SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范.pdf
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1、中-FL 5961 SJ 20064 92 嗣.l.、:去Z1)(, Semiconductor discrete device Detail specification for type QL71 Silicon single phase full wave bridge rectifier 1992 11-19发布1993-05-01实施 中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件QL71型硅单相桥式整流器详细规范1 范围,. , 主题内容Semiconductor discrete device Detail specification for typc QL71
2、 Silicon single phase full wave bridge rectificr SJ 20064 92 本规范规定了电件按GJB33( 设备用的QL71型硅单相桥式整流器以下简称器件的详细要求。该体分立器件总规范的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级。1.2 外形尺寸外形尺寸见图1.20. 8. + -. . -时 5 t 5 + 5 2. 0.8 因l外形图中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01 一1一SJ 20064 92 .3 VRWM 101) 型号1=40C (V) (A) QL71C 100 QL71D 200 QL71E 300 Q
3、L71F 400 2 QL71G 500 QL71H 600 QL71J 700 QL71K 800 注I1) TA40C按23.5mA/C的速率线性地.4 主要电特性除非另有,TA=25.C. I阳M1.A嚣40Ctp=l臼ns(A) 30 VFM(单管I阳(单管1FM=3A (V) 1.3 2 引用文件GB 4023 86 GJB 33 85 GJB 128 86 3 要求3.1 详细要求V民=VRWM(/A) 5 半导体分立器件分整流二极管半导体分立器件总规夜半导体分立各项要求应符合GJB33和本规范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸Top 1.,咀 CC) (C) -55-+125
4、一55-+1301R2(单管 VR=VRWM TA=100C (A) 100 的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规戒因1的规定.3.2.1 引出端涂层引出端表面应为锡层.对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条。3.3 标志标志应按GJB33的规定。3.3.1 极性标志极性标志如图l所示。一2一SJ 20064 92 4 定4.1 抽样和检验检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验定检验应按GJB33的规定.4.3 筛选(仅对GT级组装成器件的二极管,在组装前应按GJB33的表2和本规范的规定进行筛选.选且GJB33的表2)试或试3.热冲击环a为-55C .循
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