1、中华人民共和PIN二空白BIank曲taiIspeciflcadon for PIN cIlod (可供认谊用)GB/T 1 2 562 90 范本空白详细规范规定了制订OO VP1max) 或IROOO IRlmax) 除非另有规定A2b分组反向电流IRl GB 6570, VR C规定值6.2 或GB 6571 , 2. 1. 1 正向电压(适用时)VP1 I GB 6川，lp C直流大电流或脉冲，按规定6. 3 GB 6571 , 2. 1. 2 和(或)正向微分电阻(适用时)总电容r I GB 65凡lpC规定值),j-C规定值8. 3 Ctot I GB 65凡VRC规定值),j C
2、规定值8.2 或GB 6571 , 2. 1. 3 Cj GB 6川，I C按规定5.5 或A3分组检验或试验串联电阻时)反向恢复时间(适用时)流子寿命(适用时)GB/T 1 2 562 90 条件非另有规定，T.，曲或T叩25C符号|引用标准r, GB 6570 , IF 规定值),J (规定8.4 I GB 6570, I 定8.5 或GB 6571 , 2. 1. 4.2 1GB 65凡(按规定8.6 B组检验要求小值i最大 标注(D)的试验是破坏性试验(3.6.的。LSL-规范的下限:根据A组USL=规范的上限检验或试验Bl分组尺寸B3分组(活用日中)引出端强建曲(D)部4分组(适用时
3、)i牙焊性BE汁:L变化继之以或交变温热(D)(对非空腔器件)最后测试:;j A2b分组或密封(对空腔器件)条件符号|引用标准另有规定，T，或T由=25C4.2.2 GB 493叫力=(见GB4937的2)2. 1. 2 GB 4937 , (按规定，优先采用2.2. 1 GB 4937 , 3. 1 按规定3GB 2423.俨I(按规定按A2b分组GB 4937 , 按规定.Db, 试验方法。C组只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.的。L=规范下限!根据A组USL=规范t限j-一条件非另有规定，Tamb或T帽.-25.C检验要求iAiiR符号|引用标准小值|最大Cl分组尺寸C2b分组反向
4、电流4. 2. 2 见本规范的第1章lR2 GB 6570, 6.2 或VR2 (规定值1度=(高温) GB 6571 , 2. 1., 1 GB/T 1 2562 90 条件非另有规定，T或T曲.25.C 检限检验或试验符号|引用相脚闹剧适费【i/，、R) GB 6570, (按规定3.7 C3分组1)引出端强度拉力(D)和(或转矩GB 4肌|力=(规定GB 4937 , 2. 1. 4 力c规定值无损伤C4分组(适用时)耐焊接热(D)GB 4937 , 2.2.2 最后测试:A2b C6分组冲击A2b A2b GB 4937 , I C按规定2.4或2.3 继之以恒定加速度(适用时)最后测
5、试tGB 4肌(按规定2.5 问A2b分组C7分组T可时)稳态湿热(D)按A部分组A2b分组GB 4937 , 3.5 定或交变湿热(D)(用于非空腔器件)后测试:同A2b分组GB 2423.41 C按规定按A2b分组按规定G8/T 12562 90 符号|引用标准条件非另有规定，T川或T幢幢-25CC8分组电耐久性最后测试z同B8分组GB 49382) I工作寿命z至少1000 h C9分组高温贮存(D)后 同B8分组GB 4937 , 3.2 按时分组高贮存按B8分组至少1000 h CRRL分组C3，C6，C9分组果检查结果。提供C8分组注:1)对于特殊外形，例如超小型器件可以不要求.2) GB 4938半导体分立器件接收和可靠性。9 D组当要求时，本范中规定。10 附加资料(不作检验用(只要规费和器件使用需要，就应给出附加资料，例如t与极限值和电特性有关的圆明;补充方法的完整说明p详细外形图。z 本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由机械电子工业部电子标准化研究所负责起草。本标准主要起草人金贵永。限最同B8分组同B8分组后IRl和VF1或T的计
