1、ICS 31. 080，号1L 40 中华人民共和国国家标准GB/T 20516-2006/IEC 607 47-4: 2001 2006-10-10发布半导体器件分立器件第4部分：微波器件Semiconductor devices-Discrete devices一Part 4：岛licrowavedevices (!EC 60747 4:2001.IDT) 中华民共和国国家质量监督检驻检查总蜀中国国家标准住管理委员会2007-02-01实施发布GB斤20516-2006/IEC60747-4,2001 吕次前言. a -. III 1 引言2 范围. 3 文字符号第1篇总则第豆篇变容二极管
2、、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管第1节变容二极管1 概述2 术语和文字符号. . .,. 2 3 基本额定值和特性.2 4 测试方法.4第2节除毫无二级管和肖特基二极管1 概述. .自.21 2 术语和文字符号，. 21 3 基本额定值剥特性.，.22 4测试方法.”.23第蓝篇混频二极管和检波二极管第1节雪这局混猿二极管1 概述. 28 2 术语和文字符号.e. 29 3 基本额定值和特位.，.29 4 测试方法.-.a 30 第2节通信用混频二极管1 概述.2.a . 42 2 术语和文字符号.，. . . . . . 42 3 基本额运值和特性. . . . . . . . . . .
3、 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 4 测试方法.，. . . . . 43 第3节检法二级管（在考虑中GB/T 20516-20日6/IEC60747-4 ,2001 第N篇雪崩二极管第1节雪崩二极管放大器1 概述. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .川.44 2 术语和文字符号.-. . . . . a 44 3 基卒额运值貌特性. .必第2节雪崩二极管振荡器（在考虑中）第V篇体效应二极管1 概述.，.48 2 术语和文字符号，z.-. 48 3 基本额定值和
4、特性. . 48 4 测试方法.E，.将1 概述第VI篇双极型最体管在考虑中）第VJ篇场效应磊体管2 术语和文字符号. E . 51 3 基本额运值和特性. . 53 4 测试方法. . . . . . . . . .,. . 54 第砸篇评价和可靠性一一特殊要求1 电试验条件.，”，臼2 接收试验的判定失效的特性和失效判据.65 3 可靠性试验的判定失效的特性和失效判结，654 试验出现差错时的程ff.口- 65 表1.，.,.-.-. 66 表2.，.莓，罩，.67附录NA（资料性附录）本标准对！EC60747-4:2白01所作的编辑性修改及其原因68GB20516-2006/IEC 60
5、747-4:2001 前同本标准是半导体器件分立器件系列阁家标准之一。下而列出本系列已出版的国家标准，以及代替的E墨家标准2一GB/T4589. 1-20口4半导体器件分立器件和集成电路总规范（IEC60747 10:1991,IDT, 代替GB/T4589. 1 1989) GB/T1256号1999半导体器件分立器件分规范Cidt !EC 6号747-111985，代替GB/T 12560 1990) 一GB/T17573-1998半导体器件分立器件和集成电路第l部分：总则（idtIEC 60747 1, 1983) 一一GB/T4023一1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流工
6、极管（eqv!EC 60747中21983) 一一认GB/T6571-1995 半斗争体器件分立吉普件第3部分：信号（包指开关）和调整二极管Cidt !EC 60747 3:1985) -GB20516-2006半导体器件分立苦苦得第4部分z微波器件（id乞！EC60747 4,2001 l GB/T 15291 1994半导体器件第6部分：晶1闭嘴（eqvIEC 607476:1991) 一GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分2双极型品体管（eqv!EC 607477 1988代替GB/T4587 1吉84和GB/T6801-1何引一GB/T6217一1998半导体
