1、勾起、. 可ICS 17. 180 A 60 中华人民共和国国家标准GB/T 29421-2012 饥酸盐双折射光学单晶元件Vanadate birefringent crystal devices 2012-12-31发布2013-08-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检夜总局也全中国国家标准化管理委员会.Q(.1 GB/T 29421-2012 前本标准按照GB/T1. 1-2009给定的规则起草.本标准由中国建筑材料联合会提出。自本标准由全国人工晶体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口。本标准起草单位z中国科学院福建物质结构研究所、国家光电子晶体材料工程技术研究中心、福建福晶
2、科技股份有限公司、中国计量学院材料与工程学院。本标准主要起草人z兰国政、吴少凡、林文雄、王昌运、张剑虹、李雄、史宏声、秦来顺。本标准为首次制定。I GB/T 29421-2012 饥酸盐双折射光学单晶元件1 范围本标准规定了钮酸盐双折射光学单晶元件的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则及包装、标识、运输、贮存等过程的要求。本标准适用于辄酸盐双折射光学单晶元件，其他种类的双折射光学单晶元件也可参照使用。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本包括所有的修改单适用于本文件。GB/T 11297.
3、1-2002 激光棒波前畸变的测量方法GB/T 22452-2008 跚酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件GB/T 22453-2008 跚酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法3 术语和定义3. 1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 GB/T 22452-2008界定的以及下列术语和定义适用于本文件。双括射光学单晶optical crystal with birefringence 一种具有折射率各向异性的光学单晶。银酸缸单晶yUriUDl vanadate single crystal 一种双折射单晶以及以其加工而成的元件，中文化学名为辄酸缸，分子式为YV040不垂直度nonpe叩end
4、icul町均单晶元件通光面与侧面之间的不垂直程度。光学不均匀性optical heterogenity 介质折射率的不均匀程度。道射波前畸变transmitted wave front distortion 平行光束的波面透过被检单晶元件后相对于标准参考波面的畸变。消光比extinction ratio Ex 光通过平行偏光系统与正交偏光系统时，分别得到最大输出光强与最小输出光强，它们的比值称系GB/T 29421-2012 统消光比。当有应力双折射的透明介质插入两个偏振器之间时，消光比降低。3. 7 3.8 3.9 插入损耗insertion loss IL 光通过晶体器件后的损耗，即光源通
5、过器件后量测到的功率和未通过器件量测到的功率比值。偏振相关损耗polarization dependent loss PDL 晶体器件在所有的偏振态下最大与最小插入损耗的比值。棋角wedge angle 两个通光面之间的夹-i一4 技术要?皇呼吁一) 丁巳的提氧激光照射I:tl单品孟件单位体寂R(cm内豆多于4个。在波长为632.8nm 4. 1.3 避过温前畸变-二三一一一二-在波长为632.8nm氮氧激光的照射下，被测元件的透射波前畸变干涉图峰-谷值偏差应不大于/4. 4. 1.4 消光比单晶元件的消光比应大于25dB. 4. 1.5 插入损耗单晶元件的插入损耗应不大于0.08dB。4.
