1、客也_. I . FL 5971 石|飞;住SJ 20843 2002 Quantitative detennination of AB microscopic defect density in gallium arsenide singl巳crystal2002-10-30发布2003-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准寸中华人民共和国电子行业用标准E申化稼单晶AB微缺陷密度Quantitative det臼E皿ationof AB microsc口picdefect density in gallillm arser世desingle Cl)stal 1 范围1. 1 主题内容本
2、标准规定了耐化综单品中1.2适用范围本标准适用2 引用文件本章无条文。3 定义3.1 AB腐蚀液用于3.2 AB 3.3 AB 单位面积内4 -假要求4. 1 测量的标准大a. 环境温度:18 b 相对湿度:运4.2 测量环境条件测量应在洁净实验室内5 详细要求5. 1 方法提要, SJ 20843 2002 采用择优化学腐蚀技术显示缺陷。肺化稼单品中富E申析出相等缺陷处，在AB腐蚀液中优先受到浸蚀，形成腐蚀坑。计量单位面积上腐蚀坑的个数即得到AB微缺陷密度。5.2 试剂和材料5.2.1 硝酸银(AgN03)，分析纯。5.2.2 三氧化络(Cr03)分析纯。5.2.3 氢氟酸(HF)，优级纯。
3、5.2.4 去离子水.中华人2002-10-30发布2003-)3-)1实施硫梭(H2S0.).优级纯.双氧水(H202)优级纯。金刚砂.305气SJ 20843-22 5.2.5 5.2.6 5.2.7 5.2.8 5.2.9 化学抛光液，按H2S0.:H202: H20=3: 1: 1 (体积比)配和U.AB腐蚀液，按如下比例配制2H20 20ml AgN03 80mg crOJ 10 g HF 10 ml 配制时，应按上述民序加入塑料烧杯中.5.3 仪器、设备5. 3. 1 装有微分干涉附件的金相显微镜，放大倍数大于或等于100倍。5.3.2 图象分析系统。5.3.3 塑料烧杯。5.3.
4、4 塑料最筒。5.3.5 天平，准确度。1mg. 5.4 试样制备5. 4. 1 从单晶绽的待ftlU部分经定向后切取试样，试样厚度应不小于0.6mm、品向偏离度不大于驴，并不应碎裂。5.4.2 对于圆形单晶片，试样可以是整片，也可以是114回片，试样为1/4囚片时，取样时在X、Y方向的长度应大于半径，以保留测量点的位置。5.4.3 将取得的试样用30S金刚砂水浆研靡，以佼表面平整光洁无划痕.5.4.4 将研磨好的试样用新配制的化学抛光液抛光或机械、抛光，以使表团平滑呈镜面。5 5 程序5.5. 1 AB微缺陷显示5. 5. 1. 1 将试样置于温度为室温(18C2SC)的AB腐蚀液中，腐蚀5
5、min15 min.腐蚀过程中应不断搅拌。5.5.1.2 将腐蚀后的试样放入盛有去离子水的玻璃烧杯中，加热清洗。5. 5. 1. 3 驭出样品，吹干表面。5.5.2 AB微缺陷的特征用金相显微镜在100倍或200倍下观察，其E申化t家单晶AB微缺陷密度较高时的典型形态为呈链状排列的腐蚀坑。图1为半绝缘石中化嫁单晶AB。回回国回回图1AB微缺陷的典型形态X200 2 / SJ 20843-2002 5.5.3 5.5.3.1 a 测量测量点位置去除品点为一测量点，b. D 如图3所示，在整个试样表面上取点。2. 图3中，W为试样宽度，L为测量点之间的问隅。W30mm时，取L=3mm。30运W50
6、mm时，取L=5mm。50运W80mm时，取L=8mm.80W120mm时，取L=12mm. W;120 mm时，取L=18mm.5.5.3.2 测量点的面积每个测量点的面积应不小于0.6mm2.5 5 3.3 AB微缺陷密度(AB-EPD)测量( 110) 沿(110)、J寸中心3 一一一-SJ 20843-2002 a 将试样置于金相显微镜我物台上，放大100倍。调焦，佼图象分析仪监视器显示的图象清晰。b 按5.5.3.1规定的测量点位置分别检测各测量点的AB-EPD。每个测量点可适当选取视场数目，以满足每个测量点的面积。.图像分析、数据处理。d. 记录每个测量点各视场腐蚀坑的数目，取其平
7、均值即为该测量点的AB微缺陷的个敛。5.6 结果计算AB微缺陷密度(AB-EPD)按下列公式计算.AB三nNa n; 式中;AB一-.AB微缺陷密度(AB-EP时，个/cm23n一一测量点的数目:N，一第i个测量点的微缺陷腐蚀坑数目，i= 1,2,3n c一一计算系敛，单位cm气c=l/s;s为视场面积。5. 7 精密度本标准测量误差小于土35%。5.8 报告按下列格式填写测量报告。5. 8. 1 圆形柿化综单品片AB-EPD测量报告如表10 表1图形单昂片AB-EPD到1)量报告样品编号腐蚀时间mm 测量点及腐蚀坑数(1 10) (010) 1 2 3 4 5 AB-EPD平均值-1、lcm
8、24 年月机场面积n刀刃z ( lO) 中心点6 7 日SJ 20843-2002 5.8.2 D形柿化镣单晶片AB-EPD测量报告如表2.表2D J形单晶片AB-EPOIJ量报告样品编号腐蚀时间nn且测量点及腐蚀坑数2 3 第1排第2排第3排第4排第5排AB-EPD平均值个Icm2附力口说明:本标准由信息产业部电子第四研究所归口。本标准由信息产业部电子第四十六研究所负责起草.本标准主要起草人z用智慧、段曙光、章宏辉。本计划项目代号:B05003. 4 年月日视场面积nun 5 6 十5 士一一NOON-m寸目。时，中华人民共和国电子行业军用标准币申化综单晶AB微缺陷密度定量检验方法SJ 20843-2002 * 版刷行出印发中国电于技术标准化研究所中国电子技术标准化研究所中国电子技术标准化研究所电话:(010) 84029065 传真:(010) 64007812 地址z北京市安定门东大街1号邮编:100007 网址: * 印张z工16 2003年4月第一版2003年4月第一次印刷字数:14干字1/16 开本:880X1230 版权专有举报电话:(010) 64007804
