SJ 20068-1992 半导体分立器件.2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管详细规范.pdf

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资源描述

1、中FL 5961 SJ 20068 92 rhhd Semiconductor discrete device Detail specification for lower noise for silion voltage reference diode for type 2DW14 18 1992-11-19发布中国电子工业总公司批准1993主05-01实施中华人民共和国电子行业体分立器件2DW14 J18型低噪声硅电压1. 1 主题内容范Semieondudor diserete device Detail specirication for lower noise for silicon

2、 voltage reference diode for type 2DW14 ;18 -一SJ 20068 92 , 本规范规定了2DW14n18种器件接GJB33(半导体分立GCT). 电压基准二极管以下筒称器件的总规范的规定,提供产品保证的三个(GP、GT1.2外形尺寸外形尺寸应按GB7581( 立器件外形尺寸中的A3:02B型,1 . 中国电子1992-11-19 1993-05-01 1 / 0.35 #品t气、加、图1外形尺寸SJ 20068 92 O.30 、舟、气符号A 如 仇D L J K L L1 mm A3-02B 寸寸最小公称最大6.10 6.60 5.08 1. 01

3、 0.407 0.508 8.64 9.39 8.01 8.50 0.712 0.787 0.863 + 0.740 1.14 12.5 25.0 1. 27 1.3 值型号几MH(mW) 2DW14-18 200 注11)TA25C.按1.6mW/C1.4 主要电特性详见表的Vz 号lz=l仇nA(V) 2DW14-18 6.3士5%2 引用文件SJ 20068 92 12M Top (mA) CC) 30 一55-+150 rz 1. lz=l臼nAV.=3.6V 、(0) A)10 500h)基准电压的相对变化国-3.2.2 噪声电压(V.)noise Voltage 在规定的测试条件下

4、,电压基准二极3.3 设计、结构和外形尺寸间产生的器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的-甩.3.3.1 引出端材料和涂层引出端材料应是可伐、杜美.引出层可在合同或订货单中规定见6.1条).3.3.2 器件内部结构芯片与支架采用,芯片与内引线末工艺.3.4 志件标志应按GJB33及本规范的规定.3.4. 1 极性电T啕(C) -55-+175 V. r f=10Hz-10kHz lz=l臼nAA) 5范 .选用的材料和涂-3一SJ 20068 92 4 4. 1 4.2 4.3 的负用白色色点表示.样和检验GJB 33和本的定GJB 33的仅对GT和GCT级 4 1.内部目2.

5、高温寿命3. 4. 5.密封a. b. 7.中8.电老化9. Vz rz 1. v. 10.P . GJB汩的表2和本规范的的器件应剔出.(GJB 128) 2073 1032 1051 II 2006 1071 1038 1038 -4一 ,下4的规定进行,超过条件150土2C、96h|试条件s低为-55C |环10次外,件F.高低之转换时间不大于lmin, 高3伽Mn I Y1方向19600伽n/sl20st60s a. H .5mPa. cm/s b. C V.=3.6V B.t=96h 必须在去撑老化条件之后96h内完成全部参数测试.接表4步见3.2.1条要求100, 100, 1%

6、1% 1% 100, 100% 100% .不超过4规定的选11.外观检查4.4 质量一致性检验SJ 20068 92 CGJB 128) 2071 续表条件打标志之后进行,用10倍双目立体显微镜或放大镜检查器件外观质量,剔除管亮和管腿生、变形、开裂及有其它缺陷的件检验应符合GJB33及本规范表1、2和3的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验要求100% B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行.后测试和变化量()的要求应符合本规范表4有关步骤的规定.4.4.3 C组C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行,最后测试和变化量的要求