7、器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型品体管空白详细规范（eqv!EC 60747 7“1:1989，代替GB/T6217-1986) GB/T 7577 1996 配额放大管究额定的双极型晶体管空白详细规范（eqv!EC 607477-2 1989，代替GB/T7577 1987) GB/T 6218 1996 开关后双被王军晶体管空8详细巍范（eqv!EC 60747-7-3: 19妇，代替GB/T 6216-19自6)GB/T 7576 1998半导体器件分立器件第7部分双极型品体管第四草草高频放大管壳额定双极型品体管空白详细规范（eqvIEC 60747 7
8、 4,1”1，代替GB/T75 76-1987) GB/T 4586 1994半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（eqvIEC 60747-8: 1984.代替GB/T4586 “ 1984) 一GB/T自2191998半导体器件分立器件第8部分z场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下单栅场效应晶体管空白详细规范（eqv!EC 60747-8-1 :1987，代替GB/T6219- 1986) -GB丁15449-1995 管瓷额定开关鸡场效应品体管空在详统统范位qvIEC 6074783:1995) 本标准等问采用国际标准！EC60747 4 :2001半导体器件分立器件第4部分：徽波器
9、件1.2 版（英文版）。本标准等同翻译!EC60747 4:2001(英文版人由于！EC60747 4存在印刷错误和疏漏，本标准在采用该国际标准时进行了编辑性修改，并在本标准附录NA中绘出了这些编辑性修改的一览表以供参考。本标准的附录NA为资料性附录。本标准由中华人民共和国信息产业部提出。本标准自全黑半导体g件事示哥在化技术委员会归衍。本标准起草单位中倒电子科技集团公词第五十五研究所。本标准主要起草人:ll走玉英、金毓绘。由GB20516-20号6/IEC60747-4,2001 半导体器件分立器件第4部分：微渡器件第I篇总那1 引言本标准通常需要与GB175731998一起使用，在GB175
10、7319约中可找到关于以下各方面的基础资料二术语p文字符号g基本额定值和特性；一一泌试方法：接役和可靠性。本标准各章的编排版序符合GB/T17573 1998第应第三1的规定a2范自本标准给出了以下门类分立器件的标准3变容三极管、阶跃二极管牵引快速开关肖辛辛基二极管（屑于满谐毛上变频器或诺泼倍额器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等？昆频二极管和检泼二极管雪崩二极管用于谐波发生器、放大器等体效应二极管（!fl于振荡器、放大器等双极窒晶体管用于放大器、振荡器等场效应晶体管（用于放大器、振荡器等3 文字符号通常，在术语的标题中加进了文字符号。当一个术语有几个不同的文字符号时，只给出最通用的91 概
11、述第重篇变容二极管、童音跃二极管和缺速开关肖特摹二极管第1节变容二极管本节内容适用于利用变容效应的二极管，但不包括阶跃二级管。这类二级管有四种用途：调谐、i皆泼倍塞雷、开关（包括限幅参量放大自这类器件按其Jll途定义如下：电酒二极管用于改变谓谐电路频率的二极管c这种二极管通常用比其使用频率高得多的谐振频率来表征其特性，豆具有已知的电容电压关系。GB/T 20516一2006/IEC60747-4 ,2001 诺波倍频二极管这种二极管在工作频率F应具有非线性电容电压关系，豆截止频率与工作频率的比值较高。开关包括限幅）二极管这种二极管表现出可从离阻状态快速转换到低隆状态（反之也一样的特性，可用于调