6、1.6 偏摄相关损耗单晶元件的偏振相关损耗应不大于0.03dB. 2 GB/T 29421-2012 4.2 加工质量4.2. 1 尺寸公差尺寸公差应符合以下要求:W址mmXH骂:mmXL:t mm 上式中W为单晶元件通光面的宽度，H为单晶元件通光面的高度，L为单晶元件通光方向的长度。图2为单晶元件尺寸标注示意图，S所标示的面为通光面。H w 圄2单晶元件尺寸标注示意图4.2.2 角度偏差单晶元件的切割角度偏差要求:.8o. 5O，.o. 50. 4.2.3 不平行度单晶元件两个通光面的不平行度应不大于30。4.2.4 不垂直度单晶元件的通光面与侧面之间的不垂直度应不大于30。4.2.5 模角
7、公差单晶元件单模角a公差应不大于0.504.2.6 有效通光孔径单晶元件的通光表面扣除四周倒角后的可用面积与整个通光面面积的比值为有效通光孔径，其应不小于85%。4.2.7 表面疵病抛光元件有效通光孔径内，S/D不大于20/10;镀膜元件S/D不大于60/40.4.2.8倒角倒角的宽度应不大于0.2mm. 4.2.9 崩边、崩口及崩裂沿边缘向内侧方向延伸宽度以径向崩边应不大于0.2mm。沿边缘方向，崩口宽度之和应不大于0.5mm。角的崩裂应不大于0.2mm. 3 GB/T 29421-2012 4.2. 10 单晶表面镀膜的光学性能镀制单点1550 nm减反膜，在1520 nm 1 580 n
8、m的波段范围内膜层的剩余反射率应小于0.2%。4.2. 11 膜层的牢固度使用3M公司810型号胶带粘拉5次，未出现脱膜或裂膜现象。4.2. 12 膜层的抗菌湿性能度60C，相对湿度为95%-lQ放J件裂元或晶膜单脱将现出未中，在40min内从室温升到100C，在不少5.2 物理定规、的J/前G 5.2.3 避过遮前畸变5.2.4 消光比5.2.4.1 方法原理当晶体出现应力双折射时，入射光的偏振态会产生变化，通过测量这种变化，即可计算出晶体器件的消光比Ex，见图3.4 。, . ., 说明zA一一激光器EB一一扩束器zC 一一可调光栏zD一一起偏糯zE一一待测单晶元件zF一一探测器.5.2.
9、4.3 按系动待测晶最大出光Ex 说明sA一一光源，B 一一起偏器，C一一待测单晶元件FD一一探测器.E一三3A B A B i T C f1 F习D E C D 圄4插入损辑测试原理圄口F GB/T 29421-2012 偏器之间，转位置，记录下 . ( 1 ) 5 GB/T 29421-2012 5.2.5.2 测试步骤采用稳定光源，恒定功率100mW，调节起偏器至探测器功率最大，固定好起偏器位置，记录下功率值P;放人待测单晶元件，调整光路至探测器功率最大，记录下功率值孔，代人式(2)计算得到插入损耗。式中=IL一一-插入损耗，单位为分贝(dB); Pi一一最大输出功率，单位为瓦(W);P
10、。一一-最小输出功率，单位为瓦(W).5.2.6 偏振相关损耗5.2.6.1 方法原理IL=10叫去)偏振相关损耗即为器件在所有的偏振态下最大与最小插入损耗的比率，见图4.5.2.6.2 测试步骤( 2 ) 采用稳定光源，恒定功率100mW，按照图4装置，转动起偏器，调整到功率最小位置，记录下Pmin值z转动起偏器，调整到最大功率最大位置，记录下Pmax;代人式(3)计算得到偏振损耗。式中zPDL =101g(m叶. . . . . . . .( 3 ) 飞min I PDL一一插入损耗，单位为分贝(dB), Pmax 最大输出功率，单位为瓦(W);Pmin 一一最小输出功率，单位为瓦(W)。
11、5.3 加工质量5.3. 1 尺寸公差尺寸公差的测试方法按GB/T22453-2008执行。5.3.2 角度偏差角度偏差的测试方法接GB/T22453-2008执行。5.3.3 不平行度不平行度的测试方法按GB/T22453-2008执行。5.3.4 不垂直度不垂直度的测试方法按GB/T22453-2008执行。5.3.5 模角公差利用光学测角比较仪直接测量。6 。. ,. 5.3.6 有效通光孔径有效通光孔径的测试方法按GB/T22453-2008执行。5.3.7 表面班病表面疵病的测试方法接GB/T22453-2008执行。5.3.8 倒角5.3.8. 1 测试仪器5.3.8.2 测试方法
