1、ICS 29.045 H 21 华目目目11: -、GB/T 16595 1996 0:+ 三ESpecificatioo for a uoiversal wafer grid 1996-11-04发布1997-04-01 国家技术监督局发布一、f一一一一一一 中华人民共和国国家标准晶片通用网格规范GB/T 16595-1996 睡中国标准出版社出版北京复兴门外三旦河北街16号邮政编码,100045电话,68522112中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售版权专有不得翻印 开本880X1230 1/16 印张1/2字数10千字1997年4月第一版1997年4月第
2、一次印刷印数1-1500 晤书号,155066. 1-13652 标目308-35GB/T 16595-1996 前言本标准等效采用半导体设备和材料国际组织SEMIM17-90晶片Jj用网格规范),结合我国的实际情况制定的,用于定量描述圆形半导体晶片上非均匀分布的表面缺陷。本标准适用于定量GB/T12964、GB/T14139中品片的表面缺陷.在引用标准中,SEMIM17中引用的凡已转化成我国标准的国外标准,都引用现行的我国标准。与本标准配套的规范有GB/T16596-1996确定晶片坐标系规范。本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准由中国
3、有色金属工业总公司标准计量研究所负责起草.本标准主要起草人s吴福立。本标准1996年11月首次发布。中华人民共和国国家标准晶片用网格规吧. 手吕Specification for a universal wafer grid GB/T 16595-1996 1. 1 本标准规定了可用于定量描述公称圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。网格规定包含1000个面积近似相等的网格单元,每个网格单元相当于受检表面固定优质区总面积的0.1%。根据晶片表面上有缺陷的面积百分比(或有效的面积百分比),可定量其非均匀分布的表面缺陷例如,滑移。1. 2 把透明的网格覆盖到品片缺陷图形上或把被观测的晶片缺陷图形映到网
4、格上,定量有缺陷的面积,计算含有缺陷的网格单元的数量。该单元数除以10相当于有缺陷面积的百分比.也可将该网格叠加在CRT显示器、照片或计算机绘制的图上。使用时,网格的直径必须与所覆盖的晶片图形或图像尺寸成比例.1. 3 网格以晶片中心来定位。根据GB/T12964或SEMIMl规定的品片公称直径,使用固定优质区的概念。1.4 外延层上滑移和其他非均匀分布的缺陷,最大允许值已在GB/T14139、SEMIM2和SEMIMll 中规定,按照GB/T6624、GB/T14142和YS/T209进行观测。2 引用标准下列标准所包含的条文,通过在本规范中引用而构成为本规范的条文。本规范出版时,所示版本均
5、为有效.所有标准都会被修订,使用本规范的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。2.1 我国标准GB/T 1554 1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目检验方法GB/T 12964-1991 硅单晶抛光片GB/T 14139-93 硅单晶外延片GB/T 14142-93 硅外延层晶体完整性检验方法GB/T 14264-93 半导体材料术语YS/T 209-94 硅材料原生缺陷图谱2.2 SEMI标准SEMI MI-94 硅单晶抛光片规范SEMI M2-94 硅单晶外延片规范SEMI Ml1-94 先进电路用硅单品外延片规范3 定义腐蚀法本标
6、准中使用的定义分别由GB/T14264和SEMIMl提供。国家技术监督局1996-11-04批准1997-04-01实施1 , L GB/T 16595-1996 4 网格单元布局4. 1 网格单元平面图4. 1. 1 规定了两种网格s一种用于不带主参考面的晶片(如品片的主基准面是一个缺口),另一种用于带主参考面的品片.网格由18个同心圆分割,根据每个圆的直径确定所包含的径向分割单元数,由各个圆环面积确定同心圆的相对直径,用网格外径乘以对应的相对直径,可求出任一圆的实际直径(见表1)。表1网格单元平面图圆序号分割单元数夹角分割单元总数所包含面积比相对直径CO) N ,囔01 4 90.0 4
7、0.004 O. 063 2 02 8 45.0 12 0.012 0.109 5 03 16 22.5 28 0.028 0.1673 04 24 15.0 52 0.052 0.228 0 05 30 12. 0 82 0.082 O. 286 4 06 36 10.0 118 0.118 0.343 5 07 40 9.0 158 0.158 O. 397 5 08 48 7. 5 206 0.206 0.453 9 09 50 7. 2 256 0.256 O. 506 0 10 60 6.0 316 0.316 O. 562 1 11 72 5.0 388 0.388 O. 622
8、9 12 72 5.0 460 0.460 0.678 2 13 80 4. 5 540 0.540 0.734 8 14 80 4. 5 620 0.620 0.787 4 15 90 4.0 710 0.710 0.842 6 16 90 4.0 800 。.8000.894 4 17 100 3. 6 900 0.900 O. 948 7 18 100 3. 6 1 000 1. 000 1. 000 0 4.1.2 选择网格外径要与特定用途的晶片尺寸相对应。考虑到品片的边缘去除、直径允许偏差变化和倒角,通常选择网格直径为固定优质区的公称直径.表2示出了一系列网格圆的直径.固定优质区的网
9、格半径比GB/T12964或SEMIM1规定晶片的公称半径小3mmo 圆序号。102 03 04 05 06 2 表2固定优质区半径比晶片公称半径小3tnm的各种规格晶片的网格因直径公称直径,mm相对直径100 125 150 0.063 2 5.94 7.52 9. 10 0.1095 10.29 13.03 15.77 0.1673 15.73 19. 91 24.09 0.228 0 21. 43 27.13 32.83 0.286 4 26.92 34.08 41.24 0.343 5 32.29 40.88 49.46 200 12.26 21. 24 32.46 44.23 55.
