1、ICS 29. 080. 10 K 48 GB 中华人民共和国国家标准高压绝缘子瓷件GB/T 772-2005 代替GB772-1987 技术条件Tecl-:nical specifications of porcelain element for high voltage insulators 2005-08-26发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会2006-04-01实施GB/T 772一2005目次前言. 1 1 范围.2 规范性引川文件.3 术iE和定义4 技术要求25 国验76 包装川机忐.9 刚吕本标准代替GB/T772一1987(高压绝缘子器件技术条
2、件。本标准与GB/T772-1987相比主要变化如r:GB/T 772-2005 结构和编写规则按GB/T1. 1-2000(标准化工作导则第l部分:标准的结构和编写规贝IJ) ; 一一修改了壁厚偏差的规定(1987年版的2.1. 1. 3，本版的4.1.3);修改了圆度公差的规定(1987年版的2.2.1，本版的4.2.1.3); 一一删去了超声波探测检查的规定(1987年版的2.9)。本标准由中国电器工业协会提出。本标准由全国绝缘子标准化技术委员会归口。本标准起草单位:西安电瓷研究所、大连电瓷厂、南京电气集团有限责任公司、唐山市高压电瓷厂、西安西电高压电瓷有限责任公司、NGK唐山电瓷有限公
3、司。本标准主要起草人:李大楠、刘树横、林荣伟、房子章、杨明、贺建苍、董刚。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:GB 772-1965、GB772-1977、GB/T772 19870 1 GB/T 772-2005 高压绝缘子瓷件技术条件1 范围本标准规定了高压绝缘子瓷件的技术要求、试验、包装和标志的一般要求。本标准适用于标准电压高于1000 V、频率不超过100Hz的交流系统的架空电力线路、电气装置和设备上使用的绝缘子瓷件。本标准不适用于在有破坏瓷及袖的介质(气体或被体)中工作的资件。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修
4、改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是向Ilf使用这且文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 191- 2000 包装储运图示标志CeqvISO 780: 1997) GB/T 775. 1 绝缘子试验方法第1部分:一般试验方法G13/T 775.2 绝缘子试验方法第2部分:电气试验方法GB/T 775. :) 绝缘子试验方法第3部分:机械试验方法GB/T 1182-1996 形状和位置公差通则、定义、符号和图样表示法CeqvISO 1101: 1996) G13/T 2900.8-1995 电工名词术语绝缘
5、子CeqvIEC 60471) J13/T 3:1 84 -1999 高压绝缘子抽样方案JB/T 5896 1991 常用绝缘子术语3 术语和定义GB/丁2900.8、J13/T5896和GB/T1182确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3.1 斑点freckles 熔化在瓷件表面上的杂物(如铁质、石膏等)所形成的异色斑点。3.2 杂质inclusions 粘附在监件表面上的钵屑、砂粒、石英粉等颗粒。3. 3 烧缺imperfection 坯体内杂物烧去后所形成深入监件上的凹陷。3.4 气泡bubbles 因杂物分解在瓷体表面所形成的泪。3.5 粘袖glaze stick 在熔烧时，由于资
6、件相互之间或与外物粘连而损坏袖面或体的缺陷。GB/T 772-2005 3.6 3. 7 3. 8 3. 9 3. 10 3. 11 3. 13 3.14 2 碰损chippings 坯件或瓷件相互之间或与外物相碰击而伤及轴面或瓷体的缺陷。缺轴spots without glaze 瓷件规定应上袖的表面上露出的瓷件无轴部分。袖面针孔pinholes in the glaze 瓷件轴面上呈现的不深入瓷体的、直径在1mm以下的小孔。堆轴stacked glaze 高出正常袖面的积轴部分。折瘾folds 坯泥折迭在坯件表面有限结构Ii 影响瓷件装配瓷牛公称尺寸d d45 456时，瓷件轴线的直线度由
7、供需双方协议。nlnl 盯1口1皿级土5.5 士6.0L7 .0 由于轴线的弯曲可能引起资件伞裙的倾斜而影响瓷件两端与金属附件的装配时，瓷件两端伞裙倾斜不ll使Hnl川、-H ,;, (O. 032D十3)mm(Hnwx为伞裙至端面的最大距离，Hmi!l为伞裙至端面的最小距离，D为瓷件端部伞宿直径，单位均为mm)0 4.2. 1. 3 瓷件的困度应符合下列公差:当D三三300时，(0.04D十1.5)mm; 当D300时，(0.025D十6)mm;这里，D为瓷件直径，mm。当D为瓷套内径时，应为(0.025D十1.5)mm。当未测量瓷件的圆度而测量瓷件圆截面的直径差时.其最大直径与最小直径差值
8、的一半不应超过如下值:当D三三250时，(0.01D+2. 5 )mm; 当D250时，0.02Dmm。4.2. 1. 4 盘形悬式绝缘子和针式绝缘于资件的伞缘变形度，不应超过0.02Dmm(D为资件伞裙直径，mm)。伞的变形不应导致正常使用情况下在伞的上表面产生积水现象。4 4.2.2 瓷件经磨削后的形位公差及表面粗糙度4.2.2.1 瓷件两端面平行度不应超过:等级IO.18%D mm 等级IIO.35%D mm 等级皿O.52%D mm 式中:D资件直径，mm。4.2.2.2 资件的上下端同轴度不应超过:等级1O.15%H mm 等级IIO.25%H mm 等级田O.30%H mm 式中:
9、H瓷件长(高)度，mm。4.2.2.3 瓷件端面的粗糙度不应大于表4的规定。表4磨削端面粗糙度表面粗糙度Ra25 12.5 6. 3 11口、无密封要求，只是适用范围由于制造上的原因需汹密封面要磨削时GB/T 772-2005 3. 2 1. 6 气体密封面特殊要求的光滑面注:检查时，一般可采用试品与标样(瓷)凭目力观测的方法进行比较.必要时采用仪器进行测量。4. 3 瓷件的外观质量4.3. 1 瓷件应按图样在规定的部位均匀地上一层光滑、发亮并坚硬的袖，袖面应无裂纹和影响其良好运行性能的其他缺陷。袖不应有显著的色调不均现象，但因袖较薄而颜色较浅是允许的，例如在半径较小的边缘部位的轴面。4.3.
