1 6571 ,2. 1. 4.1 V FRM 0-006 C tot 总电容747-3，即.1.3 6571.2. 1. 3 GB 12560-90 续表7引用代号符号名称引用标准IEC GB D-007 市v电压检波效率7
22、47斗，町，1.5.1 6571 , 2. 1. 5. 1 D-008 市p功率检波效率747斗，町，1.5. 2 6571 , 2. 1. 5. 2 D-009 V(皿击穿电压747习，町.1.3 4023 , N ,1. 3 0- 010 反向瞬态能量47(CO)888, 4.2 E RSM D-Oll 反向功率耗散747-2，町，3.34023 , N , 3. 3 P RSM D-012 In 噪声747-3 , N ,1. 6 6571 , 2. 1. 6 电压调整二极管和电压基准二极管D-021 V z 工作电压747-3，町，2.1 6571 , 2.2. 1 D-022 r z
23、 微分电阻747斗，町，2.26571 , 2.2.2 D-023 avz 工作电压温度系数747斗，町，2.36571 , 2.2.3 D-024 Vn 噪声电压747-3 , IV , 2.7 6571 , 2.2.7 变容二极管D-031 电容跟踪误差47(CO)888 6570 , 5.6 D-032 Q 有效Q值147-21, 1; 5.5 6570 , 5.8 D-033 r. 串联电阻147-2B, I, 5.6 整流二极管D-009 V(皿击穿电压747-2，町，1.3 4023，町，1.3 D-041 VPM 正向峰值电压(脉冲法)747-2，町，1.2. 3 4023，町.
24、1.2. 3 D-042 I_ 反向峰值电流747-2，町，1.4. 3 4023 , N ,1. 4.3 D-043 I罔M正向(不重复浪涌电流747-2，町.3.1 4023 , N , 3. 1 D-044 VR刷反向不重复峰值电压747习，即，3.24023，町.3.2D-045 Q , 恢复电荷747-2.町，1.5 4023，即，1.5 D-046 反向功率耗散p皿M747-2.町，且34023，即，3.3D-047 ERSM 反向瞬态能量47(CO)888, 4.2 D-048 1 RM 反向峰值电流(由正向747-2，町，1.4. 4 4023，町，1.4. 4 平均电流引起耗
25、散所致)D-049 管壳非破坏峰值电流47(CO)892 电流调整二极管D-050 1. 调整电流747-3，町，3.1GB 12560-90 续表7引用标准引用代号符号名称IEC GB 0-051 ，. 调整电流温度系数747-3，町，3.20-052 调整电流变化量747-3 ,lV,3.3 0-053 V L 极限电压747斗，町，3.40-054 g. 小信号调整电导747-3，町，3.50-055 g. 膝点电导747-3，町，3.6双极型晶体管一一般测试T-OOl IC80 集电极-基极截止电流147-2M , I ,2 4587 ,2.1 T-002 IE皿发射极-基极截止电流1
26、47-2M ,1I ,3 4587 ,2.2 T-003 V CEoat 集电极-发射极饱和电压147-2M, I , 4 4587 , 2.3 T-004 VBE皿基极-发射极饱和电压147-2M , I ,5 4587理2.4T-005 V缸基极-发射极电压147-2M , 1 ,6 4587 ,2.5 T-006 h 21E 共发射极正向电流传输比的静态值47(CO)810 4587 ,2.8 T-007 C 22b 输出电容(输入开路)147-2M , 11 ,8 4587 ,2.6 T-008 F 噪声系数147-2M , I , 15 4587 ,2.12 T-009 lCE 漏泄
27、或截止电流147-2M , ,17 4587 ,2.14 集电极-发射极维持电压4587，附录A.6T-OIO 47(CO)888 Vc四T-Oll /8 二次击穿电流47(CO)888 4587，附录A.7T-012 C由集电极-基极电容147-2M , 11 ,16 4587 ,2.13 T-013 Y参数147-2C ,1I ,1. 4. 6 4587 ,2.11. 5 双极型晶体管一一低频测试T-021 正向电流传输比47(CO)887 4587 ,2.7.2 h 11. 短路输入阻抗4587 ,2.7.1 T-022 h 12. 开路反向电压传输比47(CO)887 4587 ,2.
