1、GB 11030 2000 前占1日本标准是等效采用！EC383 1, 1993（第四版）标称电压高于1000 v的架空线路绝缘子第部分：交流系统用瓷或玻璃绝缘于元件一定义、试验方法和验收准则制定的。按！EC383 I，本标准主要增加了抽样试验中抽取三倍试品数量的重复试验程序和等效的电气、机械型式试验条件的内容。本标准与原行标JB/T8180 1995（由GB11030 1989降为JB/T8180 1995，其内容不变）相比，在产品分类方面取消了上帽管径为50mm类的产品，增加了爬电距离为1500 mm类和弯曲强度为8 kN类的产品，将爬电距离为850mm类的产品作为过渡型产品列入本标准的附
2、录B中，在特性方面将人工污秽耐受电压由29kV提高到31.5 kV。本标准自实施之日起，同时代替JB/T8180 1995, 本标准的附录A是标准的附录附录B是提示的附录。本标准由国家机械工业局提出。本标准由全国绝缘于标准化技术委员会归口。本标准由西安电瓷研究所负责起草。本标准主要起草人了京玲、蔡梅成。本标准委托西安电瓷研究所负责解释。7 I部中华人民共和国国家标准交流牵引线路用棒形瓷绝缘子Rod porcelain insulators for a. c. system traction lines 1 范围GB 11030 2000 eqv IEC 383 1 , 1994 本标准规定了交
3、流牵引线路用棒形瓷绝缘子（以下简称绝缘子）的分类与命名，技术要求，检验规则与试验方法，包装、标志、运输与贮存。本标准适用于污秽地区交流工频单相25kV牵引线路绝缘和固定导线用的绝缘子。绝缘子安装地点环境温度应在4oc4oc之间，海拔不超过1000 m, 注海拔超过I000 m时按GB311. I判定其适用性。本标准不适用于对绝缘件和金属附件有严重腐蚀的环境下使用的绝缘于。2 引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB 311. 1 1997 高压输变电设备的绝
4、缘配合（neqIEC 71-1,1993) GB 772 1987 高压绝缘子瓷件技术条件（neq!EC 233,1974) GB/T 775. 1 1987绝缘子试验方法第1部分：一般试验方法GB/T 775. 2-1987绝缘子试验方法第2部分电气试验方法GB/T 775. 3 1987绝缘子试验方法第3部分：机械试验方法GB/T 2900. 8-1995电工术语绝缘于（eqv!EC 4 71) GB/T 4585. 2-1991 交流系统用高压绝缘于人工污秽试验方法固体层法（idtIEC 507, 1975) JB/T 3384一1999高压绝缘于抽样方案BIT 4307 1986 绝缘
5、子胶装用水泥胶合剂技术条件JB/T 8177 1999 绝缘于金属附件热镀铐层通用技术条件JB/T 9674一1999超声波探测瓷件内部缺陷JB/T 9673 1999 绝缘子产品包装3定义本标准所用术语的定义均按GB/T2900. 8的规定。4 分类与命名4. 1 绝缘子按安装方式分为悬挂、定位和腕臂支撑式三种。隧道用悬挂、定位式，区间，站场用腕臂支撑式。4.2 绝缘子的主要尺寸与特性分别符合图l图4和表l的规定。国家质量技术监督局2000-01-03批准2000 03 01实施749 GB 11030 2000 7 ,i(J 乓l乓b N E 图l 也图3bE it 图2r、图44 也I0
6、: 俨吝 ? GB 11030-2000 表1绝缘于主要尺寸与特性主要尺寸，nrn 最小公称雷电圭波人工污秽耐工频湿耐额定弯曲爬电距离冲击耐受受电压受电压.kV破坏负荷序罔绝缘于（主绝缘电压kV 不小于型号H D d, d, h, h, b 辅助kV a 号号绝缘）峰值）有效值）盐啻mg/cm不小于kN 泣1m不小于0.1 o 3 QEJ 25A 1 21 56 600 430 145 21 30 30 16 1000 205 105 31. 5 2 QX I zc, 2 3 QEZ 25A 21 56 690 510 145 21 30 30 16 1200 270 130 31. 5 4
