1、ICS 29.045 H 82 1996-11-04发布共Polycrystalline silicon , G/T 12963 1996 目目目1997-04-01 国家技术监督局发布一一一二一二二GB/T 12963-1996 表l硅多晶纯度硅多晶等级项日1级品;级品3级品n型电阻率，0.cm 二月00二三200注100p型电阻率.Q cm 二3000 2 000 二三1000 碳浓度，at/cm3;:1. SXI016 二三2X 10Hi 二三2X 1016 n型少数载流子寿命，问二三500二注300二1004.2 硅多晶尺寸范围4.2.1 块状硅多晶具有元规则的形状和随机尺寸分布，其线
2、性尺寸最小为6mm，最大为100rnrno 4.2.2 块状硅多晶的尺寸分布范围为r(l)625 mrn的最多占重量的15%, (2)2550 mm的占重量的15%35%, (3)50100 mm的最少占重量的65%。4.2.3 棒状硅多晶的直径及氏度R.寸由供需双方商定。其直径允许偏差为5%。4.3 结构硅多晶应无氧化夹层。4.4 表面质量4. 4. 1 硅多晶表面结构应致密、平整(断面边缘颗粒不大于3rnm) 0 4.4.2 块状硅多品的表面应经过酸腐蚀去除表面沾污，使其达到j直接使用要求。所有硅多晶的外观应无色斑、变色，无可见的污染物。5 试验方法5. 1 硅多晶导电类型检验按GB/T1
3、550进行。5. 2 硅多晶n型电阻率检验按GB4059进行。5. 3 硅多品p型电阻率检验按GB4060进行。5.4 硅多晶n型少数载流子寿命测量按GB/T1553进行。5. 5 硅多晶碳浓度测量按GB1558进行。5.6 硅多晶氧化夹层检验按GB4061进行。5.7 棒状硅多品的直径用游标卡尺测量，块状硅多晶的尺寸分布范围用过筛检验，或由供需双方商定的方法检验。5.8 硅多晶的表面质量用肉眼检查。6 检验规则6. 1 检查和验收6. 1. 1 产品应由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。6.1.2 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不
4、符时，应在收到产品之日起3个月(块状硅多晶为-个月)内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批产品应成批提交验收，每批应由同-牌号、具有相同标称纯度和特性，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的硅多品或同一反应炉次的硅多晶组成。6.3检验项目每批产品应进行n型电阻率、p型电阻率、n型少数载流子寿命、碳浓度、结构、表面质量和尺寸的2 俨GB/T 12963-1996 检验。6.4 取祥与制祥6.4. 1 供方取祥、制样时，n型电阻率、p型电阻率取样、制祥按GB.4059、GB4060进行，断面氧化夹层取祥、制样按GB4061进行。6.4.2 仲裁抽样方案由供需双方商定，取样部位和制样按6.4.
5、 1进行。6.5检验结果判定6. 5. 1 硅多品的纯度由n型电阻率、p型电阻率和碳浓度判定。6.5.2 若检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格的项目进行复验。若仍不合格，则该批产品为不合格。7 标志、包装、运输和贮存7. 1 硅多晶经过一定方式洗净、干燥后，装入洁净的聚乙烯包装袋内，密封，然后再将包装袋装入包装箱内。块状硅多晶每袋净重为2000g土20g或5000g土50g或10000士100g 0棒状硅多晶每根单独包装。包装时应防止聚乙烯包装袋破损，以避免产品外来沾污，并按最佳方法提供良好保护。7.2 包装箱外应标有小心轻放及防腐、防潮字样或标志，并标明sa) 需方名称pb) 产品名
6、称、牌号，c) 产品件数、净重pd) 供方名称。7.3 每批产品应附有质量证明书，注明:a) 供方名称;b) 产品名称及牌号;c) 产品批号;d) 产品毛重、净重;e) 各项检验结果及检验部门印记;f) 本标准编号gg) 出厂日期。7.4 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震措施。7.5 产品应贮存在清净、干燥环境中。】闹声拍e豆ugFI-smNF H阁。国华人民共和国家标准硅多晶GB/T. 12963 1996 中晤中国标准出版社出版北京复兴门外三里河北街16号邮政编码，100045电话，68522112中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷新华书店北京发行所发行各地新华书店经售版权专有
7、不得翻Ep怜印张1/2字数6干字1997年4月第-次印刷开本880X1230 1/16 1997年4月第一版印数1一1500 峰书号，155066. 1-13655 ，峰307-05 标曰占一日本标准中的直拉法用硅多品是等效采用半导体设备和材料国际组织CSEMI)标准SEMIM16-g9 硅多晶规范)，结合我国的硅多晶材料的生产和使用情况，对GB12963-91进行修订而成的;悬浮区熔法用硅多晶是在原标准GB12968-91的基础上，结合我国的实际情况对其进行修订而成的。本标准的内容包括直拉法和悬浮区熔法用硅多晶。对于制备更高电阻率的区熔硅单晶，应对硅多品进行真空区域提纯或使用纯度更高的硅多晶
8、。本标准与原标准GB12963-91比较，重要技术内容改变的有z删去硅多晶特级品及其温度夹层要求，删去硅烧热分解制取硅多晶的内容，增加了块状硅多品尺寸分布范围，硅多晶的各级等级品的技术指标都有不同程度的提高。本标准从1997年4月1日起实施。本标准从生效之日起，代替GB12963-91. 本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准汁量研究所归口。本标准起草单位g峨眉半导体材料厂和中国有色金属工业总公司标准计量研究所。本标准主要起草人z王鸿高、尹建华、刘文魁、吴福立。本标准首次发布日期:1991年6月。GB/T 12963-1996 ,_ I r 中华人民共和国国标准
9、硅多晶GB/T 12963一1996Polycrystalline silicon 代替GB12963-91 范围本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用于制备硅单晶。2 引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效，所有标准都会被修汀，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。3 GB/T 1550 硅单品导电类型测定方法GB/T 1553 硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB 1558-83 测定硅晶体中代位碳含量红外吸收方法GB 4059-83 硅多晶气氛区熔磷检验方法GB 4060-83 硅多晶真空区熔基棚检验方法GB 4061-83 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法产品分类3.1 分类产品按外形分为块状硅多晶和棒状硅多品，根据纯度的差别分为3级。3. 2 牌号硅多品的牌号表示为:PSi一口口阿拉伯数字表示硅多晶等级英文大写字母表示硅多晶形状，1表示棒状，N表示块状表示硅多晶4 技术要求4. 1 纯度硅多品的纯度应符合表1的规定。国家技术监督局1996-11-04批准1997-04-01实施1 止一牛_. h山