10、2 瓷件表面缺陷不应超过表5的规定，且不应影响瓷件的安装和连接。表5瓷件表面缺陷最大允许值瓷件分类单个缺陷外表面缺陷斑点、杂质、粘袖或碰损面积缺袖深度或总面积HXD 类别口1口)2烧缺、气泡等直径mm2 内表面外表面高度mm2 口1口1mm2 mm2 mm HXD 1 500 000 12 100.0 400.0 200.0 2 HD 100十1 000 注1:表中，H为瓷件高度或长度.mm;D为瓷件最大外径，mmo注2:内表面(内孔及胶装部位，但不包括悬式头部胶装部位)缺陷总面积不作规定。注3:括号内数值适用于线路针式和悬式绝缘子的瓷件。5 G/T 772-2005 4. 3. 3 当耐污型
11、产品的L/H 2. 2时CL为爬电距离，H为瓷件高度)，其允许的缺陷总面积，不应大于表5中规定的外表缺陷总面积乘以主一2H。4. 3.4 至件主体部位外表面单个缺袖面积不应超过25mm2。4. 3. 5 轴面缺陆不能过分集中。袖面针孔在任-500 mm2面积范围内应不超过15个。总针孔量不应超过50+DxL/1500个CD为瓷件直径，L为瓷件的爬电距离，单位均为mm)。积聚的杂质(例如砂粒)应算作单个缺陷。4.3.6 堆袖、折痕的高度或深度应不超过表5的规定，刀痕和波纹的深度不超过0.5mm，这些缺陷不计算面积。4. 3. 7 壁件蜡烧支承面不上袖部位不算缺陷，计算其面积。磨削部位表面不算作缺
12、轴瓷件类别不上袖高度盯1口14. 3. 8 线路绝缘子坚电器和配电装置以上裂纹的外表面缺陷总面积4. 3. 9 瓷件表面4. 4 孔隙性试验资件剖面应均Pa，压力CPa)与时4.5 温度循环试验瓷件应能耐受三瓷件类型B型瓷件A型瓷件600750 长不应超过低于20X 106 温度差。C70 60 50 70 40 d三5070 50 150 40 注1:当瓷件的直径、高度或厚度(或杆径)分别与按表中确定的温度差不同时，应取最小温度差作为瓷件温度循环试验的温度差。注2:厚度定义按GB/T775.1的定义确定。注3:瓷件循环试验时在冷或热水中停留时间的规定见GB/T775. 1。6 GB/T 77
13、2-2005 4. 6 瓷件(瓷套、瓷管)壁厚工频击穿电压瓷件(瓷套、瓷管)壁厚工频击穿电压不应低于表8的规定。表8壁厚工频击穿电压壁厚10 15 20 25 30 40 50 60 口1口1工频击穿电压65 80 90 100 105 115 125 135 kV(有效值)注:当瓷件壁厚介于表中的中间数值时，其击穿电压按线性插入法确定。4. 7 逐个电气试验要求(仅对B型瓷件或空心瓷件)作主绝缘用的B型及空心瓷件，应发热。作非主绝缘用的瓷件，其规定值的1/2。对于小型瓷瓷件发生闪络时的电压值4.8 机械强度5 试验1)5.2 逐个试验出厂的每一求，则此瓷件不符序号外2 3 4 5 6 5.
