SJ 20062-1992 半导体分立器件.3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管.详细规范.pdf
《SJ 20062-1992 半导体分立器件.3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管.详细规范.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《SJ 20062-1992 半导体分立器件.3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管.详细规范.pdf(11页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、-、&FL 5961 SJ 20062 92 .L. 、目E目召Semiconductor discrte device Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of type 3DG210 1992-11-19发布1993-05-01实 中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体详细规范1范1- 1 内Semiconductor devlce Detail spedrlcat
2、ion ror sillcon NPN ultra-bigb rrequeny low响noisedurerence matcb transistor or type 3DG210 SJ 20062. 92 本规范规定了3DG210型NPN求。该种器件按GJB33(半导体分立和GCT级)0低噪声差分对晶体管以下筒称器件的件总规范的规定,提供产品保证的三个等级(GPGT中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01实-1一SJ 20062 92 .2 外形尺寸外形尺寸应符合GB758125C时,单管按1.14mW/C 2) 为双管功耗,当TA25C时,双管按2mW/C.4 主要电
3、特性(TA2S C) 他 3DG210B、C3DG210D、E3 3 12 18 1200 30 300 1600 一.5 主要电配对特性(TA-2SC)极hFEZ_1/hFEHll VCE=10V Ic=3mA IV四1-VBEZ11的VCE=10V Ic=lmA 1.6. (VBE1 -,VBEZ) ITA 11 11 .6. (VBE1-V阳山TA 121) VCE=10V Ic=lmA TA=25C和一55C(mV) VcE=10V Ic=lmA (mV) TA=25C和125C(mV) 号最最最最大值3DG210B 3DG21OC 0.95 川-M-M-M5 04-ku-饨,0.8
4、一1.0 3DG210D 3DG210E 一注,1)较大的数为分母.2) 测量方法见4.5.2条.3) 测量方法和计算方法见4.5.2条与4.5.3条.2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 双极型晶体管测试方法立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法一3一SJ 20062 92 3 3.1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的抽尼3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的 3.2.1 引出引出端材料应为可伐.引出端表面涂层应另有要求时,在合同或订单中应明3.3标志标志应按GJB3
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
本资源只提供5页预览,全部文档请下载后查看!喜欢就下载吧,查找使用更方便
5000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- SJ 20062 1992 半导体 分立 器件 DG210 NPN 超高频 噪声 晶体管 详细 规范

链接地址:http://www.mydoc123.com/p-215839.html