12、制或控制微波系统的功率电平参量放大二极管，这种二极管用来处理小信号，通常用于低噪声放大器中。2 术语和文字符号见3.3 3 基本额定值和特性3. 1 概述3. 1. 1 核定条件交容二极管可按环境额定条件或管壳额定条件，或适用时按两者来规定9在3.2中列出的额定值应在下列温度下绘出一器件环境额定条件环境温度25和从GB175731998给出的览表中选取一个较高的温度。器件管壳额定条件基准点温度25和从GB.IT17573 1998绘出的一览表中选取另一个基准点温度。3. 1. 2 应用类型各类二极管应统定的基本额定值和特性在下表中用符号“十”表示。1类电调应用；2类,j着波倍频应用事3类：开关
13、包括限幅）应用；4类z参量放大应用。3.2 额定值（级限筐）F列额定值应予以蔑定a3. 2. 1 温度工作渴度范围；一一贮存温度范围。3. 2. 2 电压和电流一一最大蜂值反向电压g一一最大平均正向电流适用时h一最大峰值正向电流适用时）。3.2.3 耗散功率在整个工作温度范围内和规定条件下的最大耗散功率。3.3 电特性除非另有规定弯下列特性应在25下绘出（觅图1)。分类1 2 3 4 + + 十+ 十+ 十+ 十十十 十十十斗 十 十3. 3. 1 分布电容（C)在规定条件下的典型值e十j十十2 GB/T 20516-2006/IEC 60747-4,2001 分类1 2 3 4 3.3.2
14、串联电惑（L,)在规定条伶下的典型值和（适用自主的）最大值。+ 十十i3.3.3 总电容（C）a) 在规定偏ffi（见注1)和设定频率F的最小初最大值2十 + bl 表示总电容与镇压之间关系的典型曲线。i斗！十3.3.4 综电容（乌）在规定偏压见；主1租？主2lT的最小和最大值。当c，与C町的值+I4十为相同数量级对，可给出cj沁典型值e3. 3. 5 有效品质因数（Q)在规定偏量条件见注刀下在两个或多个规定频率点处皇宫最小值。；十3. 3.6 截止童盖率在规定条件（见注3和i主4）下的最小筐。十十3. 3. 7 串联电姐（r,)在规定条件（见注3）下的最大值和或典型值。十十十3. 3. 8
15、反向电流在规运反向电Bi下去号最大徨十十十3.3.9 热阻主主到环境或结tlJ规定基准点之间的最大值e十十+ 3. 3. 10 开关慰问在规定条件下去古典型值。+ 3. 3. 11 存储电荷或少数载去辈子寿命在规定条件下f包括销量）存储电荷的典型筐，或在规定条件下少 十数载主辈子寿命的典型值。3. 3. 12 渡越慰问在规定条件下以及双定的测量电路中的典型值。i 注, X1第1、2和3类墨器件，规定的偏重电压应为一6V导对第4类型器寺，想定的编置电压为OV。注2，结电容与佛置电压之间的关系应采用典型曲线或数学公式来表示。数学公式应如下式中zv 范力E约反i司电压多K 常数s安一一营数，r 常数
16、帝i造要应规定K,P及Y约典型值。C, K飞V， 这3：对第L类型器件，如果亲规定Q值和串联电题赌注规定截止频率。注4截止吸率定义为：,. I 2r,C 式中zr, 串联电阻c, 规定编压下的结电容已r飞出!II1所录的等效毛主昌确定，其值与海li式方法及偏置电压有关e十 一十十主GB/T 20516-2006/IEC 60747-4 ,2001 L, , c, 结电容$r, 串联电阻s i底频主吉电睦e通营，只後大王宫以忽略不汁，c, 分布电容gL. 串联电感e3.4 应用数据作潜波倍频应用时，$！.规定倍频效率。4 测试方法4. 1 反向远流(I.)4. 1. 1 目的圈1等效电路ji！量
17、越定反向电压下二极管的反向电流。在1.2 电路图Ro 十1;, 回2反：每电流测试电路4. 1. 3 电路说湖和要求D 被撞撞二极管pR；一一已校准电mH仅用于脉冲测量）; R, 保护电阻。c, D 如果需要脉冲法测量，可用脉冲电压发生器代替可谓电压源，用峰值读数仪代替电压表，并用一跨接在电阻器R，两端的峰值电压表代替电流表。4 4. 1. 4 测试步骤将温度调整到章是定值。调节可满电压源使二极管两端棉反向电压VR达到规定筐。从电流表上读取反向电流值1哀。4. 1. 5 规定条件环境、管壳或基准点温度（T,m，、T何、T;);反向电压（VB脉冲宽度和占空比（适用对）。4.2 正向电压（V,)4
