1、FL 5961 主J、/hHJ、semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes SJ 20186 92 r、.,1 自for types 2cw2970 3015 , 2cW3016r J 3051 1992-11-19发布1993-05-01实施中国电子工业总公司批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CW2970 30.15型硅电压调整二极详细规范semicotlductor discrete device SJ 20186 92 Detail spec
2、ification for silicon voltage regulate diodes for types 2CW2970r 3015 1.1 主题内容本规范规定了2CW2970J3015型的B型(标准极性、RB型(反极性硅电压调整二极管(以下简称器件的详细要求。该器件按GJB33I V IRl lRz lz 最大电流avz 电流型号调整电、值压电流阻抗拐点阻抗反向Tc=25 Tc 最4整值电压电流系数士3C150吁士3V)(V) (V) (mA) (0) (0) (V) (A) (%/C) (mA) A)(mA) (mA) 2CW2993 43 40.9 45.1 60 12 400 2
3、20 2.0 1100 32.7 10 20 +.095 60 2CW2995 47 44.7 49.3 55 14 400 200 2. 2 1000 35.8 10 20 +.095 55 2CW2997 51 48.5 53.5 50 15 500 185 2. 3 925 38.8 10 20 +.096 50 2CW2999 56 53.2 58.8 45 16 500 170 2. 5 850 42.6 10 20 +.096 45 2CW3000 62 58.9 65.1 40 17 600 150 2. 6 750 47.1 10 20 +.097 40 2CW3001 68
4、64.6 71. 4 37 18 600 137 2. 7 685 51. 7 10 20 +.097 37 2CW3002 75 71. 3 78.7 33 22 600 125 2.8 625 56.0 10 20 十.09833 2CW3003 82 77.9 86.1 30 25 700 115 2. 9 575 62.2 10 20 +.098 30 2CW3004 91 86.5 95.5 28 35 800 97 3. 0 485 69.2 10 20 +.099 28 2CW3005 i.00 95.0 105.0 25 40 900 91 3.1 450 76.0 10 20
5、 +.110 25 2CW3007 110 104.5 115.5 23 55 1100 82 唱主3.5410 83.6 10 20 +.110 23 2CW3008 120 114.0 126.0 20 75 1200 77 4. 0 380 91. 2 10 20 +.110 20 2CW3009 130 125.5 136.5 19 100 1300 71 5. 0 350 98.8 10 20 +.110 19 2CW3011 150 142.5 157.5 17 175 1500 62 7. 0 310 114.0 10 20 +.110 17 2CW3012 160 152.0
6、168.0 16 200 1600 58 7.5 290 121. 6 10 20 +.110 16 2CW3014 180 171. 0 189.0 14 260 1850 52 8. 0 260 136.8 10 20 十.11014 2CW3015 200 190.0 210.0 12 300 2000 46 z三9.0230 152.0 10 20 +.110 12 一注:1)在175C时，将Iz线性地减小到O.OmAdc。SJ 20186 92 5 5. 1 包装要求包装要求应符合GJB33的规定.6说明合同或订货单应规定引出和涂层的要求。附加说明:本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口.本规范由中国电子技术标准化研究所、国营八七三厂负责起草.本规范主要起草人:于志贤、刘京才。计划项目代号:B91006.一10-
