1、前言本标准等同采用 年 标准版本微型构图部分中的 掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则标准是国际上公认的一套半导体设备和材料国际标准 掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则 是其中的一项 它将与已经转化的 硬面光掩模基板硬面光掩模用铬薄膜 硬面感光板中光致抗蚀剂和电子抗蚀剂圆形石英玻璃光掩模基板 光掩模定位标记规范及 用于集成电路制造技术的检测图形单元规范 和 光掩模缺陷分类和尺寸定义的指南 两项 标准形成一个微型构图标准系列本标准是根据 标准 掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则 制定的 在技术内容上等同地采用了该国际标准本标准的格式和结构按国标 第一单元第一部分的规定编制本标准从 年 月 日
2、实施本标准由中国科学院提出本标准由电子工业部标准化研究所归口本标准起草单位中国科学院微电子中心本标准主要起草人陈宝钦陈森锦廖温初中华人民共和国国家标准掩模曝光系统精密度和准确度的表示准则国家技术监督局 批准 实施范围本准则规定了在表示掩模曝光设备的精密度和准确度时应遵循的一般要求 掩模曝光设备的图形曝光精密度和准确度是通过测量制成的掩模来评估的掩模制造过程中的工艺条件对它有很大影响所以曝光条件应经厂家和用户双方同意引用标准下列标准所包含的条文通过在本标准中引用而构成为本标准的条文 本标准出版时所示版本均为有效 所有标准都会被修订使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性集成电路主要工艺
3、设备术语微电子学光掩蔽技术术语精密度和准确度的定义 表示方式 测量方法和要求最小图形定义指最小的线条和透亮的图形 以及可以区分的最小图形表示方式扫描电子显微镜 照片测量光刻胶图形或铬膜图形的 照片图形尺寸的精密度和准确度定义指制成的掩模图形关键尺寸 相对于设计值的偏差和变化量表示方式实测图形尺寸的平均值相对于设计值的偏差 及其实测值变化量应当明确说明被测的区域和抽样点的数量测量方法光学 测量电子束 测量利用掩模曝光设备的自检功能进行 测量测量要求必须测量 方向和 方向上的长线条图形的宽度测量图形的类型为孤立的图形 线宽与透亮间隙宽度之间的黑白比设计为 或者 的图形不规定应测量的线条宽度 但至少
4、必须测量三种不同线宽的图形图形实例如图 和图 所示图 测量图形尺寸精密度的图形实例之一图 测量图形尺寸精密度的图形实例之二套准准确度定义掩模曝光设备制成的两块掩模版之间的图形位置相对偏差表示方式分别标明 方向和 方向精密度和准确度应明确说明被测的区域和抽样点的数量测量方法光学坐标测量电子束坐标测量利用掩模曝光设备的自检功能进行坐标测量测量要求测量图形应是十字形标志或 形标志应从测试结果中减去测量中的旋转偏差若测量套准精度时所用的掩模是用不同版架制成的应当明确注明图 给出一个图形实例测量套版准确度的图形阵列套版图形之一细部套版图形之二细部图 测量套版准确度的图形实例图形拼接准确度定义由掩模曝光设
5、备制造的掩模上的各曝光扫描 场条纹和光束斑等拼接处边界上的位置偏差表示方式平均值 分别标明 方向和 方向准确度应明确说明被测的区域和抽样点的数量测量方法光学坐标测量电子束坐标测量利用掩模曝光设备的自检功能进行坐标测量游标尺测量用 影像进行边界测量测量要求为便于坐标测量应当在拼接边界附近的两侧布置十字形标志或 形标志的图形若用光学显微镜来测量 应当使用游标尺结构图形说明事项为了对上述的掩模曝光设备精密度和准确度逐项进行评估用户和厂家应事先对以下的问题达成一致意见工艺要求光刻胶材料涂胶条件曝光条件显影条件刻蚀条件工艺操作次序掩模衬底材料和铬薄膜材料测试图形测试方法本准则不包括以下内容但用户和厂家最好在这些问题上事先达成一致意见图形坐标图形位置准确度准确度的长期稳定性材料粒度