18、. 2. 1 目的罪恶量规定条件下三极管两端的正沟电压。4.2.2 电路图le GB/T 20516-2006/IEC 60747-4:2001 D 型3正向电压测试电重要4. 2. 3 电路说明和要求D二一被泌二极管$R, 己校准电阻（仅用于脉冲lru量），凡高阻值电阻。主骂果需要脉冲法测量，可用脉冲电压发生器代替可谓电压源，用峰值读数仪代替电压表，并用一跨接在电阻器R，两端的峰值电压麦代替电流表。4. 2. 4 源试步骤将温度调整到饺定筐。源节可谓电压毒草便正向电流h达到规定值。从电压表上读取正向电压值v，。4.2.5 规定条件环境或管壳温度（T.mb、T，）: 正向电流（le);脉冲宽度
19、和占空比i适用对） 4.3 总电容cc.剧）总电容CC,=C，十C，）的费3量应在足够保的频率（低于微波频率下进行，这样可以忽略引线电惑的影响。在这种条件下，总电容的测量值与频率无关。采用下面规定局方法测量在竣定铺置下的总电容。3. 1 目的测量级定条件F二极管的总电容e5 GB/T 20516-2006/IEC 60747-4:2001 4. 3. 2 电路图? 4.3.3 电路说明和要求D一一一被测二极管。N 亨r往D 回4总电容测试电!It电阻器R的导纳应低于被撼二极管的导全费。电容器C应能承受二极管的反向镜置电压，并在测试频率下呈现短路。4.3.4 注意事项变流电事哥电桥应能承受二极管
20、的反向偏重电压，旦不影响测试的精度。主在果被普普电容量很小，安装条伶将会影瞬测试结果的精度，因此，应对安装条件加以规定。4. 3. 5 吉普试步骤将温度调整到规定值。将三极管民主弱的电压读到规定值VRo然后将电压表从电路中断齐，用交流电桥测量被挺i二极管的电容量，总电容为装有二极管对测得的电容值减去不装二极管时测得的电容值。4. 3. 6 级定条件一一环境或管壳温度CT，、T）：f王向电压（VRi:整理试委要率（如果不是1Y!Hz); 二极管的安装条件必要时）0 注2按上述方法在多个偏置在进行测试可以得自j总电容随偏里的变化规律。4.4 有效品质因数（变容二极管约有效品质因数Q可用Q表或阻抗电
21、桥漠量见图衍。T一r-;o:t : L ( XJ + J卢见十iCcrX，十tX向( 6 ) 由公式（4）丐看到在某一参考运史密斯CSmit灿医图上的等电阻洒转换成另一参考面的相同类的困族，仅电医值变化了a倍。这种转换与电抗值有关，所以自公式（5）和“）得到的卒X!R比值看来与转换常数a和无关。因此，对一个端接在电抗部分可变的阻抗上的传输线，在与端面相对应的测量线上某一参考面的姐抗轨迹也落在等电阻图上。如果把z，隘抗参考西当作二极管本身的阻抗参考菌，则在任一对应参考画中的tXIR就等于二极管的t:,Q值。如果ztXn =I X, - X2 ，则主主二崎】，PIQ-Q,式中，脚注：租2分别对应在
22、镶压为v，和飞时获得的参数值。在规定点的有效品质因数可表示为：Q = t;Q.（ 7 ) 对规定型号约二级管，式中为与魏个偏压点有关的常数D两个偏压中的一个（V，或v,)jjf为规定值。在古推导化可自下式求得2。c,l 一一 tC l 口普v, ）（手v,) 16 ( 8 ) GB/T 2号516-20号6/IEC60747 4 ,2001 式中：在一J准接1核电位差多n C-V关系的非线性因子c例如：对自扩散工艺制造的硅变容管，n一般为li3，o.5 V 如果V1二4.5 v，6 v，则二1白，呈p,QlOL:Q丐通过那试三个靠近的偏压点（称之为1,2,3）之间的电容差，困而得到丰Cu和丰C
23、ci来求得06的值为：1十LC,I LC 1 (6C，丰C12）（6Q12 / L:Q, ) () 采用公式(10）、（1入02）或(13）可得到相应的6Q；，和LQ,LQ的推导可采用公式(10）或(12）得到丰Q如下z（专：一可是）十（祺ll（在一l)sin 6 6Q12 . ! .( 1号）V 守1可是式中210g（举）偏压1下功率驻淡比（dB);lOlg（话）偏压2下功率驻泼比（d胁。 M.且11,一气一一: 360 式中M：和M，分别为偏压1和2部最小值位置e如果可i和辛很大CRP z通常在离Q值二极管？窘况下得到的亨值）公式（1号）可卖主化为z主，Q,记王三sin6中丰Q12 yf
