1、ICS 29.045 H 80 噩噩中华人民共和国国家标准GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶如lonocrystallinesilicon of solar cell 2010-09-02发布数码防伪中华人民共和国国家质量监督检验检技总局中国国家标准化管理委员会2011-04-01实施发布GB/T 25076-2010 目。吕本标准按照GB/T1. 1 2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC 2)归口。本标准由有研半导体材料股份公司、万向硅峰电子股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、西安隆基硅材料有限公司、元
2、锡尚德太阳能电力有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司起草。本标准主要起草人:孙燕、张果虎、卢立延、楼春兰、蒋建国、曹宇、孙世龙、袁文强。I G/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶1 范围本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1552 硅、错单晶电阻率测定
3、直排四探针法GB/T 1553 硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 14140 硅片直径测量方法GB/T 14264 半导体材料术语SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法3 术语和定义GB/T 14264界定的术语
4、和定义适用于本文件。4 技术要求4.1 分类硅单晶按导电类型分为p型，n型两种类型;按外形可分为圆形硅单晶棒和准方形硅单晶棒。4.2 规格圆形硅单晶棒分为直径150mm和200mm，准方形硅单晶棒尺寸为125mm X 125 mm和156 mmX 156 mmo其他尺寸规格由供需双方协商解决。4.3 尺寸及允许偏差4.3.1 圄形硅单晶的直径圆形硅单晶可以分为滚圆和未滚圆两种，滚圆后的硅单晶直径和允许偏差应符合表1的规定，未滚G/T 25076-2010 圆硅单晶直径及偏差由供需双方协商解决。表1圆形硅单晶直径及允许偏差单位为毫米标称直径| 允许偏差150 I土0.5200土O.5 4.3.2
5、 准方形硅单晶棒准方形硅单晶棒的断面几何尺寸应符合图1和表2的规定。_-、. D ，lit飞飞飞EE-EEEE-! H C 、BEEtaE，飞飞IIJA ._ D . 电-D C D A 图1太阳能电池用准正方形硅单晶棒断面尺寸表2太阳电池用准正方形硅单晶棒断面尺寸尺寸/mm标称尺寸/mmA Ba C Da 最大最小最大最小最大最小最大最小125 X 125 125.5 124. 5 150. 5 149. 5 84.6 81. 2 22. 1 20.0 156 X 156 156. 5 155. 5 200.5 199.5 126.6 123. 8 16.4 14.5 a字母在图1中标出。2
6、 G/T 25076-2010 4.4 电性参数太阳能电池用硅单晶棒电阻率范围和径向电阻率变化应符合表3的规定。表3太阳能硅单晶的电学性能参数导电类型品向电阻率范围/2.cm 径向电阻率变化/%少数载流子寿命/sp (100) o. 56 骂王15二:10n (100) o. 520 主主20二三60注:帘方对电阻率范围和径向电阻率变化有其他特殊要求由供需双方协商解决。4.5 晶向偏离4.5.1 圆形和准方形直拉硅单晶晶向偏离度不大于30。4.5.2 准方硅单晶表面晶向偏离度不大于20I边缘晶向为(00)士20;方形相邻两边的垂直度为90。士O.3。4.6 氧含量直拉硅单晶的间隙氧含量应小于1
7、.3XI018atoms/cm3o 4. 7 碳含量直拉硅单晶的碳含量应不大于1X 1017 atoms/ cm.1 0 4.8 晶体完整性硅单晶的位错密度应不大于3000个/cm205 试验方法5. 1 硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行。5.2 硅单晶的直径测量按GB/T14140进行，外型尺寸检验用游标卡尺或相应精度的量具进行。5.3 硅单晶的电阻率按GB/T1552或GB/T6616采用同探针法测量进行。5.4 硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。5.5 硅单品的少数载流子寿命测量按SEMIMF 1535或GB/T1553进行。5.6 硅单晶的晶向及晶向偏离度测量
8、按GB/T1555进行。5. 7 硅单晶的氧含量测量按GB/T1557进行。5.8 硅单晶的碳含量测量按GB/T1558进行。5.9 硅单晶的晶体完整性检验测量按GB/T1554进行。6 检验规则6.1 检查和验收6. 1. 1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。3 G/T 25076-2010 6.1.2 需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时，应在收到产品之日起一个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批硅单晶以批的形式提交验收，每批应由相同规格、相同导电类型的硅单晶棒组成。
9、6.3 检验项目每根单晶链应进行导电类型、晶向及晶向偏离度、外形尺寸的检验，每批硅单晶应进行电阻率范围、晶体完整性、少数载流子寿命和氧碳含量等项目的检验。6.4 抽样每批产品随机抽取20%的试样，5根9根晶棒抽取2个试样，5根晶棒以下抽取一个试样。或由供需双方协商解决。6.5 取样6.5.1 检验单晶的氧含量，应在晶棒的头部切取试样。6.5.2 检验单品的碳含量，应在晶棒的尾部切取试样。6.5.3 检验单晶电阻率，在整根晶棒的头尾各取1片试样。6.5.4 检验单晶其他参数，在晶棒的尾部取1片试样。6.5.5 外型尺寸直接用产品进行测量。6.5.6 如要求按照其他方案进行，由供需双方商定。6.6
10、 检验结果的判定6.6. 1 导电类型、晶向及晶向偏离度、外形尺寸检验若有1项不合格，则该单晶棒为不合格。除去不合格的单晶棒后，余下的单晶棒参加抽样检验其他项目。6.6.2 除导电类型、晶向及晶向偏离度和外形尺寸之外，其余项目检验:抽取3个或3个试样以下，有1个或2个试样不合格，则取双倍试样进行重复试验，重复试验仍有不合格，则判该批产品不合格;抽取4个试样时，有2个或2个以上试样不合格，取双倍试样进行重复试验，重复试验仍有不合格，则判该批产品不合格。7 标志、包装、运输和贮存7. 1 包装、标志7. 1. 1 硅单晶逐棒使用防震材料包装，然后将经过包装的晶棒装入包装箱内，并装满填充物，防止晶棒
11、松动。7. 1. 2 包装箱外侧应有小心轻放、防潮、易碎飞防腐等标识，并标明:a) 需方名称，地点;b) 产品名称，牌号;c) 产品件数及重量(毛重/净重); d) 供方名称。7.2 运输、贮存7.2. 1 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。4 7.2.2 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。7.3 质E证明书每批产品应有质量证明书，写明:a) 供方名称;b) 产品名称及规格、牌号;c) 产品批号;d) 产品净重及单晶根数;的各项参数检验结果和检验部门的印记;f) 本标准编号;g) 出厂日期。8 订货单内容订购本标准所列产品的订货单应包括下列内容:a) 产品名称;b) 规格
12、;c) 重量;d) 其他;e) 本标准编号。G/T 25076-2010 5 OFON|hO的NH阁。国华人民共国家标准太阳电池用硅单晶GB/T 25076-2010 和由t* 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销晤印张O.75 字数10千字2010年10月第一次印刷开本880X12301/16 2010年10月第一版9号定价16.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066 1-40402 GB/T 25076一2010打印日期:2010年11月9H F002
