1、Q.I 中华人民共和国航天工业部部标准QJ/Z1们-85电子元器件撞锡工艺组则1985-10-01发布1985-10-01实施中华人民共和自航天工监部批准中华人民共和国航天工业部部标准电子元器件撞锡工艺细到QJ/Z147-85 1 适用范围本标准适勇于就天电子产品中对各种电子元器件的搪第处理，民用产品可参I!l执行。2 引用文件自本标准lE式批准之日起，f列文件在本文规定的范圈内构成本标毒室的一个组成部分，QJ/Z 153 - 85( MOS集成电路安装工艺绍到E主材料、工具、设备3，1材料a，悻料HISnPb89 OB31 31-82 队801抗氧化得料699厂生产C.氢化松香d , cC水
2、乙醇工业给OB67 8-78 3，2工翼电烙铁(-毅为20瓦内热式、3O)乙、50瓦，或者采用温控烙铁飞无齿孚头楼C，医用罐子式绘到橡皮飞刮刀r，砂茸23.3蝇备.，锤锅要求用不锈钢或综铁制成b，超声波搪镑祝C，超声擦边蜂揍锋事L4 技术要求4，1环羹条伶4，1，1揍锡3二作远的温度为25土50C。4.1，2捷锡王作1可她相对边度应保持在80-75%。4.1.3当使!fl超声波设备进行捺键碍，必须要有独立的工作场所，以免弱耳的超声影畹他人的工作，4.2搪镶捕的准备4.2.1认真清点元器件数量，主主着重检查元器件前外观应无损伤，型号、魏格、标志清哥哥，捺层完好，如有不符合上述情况的应于巍除。4，
3、2，2各神元器件搪谣言可应用无齿孚头绪校重引线密封继电器除外)，严禁使用尖头销或运厨锥子技豆豆i线。航天工业部1985-10-01S1:事1量86-10-01实施 1 QJ/Z147-85 4.2.3当无法件到线表面粘污或氧化严重肘，可以用刮刀或砂纸去除污染或氧化层，去除E苦无器件sl线根部长度应符合本文4.3.1条的视定，并且不允许在引线上产生刻策。4.2.4凡中、小功率半导体三极管引线是可伐丝制成剖，应尽量避免采用4.2.3均方法。若其引线粘污严重，也只能轻都不可将引线主的楼层镀金层、镀键层全部刮幸言，否则将要影响结结质量。雨大功率半导体三极誉的发射极、基极需搪锡肘，照必须将镀层全部声IJ
4、最e4.2.5扇平封装集成电路的引线不允许用81J刀宿涂氧化层，只能用绘图橡皮轻辈辈。4.2.6当MOS集成电路、场效应管搪锋时，必须严格遵守QI/Zl58-81始有关统定-4.3工艺要求4.3.1元器待言!线根部不结镑的长度应大于等子2厘米，带穿线孔的器件主事锡长度要障基为过毡，穿线孔内无残余得料，带孔状焊智的器件要在主弹将治游焊管空i碍。4.3.2扁平封装集成电路应先成形后再撞镇，搪键的要求觅囹1.卢蜡室主墨子ty理14.3.3当采用不同王其搪销时，对揍镑温度和揍锡时间能规定可参照下表执行。 内tf 搪瓷温度(C) 撞银方式飞电烙铁搪餐3 0 0主10 渴镜主量镜不大于29 0 皇军声主主
5、主音错240-260 搪主事经甘闰f秒)2 1 1-2 4.3.4在妞定搪荡时间内没在完成捷键邸，可传被搪锦伶冷却后再进行一次捷锦操作，但最多不得超过三次a当三次搪锡失败后，应立即停止操作芷查找原困氧化层来自I净、得J使用不当、设备去主障等)，待原因分析清楚后再送行靠哥德操作。4.3.5凡轴向式元器件送行搪锦操作时，一端引线搪上镜后，要待其充分冷却，才能对另一品*51线i芷行搪锡操作。4，3.6密封继电器搪锋时，要在sl线根部的玻璃绝缘于上盖一层牛皮纸或纱布，以护绝缘F损桂/，4.3.7辈革敏器件应采取冷却措施后，才能遂行捺主届主是作e4.3.8非密封继电器、波段开关、摇头主盖等主是俘，一般不
