1、中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CK4148型硅开关二极管详细规范一,. 1 主题内容Semicondllctor discrete device Detail specirication for silicon switching diode for type 2CK4148 SJ 20071 92 本规范规定了2CK4148型硅开关二极管以下简称器件的详细要求，该种器件按GJB33(半导体分立器件总规黯的规定，提供产品保证的三个等级(GP，GT和GCT级).1.2外形尺寸外形尺寸应符合GB7581(半导体分立器件外形尺寸中的D2-02A型，见图1.中国电子公司1992-11-
2、19发1993-05-01实SJ 20071 92 L ! L. ， 2 1 mm 代D2-02A / 尺号符号才最公称最大她0.45 0.56 D 1.50 2.20 G 3.50 5.40 H 54.30 才+ L 25.4 LI 2.5 La 10 图l外形尺寸.3 定101) V(圃，VRWM 1FSM Top T. 低气压型号TA=25C (mA) (V) (V) (mA) (C) (C) (Pa) 2CK4148 150 100 75 500 一55-150一55-1751000 注，1)当TA25C时，按1.2臼nA/C -一2SI271 92 1. 4 主要电特性(TA25C)
3、 V, 1.1 1.1 , TA嚣150C1，=1伽nA;号V.=75V V.=20V V.=75V V.=20V (V) A)A). A)严A)2CK4148 1 5 0.025 100 50 2 51周文件GB 4023 86半导体分立器件第2GB 6571 86 小功率倍号二极管、稳压及基准电压二极管GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 黯求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定.3.2 设计、结构和外形尺寸的设计、结构和外影尺寸应按GJB33和本规范出1的规定。3.2. 1 引
4、出端材料和涂层1 . G V.皿6Vf嚣1MHzRL=1000 v =OV 1，=10伽nA(ns) (pF) -_._-一，一5 4 引出端材料应为铜包轶丝，引出端表面应为锡层.对引出端涂层另有要求时，应在合同或订货单中规定见6.1条)03.3 标志4 探志应按GJB33的规定。I I 保证规定4. 1 抽样和检验祥和检验应按GJ怒33和本规范的规定.4.2 鉴定撞验检验应按GJB33的规定.4.3 筛选仅适用于GT和GCT级符合GJB汩的表2和本规范的规定.下列测试应按本规范中表I的规定进行。超过本规范表1极限值的器件应剔除.一3-_. 选l见GJB33表2)3.热冲击6. 7.中间电参8
5、.电老化9.最后测试一一4.3. 1 电者化电老化条件规定如下zTA-25C 10 150rnA V且-VII曹Mf 50Hz正t 96h 4.4 质量一致性检验A组检验应按GJB33和本4.4.2 B组检验SJ 20071-92 试试为-55(;、循环10次外，其余阿试峻条件FV.=75V Vy和1.电老化见4.3.1条 M.= 的100%或30侃A.取较大者AVy=士10臼nV一一表1的进行.B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行.4.4.3 c组检C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行.4.5 检验和和试验方法应符合相应的表和下述z 4. 5. 1 稳态工作寿命在器件的反向施
6、加规定的正弦半波峰值电压，接着在正向施加规定的正弦半电流.整流电流的正向导通角应不大于1800和不小于150004.5.2 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1条的规定.Al 外观及机A2 正向电压一-4 -GB 6571 方法GJB 128中2071 条件, 2.1.2 I IF= l OmA 表1A组LTPD I符号5 5 VF 极最小值|最大值l 唰平均整单位V SJ 20011 92 续表1GB母571摞LTPD 符号单位一一方法条件反向电流2. 1. 1 V童白75V1.1 5 JiA VlI=20V 0.025 p.A 反向恢复时间2. 1.4. 2 1 F 1 O
7、mA tn 5 DS RL=loon VR=6V 电容2. 1. 3 V.=OV G 4 pF f=lMHz A3 5 作TA=150C 反向电流2.1.1 V.=75V IRZ 100 A VR=20V 50 A 表2B组检验方法件8四条04-B-G一LTPD B1分组可婷性标志的耐久性15 . 2026 1022 时间盟10士18B2分组10 1051 -55C、条件F10次外，其余密封1071 b. 试验条件H.1OmPa.cms/s 件C见表4步骤1和2a. 试zB3分组作寿命5 1027 f=50Hz正弦半波10= 150mA VRWM=75V(峰值见表4步骤1和2试2B6 5 10
8、32 TA=175C 非工作状态试见表41和25一-SJ 20071 92 表3C GJB 128 方法条件Cl 外形足才CZ 应力苦i度拉力引密封8. !III咽1b. 最试sC3分组冲击动 最后测试gC6 作寿命试，2066 1056 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 1026 见1 A A.W=180饨.1=58F t l阴阳分组B2分组|见袭4步1和2非工作状态非工作状态|非工作状态|且表41和2t=1000h f=50Hz正弦Io=150mA VRWM=75V 见表41和2飞e表4B组和C组最后测试步5 5. 1 l z 正向电压反向求方法2.1.2 2. 1. 1 求应按GJB33的规定.5.2贮存要求贮存要求应按GJB33的规定.5.3 运输要求6 、GB 6571 条件IF=10mA Vx=20V 符号VF IR 最1 0.025 LTPD 15 10 10 =10 单位v A SJ 20071 92 求应按GJB33的规定.6说明事项 6.1 对引出6.2如附加说明Z有特殊要求时应在合同或订货单中，可在合同或订货单中规定.由中国电子工业总公司科技质量局提出.本规范由中国电子技术标准化研究所归口. 本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八七三厂负责本标准主要起草人z于志贤、刘东才.计划项目代号，BOI0I0. 7
