1、 中华人民共和国国家标准硅多晶真空区熔基珊检验方法Polycrystalline silicon Examination method Vacuum zone melting on boron UDC邸9.782, 548 .2 543.06 GB 4060 83 牛k标准适用j 氯.；，f & VLJ氢化佳氢还原在细硅芯i沉积fil多晶所吨长出米的出多品棒vtc11则杂质浓度手rt范围。.(12 20ppba p J电阻字范网500JQ()QQC m。1 方法原理1 . 1 原理利用徒以然时硅cf1j磷佣的有放分凝系数的差)jlj,IZ磷棚从硅1J 1蒸发速来的差别。1 . 2方法真空以熔泣
2、。2 试样制备1 取样部位除在梯形砖多品林硅芯搭接处或者自的硅多晶棒离:r；堪卡头JQmm段夕、均可lli1样如国l) 0 2.2试样尺寸1.1圣JO40IDIDo长度70200mm, 2.3 试样处理2. 3. 1 缸化学纯同1中洗样去油。2.3.2 f有化学纯乙的清洗2030s后用电阻率大于！OMQ的去离f水冲洗。2.3.3征优级纯日FHN 03 I ( 3 5 ）体积的混合酸液中腐蚀2min。2.3.4在；第：份优级纯HFoHN03二1: ( 3们的混合酸液中腐蚀2min, 2.3.5 )jj电阻牛毛大于10M2的：离f求冲洗试样至中性c2.3. 6将以样经超声波戎用去离f水多次煮沸，洗
3、涤，烘，包装待用。国家标准局198312-20发布19841201实施617 3 仪器设备忖热iI沃恃扩0 4 籽晶制备4. 1 籽晶规格GB 406 0 8 3 细硅芯囚T:icif!Ci样部位阁1电阳牛、大t260U/.cm的P型（l 1 1 臼单t.110切成5m m 5 m m 50m mo 4.2籽晶处理,i2. 3 it样处fljl0 5 检验条件5. 1 真空度安求J主jlj110斗l10的mm1日。5.2 区熔速度及次数;t快速！1.illl次。然而句次述且,()rnm min IX:熔13次以t戒占夺ii.XJ 1号次速度。smm.m川义燃6次以I. 5.3熔区高度吗！价驰t
4、！（jo5.4熔区行程)( t I 0个士在；正。内85.5检验结果尺寸直径10士zmm。长度大f10个熔丘。5.6熔区处理GB 4060 83 第次、第三次衣熔区都比的次F降一个侬仄高度。从第二次起每次16:1定末tf;I豆价宦水变抖发；熔区高度时间二一一一一min0 区熔速度6 1测试方法6. 1 导电型号的测试接照GB1550 79硅单晶cf电类型J测定方法中的规定i!tii测试。6.2纵向电阻率的测试按照GB1ss179硅单晶电阻率且流探针测量J法中的规定i扫J附i式。7 基础电阻率的取值佳多晶i式样经区熔检验后要求全部成P型单晶。测试结果纵向电阻率曲线分布接近JIJ!（；曲线（如图2）。Jj(从第一熔区起到检验棒长的60%处的电阻率值为碌多晶的基倒电阻2年值。（ Q m) 。附加说明z本标准由中华人民共和国冶金工业邵提出。本标准由峨峭半导体材料！负责起草。本标准主安起草人赵祖培。L (cm) x 圈2的49
