1、1范1. 1 主题内容中华人电子行业军用标半导体分立器件2CK105型硅开关二极Semiconductor discrete device Detail specification for silicon switching diode for type 2CK105 , II )B SJ 20070 92 本规范规定了2CK105型硅开关二极管以下简称器件的详细要求，该种器件按GJB33 半导体分立器件总规范的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).1.2 外形尺寸外形尺寸应符合GB758125C时，被33.3阳l./C电特性TA25C V, 1.1 号1,-5A V.-VR_
2、 . (V) A)2CK105A 1.2 织:K105B1.2 2CK105C 1. 2 2CK105D 150 1.2 汉:K105E1.4 , 汉:K105F1.4 2 !I 300 50 330 50 370 50 1.1 In C1 TA-125C 1,.IR-1A V.OV V.国V.WMRL-1000 f皿O.lMHaA)(ns) (pF) 1500 300 50 GB 4023 86 体分立件2 分-管GB 6511 86 小功号-、电压-级试方法GB 7581 87 体分立件外形尺寸GJB 33 85 体分立件范GJB 128 86 体分立件3 3.1详各项要求应按GJB33和
3、本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范图1的 3.2.1 引出端材料和涂引出端材料应为可伐或铜，引出端表面应为锚层.对引出另有要求时，应在合同中规定见6.1条).3. :3 栋志一3一SJ 20070 92 GJB 33的规定.4 4. 1 抽样和栓GJB 33和本规范的规定.4.2 鉴定定撞验应按GJB33的规定.4.3 1 于GT和GCT级GJB 33的表2和本规范的规定.下列值的糖件应JIIIJ:I.，0 见G1B33表2)试应按中表l的规定进行.试试3. 件s-55(:、10次外，其余件F6. 7.中8.电老化9. 4.3.1 电老化试验
4、电老化条件Tc 75士rct 96h 4.4 一4.4.1 A组栓验VR=VRWM VF和1RI电老化见4.3.1条I tJR1=初的100%AVF=士10伽nVE 验GJB 33和本规范的规.A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行.4.4.2 B组栓B组检验应持GJB33和本规范表2的规定进行-4.4.3 C组栓C组撞验应按GJB33和本规范表3的规定进行-4.5 检验和试验方法栓验和试验方法应符合相应的表和下述的规定.4.5. 1 稳态工作寿50A.取较大者在二极管的反向流电流.整流电流的正向在70u75C范围之间-正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半波平均角应不大于180.
5、和不小于150.可以自逃散热条件，但应保证壳4.5.2 脉冲翻试-4一SJ 20070 92 试应按GJB128的3.3. 2. 1条的属尼表1A组方法条件LTPD I符号被-d最GB 6571 大位A1分组IGJB 128中外观及机械栓I2071 5 A3 5 作反向电1038 2.1.1 TA=125C VR=VRWM IRI 1500 A 表2B组GJB 128 LTPD 方法条件且可15 2026 时间=10土1s.只标志的1022 , 一5一SJ 20070 92 2 方件一条LTPD 部分组作寿命5 1027 Tc=75士:C、j=50Hz正弦半捷lo=5A、VII=V衷且表4步骤
6、1、2和3最后测试aB4分组全年内目2075 1个10 ,. |失效2037 20(C 0) B5 15 GB 4023 2.2 不适用 B6 7 1032 TA=175C (非工作状态最后测试g4 1、2和3B7 正向10 GB 4023 3.1 IFSM=50A ,lo=5A :tp=0.01s、正弦半波:1 见袭4步骤2、2和3最g 表3C组检验方法GJB 128 条件LTPDI符|单号|位Cl 外形尺寸15 2066 I见图1C2分组I 10 热冲击1056 I A 引出2036 转短D2.T=1.5N nltt=30土3s密I 1071 I a.!III惠E剖面l阿B2分组b.租B2
7、分组1021 外2071 最后试g|见表41、2和3E -6一C3 冲击试sC4 盐气漫蚀适用时C5分组低气压反向电C6 试验r- 试的态工作寿命最后测试zC7分组作击穿电压步1 2 3 5变5. 1 正向电压2CK105A 汉K105B汉K105C2CK105D 2CK105E 2CK105F 反向电流结电容要求一7一SJ 20070 92 3 GIB 128 方法条件2016 I非工作状态2056 I非工作状态2006 I 9800臼n/s，t=20s4步骤的1，2和31041 I 1001 I 1067P，t冒60sGB 65711 VR=V.WM 1026 1 Tc=75笃、lo=5A
8、f=50Hz正弦半波、1000h且表4步骤的1、2和3TA=一55C附录A1.=100 4 B组和C组GIB 6571 方法条件2. 1. 2 y=5A lF嚣5Ay=5A 1,=5A 1,=5A lF=5A 2.1.1 V.=V._ 2.1.3 V.=OV, f=0.1MHz 试符号Vr Vr V, Vr VF VF 1.1 Cl LTPDI符二号|位10 15 I 15 I lR1 IA A10 15 c 、V. I V 极值单位最小最大1. 2 v 1.2 v 1.2 v 1.2 v 1.4 v 1.4 v 150 A 50 pF SJ 20070一驼GJB 33的规定.5.2贮存要求贮
9、存要求应按GJB33的 5.3 求应按GJB33的 6说6.1 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货 6.2 如需要典型特性曲线，可在合同或订货单中规定.8一击A1 目的SJ 20070 92 A 试补充件在规定的条件下测定器件的击穿电压，是否大于规定的A2 电路R D V A 图Al击穿电压测试电A3 电路说D为被测器件pR为限流电阻zG为可调电压源.A4 + G -反向电流从零到击穿电压的最低极限或达到规定的测试电流，如果测试电流在规定值前已达到击穿电压规定的最低极限，则器件为合格，如果先达到规定的测试电流，则器件应拒收.A5 规定条件环境、管壳温度(Ta曲、Tc)。说明z本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出.本规范由中国电子技术标准化研究所归口.本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七五厂负责本规范主要起草人=于志贤、朱坤.计划项目代号IBOI009.9一。