6、立用语锅搪锚，uJ采用电洛铁摇撼，被捷件应向F直主倾斜45度角，严禁焊J、焊将就人器件内部，影司向主妾勉效呆。见图2，.2. QJ/Z147-35 闺孟4.4电建铁罐罐4.4.1不民约元器侍应采用不同王军事的电烙铁送行援锚，一般采黑2.0瓦内主主式郎可，遇到元器件的引线直径毅粗Il!钮电容、大功率半导体三极营的基板、发射援等).可采用50瓦的电结铁e4.4.2用左手握住元器件，使主l线一端向下倾斜盐靠近氢化捻番，右手拿电烙铁，络铁头上应带有运量焊辛辛，先将结铁头碰一下氢化捻番，层的是加上适量部主草剂，然后将结铁头很快移至元器件51线上，翻着引线上下不断总移动，左手同时转动元器件，持引线图周苦苦
7、撞上键后，将元器件放下冷却兑图3.) 4.4.3元器件呈水平状态翻在氢化栓香主，络技头带适量焊料靠上51线加势，待罢!线粘上适量虫草剂运，将元器件移开氢化松苔，烙铁头领着寻|线上下不腾地移动，左手问得转动元器件，待至1线归属都撞上镜后，将元器件放节冷却见图垂。4.4.4刻用猪释均氢化松番作焊荔剖，把引线浸到离报告在略大于4.3.1的规定距离，然后到路铁头上带有适量焊斜的电烙铁室主主搪竭。4.4.5带穿线孔街元器件搪镑方法类似手工锡芹的主主焊方式，被搪件兹在工作台上盖i部下倾斜45度，左手拿焊镑丝，右手拿电烙钱，络铁头主应无余量焊抖。先将络铁头靠上被撞件进行1回族，然后注入少量焊镑丝，依靠焊锡丝
8、中的挥部使穿线孔凋匿都捷上镇，丽孔内无残余生草料存在等该主童画所有穿线孔捷键全部完毕，再把被撞件翻转18 0度重复上途操作，在主穿线孔的两个端重毒者在搪上键。自建S愿44.仁E带孔状焊管的元器件撞!方法基本上l司是.4-.5，但被搪停放在工作台上应呈水平状态或者是将向上翅恙，络铁头上可带适量焊科，攘键时一定要使焊科站满焊管空i碍。4.5镜镜擅铺4.5.1当使用镶锅捷锡时.1m热设备必须杏调节装室，以便控制捷锦温度。4.5.2在整于搪锡过程中，应不断清除结浴iI上的氧化残渣，确保绪第件表面光滑哥哥亮，无残渣位捕。4.5.3用手捏住元器件的端，挖另端51线浸入襟释的氢纪检香溶液中，浸到离根部疆各大
9、于4.3.1约规定距离，然后拿出来再垂直浸入主墨镜中，在楼定的错锡财!国内拉出来，主唐镇工作BPi量完成回4.5.4为了提高效率，可多只元器件同时操作.51线之闵保持基本平行，主是作方法同岳.5.80. 3 QJ/Z147-85 4.5.5如带穿线我的无器件采用镑锅搪锡肘，援f!=方法同4.5.3，捷锡后的5重量要求应符合本文4.3.1和4.8.8条街规定。4.6超声波撞镶超声援撩锡机和超声泼泼峰捷铸就所不隐岛是，后者在变幅杆头部黑固有锦始a主动，其接作方法是基本格爵的。4.6.1在搪键时用手捏住元器件的一端，把需捷锡的部位(.盖主|线全部浸入锡搭中，紧贴变幅享f;稳函，在规定的第锡对伺肉拉出