7、QX2 25 2 0 QE3 ZSA I 21 56 690 510 155 21 30 30 16 1500 310 150 45 6 QX3 25 2 7 QBl-25/4D 660 410 165 1000 205 105 31. 5 8 QB25/4D 760 490 185 1200 270 130 31. 5 4 3 62 21 90 30 16 9 QB3 25/4D 780 520 zoo 1500 310 150 45 10 QBZ-25/80 760 490 185 1200 270 130 31. 5 8 II QBZl-2.l/4D 740 410 170 100112
8、1 205 105 31. 5 12 QBZZ 25/4D 850 490 185 1200/145 270 130 31. 5 4 4 62 21 90 30 16 13 QBZ3 25/4D 870 520 200 1500/140 310 150 45 14 QBZ2-25/8D 850 490 185 1200/145 270 130 31. 5 8 4.3 绝缘于型号及符号含义型号表示方法：口口口口m口符号含义：连接型式特征数字（标称电压kV弯曲负荷kN)爬距级别结构特征（包括单、双重绝缘子和上半导体精）使用场所产品名称Q交流牵引线路用棒形瓷绝缘子：X一一隧道悬挂；E隧道定位；B 区
9、间、站场腕臂支撑；z一双重绝缘（单绝缘不表示）; s 一上半导体和；额定拉伸破坏负荷kN 40 40 40 40 80 40 80 75 l GB 11030-2000 A 下附件安装为双孔（单孔不表示KD上附件安装为管径：1、2、3分别代表爬距为1000 mm、1200 mm和1500 mm的产品。5 技术要求5. 1 绝缘于应按本标准及规定程序批准的图样制造。5. 2 绝缘子瓷件外观质量应符合GB772的规定。绝缘于瓷件外露表面应均匀地上一层瓷袖，轴色自供需双方商定。5. 3 绝缘于主要尺寸的偏差为2土20mm; d, ,d, +t: mm; a, 1 mm; b z十l内盯1盯1内：对未
10、注偏差的所有尺寸（包括爬电距离）为当E300mm 时士（0.04E+l. 5) mm; 当E300mm时，土（0.025+6. 0) mm; E为被检查的尺寸，单位mm。5.4 绝缘子形位公差应符合如下规定：a）绝缘子瓷f牛输线直线度应不超过其长度的l% ; b）悬挂、定位用绝缘子上、下金属附件安装面应在同一平面内，其平行度不超过5mm; c）绝缘子上、下金属附件的同轴度应不超过归mm,5. 5 半导体袖绝缘子轴层电阻值应符合工广产品图样中所做的规定。半导体轴层外观质量及其电阻的测量方法按附录A的规定。5. 6 绝缘子瓷件的剖面应是均质的，经孔隙性试验后不应有任何渗透现象。孔隙性试验的压力应不
11、小于20MPa，压力与时间的乘积应不小于180MPa h, 5. 7 绝缘子瓷件在胶装前应逐只进行超声波探伤检查，瓷件内部不应有超声波能发现的缺陷（如生烧、氧化、开裂和气孔夹层等。5. 8 绝缘于应使用相当于JB/T4307规定的E类水泥胶合剂进行胶装，瓷件端面与金属附件之间应垫以缓冲衬垫，瓷件及金属附件与水泥接触面应均匀地涂一层缓冲层，外露水泥表面应平整无裂纹，其平面度应不大于3mm，外露砂层高度不大于10mm, 5. 9 绝缘于金属附件表面应全部热镀镑，其钵层质量应符合JB/T8177的规定。5. 10 绝缘子应耐受三次温度循环试验而不损坏，试验温差为70K, 5. 11 对于悬挂、定位式
12、绝缘子应能耐受lmin拉伸负荷试验而不损坏，其试验负荷为额定拉伸破坏负荷的60%，对于腕臂支撑式绝缘于应耐受l0 s弯曲负荷试验，其试验负荷为额定弯曲破坏负荷的60%。6 检验规则与试验方法6. 1 绝缘子应由制造厂质量检查部门检验，并保证出厂的绝缘子符合本标准的要求。6. 2 绝缘于应按批进行检验，同批绝缘子的制造工艺及型号应完全相同，每批数量N应不超过l200 只。当绝缘子多于l200只时，应将其均分成数量为500l200只绝缘子数批，分别进行试验和考核。3 绝缘于的检验分为逐个试验、抽样试验和型式试验，其试验方法按本标准的规定。6. 3. 1 逐个试验绝缘于应按表2规定逐个进行检验，如发
