1、中电FL 5961 、曰目吕SJ 20308 93 Detail specification for type FH 1025 NPN silicon power Darlington transistor 1993-05-11发布1993-07-01 中华人民共和国电子工业部批准1 范围1. 1 主题内中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范Detail specification for type FH1025 NPN silicon power Darlington transistor SJ 20308 93 本规范规定了FH1025型
2、NPN硅功率达林顿晶体管以下简称器件的详细要求。每件按GJB 33P :;., C B q U E D t.1飞b， 叫中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布1993-07咱们实施一1一号l 主nun 主A #J, #Jz 0.966 ;D d F L 8 L , ;P 3. 84 q 29.90 R, R2 S U, U2 图1FHI025外形图1. 3 最大额定值PH tu. Vc酣VCEO Tc=2SC (W) (V) (V) 250 1200 8S0 注l)Tc25C时，按1.67W /C 1. 4 主要电恃性(TA=25C)hFE SJ 20308 93 B2-01D no
3、m f 5.46 16. 89 VE回1c (V) (A) 8 20 VCE( . 。(V) VcE=5A 1c=10A 1c=5A 18=lA 最小最大值最大值50 600 2.2 一2一mm max 12.19 1.52 引出端识别:1. 092 22.86 电极3.50 13.9 1. 52 4.21 30.40 13.58 4.82 40.13 27.17 18 Top T咆(A) CC) CC) 10 一55-175-55-175 / V8E(.) VF (V) (V) 4 1c=10A 1c=10A 18=lA 最最大值2. 5 4.0 C也(pF) VcE=lOV IE=O f=
4、lkHz 600 2 引用文件GB 4587 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 3 要求3. 1 详细要求SJ 20308 93 td t , t. s)(s) (s) Ic=10A IB1=一IB.=lAO. .3 1. 8 双极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件5.0 各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸tf s)1. 8 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出线材料和涂层、R.阳性(C!W) VcE=10V Ic =2A 0.6 引出线材料应为可伐。
5、引出线表面应为锡层或镰层。对涂层有选择要求时，应在合同或订货单中予以规定。3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样相检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规程表I的规定进行，超过本规程表l规定极限值的器件应予剔阳。筛选测试或试验(见GJB33的表2)GT和GCT级7.中间电参数测试Ic削和hFE18.功率老化见4.3.1, 9.最后测试g按本规范表1的A2分组zt,.I c旺31=初的100%或300A，取较大者MFE1=初始
6、值的土20%一3一SJ 20308 93 4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:Tj-162.5士12.5.CPtot-注125W. VcE=20V 4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. 1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行.4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规程表2的规定进行.4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5 检验方法检验方法应按本规范相应的表和下列规定14. 5. 1陈冲测试冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1条的规尼。4. 5. 2 热阻热阻测试应按GB4587的2.10
7、条和下列规定。a.加工率时的Ic=2A;b. VcE=10V; c.基准温度测试点应为管壳;d.基准点温度范围为250CTc750C。其实际温度应记录ge.器件应安装散热器;f. Rtg(j刑的最大值应为0.60C/W.4.5.3 C组寿命C组寿命试验应按GJB33和本规4.5.4 恒定加速度恒定加速度的规定。GJB 33的规定进行。表1A组检验 检验和LTPD 符号mr 最单位GB 4587 方法条件A1分组5 外观及机械检I GJB 128 2071 A2 5 电极-发射极A.6 基极发射极开路I V CEO(au川850 _.J .，电压Ic=100rnA 2. 1 Vcs=1200V