10、来flIJlif.在操作过程中捏住元器件的手可感受裂变辍轩的振动，主口被捷件跟变辐抨端面成面接站，这种感受到的振动为最大，搪镶效果也最好。4.孔2当多只元器件饲时结锡阂，号i线之隔必须保持基本平行，按是.6.1操作方主主进行。f!捷键后的哥!线在未冷主事前不能相碰，以免引线之词梧互粘连磁产生毛娓a4.6.3当元器件的51线较辈辈，较柔软肘，搪每时饲可适当翁短，否则其引线根部在超声作用F会变绍，影确引线的机梭性能。4.6.4凡元器件的引线是王军伐丝或经楼合金丝龄戎肘。除按4.6 1操作方法进行后，还必须把元器件旋转18 O莹莹复操作一次，每次约操作时到控刻在3-4穆钟。4.6.5元器择在辈辈缀苦
11、苦，因变锯杆篇报动所形成劫镶雾，会被落在雪l续报喜事周密。解决结方法是z将31线字过一、二层纱布后再送行捷锡操作，防止镑雾被落在引线根部周自室。这种理象在半导体三极管播锈财尤为严重。4.6.6对于园管封装集成宅路引线的搪簿，困寻i线较多可采用分批方法进行，操作过程到4.6.40撞撞5.1外混撞董5.1.1攘好荡的元苦苦f4外貌应无损伤、裂珑，漆层应完好无线羔、脱落现象，元器件的型号、规格标志应清晰不模鹅。5.1.2辈辈甥撑住的表西应光滑魏亮，无泣尖毛将现象，镑层厚薄应均匀，无残渣和挥手博稳咐。重重点检查引线根部有无露营裂脱落魂象。5.1.3检查无器停引线艰苦苦不楼锡*度却要求应符合本文4.8.
12、1豹蔑定c5.1.4检查榕锈喜事泣的根结只允许少量焊JilJ存在，对于接触件要重点检查烬剂和焊料是否流入器作内部，如有发现应立flIJ剔除。5.2捕魏部位的栓赛5.2.1挖结怨部位在镑溶中授一下，拉出来观察其表到应被焊料全部包住，如发现在黑点或焊料没搪上的地方，则搪魏质量为不合格。5.2.2展电烙铁接触搪络部位，使其表面的焊桦熔化，待冷却廷观察搪主理部位麦丽，如无黑Q.号宇存在，!if!f黯臻质量合格绚5.2.3按5-10 %比例捻样检查。自安全与注意事震6.1对竞器件的要求6.1.1元器件的捷锦吉普位在去除氧化层层应立即进行搪第E不超过2小时)，以兔再次氧化和粘污8.1.2搪部后弱无器件，要
13、按型号、规楼分到归主持，不能混2雪。在.1.3元器件搪锋活要及时使用f不超过一周)，暂能不瘤的要放在塑料袋中密封保存。在.2对撞翻设备属要求.4. QI/Z147-85 6.2.1搪键设备要杏专人负责操作使用，工作场所应有透风管道辛辛除污气，操作人员应穿白工作想戴工作精及口罩防止污染。6.2.2当搪缮设备里的德浴未凝匮前，不准移动搪键设备。吉.2.3越南藐设备要定媲维护主量修，变徊抒竭E重由于空化腐蚀会造成许多草草点，影病超声能量传递，因此使用段时问后应予平整。6.3对事辑约要求6.3.1捷键设备中的祭料，在使用过程中必须定期对其军辈份遂行理化分析，时闵可魏据使用情况E否定，一般为1-3个月遂行一次.6.3.2得料中的杂质套多种，对电装来讲最易掺入的杂E童对织和金，铜使得点变硬、脆，芷提高士军事辛熔点温度每增加0.1yo镖，温度升高10 C ) ，金使焊点变麓，烽m:焊点机械强度。如果斧料中含锅夫子0.25%或者含金大于0.05%衍，应全部i换新焊棋。曾如说明s本标准由主主天部五三九厂负责起草。本标准起草人徐庚扬.5
