1、中FL 5961 1)11, Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack 1992-11-19发布-泪:SJ 20066 92 1993胃。5-01实施中国电子工业总公司批准SJ 20066 92 子行业军用标准范半导体分立器件2CL3型硅高压整流堆详细Semiconduetor discrete devlce 中华人民共和Detail speciflcation for type 2CL3 silicon bigh voltage r
2、eetifier stack 1. 1 主题内本规范规定了2CL3型硅高压整流堆以下简称器件的详细要求。该种器件按GJB33(半体分立器件总规范的规定，提供产品保证的两个等级(GP和GT级).1. 2 外形尺寸外形尺寸见图1.Hdu节N，忑范25mta 外形图lOtnax 图12Smin 定值大1.3 VUM 101 JFSM Top T啕号T.=40 C T.=40 C tp=lOms (kV) (mA) (A) (C) (C) , 2CL3C 3 2CL3E 5 2CL3F 8 200 4 一55-+125一55-+1302CL3G 10 2CL3H) 15 -一 线傲地T.40C按2.3
3、5mA/C的漫泊使用.注:1)2) 1993-05-01熏1992-11-19发布电子工业总公司中1.4 主要电特性非另有规定，TA25 C 0 Vpy 号lpy=60伽nA(V) 2CL3C 15 仅:;L3E15 2CL3F 30 汉:;L3G30 2CL3H 45 2引体分小功率信号二极管SJ 20066 92 1.1 1., T,=100 C V.=V. V.=VUM A)A)5 80 2部分整流二极管及基准电压二极管试方法GB 4023 86 GB 6571 86 GJB 33 85 GJB 128 86 半导体分立器件总规范体分立3 3. 1 详细要求各需要求应符合GJB33和本规
4、范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的规定.3.2. 1 引出端涂层t . lpy=5伽nA1.=10臼nAs)0.3 引出端表面应为锡层.对引出端涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定见6.1条)03.3 标志标志应按GJB33和本规范的规定.3.3. 1 极性标志志如图1所示.4 定4. 1 抽样和栓抽样和检验应按GJB33和本规范的规定.4.2 鉴定检验GJB 33的规定.4.3 筛选仅对GT级GJB汩的表2和本规范的规定.一2一SJ 20066 92 试试55 C 10次外，其余B 化老中一电队一孔一&TA=125C lR1、VFMTA
5、=25C !Io=100mA，VR=VRRMJ!=50日z9. 试本规施表1的A2组，AlR1=初始值的100%或250nA，取较大者，AVm=初始值的士10%4.4 验一致性检验应按GJB33的规定，囱A组、B组和C组4.4.1 A组A组检验应按GJB33和本规范中表1的规定进行。4.4.2 B组栓B组检验应按GJB33和本规范中表2的规定进行.4.4.3 c组检验C组检验应按GJB33和本规范中表3的规定进行.4.5 检验和试验方法应按本规范相应表的规定.或试验组响。表1A组检验GB 4023 极方法|条件LTPD I符号单位A1 外GJB 128中2071 5 A2 5 正向电压即一1.
6、2. 3条lF11(=60伽nAV FII( 2CL3C 15 V 2CL3E 15 v 2CL3F 30 V 2CL3G 30 V 2CL3日45 v 反肉IV -1. 4. 1条VR=VRRM lR1 5 A 一3一A3分组反向电流A4分组反向恢复时A6 电最后测试zt检验试B1分组标志的耐久性B2分组环试gB3分组态工作寿命试s-4一SJ 20066 92 1 GB 4023 极LT.JD I符号方法条件最小值!最大值A=100C N -1. 4. 1条R=VRRMGB 6571中rrA =25C 2. 1. 4. 2. 2条FM=5OmARM=10OmA N -3. 1条rA=40C=
7、4A =10ms 间隔lmin浪次，共进行10次表4步骤1和25 5 10 表2B组检验方法2026 1022 GJB 128 IRZ t 条件1051 除低温为-55C, 次外，其余环10件B和2一.L ，.豆袭4步1027 TA=25C Io=100mA 、VR=VRRM 1=50日z见表41、2、3和480 4 0.3 单位A s LTPD 15 10 5 或试B6分组高温寿命非工作状态最1C1分组外形尺寸g 或试SJ 20066 92 2 GJB 128 方法条件1032 TA=130C 矿4步骤1、2、3和4表3C组方法2066 GJB 128 条见图l件LTPD 7 LTPD 15
8、 一5一SJ 20066 92 表4A组、B组和C组电测试限GB 4023 单位号符步飞最最小值件条法方VPM I阳=60伽nAN一.2. 3条VVVVVJ阳55005币晶Aqd，AVA嘻Z1.1 、V.=V. 25仇lA.100 t:J1 V.=V . N -. 4. 1条N-1.4.1条2 正向电压2CL 3C 织:L3E汉:L3F2CL汉32CL3H 反向电流反向变3 的土10%初 VPM lPM=60伽nAN-1.2.3条正向电压变化4 5 要求要求应按GJB33的规定.求5. 1 包5.2 贮5.3 1 GJB汩的规定.。要求要求应按GJB33的项说8 琦引出端涂层有特殊要求时应在合同或订单中规定。典型特性曲线，可在合同或订货单中规定。说明z本规范由中国电子工业总公司本规拖由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七七厂负责起草。本标准主要起草人z金贵永、张演.计划项目代号:BOI002.一6一出6. 1 6.2