7、应符合本规范表4有关步骤的规定。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应符合相应的表和下述规定g4.5. 1 电压-温度稳定性每个型号器件的基准电压在各个规定的温度下测量,测量时应记录。对于每个器件从出的最高电压减去测出的最低电压,获得VZ值,该VZ值应在本规范规定的极限内。其测度不能超过规定的极限温度-55.-100C的范围。4.5.2 基准电压(VZ)试时应加试验电流达到平衡(至少15时,然后读出基准电压值.对于试验器件的安装,应将其引线置于夹座的内侧,夹具距管体10mm,夹具的温度应维持在25:rc。4. 5. 3 电压温度系数先在T1=25士lC下,施加恒定测试电流lz,测得热稳定后的基

8、准电压VZ1(有效位数等于或大于5位);再在T2-75士lC下,施加同一测试电流,测得热稳定后的基准电压VZ2(有效位数等于或大于5位);并按下述公且川鼻:要求恒流电摞的电流变4.5.4 长期稳定性VZ2 VZ1 QVZ = VZ1 l T2 T1 I lz IO.005mA. .(1) 在规定的测试电流lzo及恒温槽温度T-55C下,分别测出时间t1-Oh的基准电压值VZ1、t2=168h的VZ2、乌=336h的VZ3山=504h的zpts=672h的V缸,t6840h的VZ6和t7=1000h的VZ7并按下述公:p.I异:一5一SJ 20068 92 、tv = Y_,一V=mz础. .

9、. . . . . .(2) Vz 式中IV_一一表示七个时间检测点中的最大基准电压值,V_一一表示七个时间检测点中的最小基准电压1且Vz一一表示该产品的标称基准电压值;.一一长期稳定性.试电度应为25士2C,相对湿度65%,T 55C.误差lTIO.1C , 的变化值Mz0.0005mA,GJB 33/006的附4.5.5 噪声的测试电流下,在规定的频带范围内出放大嘿声电压,再除以系统增益,从A中A3 ,然后借助于具有平衡响应的均方的噪声电压有效值Vao程序z先取一个与件电阻的低噪声电阻装入测试夹具,并试电流lz=l伽A.测出输出噪声电压V叫后取出上述低嘿声电阻,出其嘿声电压V_z.然后根据

10、下, 件装入测试央具,再调节测试电流lz10mA.并测声电压,r GJB 33/006的附录A中Al规定.-6一SJ 268 92 1 A组检验寸符号GB 6571 极方法|条件最大单位最小nv 用中。句,Bn G剖俭械机组及到观A外5 A2 5 基准电压I /z叫omVz 表51栏,表5第4栏,I v 公差取-5%+5% 反向电流I V a=3. 6V I /. I 表5第3栏A 电阻1 2. 2. 2. 1 |直流法sr. 表5第2栏。/z=1伽nAA3分组电压温度系数I 2. 2. 3. 1 5 TAI=25C TAZ=75C 直流法2z=表5第5栏v. 表5第5栏110-/CA4 5

11、电压范!=10Hz-1 v. 表5第4栏V 3.4.3 I /z=HnnA 表2B组检验方法GJB 128 条LTPD 检验或试件B1分组可焊性标志的耐久性B2分组热冲击(温度循环密封15 2026 1022 10 1051 试验条件:除低温为一55C,循环10次外,其余同试验条件F1071 8. H b.粗最后测试gB3分组作寿命最后测试gC , 见表4步骤1、2和35 1027 /ZM=30mA,Vz=表5第1栏见表4步骤1.2、5和6一7一检或试验B4 开内目检(设计合强度B5分组不适用B6分组寿命(非工作状态最后测试g检验或试C1 外形尺寸C2 热冲击玻璃应力)引出端强度拉力密封a.到

12、檀剖b. 外C3分组冲击: 变频振动恒定加速度最后测试gC4分组盐气漫蚀)适用时-8一SJ 20068 92 续表2GJB 128 方法条f牛方法2066 1056 2036 1071 2071 2016 2056 2006 1041 2075 2037 1032 TA=175C 见表4步1、2、5和6表3C组GJB 128 条件见图1条件AA. W=2000g ,t= 5s l按B2分组按B2分组按A1分组l见表41、2和3非工作状态,加速度1470Om/s2.t=0.5msXpY1方向冲击各5次非工作状态196000m/s2凡、Y1方向见表4步骤1、2和4LTPD 每批抽只/0失效20(C