10、56 66. 64 GB/T 16595-1996 表2(完公称直径,mm圆序号相对直径100 125 150 200 07 0.397 5 37.37 47.30 57.24 77. 12 08 0.453 9 42.67 54.01 65.36 88. 06 09 0.506 0 47.56 60.21 72. 86 98.16 10 0.562 1 52.84 66.89 80.94 109.05 11 O. 622.9 58.55 74.13 89.70 120.84 12 0.678 2 63.75 80.71 97.66 131.57 13 0.734 8 69.07 81.44
11、105.81 142.55 14 0.787 4 74.02 93.70 113.39 152.76 15 。.842679.20 100.27 121.33 163.46 16 0.894 4 84.07 106.43 128.79 173.51 17 0.948 1 89.18 112.90 136.61 184.05 18 1.000 0 94.00 119.00 144.00 194.00 4.1.3按照圆序号和该圆上的分割单元数标定各个网格单元.圆从中心向外编号,中心圆为01号,而最外面的因为18号.把主基准面参考面或缺口放在网格的底部,从第一个分割单元开始沿水平线逆时针由网格中心向
12、有延伸,分割单元从01到n逆时针依次编号.N等于圆上的分割单元总数.由逗点分开的两组数g圆序号(0118),分割单元(01的给出了一个单元的位置.单元(18,01)和(18,100)标在图1中.4.2 不带主参考丽的晶片4.2.1 不带主参考面的网格单元示于图1.该网格图由表1所规定的相对直径作同心圆和径向分割单元绘制.在该表中,最左边列出了圆的序号,因中分割单元数和分割线夹角在第二列和第三列给出.分割单元总数从中心向外)在第四列中绘出,所包含的面积比在第五列中给出,其数值为圈内含有的分割单元总数除以网格的分割单元总数1000.相对直径在最右列中给出,其值为所包含的面积比的平方根. 2。-EV
13、Mm岱22EV旧hd臂不带主参考商品片的网格图图1L一一白白F|盯白的FGB/T 16595-1996 , H筒。4.3 带主参考面的品片4. 3. 1 对于带主参考面的晶片,所有晶片的圆弧与水平弦相交所对应的角都用43.2标准夹角。选择该标准夹角,是因为该角位于GB/T12964、SEMIM1中直径为100mm、125mm、150mm和200mm 品片所规定的主参考面的最大与最小夹角之间。若使用半径比晶片公称半径小3mm的固定优质区时,则在任何情况下,网格都不会超过品片主参考面区域的边缘。4.3.2 如图2所示,该参考面向晶片内扩展,各个圆的直径同不带主参考面时一样大小。参考面垂直向下扩展(从3号圆开始),困和水平弦相交,相交弦所对应的角43.2。 204=时每图2带主参考面品片的网格图4.3.3 在参考面的扩展区域内,网格单元的面积稍小于规则网格单元面积。当计算带主参考面品片的网格单元时,该差别可忽略.假设所有网格单元都为固定优质区面积的0.00104.4 副参考面4.4. 1 该网格忽略副参考面。这些副参考面是足够浅的,当使用半径比晶片公称半径小3mm的固定优质区时,则网格外因不会超出品片的边缘。不得翻印22EV眼替版权专有晤书号,155066 1-13652 标目308-35二