24、A, A, B1 B, cos& - 2 式中A,A，和UB,B2一般形式为：1;+1 r: 1 ，一一和B,=Y农，2Y, ,/2 式中Y, i宿压为z对的电压驻波比；在一偏压1和2之间反射系数的相位变化e对于精度优于1%，在实际应用对该式可简化为26Q，二m；而 ( 11 ) .( 12 ) -( 13 ) 考虑到公式(12）在调节j;JJY1 = l时（郎在规定偏压下呈匹自己状态）的特殊清况，公式(13）可简化为：Q, y, 1 2 =. E( 14 ) 卢王二、J2如果遂行源节以提供规定镇压下的匹配条件，测量参考面的但统将与Sm出圈圈上的单位宅隆重量重合e从而规定了参考函，在该参考画内
25、的阻扰z.由下式确定2，卒XZ = z.Cl十；Rl=Z,o十jL.Q). ( 15 ) 式中，Z。一一传输线的特征翅抗。然后测量出“相对于R”的电抗童节变化量丰X即为丰Q，我们可写成：X,v X. LQ Q Q, .(:) 17 GB/T 20516-2006/IEC 60747-4,2001 在二极管参考面用一个短路器代替非线性元件可得到Q，；因此，z, I i x，！ R, R飞由公式(16）可求得任一镇压下的Q但G4. 10. 2 泌试步骤把二极管放入娩定的夹兵，并接到郊图15所示的电路中G. ( 17 ) 采用二极管后面的可调短路苦苦和二极管前面的满配段伊j郊E丑读配君主）可获得二极
26、管与没l量线之间的转换e然后把铺压词至5规定值并进行转换调节，使吉普得的归一化道主抗点在Smit圈圈上刻度最开阔的中心区，例如在规定偏汪下提供泌量线的匹配。在Smith圆恩中心附近阻抗范屋内.区自己状态对精度的影确较小。把铺压调ill其他的娱定偏压点，调配器保持圈定，在Smit七困图上画出所产生的归一化阻抗值c采用自睡得的电压驻波比就可得illQ值泼变反射系数相位并利用公式（7)公式(14）。不按公式（8）和公式（9）绘出的的推导也可得到有效品质因数c进行转换使在规定i窑汪下约二极管约阪抗与传输线匹配，因而在Smith王军函中心得到一个罢王抗点。然后改变三级管剖偏压值，并在SmithR重图上得
27、到相应阻抗点。这意味着，在测量参考国中，任何电抗不同的二极管隆抗将集合在Smit圆圈的同个电阻困上e图15阻抗转换测试电路用一个有效短路器代替二极管，在与二级管格同的参考面然量其归化罢王抗。图16绘出了二接管的图伊jc由公式(16）和(17）可得出Q值。丐采用二极管的封装近似作为有效短路器，封装内的半导体材料采用具有格同几何图形的高电导率材料来代替。在某些情况下，非线性元件二极管）的血抗在正向大电滚下接近零，因此，可用作有效短路器。在不同编压下得到的测量点绕着Smith但l图的中心旋转，因此它们集中在同一个电隆图上。同样地处理短路点。注在正向大电流下的妇一化阪抗点落在图中等电抗线上0)本方法的
28、偏差在于a) 短路器的有效性多趴在规定偏压下翻量线实现匹配的程度在c) 源配元件损耗的影响。准确地确定二极管Q值的实音在较困难G因此，建议该方法只限于Q值较低的二极管以及工作在较低激波频段的二极管的测试cl8 GB/T 20516-2006/IEC 60747-4:2001 4. 10. 3 注意事项a) 应尽量量减少可漓转换器和二极管夹具的损耗。该损耗与转换元件萄阔的场的模式、与被泌二极管有关，难以取得满意的修正债。b) 如要获得准确的结果，应确定可能导致公式(10）和公式（l)中使用始电压驻波比测量级显著减少的传输线损耗等因素。传输线的长度等于最近的最小电压点处较波探针位置与安装在夹具中的
29、变容管有源区的参考面之间的长度。此外，.考虑夹共和连接器的损耗。E互通过检查饺子R/R,= 1题上的应抗点来验证在适当的特佼范tillF与变容管的串联电磁与偏压无关。但是，损耗可能导致偏离圆周。通过比较使用不同结构的转换元件和不同的眼配偏压的测试结果能够评价损耗的综合作用。可以捏在一个实验鼠线图上的点转换成靠近因离中心的点。主自主畏损耗忽略不it.该结果1if认可。例如阁16中，损耗忽略不计，在6 v匹配时，用交叉线标识的点表示9V和4V的结果。费费亘在10GHz 罚。5V传向法榻的波长图16随偏压而变的二极管阪抗图示1919 GB/T 20516-2号。6/IEC60747-4,2001 验