13、现有不符合表2中规定的任何一项要求时7 C,2 GB 11030-2000 则此绝缘于不合格。表2绝缘子逐个试验项目项目试验名称试验依据试验方法1 外观检查本标准5.2;5. 5;S. 8;5. 9 GB/T 775. 1，本标准附录A2 连接尺寸检查本标准4.2 GB/T 775 1 3 置件超声波检探伤查本标准5.7)BIT 9671 4 机械负荷试验丰标准5.11 GB/T 775. 3 5 半导体勒层电阻测量本标准5.5 本标准附录A6. 3. 2 抽样试验抽样试验应在逐个试验合格后的绝缘于中按表3规定试品数量随机抽取试品，并按表3的程序进行试验。表3绝缘于抽样试验项目批量NN150
14、150注括导内的数量为腕臂支撑式绝缘子。试验方法GB/T 775. 1 JB/T 8177 本标准附录八GB/T 775. 2 GB/T 775. 2 GB/T 4585. 2 GB/T 775. 1 GB/T 775. 3 和本标准6.5 GB/T 775. 3 和丰标准6.4GBIT 775. I GB 11030 2000 6. 4 弯曲破坏负荷试验：试验时将上帽孔套在试验夹具的芯棒t，并用U形卡箍压板固定，然后在下帽单耳孔内穿销钉，用钢丝绳套在销钉上施加弯曲负荷，加负荷方向应与上帽缺口的朝向相反负荷方向应与试品的轴线垂直旦和试品轴线在同平面内，如图5所示，试验程序按GB/T775. 3
15、的规定。p 受）Jj向芯棒固定架图56. 5 拉伸破坏负荷试验z将腕臂支撑式绝缘子铁帽插孔套在相应直径的芯棒上，芯棒应加工有适当尺寸的孔，紧固好U形卡箍（凸压板的销钉应插在芯棒孔内）。然后在下铁帽单耳上配合适当的试验夹具沿绝缘子轴线方向施加拉伸负荷，试验程序按GB/T775. 3的规定。7 包装、标志、运输与贮存7. 1 绝缘于的包装推荐采用JB/T9673的规定，在包装体上应标明：a）制造厂名称eb）绝缘子名称，型号；c）绝缘子数量；d）包装体总重量；的“小心轻放”、“瓷件”等字样或指示标记。7. 2 绝缘子瓷件上应按图样规定的部位清楚而牢固地标出制造厂商标和制造年份。7. 3 绝缘子的包装
16、必须保证在正常运输中，不至因包装不良而使绝缘子损坏。7. 4 绝缘子应储存在通风良好、干燥的仓库或场地上，不宜放在潮湿或有腐蚀气体的附近，以防止附件镀钵层被腐蚀。7. 5 送交的每批绝缘子应附有加盖制造厂检验部门印章的产品检验合格证。i i口GB 11030 2000 附录A（标准的附录）半导体袖层外观质量及其电阻的测量方法本附录规定了半导体轴绝缘子的半导体轴层外观质量反其电阻的测量为法。A1 绝缘于瓷件全部上半导体袖，其表面缺轴总面积不超过1.5 cm，单个缺陷面积不超过0.5 cm，当袖层电阻值合格时，半导体轴瓷件允许有轻微的色调不均，其余应符合GB772的规定。A2 半导体轴层电阻的测量
17、一般可用2500 V摇表或晶体管兆欧表测量。测量时周围环境温度应在+1oc十40c之间，相对湿度不超过85%，被测试品表面应干燥，且不允许有导电性的物质存在。测量引线应与绝缘子瓷件两端靠近金属附件的主体部位的轴面接触良好，所拥l电阻值按下式进行校正。R凹R,/K 式中：R，校正到标准状态Ct=ZOC：）时的电阻值，MO;R，一一在温度tc 时测量的电阻值，MO;K 温度校正系数，由制造厂提供。实测后的校正值应符合工厂产品图样中的规定值范围。附录B（提示的附录）过渡型绝缘子的主要尺寸和特性过渡型绝缘F的主要尺寸见表Bl，特性见表B2,表Bl过渡型绝缘子的主要尺寸Ill口1阁号主要尺寸最小公称绝缘于类型D h, d, d, h 爬电距离H h a 隧道悬挂、1 550 382 145 30 30 21 21 56 16 850 定位用2 550 382 145 30 30 21 16 850 表B2过渡型绝缘子特性雷电圭波人工污秽冲击耐莹工频湿耐受耐圭电压绝缘子类型图号电压（峰值）电压（有效值kV 额定弯曲额定拉伸kV kV 不小于破坏负荷破坏负荷不小于盐密nig/cmkN kN 不小于0 1 0. 3 隧道悬挂、1 定使用205 2 105 29 4 (I 756
