1、-、&FL 5961 SJ 20062 92 .L. 、目E目召Semiconductor discrte device Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of type 3DG210 1992-11-19发布1993-05-01实 中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体详细规范1范1- 1 内Semiconductor devlce Detail spedrlcat
2、ion ror sillcon NPN ultra-bigb rrequeny low响noisedurerence matcb transistor or type 3DG210 SJ 20062. 92 本规范规定了3DG210型NPN求。该种器件按GJB33(半导体分立和GCT级)0低噪声差分对晶体管以下筒称器件的件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GPGT中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实-1一SJ 20062 92 .2 外形尺寸外形尺寸应符合GB758125C时，单管按1.14mW/C 2) 为双管功耗，当TA25C时，双管按2mW/C.4 主要电
3、特性(TA2S C) 他 3DG210B、C3DG210D、E3 3 12 18 1200 30 300 1600 一.5 主要电配对特性(TA-2SC)极hFEZ_1/hFEHll VCE=10V Ic=3mA IV四1-VBEZ11的VCE=10V Ic=lmA 1.6. (VBE1 -,VBEZ) ITA 11 11 .6. (VBE1-V阳山TA 121) VCE=10V Ic=lmA TA=25C和一55C(mV) VcE=10V Ic=lmA (mV) TA=25C和125C(mV) 号最最最最大值3DG210B 3DG21OC 0.95 川-M-M-M5 04-ku-饨，0.8
4、一1.0 3DG210D 3DG210E 一注，1)较大的数为分母.2) 测量方法见4.5.2条.3) 测量方法和计算方法见4.5.2条与4.5.3条.2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 双极型晶体管测试方法立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法一3一SJ 20062 92 3 3.1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的抽尼3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的 3.2.1 引出引出端材料应为可伐.引出端表面涂层应另有要求时，在合同或订单中应明3.3标志标志应按GJB3
5、3的规定.4 定4. 1 抽样和检验血. -.- EII I _, r at应按GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定检验GJB 33的规定.4.3 筛选仅对GT和GCT级金、漫锡.对引出端材6章)0涂GJB 33表2和本规范的规定.下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限的器件 选见GJB33袭27. 中间参数测试8二功率老化9. 最后测试4.3.1功TA 25士3CV7.5V Pt 175mW(单管P l 350m W (双管注2不允许在器件上加4.4 质量一致性检验强迫风冷.试或试 lc皿I，hnz和hFEZ-d hnz-a 见4.3.1条1的A2分组sA1cl!Ol =初始值的100%
6、或5nA.拟失权X石，llhnz=初始值的士15%B组检验应按GJB33和本规范表2的-4一。测试和变化量要求应按本规范4的步辄J1 J 0 4.4.3 c组检验SJ 20062 92 C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行.最后测试和变化量()要求应按本表4的步辄地I 4.5 检验和检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定$4.5.1 脉冲脉冲测试应按GJB128中3.3. 2. 1条的规定-4.5.2 基极发射极电压差测试个单管的发射极连接在一起，对每个单管采用规定的试验条件并符合GB4587中2.4条的方法，在两个单管基极之间直接测得基极，发射极的电压差IVBElVBEZ 1.
7、4.5.3 基极-发射极电压差随温度变化的测试按4.5.2条规定的方法，在两个规定的温度下测试基极，发射极电压盖的数值，并按如下公式计界2Al分组I(VBE1 VBE2)aTA I = 1 (VBE1 VBE2h1一(VBE1一V凶2hzI 方法128 2071 表1A组检验GB 4587 条件符号最5 最大值一5一 3002100 3oo210B、C、E(非饱和(绝对差值3oo210B、D30021低二、E基极发射极 (司在Ic=lmA(见4.5.2条3DG210B、D5 ImV 3DG21陀、E2 ImV 4 I正向电流比2.8 VcE=10V hnZ-1/hnz-z 增益比Ic=3mA
8、见1.5条3DG210D 0.9 1.0 3DG210B、C、E0.95 1.0 5 I正向电传输比I 2. 8 VCE嚣10VhnZ-1 / hnz-z 增援比Ic=3mA (见1.5条3DG210D 0.85 1.0 3DG210B、C、E0.9 1.0 6 I 发射极电2.5 VcE=10V.lc出1mAIMV阻1-VBEZ) tt.TA 11 I I 0.96 ImV 的绝对TA=25C和-55C差值(非饱和见4.5.3条7 I基极电2.5 VCE=10V.lc=lmA 1 (V BE1 - V BEZ) tt.TA 12 I 1.2 ImV 温度变化的绝对TA=25C和125C差值(
9、非饱和I (见4.5.3条)5交、包装要求应按GJB33的规定。6说项合同或订货要求的引出端材料和涂层见3.2.1条。工厂用型号为lFC4.-9一SJ 20062 92 A1 目的试的目的是为了的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定 A2 试电路见图A1.R1 V 电压V Ic 图A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3 限流电阻R1应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表.在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流.如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格.E 本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出.由中国电子技术标准化研究所归口.本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七一厂负责起草.人z王侯福、陈自蝇、黄世杰、李红.项目代号，B01024.一10一