28、7.3 T-023 h 22. 开路输出导纳47(CO)887 4587 ,2.7.4.1 T-024 h 22b 共基极开路输出导制47(CO)887 4587 ,2.7.4.2 T-030 V(阻)EIIO击穿电压47(CO)887 4587.2.9.2 双极型晶体管一一高频测试T-041 h 特征频率147-2M ,1I ,1. 4. 2 4587 ,2.11. 2 T-042 CI20 共发射极反向传输电容147-2M ,1I ,16 4587 ,2.13 T-043 | h,2b| 反向传输时间常数147-2M, 11 ,14.5 4587，附录B.6 T-044 散射参数147-2
29、M , 11 ,14.7 4587 ,2.11. 6 GB 12560-90 续表7引用标准符号名称IEC GB 双极型晶体管一一开关时间测试T-061 贮存时间T-062 t , 上升时间T-063 t on 开通时间47(CO)756 4587.附录A4T-064 t off 关断时间T-065 t d 延迟时间T-066 t f 下降时间场效应晶体管T-071 (;) 栅极漏泄电流或栅极截止电流747-8.即.24586 , 2 T-072 漏极电流747-8.町，34586.3 T-073 漏极截止电流747斗，凹.44586 , 4 T-074 V 050 栅-源截止电压747毡，町
30、，54586 , 5 T-075 V 05(OT) 栅町源闽值电压747-8，町，64586 , 6 T-076 C田短路输入电容747斗，町，74586 , 7 T-077 g瞄短路输出电导747斗，町，84586 , 8 T-078 短路正向跨导747-8，町，104586 , 10 T-079 Vn、F噪声电压、噪声系数747-8，町，124586 , 12 T-080 Y参数747-8，町，134586 , 13 T-081 开关时间747-8 , N , 14 4586 , 14 T-082 r DSon 静态漏-源通态电阻747毡，町，154586 , 15 T-083 r ds(
31、on) (小信号)漏-源通态电阻747-8，町，164586 , 16 T-084 Gp 功率增益4586，附录G3T-085 V DSon 漏-源通态电压747毡，即，154586 , 15 T-086 C幽短路输出电容747-8，町，94586 , 9 T-087 C 短路反馈电容7 47-8，町，11 4586 , 11 二闸流晶体管和双向|嘀流晶体管T-101 V TM 通态峰值电压(脉冲法)747币，町，1.2. 3 4024 , 3.2 T-l02 1 RM( 1 RRM) 反向(重复峰值电流747-6，町，1.3. 1 4024 , 3.1 T-103 1 DM( IDRM )
32、断态(重复峰值电流747币，町，1.6. 3 4024 , 3.1 T-104 1 T5M 通态(不重复)浪涌电流747-6，町，3.34024 , 4.2 T-105 VRSM 反向不重复峰值电压747斗，町，3.14024.4.1 T一106V D5M 断态不重复峰值电压747-6，町.3.24024.4.1 T-I07 IH 维持电流747-6.町.1.5 4024.3.6 GB 12560-90 续表7引用代号符号名称T-I08 1 L 擎住电流T-109 Vm 控制极触发电压T-ll0 V GD 、控制极不触发电压T-lll di Idt 通态电流临界上升率T- 1l2 dV Idt
33、 断态电压l恪界上升率T-113 t d 延迟时间t , 上升时间T-114 t. 电路换向关断时间T- 1l5 恢复电荷T- 1l6 IT 通态电流(快开关型)T-117 E R 总能量耗散(快开关型T- 1l8 dV Idt (com) 酣向|电压临界上升率z(小电流)(大电流)T-119 管壳非破坏峰值电流附加说明:本标准由全国半导体器件标准化技术委员会提出。本标准由机械电子主业部归口。本标准由机械电子工业部电子标准化研究所负责起草。本标准主要起草人高俊华。引用标准IEC GB 747币.lV，1.44024 , 3.7 747-6，町，1.7 4024 , 3.4 747-6.町，1.8 4024 , 3.5 747-6，即，3.54024 , 4.4 747-6，町，1.11 4024 , 3.8 747币，町，1.9 4024 , 3.9 747币，町，1.10 4024 , 3.10 747斗，町，1.13 4024 , 3.11 747-6，町，3.447(CO)891 747-6，町，1.12 49(CO)892