13、=0) 7 LTPD 15 10 10 15 SJ 20068 92 续表3GJB 128 LTPD 件斗条法方试C5分A=10 C6 lZM=30土1.5mA1026 作寿命1栏1、2、5和6Vz=表5按表4试a测试B组和C组的表4单位V值限极阶l取大晴的爱毅-5爪叫一表栏十一1取小一第差5公%袭栏一最符号GB 6571 步件条法方Vz 直流法:lz=lOmA2.2. 1. 1 电压1 a 的初始1.2倍r. lz=l臼nA2.2.2. 1 电阻2 lO-t/ C 表5的第5栏VZ 直流法s2. 2. 3. 1 度电压T1=25C T.=75C 基系3 z=lzo 表5第5栏A 表5的第3i

14、在J双2 2.2.5 反向电流4 VR=3.6V T,=25士3Cv 的A 一9一e 初始键的i初始一1%I +1% ;我导的i拦阻.J.一lVz 3主流法gT,=25士3C2.2. 1. 1 基准、电压变化5 Iz=lOmA V. j=lOHz-IOkHz lz=l伽nA本3.4.3 6 I噪声电压SJ 20068 92 表5电参数规范表栏号1 2 电基准电压电阻参Vz rz 试士5%(V)(0) 条lz=1臼nAlz=1伽nA号2DW14A 6.3 10 2DW14B 6.3 10 2DW14C 6.3 102DW14D 6.3 10 2DW15A 6.3 10 2DW15B 6.3 10

15、 2DW15C 6.3 102DW15D 6.3 102DW16A 6.3 10 2DW16B 6.3 10 2DW1 6C 6.3 102DW16D 6.3 10 2DW17A 6.3 10.2DW17B 6.3 10 2DW17C 6.3 102DW1 7D 6.3 10 2DW18A 6.3 10 2DW18B 6.3 10 2DW1 8C 6.3 102DW18D 6.3 10 、5 交货5. 1 包装要求求应按GJB汩的5.2 贮存要求3 反向电流lR A)VR=3.6V 运1g;1 1 1 1 -;:1 1 1 1 唱主1 1 1 1 1 1 1、 11 1 1 贮存要求应按GJB

16、33的规定-5: 3 运输要求求应按GJB33的o -10一4 电压V. av. V)10-/C f嚣10Hzlz=lm -10kHz lz=1臼nA骂王55 55 5 5 5 5-5 5 5 5 5 5 5 55 骂王55 5 5 5 5 5 55 5 5 5 5 5、5 5 5 5 5 骂王55 5 4豆std5 6 电稳定性最P . 试电(Vz!V.) 1m (mA) CC) 1(10-!1000h) z=lm 5.0 25.75 2 7.5 25.75 2 10.0 25.75 2 1m -55.25.100 2 斗5.0 25 ,15 唱主57.5 25.75 510.0 25.75

17、 5 lz白-55.25.100 5 5.0 25.75 10 7.5 25.75 10 10.0 25.75 10 1m 一55.饵.10010 5.0 25.75 20 7.5 25.75 20 10.0 25.75 20 , 1m 一55.25.10020 5.0 25.75 40 7.5 25 ,75 40 10.0 25.75 40 lzo -55.25.100 40 SJ 20068 92 6说明事项6.1 对引出端涂层有特殊要求时应在合同或订货单中规定.6.2 如需要典型特性曲线,可在合同或订货单中规定.附加说明E范由中国电子工业总公司科技质量局提出.范由中国电子技术标准化研究所归口. 本规范由中国电子技术标准化研究所、杭州无线电二厂负本规范主要起草人g王董文、于志贤.计划项目代号IBOI001. 一11一

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