8、ICBOl 0.5 rnA 止电-4一SJ 20308 93 续表1GB 4587 极限检验和试验L丁PD符号方条件最小值发射极-基极截2. 2 集电极-发射极开1cPLl 175 mA 止电流、VRE=2V 正向电流比2.8 VCE=5V hEFl 50 600 Ic =5A 脉冲法(见4.5.1)集电极-发射极饱2.3 1c=10A VCE(.凰2.0 V 和电压1R=lA 脉冲(见4.5. 1) 基极-发基极饱2.4 1c=10A, VBE(.川2.8 V 和电压Is=lA 脉冲法见4.5. 1) 一极管正向电压GB 4023 =10A VF 4.0 V 1. 2. 1 A3分组5 作2
9、TA=125士5C电极，基2.1 Vcs=1000V 1 CPLl2 10 mA 止电流工作2TA=-55C 正向电流传比2.8 VcE=5V hFEO 15 Ic =5A 脉冲法(见4.5. 1) 寸A4分。俨开出电容2. 11. 3 VcE=10V Cob 600 pF 1E=0 fl=lkHz 延迟时间A.4 Ic =10A td 0.3 s 1Bl = -ls2= 1A 上升时间A.4 Ic =10A t, 1. 8 s 1B1=一Is2=lA贮存时间A.4 1c =10A t. 5.0 s 1B1=一I由=lA下降时间A.4 Ic =20A t, 1. 8 s Is1=一Is2=lA
10、A5分组10 一一-一一一一一一一一一二 -5一检验和试验方安全工作区(直流试验12 试验3最后测试B1分组可焊性标志耐久性B2 热冲击度循环密封a. b.粗最后测试2B3 稳态工作寿命最后测试zB4 和试验(仅对GT和GCT级开帽内部自检(设计核实度B6分组寿命(非工作状态)最后测试2一6一法SJ 20308 93 续表1GB 4587 LTPD 符条件Tc=25C t=ls.单次VcE=12.5V lc = 20A VcE=20V Ic = 12. 5A VcE=200V lc = O.15A 见表41和3表2B组检验方法2026 1022 1051 1071 1027 2075 2037
11、 1032 GB 128 条 低温-55C其余同试验条件F件H件F见表4步骤1和3Tj=162.5士12.5CPtot125W VcE=20V 见表4步骤2和4TA=150C 见表4步骤2和4号件, 极限值最小值LTPD 15 10 5 每批一个o失数20(C=0) 7 , SJ 20308 93 表3C组检验GB 128 极限和试验LTPD 符号单位方法条件最最大值C1 15 外形尺寸2066 见图lC2 10 热冲击1056 试验条件A(玻璃应力引出端强度2036 试验条件A密封1071 a. |试条件Hb.粗试验条件F综合/湿度周1021 省略预处理期试验机械检验2071 最后测试2见表
12、4步骤1和3C3 10 冲击2016 按总规范2056 按总规范恒定加速度2006 按总规范最后2 见表4步1和3C4分15 (仅对海用)盐气(腐蚀)1041 外观及机械检验2071 C6分组=10 稳态工作寿命1026 Tj=162.5士12.5C PO = 125W. Tc= 100C VcE=20V 最后测试z见表4步骤2和4C8分15 热阻GB 4587 VcE=10V R,hi-d O. 6 C/W 2.10 Ic=2A 表4A、B组和C后测试GB 4587 极步检验符号单位方法条件最小值l 集电极-萎极截2. 1 Vcs=1200V 1 C!IOI O. 5 mA 止电流2 集电极
13、-基极截2. 1 Vcs=1200V 1 C!IOI 1. 0 mA 一7一, SJ 20308 93 续表4GB 4587 步检符号方法条件止电流3 正向电流比2.8 VCE=5V hFEl Ic =5A 4 正向电流比2.8 VcE=5V D.hFE1 1 ) Ic=5A 注:1)本测试超过A组极限值的收5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定6 说明事项6. 1 合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层见3.2. 1)。6.2 如使用单位需要时，典型恃性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3 直流安全工作区(见图2)。u h 运击P 5. Z2 o. o. o. o. 一8一Tc =25.C 。电极电压VCE(V)图2FHI025直流安全工作区极限值单位最小值最大值50 600 初始值的土25%SJ 20308 93 一一附加说明:本规范由中国电子工业总公司提出本规范由八七七厂和中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:张、滨、蔡仁明。计划项目代号:BOI022。-9一