30、证变容管的串联电组与偏压无关的另一种方法是按公式）计算在三个偏压下的卒Q;z、Q，和Q，然后主盘算这些值是否符合下式6Qp 6Q，2十卒Q,“”( 18 ) 如果在可接受的精度范围内满足了该关系式，则室主说碗串联电阻与偏压充晓显依赖关系，公式（7)和公式（9）可用王任求Q值。电容的i!ili式：本测试一般在非磁波频率下进行。为了得到非线性元件的电容，应从总电容中减去管壳电容。获得管完电容最简单而直接的方法是挨个不与芯片连接的器件。主E果已知电容与电压的关系式C例如，见公式口创，则可以采用另一种方法。在适量的钱置点下测量总电容得到C，十C(V），可以求出管壳电容企由于已知C（的形式，可以得到j仁
31、和C(V),11 v、lhC（二C（）f仨飞VJ 0 . 注g在丰条中可使F吉测量线迸行测主走也E耳采F哥自军主翅抗绘图立进行f跨主丑自动Smith匮图显示装置。窑于Qj值是根据任何元挺转换约二极管元件相应参考窗内归一位电扰的变化得到的，按4.11可从医窗上直接读取Q筐。4. 11 等品质因数匮法正如4.10绘出的方法的“原理”节中所示，t;Q是在任何无耗转换的二极管元件相应参考画内归-I七电统的变化所给定的；因而Smith圈圈可用于从任意转换的两次ll.抗测试中绘出的t;Q直接读滚。引进表示X!R固定徨（郎Q）的线的坐标网格可做到这点。根据复反射系数（p）求得任意参考面的！自一化阻抗2出山X
32、 R Z 因而2R一一1二豆豆1十pp p p爱p p静iX 1十pp p p 因此zi至二三二主二ziQ R l-pp, 由此2pp、十J_pJ_p1 0 Q Q (20）方程式是表示图用的公式，把它与图腾的一般方程式比较，即z(p a）岭正）= K ( 2号）由（20）方程式可以求出半径K厂一一，K = /1一 并且按矢量徨j/Q使中心偏离于坐标原点。因此，在Smith困图上可以绘出等Q值的医族，它们与等罢王抗困族一起足以确定b.Qo图17是一个应用图俏。题图用于二极管测试对摆正茵的方I旬，使测得的与勇军个像压对应的归一化应抗点位于罚一个等电阻圈上。因而jjJ求得相应的Q值。2号GB/T
33、20516-20号6/IEC60747-4 ,2001 概述 l -O.5/t，频辛苦范围内具有良好的匹配性能。摆号试架剖电感L工包括与二极管D连接去号元件的电感7应满足以下要求：L三二三主一L飞5.6 式中：L,: 被翻二极管的封装电感。电容c,应满足以下要求：也m比vv飞。C 传输线剖长度d，应满足以下要求zQ,Z, d ？ J飞VRM式中zc一一电磁波在真空中的传播速度；E 传输线的妇对介电常数。被测二极管的阶跃时间用下式计算t, ,/(t.，）（瓦百7. ( l ) 式中2t,. 示波器上测得的电压波形幅值。.2 0. 8之间前上升到才l司；t, 示波器的10%90%之间的上升时间。4
34、. 1. 4 那试步骤正向电流源tG，）提供的正向直流电流h施加到被测二极管上，施加幅值为FTIVR忱的灵向脉湾电压。在示波器上i卖出总电压（VF+IVRM il波彩幅筐。，20.8之间的时间；可望重t.,（觅图20）。根据1到得的对问问隔，由公式(1）计算阶跃时间。如果0.64t,GSO) 4.5 沟道至管亮的热阻鸣曲岱幻、R.，川4. 5. 1 目的攫j量主运定条件下场效应品体管沟追至管壳的热阪e4. 5. 2 电路图见图41, + lo 蜀41场效应晶体管沟道至管壳豹热姐的测试电路4. 5. 3 测试原理+ 飞到、采用漏极开路、施加固定的栅基准正向电流岗的概源正向电压作为温度敏感参数测试
35、（有效）沟道温度了泊的方法D本方法分两步进行za) 确立单独的校准也线GsF=f(T，），该您线近似为条直线a在校准期间，T,= T,d, 55 GB/T 20516-2006/IEC 60747-4 ,2001 该直线的斜率为苦苦源正向电压的温度系数（见图43)a: lVGsc lTco . ( 1 ) b) 施加固定的耗散功率CVnsXIn），直至达到热平衡，澳tl量栅深正向电压的变化量（6.叫7。则热阪计算如下R lVGSF l 时二；一页-;:I;4.5.4 电路说明和要求与静态栅源输入电隘相比电阪器R应足够离，确保撩基准正向电流信定。Vcc，和R可用恒流源代替。. ( 2 ) 施加i