14、3 抽样试验5.3. 1 抽样规则花电压试验而不击穿、损坏或异常的任何一项要瓷件应按批进行验收，以同一工艺方法制成的同一型号(或代号)的瓷件算作一批，大型及特大型瓷件(指表5中5类及以上资件)批量不应超过500只，小型暨件不应超过3200只。瓷件应按批进行抽样试验，抽样试验在逐个试验合格后的批中随机抽取试品进行，抽样规则按JB/ T 3384的规定。1)第5，6章的条款仅适用于以瓷件为产品出厂的情况。7 GB/T 772-2005 批量与样本容量(每项试验的试品数)字码关系按表10的规定。表10批量与样本容量字码检查水平批量N一一一S 1 S一2S 3 :0( 15 A A A -一_，162
15、5 4气八B 二2650 A B R 5190 B B C 91150 B B C 151500 B C () 5011 200 C C E 1 201 3 200 C D E 注1:表中字母A.对于特大型产品，允词样本容最为.1 注2:如无特殊规定，检查水平按下列规定:a) S-1一特大型瓷件(指表5中7类): hl S一2大型瓷件(指表5中56类l，c) 5-3 J般瓷件或有重要要求的瓷件。计件抽样方案的判定准则见表110表11判定准则判定数样本字码样本容量A R A AC R , R A 11 , 。I L斗二11 , 2 o 八旦戈巴11 4 n1 3 。2 C n 6 2 111 5
16、 。2 D 卜一112 10 1 2 11 , 8 。2 E rz 16 ? 3 注:人接收判定数。第一次抽样的接收判定数为A.cl，第二次抽样的接收判定数为A2oR, 拒收判定数。第一次抽样的拒收判定数为Rel第二次抽样的判定数为R2011 , 一次抽样的样本容量或一年次抽样的第一次抽取的样本容量。2 二次抽样的第二次抽样的样本容量。5.3.2 抽样试验项目及试验顺序抽样试验项目及试验顺序规定见表12。8 GB/T 772-2005 表12抽样试验项目序号项目名称试验根据试验方法试品数量尺、j反形位公主r:检f!本标准第1.1反.2条CWT 775. 1 按抽样方案规定抽出总数的全部卜2 温
17、度循环i式验本标准第1.5条C1VT 775. 1 经项l试验后的全部机械破坏负荷试验本标准第4.8条C;B/丁775.; 按抽样方案规定并经项21 试验-一二一一一一一一一4 孔隙性试验 L :1条IC B!T 775. 1 !啊方案规定的叫日l相同的瓷块.但不得少于3块注1:尺寸及形位公差检查的项日(包括爬电距离)fll由产品标准规定。注2:大明反特大型瓷件经温度循环试验合格的试l171可以提交用户使用。注1迸行权饥L械破j坏J才不f仁、负衔的神类山f泞吧午飞工气1iLVI/I忡1厅准E规规!定但初机l械破坏习不、负荷试3验金f布存1可-两仲旦或立t苦n种H时才其i以式品数I垦量l应汪为检
18、查水平规定数量的两倍或若干倍J注4:孔隙性试验用的试块.可以选取机械破坏负荷试验后的瓷块或用相同工艺制造的同等厚度的试块进行。试验采用计件二次抽样方案(咛样本容量为U才.采用i十件次j案)，其判定程序如下:如果第一次样卒111中，干、什恪品数dl气-二/1l1则接收该.nt。如果dl二三Rd则拒收该批。如果AdI1EIVI川经破坏试验后的瓷块，每只试品取一块一一一一一一-一一一一一一一一一一一一注1，尺飞j及形位公差检查的峡目(包括爬电距离)应由产品标准规定。注2:孔隙性试验和壁厚工频击穿电压试验时.女r1瓷件试品仅只时，则应选取三块瓷块进行。注3:进行机械破坏负荷的种类由产品标准规定，若机械
19、破坏负荷试验有两种或若干种时，其试品数量应为规定数f式的两倍或若干倍。6 包装与标志6. 1 瓷件的包装必须保证在正常运输途中不致因包装不良而损坏瓷件。有特殊要求的瓷件应保持瓷件表面清洁干净，密封表面应严加防护。9 GB/T 772-2005 6.2 在件应在图样规定的部位清晰而牢固地标出制造厂商标及制造年份。6.3 瓷件包装箱(或篓)上应标明:a) 制造厂名称;b) 瓷件型号(或代号); c) 瓷件数量;d) 包装箱的重量;e) 符合GB/T191规定的易碎物品、禁止翻滚标志图形。6.4 随着每批送交的瓷件应附有产品检验合格证，此证应具有制造厂技术检验部门的印章。10 mCON-NhhH阁。华人民共国家标准高压绝缘子瓷件技术条件GB/T 772 国和中2005 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045 并网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销号陪印张l字数21千字2006年2月第一次印刷开本880X1230 1/1 6 2006年2月第一版书导丑i如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533定价12.00书号:155066 1-2706 GB/T 772-2005
