SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范.pdf

上传人:diecharacter305 文档编号:215841 上传时间:2019-07-13 格式:PDF 页数:7 大小:155.34KB
下载 相关 举报
SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范.pdf_第1页
第1页 / 共7页
SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范.pdf_第2页
第2页 / 共7页
SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范.pdf_第3页
第3页 / 共7页
SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范.pdf_第4页
第4页 / 共7页
SJ 20064-1992 半导体分立器件.QL71型硅单相桥式整流器.详细规范.pdf_第5页
第5页 / 共7页
亲,该文档总共7页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、中-FL 5961 SJ 20064 92 嗣.l.、:去Z1)(, Semiconductor discrete device Detail specification for type QL71 Silicon single phase full wave bridge rectifier 1992 11-19发布1993-05-01实施 中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件QL71型硅单相桥式整流器详细规范1 范围,. , 主题内容Semiconductor discrete device Detail specification for typc QL71

2、 Silicon single phase full wave bridge rectificr SJ 20064 92 本规范规定了电件按GJB33( 设备用的QL71型硅单相桥式整流器以下简称器件的详细要求。该体分立器件总规范的规定,提供产品保证的两个等级(GP和GT级。1.2 外形尺寸外形尺寸见图1.20. 8. + -. . -时 5 t 5 + 5 2. 0.8 因l外形图中国电子工业总公司1992-11-19发布1993-05-01 一1一SJ 20064 92 .3 VRWM 101) 型号1=40C (V) (A) QL71C 100 QL71D 200 QL71E 300 Q

3、L71F 400 2 QL71G 500 QL71H 600 QL71J 700 QL71K 800 注I1) TA40C按23.5mA/C的速率线性地.4 主要电特性除非另有,TA=25.C. I阳M1.A嚣40Ctp=l臼ns(A) 30 VFM(单管I阳(单管1FM=3A (V) 1.3 2 引用文件GB 4023 86 GJB 33 85 GJB 128 86 3 要求3.1 详细要求V民=VRWM(/A) 5 半导体分立器件分整流二极管半导体分立器件总规夜半导体分立各项要求应符合GJB33和本规范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸Top 1.,咀 CC) (C) -55-+125

4、一55-+1301R2(单管 VR=VRWM TA=100C (A) 100 的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规戒因1的规定.3.2.1 引出端涂层引出端表面应为锡层.对引出端涂层另有要求时,应在合同或订货单中规定(见6.1条。3.3 标志标志应按GJB33的规定。3.3.1 极性标志极性标志如图l所示。一2一SJ 20064 92 4 定4.1 抽样和检验检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验定检验应按GJB33的规定.4.3 筛选(仅对GT级组装成器件的二极管,在组装前应按GJB33的表2和本规范的规定进行筛选.选且GJB33的表2)试或试3.热冲击环a为-55C .循

5、环10次外,其余同试验条件B4. 试8.电老化9.最后测试4.4 质量一致性检验不要求不要求1A=125C 1 Rl、VFM1A=25 C flo=lAfV民=V1!WM I j=50Hz 本规范表l的A2分组:1:.1 Rl =初始值的100%或250nA.取较大者zI:.V阳E士O.lV一致性检验应按GJB33的规定,由A组、B组和C组检验或试验组成。4.4.1 A组检A组检验应按GJB33和本规程中表l的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规程中表2的规定进行。4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范中表3的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按

6、本规范的表1、表2和表3以及下列规定24. 5. 1 工作热循环 进行本项试验时,器件的交流端输入50Hz正弦波电压,保持器件的输出电流为2A.通电时间tj注5min,断电时间tz注3min为一个循环。试验持续2000个循环.-3一A1分A2分组正向电压单管反向电压单管A3 高温二作反向电流单管A6分组浪精电流单管最后试g同A2分组B1 可标B2分组热冲击最后测试g性A2分组B6分组寿命非工作状态最后测试g同A2分组一4一SJ 20064 92 表1A组检验GB 4023 极限值LTPD 符号方法条件最小值最大值GJB 128中5 2071 5 IV-1.2.3条IFM=3A VFM IV-1

7、.4.1条VR=V阳MIRI 5 TA=100C IV-1. 4.1条VR=V阳MIR2 10 IV-3.1条TA=40C I.SM=30A tp=10ms.每间隔1min浪涌1 次,共10次表2B组检GJB 128 方条件2026 1022 1051 1032 除低温为-55C.循环10次外,其余同试验条件BTA=130C 1.3 5 100 LTPD 15 10 7 单位v A A h户SJ 20064 92 表3C组检验GJB 128 试验LTPD 方法条LRh机4C1分组15 外形尺寸2066 见图1C2分组10 引出端强度2036 试&牛气W = 10vOg t =J 58 综度/期

8、1021 省略预处理外观及机械检2701 最试:同A2分组C3分组冲击10 动最后测试g同A2分组2016 2056 C6 工作热循环最后测试g同A2分组10 见4.5. 1条5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6.1 对引出端涂层有特殊要求时应在合同或订货单中规寇。6.2 如需典型恃性曲线,可在合同或订货单中规定。一一5一SJ 20064 92 明II 本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七七厂负责起于.本规范主要起草人:金贵永、张漠。计划项目代号IBOI004.-6一

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 标准规范 > 行业标准 > SJ电子行业

copyright@ 2008-2019 麦多课文库(www.mydoc123.com)网站版权所有
备案/许可证编号:苏ICP备17064731号-1