1、中FL 5961 ，、, 、S , , 11、s 飞SJ 20059 92 里目目目Semiconductor discrete device Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of type 3DG 111 and 3DG 120 1992-11-19发布1993-05-01实施中国电子工业总公司批准1.1 主题内中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DG111型NPN硅详细范Semiconductor discrete device 体Detail specificati
2、on for silicon NPN bigb frequency low power transistor of type 3DG 111 SJ 20059 92 本规范规定了3DGUl型NPN硅高件按GJB33(半导体分立器件总规范的规定，级).晶体管(以下简称器件的详细要求.该种供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实SJ 20059 92 1. 2 外形尺寸外形尺寸应符合GB7581a 2.54 吃份11.01 b2 0.407 0.508 1b1 叶iD 5.31 5.84 iD、4.53 4.95 b. h斗J 0.9
3、2 1. ().I 1.16 K 0.51 1.21 L 12.5 25.0 LI 1.27 图1外形尺寸一2一.3 定值P响。P.o.z) 号TA=25C Tc=25C (W) (W) 3DG111B 3DGll1C 0.3 1.0 3DGll1E 3DGll1F 一一一注:1) TA25.C时，按1.7mW/ 2) Tc25.C时，按5.7mW/C1.4 主要电特性(TA25C) 极 hFE1 SJ 20059 92 VC80 VCEO VW3 Ic T.t和T;(V) (V) (V) (mA) (C) 40 30 60 45 5 50 一65-+20040 30 60 45 hFE(Vc
4、E=10V) hFE2 hFE3 hFEf Ic=0.5mA Ic=3mA Ic=lOmA Ic=3OmA 型号最小值最大值最小值最大值最3DG111B 3DG111C 20 30 3DGll1E 3DG111F 吃极Cobo fT f=lMHz VCE=10V VcB=10V Ic嚣1仇nA值h=O f=100MHz 型号(pF) (MHz) 最小值最大最小值3DGlllB 寸150 3DGll1C 4 3DG111E 300 3DG111F 2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立
5、器件总规范半导体分立器件试验方法40 VCE(.时Ic=10mA IB=lmA (V) 0.3 最最大值200 20 VBE(耐，(Jp Ic盟1伽nAVCE=10V IB=lmA Ic=l臼nAf=30MHz (V) (dB) 最小值最小最大值0.9 15 -3一 SJ 20059 92 3 3. , 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本的规定.3.2. , 引出端材料和涂引出端材料，应为可伐.引出端表面涂层应为镀金、的选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定 4 定4.
6、, 抽样和检验应按GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定检鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选仅对GT和GCT级或漫锡.对引出端材料和涂6意).GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过不 筛(见GJB33表2)7.中8.功率老化9. 4.3. , 功率老化条件功率老化条件如下zTA-25士30CVcn=20VC3DGIIlB、E)Vcn 30VC3DGIllC、F)PtOt 300mW 注z不允许在器件上加散4.4 质量一致性检验或 试或试Ic皿1和hFE3见4.3.1条范表1的A2分组FlCB01=初始值的100%或5nA.取其较大者，AhFE3=初始值的士15
7、%质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的4.4.2 B组检验-4一 SJ 20059 92 B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规范表4的步骤进行。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量()要求应按本规施表4的步骤进行.4.5 检验和试验方法验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5.1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128中3.3. 2. 1条的规定。检A1 外观和机械A2分组集电极-基极击穿电压3DG11lB、E3DG11lC、F集电极-发射极击穿电
8、压3DGll1B、E3DGll町、F发射极基极击穿电压 集电极-基极截止电流3DGll1B、E3DG1l1C、F发射极-基极止电流正向电流传比正向电比正向电比正向电流比. 电极，饱和基极，发射极饱和压 方法GJB 128中且2071本规范附录A, I 2.9. 2. 2 2.2 2.4 表1A组检验GB 4587 条件l发射极基极开路I Ic=10A 发射极基极开路Ic=5mA 脉冲法(见4.5. 1条路路I VcB=30V VcB=50V 电极-基极开路VEB=4V I VcE=10V Ic=0.5mA Iv俨川Ic=3mA Iv俨10VIc=10mA Iv俨10VIc=30mA I Ic=
9、10mV Is=lmA Ic=10mA IB=lmA TPr.!符号5 I V(回归回 40 60 I V(BR)CEO 30 45 V(BR)E田5I ICBOl I 1 E.JlJ I hFE1 I 20 I hFE I 30 I hFE3 I 40 I hFE4 I 20 V CE(aat) I VBE阳。|限单位IV IV v V IV I O. 03 IA I O. 05 IA I 200 0.3 V I O. 9 IV 5 检A3分组作s集电极止电3DG1l1B、E3DG111C、F作，正向电比A5、A6和A7不适用B1 可标志的久性 B2 热冲击密封a. b.粗试g-6一. 方法
10、2.1 2.8 方法2026 1051 I 1071 SJ 20059 92 续表1GB 4587 条件I TA=+150C 发射极基极开V嚣30VVcB=50V TA嚣-55CVCB嚣10VIc=1OmA 3 表2B GJB 128 条才E且表4.步骤1、3和4 符号I 5 I Ic刷I 20 B 国, LTPD 件15 10 SJ 20059 92 续表2GJB 128 方法条件LTPD B3分组穗态工作寿命5 1027 I Vc=20V,P.o.=300mW TA=25土3C不允或强迫风冷最后测试g见表4，2和5B4分组梭2075 I 目检标准按鉴定时的设计，0失效z 度B5分组不B6分
11、组I I I 7 2037 20(C=0) 1032 I TA=200C 试s见表4，2和5表3C组检验最GJB 128 极限值位方法条件LTPDI符号C1 外形尺C2分热冲击玻瑞应力引出端强度密封15 见图12066 10 1056 2036 1071 件AE , a. b.粗外1021 2071 见表4，步骤1、3和4g 扑击频冲变恒10 2016 2056 2016 试z见表4.步骤1、3和4C4分组盐气适用时15 1041 -7一SJ 20059 92 3 GJB 128 条LTPD!符号位C5分组不适用C6分组态工作寿命最后测试s1 电极3DGll1B、E3DG111C、F2 !集电
12、极3DG111B、E3DG111C、F电流电流方法牛1026 I TA=25士3.C.VCB=20V P.=30臼nW;=10 不允许器件加散热器或强迫风冷见表42和5表4B组和C组的试GB 4587 符号方法条件2.1 I Ic皿1Vc=30V Vc=50V 2. 1 发射极-基极开路I 1 CllOl Vc=30V Vc=50V 3 |集电极-发射极饱和压降2. 3 Ic=10mA I VCE( . 。I=lmA 4 |正向电流比2.8 VCE=10V ! hFE3 Ic=lOmA 比2.8 VcE=10V I t:.hFE3l) Ic=10mA 注，1)A组极限值的器件不应接收.5 交货
13、包装要求应按GJB33的规定。6说明事项合同或订货要求的引出涂层(见3.2.1条。一8一目最J腼极最小值!. 40 值，. 单位I O. 03 IA I o. 06 I队0.3 ! V 200 的士25%, A1 目的SJ 20059 92 附录A电极-发射极击穿电压测试方法补充件本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的A2 测试电路试电路见图Al.S Rl VCE 电压摞V + I Ic 图Al集电极-发射极击穿电压测试A3步。限流电阻Rl应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流.如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)q;:O 的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明g本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂负责本规范主要起草人g玉民福、谢佩兰、王承no项目代号:BOI018. -9一
