1、ICS 29.045 H 83 gB 中华人民共和国国家标准G/T 20230-2006 磷2006-04-21发布化锢单Indium phosphide single crystal EI 日日中华人民共和国国家质量监督检验检瘦总局中国国家标准化管理委员会2006-10-01实施中华人民共和国国家标准磷化锢单晶C;HI丁202302006 * 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045 网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销* 开本880X12301/16 印张O.5 字数9千字2006年10月第一版2006年
2、10月第次印刷兴书号:15S066 1-28063 定价8.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533GB/T 20230-2006 目。昌本标准主要参考了SEMIM23-0302(磷化锢单晶抛光片)，结合我国实际情况进行编写的。本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由信息产业部(电子)归口。本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。磷化锢单1 范围巨2日日G/T 20230-2006 本标准规定了n型、半绝缘型。i)、p型磷化锢单晶链及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运
3、输、贮存等。本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化锢单晶材料(以下简称单晶)。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测量方法GB/T 2828(所有部分)计数抽样检验程序GB/T 4326 非本征半导体单晶霍耳迁移率和霍耳系数测量方法GB/T 6618 硅片厚度和总
4、厚度变化测试方法GB/T 13387 电子材料晶片参考面长度测量方法SJ /T 3244. 1 GaAs和InP材料霍耳迁移率和载流子浓度的测量方法SJ/T 3245 磷化锢单晶位错密度测量方法SJ/T 3249. 1 半绝缘呻化嫁和磷化锢体单晶材料的电阻率测试方法3 要求3. 1 牌号磷化锢单晶的牌号表示方法为:HPLEC-InP口()-( ) 表示晶向表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂表示磷化锢单晶表示高压液封直拉法示例:HPLEC-InP-Si(Fe)-(1 00) .表示高压液封直拉法掺铁半绝缘(100)晶向磷化锢单晶。若单晶不强调生长方法和掺杂剂，则相应部分可以省略。3.2 磷
5、化锢单晶链的特性3.2. 1 磷化锢的导电类型分为n型、半绝缘型、p型。3.2.2 磷化锢单晶链的掺杂剂、霍耳迁移率和电阻率应符合表1的规定。G/T 20230-2006 表1磷化锢单晶的导电类型、掺杂剂、电学参数导电类型掺杂剂载流子浓度/迁移率/电阻率/C盯1-3cm2 / CV s) J CO cm) S 二:5X 10 二三500n型Sn 二三5X 1016 二三1000 半绝缘型Fe 二三1000 二主5X106 p型Zn 二主5X 1016 50 3. 2. 3 磷化锢单晶链的晶向为(00)、(11)。其他晶向由供需双方协商确定。3. 2. 4 磷化锢单晶链应元孪晶线、无夹杂、无3.
6、2.5磷化锢峙的直径为50.m，100大尺寸由供需双方协商确定。3.3 磷化锢单晶片特性项目Zn 直径/mm位错密度/cm250 . 8 1 X 104 项100 直径偏差/m士厚度/m650 厚度偏差/m:1: 25 主参考面/mm、U、1M2 22亚2, 11 32 . 5:1: 2 次参考面/mm、J、/、8:1:2、_A1土，11 18土2平整度/m王三30翘曲度/m4二25总厚度变化/m主三304 试验方法4. 1 磷化锢单晶导电类型测试方法按GB/T1550的规定进行。4. 2 磷化锢单晶电学参数测试方法按GB/T4326、SJ/T3244. 1和SJ/T3249. 1的规定进行。
7、4.3 磷化锢单晶晶向测量方法按GB/T1555的规定进行。4.4 磷化锢单晶外形尺寸测量方法用精度为0.02mm的游标卡尺和精度为0.005mm的千分尺测量。4.5 磷化锢单晶位错密度测量方法按SJ/T 3245的规定进行。4.6 磷化锢单晶片厚度和厚度变化测量方法按GB/T6618的规定进行。4. 7 磷化锢单晶片参考面长度测量方法按GB/T13387的规定进行。5 检验规则5.1 检查和验收GB/T 20230-2006 5. 1. 1 磷化锢单晶键及单晶片应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写质量证明书。5. 1.2 需方应对收到的产品按本标准的规定
8、进行复检。复检结果与本标准及订货合同的规定不符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。5.2 组批磷化锢单晶链及单晶片以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同规格的磷化锢单晶链或单晶片组成，或以单晶链为单位构成批。5.3 检验项目每批磷化锢单晶链应检测导电类型、电学参数、晶向、位错密度，对于单晶片还要检测晶片的直径和厚度、厚度变化、参考面长度。其他性能由供方根据生产情况进行定期检测或抽检，如需方有特殊检测要求，由供需双方协商检测项目。5.4 取样构成批的单晶链从两端按所需晶面取样检测，头尾各切两片。单晶片的每批产品、各项目的检测采用GB/T2828一般检查水平n.正常检
9、查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定。5.5 检验结果的判定5.5.1 导电类型、晶向、电学参数及位错密度检验若有一片不合格，则判定该批产品不合格。其他检验项目及单晶片合格质量水平CAQL)见表4和表5。表4磷化锢单晶链的检验项目序号检验项目取样位置取样数量检验方法迁移率单晶绽两端各24.2 2 电阻率单晶链两端各24. 2 3 载流子浓度单晶绽两端各24. 2 4 位错密度单晶链两端各24. 5 表5磷化锢单晶片的检验项目及合格质量水平序号检验项目取样位置取样数量检验方法合格水平CAQL)直径随机2 4.4 1. 0 2 厚度随机2 4.6 1. 0 3 厚度变化随机2 4. 6 l.
10、0 4 参考面长度随机2 4. 7 2. 5 一_j_一5.5.2 抽检不合格的磷化锢单晶片，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格单晶片可重新组批。5.5.3 当出现其他缺陷时，该批产品由供需双方协商处理。CON-0的NONH阁。GB/T 20230-2006 标志、包装、运输、贮存6.1 标志6. 1. 1 磷化锢单晶链应装入洁净的塑料袋内，每个袋外应贴有标签。单晶片应装入专用的晶片盒中，外用洁净的塑料袋密封。每个晶片盒应贴有产品标签。标签内容至少应包括:产品名称(牌号)、规格、片数、批号及日期。装键袋和片盒再装入一定规格的外包装箱，采取防震、防潮措施。6. 1.2 包装箱内应
11、有装箱单，外侧应有小心轻放、防震、防潮、易碎的标识，并标明:a) 需方名称，地点;b) 产品名称，牌号，单晶链的编号及晶片序号;c) 生产厂名称、商标;d) 片数，批号。6.2 内包装晶片经检验后，装入包装盒内，应防止单晶片松动，并附有合格证书。6.3 外包装将装有晶片的包装盒装入包装箱内，并用软填料将箱塞满，使盒在箱内不致移动，然后钉盖，固紧。6.4 运输和贮存产品在运输过程中应防止化学物质腐蚀、轻装轻卸，勿挤勿压，并采取防震防潮措施。产品应贮存在清洁、干燥的环境中。6.5 质量证明书每批磷化锢单晶链及单晶片应附有产品质量证明书，注明:a) 供方名称、地址、电话、传真;b) 产品名称(牌号); c) 片数，批号;d) 各分析检验结果和技术(质量)监督部门印记;e) 供应状态;f) 规格;g) 本标准编号;h) 出厂日期。6 究侃一必囚一权L侵一有四一专刊一权号一价版书一定8.00元GB/T 20230-2006