12、在暗场照明下式中zR一一剩余反射率zRo一一石英校准片对工作波长二，准确度元nR, -Rn . _,1 R=:一:ux 100% Rz - Ro ,. - - -, Rl一一镀膜单晶元件对工作波长的反射率zRz一一仪器本底对工作波长的反射率。5.3. 10.2 测试仪器分光光度计。5.3. 10.3 副试步骤G/T 29421-2012 把石英校准片放在样品台，设定好扫描波长，得到工作波长反射率。把镀膜单晶元件放在样品台，设定好扫描波长，得到工作波长反射率.取走镀膜单晶元件，设定好扫描波长，得到工作波长反射率。利用测试仪器软件，计算得到镀膜单晶元件的工作波长剩余反射率曲线，由曲线得到相应工作波
13、长的剩余反射率。7 GB/T 29421-2012 5.3. 11 膜层的牢固度使用宽度为1.6 cm的3M公司810型号胶带牢固地贴在镀膜表面时，快速地以垂直于膜面的方向将胶带拉起F重复5次，观察是否出现脱膜或裂膜现象。5.3.12 膜层的抗高湿性能在暴露于温度为45c 50 c、相对湿度为95%100%的环境至少24h后，或采用加速试验，温度60C，相对湿度为95%100%的环境2h后，观察是否出现脱膜或裂膜现象。5.3. 13 膜层的抗温度冲击将单晶元件放人加热容器中，在40min内从室温升到100C，在不少于40min时间内降到室温，观察是否出现脱膜或裂膜现象。6 检验规则6. 1 栓
14、验分类6. 1. 1 出厂检验出厂检验项目为4.1.1、4.2.14. 2. 8，全栓，不合格品剔出。6. 1.2 型式检验6. 1. 2. 1 型式检验检测项目为本标准所要求的全部项目。6. 1. 2. 2 有下列情况时进行型式检验za) 新产品投产时zb) 制备工艺有较大改变，可能影响产品质量时zc) 出厂检验结果与最近一次型式检验结果有差异时zd) 停产三个月恢复生产时。6.1.2.3 抽样方法z在同一加工工艺条件制成的产品中随机抽取，抽取量不少于1%，且不低于2件z若该批仅有一件，则抽取该件。6.2 判定检验结果符合本标准要求的，则判定该批产品为合格。如有不合格项，可自同批产品中加倍抽
15、样，对不合格项进行复检。复检结果如全部合格，则该批产品为合格s复检结果如仍有不合格，则判定该批产品为不合格。7 包装、标识、运输和贮存7. 1 包装7. 1. 1 内包装采用弹性膜盒包装。包装时，产品应在超净室内擦拭干净后装人膜盒，通光面不得直接接触包装物。包装应密封、洁净、防潮、防震、防静电和防冲击。v v , GB/T 29421-2012 7. 1.2 外包装包装箱内应有装箱单和使用说明书。装箱单应标明:单晶元件名称、数量、尺寸、切割角度、镀膜指标、生产厂家等。7.2 标识产品外包装上应标明za) 生产厂家、厂址zb) 产品名称、数量Fc) 执行标准编号zd) 生产日期、保质期pe) 小
16、心轻放、防潮、易碎等图标。7.3 运输产品在运输过程中应轻装轻卸，不得挤压，并采取防震、防潮等措施。7.4 贮存产品存放在洁净等级优于10000级、温度(23士2)C、相对湿度应不大于30%的环境中，产品保质期自生产之日起1年。9 NFON-NgNH阁。a现-III 华人民共和国家标准舰酸盐双括射光学单晶元件GB/T 29421-2012 国中 中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里河北街16号(10004日网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读者服务部，(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销* 开本880X 1230 1/16 印张1字数18千字2013年5月第一版2013年5月第一次印刷 书号:155066. 1-47005定价18.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107GB/T 29421 打印日期:2013年5月7日F002A
