1、GB/T 1 6524 1 996 古口本标SEMI标准微型构图部分中的SEMIP6 88( 标记规范).(Specifica-tion for registration marks for photomasks)。本标准与已经转化为我国标准的SEMIP1 92(硬面光掩模基板)(GB/T15871 1995)、SEMIP2 86(硬面光掩模用铅薄膜)(GB/T15870 1995)、SEMIP4 92圆形石英玻璃光掩模基板规范(GB/T 16523 1996)、SEMIP3 90(硬面感光板中光致抗蚀剂和电子抗蚀剂规范)(GB/T16527-1996)，以及将要转化为我国标准的SEMIP21
2、 92(掩模曝光系统精确度表示准则、SEMIP22 93(光模缺陷分类和尺寸定义的指南、SEMIP19 92(用于集成电路制造技术的检测图形单元规范等项标准形成一个微型构图标准系列。制定本标准将使我国半导体集成电路光掩模对准标记的设计和制造规范化，有利于我国半导体工业生产和科研，便于与国际半导体集成电路制造业接轨，亦有利于国际间工业技术交流。本标准的格式和结构按国标GB/T1.1 1993的规甩嘀川。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位z中国科学院微电子中心。本标准主要起草人z陈宝钦、陈森锦、陈福山、冯朝斌。中华人民共和国国家标GB/T 16
3、524 1996 光准标范Specification for registration marks for photomasks 1范本规范规定了所有本规范适用于2 51用标上使用的对准标记的形状、尺寸范围和一般位置。下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的叮阳山。SJ/T 10152 91 集成电路主要工艺设备术语SJ/T 10584一94微电子学光掩蔽技术3 定义规范中所用术语的定义按SJ/T10152、SJ/T10584的规定。4 4. 1 一般要求4.1.1 对准标记的
4、完整规范应由电路设计者、掩模制造者和掩模使用者协商确定。4.1.2 规范规定制作在光掩模上的一种特定标记，用以确定同一套光掩模内，一块光掩模对另一块光的相对位置精度。4.1.3 对准标记不是预定用于确定光刻机上光掩模在同一晶片上的图像层对任何后续图像层的套准精度。4.2 对准标记的形状及尺寸4.2. 1 标记形状应呈十字形，见图1。4.2.2 标记中水平线和垂直线交叠处所构成的区域应定为利用区。在该区域内，设计者、掩模制造者者可以设置任何几何图形。但利用区内所设定的几何图形不得超过交叠区界线，见图2。4.2.3 标记水平线和垂直线的宽度(W)应相等。4.2.4 标记水平线和垂直线的长度(L)应
5、相等。4.2.5 标记水平线、垂直线的宽度和长度可以因设计规则、倍率、工艺要求而变化。表1列出各种类型的设计尺寸。本条款应符合4.2.3和4.2.4的规定。局1996-09-09批准1997-05-01实施GB/T 16524 1996 w L L w L L 图1对准标记的形状研T. 运|ijjjjjjjjjj;:2:?;23333;jjjjjjg;333i:;jjjjjzg:jjjijZj;i 利用区图2利用区表1适用于所有掩模类型的对准标记尺寸宽度W长度L利用区窗口光掩模类型m2 m2 m m lX 最小4X4最小24X24主掩模4-.,8 10- 15 最大8X8最大38X381X 小
6、4X4最小24X24步进机中间掩模版4-J8 10-.,lG 大8X8最大38X385X 最小8X8 最小48X48步进机中间掩模版8,-.,40 20-75 最大40X40最大190X190 10X 小16X16 IJ、96X96步进机中间掩模版16-80 40- 150 最大80X80最大380X380 注:窗口如图3虚线所示范围。GB/T 16524 1996 4.2.6 十字形外边所构成的四个象限中的任何一个象限均定义为空白区(窗口)(NoMans Land) , 空白区内不得设置任何几何图形和标记，如图3所示。r-寸tt1tII11111111ill-tlttt 空白区空白区 . 1111tltttEt-空白区空白区ttlilttZ1111111tll L_ - 图3空白区4. 2. 7 对准标记图形是暗区还是亮区，由使用者规定。4.2.8 标记的位置应根据每个实际应用的具体情况确定。