36、lJ被泌器件上的主流脉冲约时序见翅42，流过电压表（VG，）的电流与被测器件的正向栅电流相比应可以忽略不计aS豆s, 5宝 , 1, 臼1_, . 二主占4 , , 。组On i一.: 弘r 足；每, ? g .,., - L司二三，., 飞一 f也l 画42施加ill被测器件上的重流嫁；中对序蜀4. 5. 5 注意事项见4.1. 2 0 在测量期间被测器件的规定完温ill保持恒王军。在5.6 那试步雪景本测试由两部分组成z热系数约测量和沟道至管壳的热阻的测量。55 GB/T 2号516-2006/IEC60747-4 :2001 4. 5. 6. 1 那量a将被害苦器件固定在加热块上（或放在
37、烘幸室里人按图41所示连接电路开关s，和s,断开，开关s,际合。调节R使极基准正向电流IGl时达到测量需要的适当的值。在测量和R.仕己整个过程中，该电流值不再变化。调试完毕，开关S，断开c为了得到足够精确的近似直线，可通过测量一定数量的点来建立校准曲线Vcsc二只T生）。为此，在曲线上剖每一点J日热块的温度定为Th的辈革量值e达到热平衡后，开关s，际合时间r,（在没l量R山d1；）时，开关s，将闭合同样的对i湾人记录穰源，正向电压。由这些测量点得到近似的直线，并计算直线的斜率（见图43）。V,N T, 一、 I 飞、二iA如6、，I 1，川h.1,E,.,. 一（的1T,; 回43医定Ic1r
38、en，确定的校准曲线VGt1Z的噪声功率P附和p。由公式。）汁算噪声系数几（单位为分厌。按0046所示接人被苦苦器件。施细榄源电压V出（接近事毒源截止电压。施加规定的漏盟军电压Yoso改变VGs，使漏电流Ir范达到规定值。在调节输入和输出阻抗匹配网络烧间，分别测量噪声音军热态和冷态对应的噪声功率PN；和P汗2。由公式（2）计算噪声系数F（单位为分贝）。由公式（4）计算相关增益G.,C单位为分只）。由公式Oit算噪声系数FC单位为分贝。调节输入阻抗匹配网络使F为最小值。调节输出阻抗匹配网络使G”为最大值。重复上画两步，直到噪声系数F不可能进一步下降。4. 10. 7 级定条件一一环境或管壳温度（
39、T,m或T，）；漏源电压CVosl;漏电流On;频率s单边带或双边带。4. 11 最离振荡频率！4. 11. 1 臣的浓重徽波场效应晶体管在规定条件下的最高振荡频率e62 GB/T 20516-2006/IEC 60747-4,2001 4. 11. 2 电路噩见GB/T4587 1994中第E章13.6 Ii哥示的5参数辈辈试电路p4. 11. 3 电路说瞬和要求见GB/T4587 1994中第N章13.6所规定的电路说明辛苦要求。4. 11. 4 注意事项见GB/T4587 1俗4中第N章13.毡痰规定的注意事项。4. 11. 5 测试步骤见GB/T生5871994中第N章13.6 Jj牙
40、规定的5参数s、S,S，、S22测试步骤。在频率f，下泌量四个S参数，在频率f，下的单向增益G，计算如下：I s, S12 I 2 G川10；灭一一( I ) 凶I-7-I s二zS, - 521 S，尸! s, I I s, I cs s；，十Si,S12) 在频率2下泌量四个5参数，按上式计算单向港益G，号最高振荡频率计算如下gc ff手1何飞；( 2 ) 山飞joI 4. 11. 6 裁定条件一一环境或管壳温度CT时或T.);草草源远压CVos);一漏电草草或者毒源电压Uo或VGs);频率。1和f,);输入手在输出参考面；特性阻抗e4. 12 最大可用增益CG.叩，）4. 12. 1 吕
41、的没i量微波场效应晶体管在规定条伶下部最大可用增益。4. 12. 2 电路理见GB/T4587 1994中第N章13.6测试电路。4. 12. 3 泌试步骤在4.12. 4规定的频率下测量囚个5参数e接下式计算最大可窍增益3fB/21 Ci I 11 G】四ISa/S,ICKyJ2 1)1 I .”( 4 ) l B,/2 I C, I 1 f 式中K为稳定因子，由下式绘出K = 1_旦主兰兰二兰兰兰二立i二iJ二. ( 5 ) 2 I S 512 I B，、丛、C季到C，规定如T,4. 12. 4 规定条件B, = 1十Is, s，广is, s, s, s I 2H（号B, = 1 + 1 s, s, I 1 s s, s, s, I. ( 7
