1、GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10: 1994 前言半导体器件集成电路数字集成电路分为十三个部分zGBjT 5965 2000半导体器件集成电路第2部分数字集成电路第一篇双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列)空白详细规范CidtIEC 7482-1:1991) 一-GBjT9424一1998半导体器件集成电路第2部分2数字集成电路第五篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范CidtIEC 748-2-5 :1 992) GB/T 17023 1997半导体器件集成电路第2部分数字集成电路第二篇HCMOS数字集成电路54j74H
2、C、54/74HCT、54j74HCU系列族规范CidtIEC 748-2-2 :1 992) GB/T 17024-1997半导体器件集成电路第2部分数字集成电路第三篇HCMOS 数字集成电路54j74HC、54j74HCT、54j74HCU系列空白详细规范CidtIEC 748-2-3: 1992) GB/T 17572 1998半导体器件集成电路第2部分数字集成电路第四篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范(idtIEC 748-2-4 :1 992) IEC 60748-2-6半导体器件集成电路第2部分z数字集成电路第六篇:微处理器集成电路空白详细规范IEC 6074
3、8-2-7 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第七篇.熔丝式可编程双极只读存储器集成电路空白详细规范1EC 60748-2-8半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第八篇集成电路静态读/写存储器空白详细规范IEC 60748-2-9半导体器件集成电路第2部分数字集成电路第九篇:MS紫外线擦除电吁编程只读存储器空白详细规范IEC 60748-2-10: 1994半导体器件集成电路第2部分3数字集成电路第十篇:集成电路动态读/写存储器空白详细规范IEC 60748-2-11 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第十一篇:单电源电可擦和可编程只读存储器空白详细规范IEC 60748-2-
4、12半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第十二篇可编程逻辑器件(PLDs)空白详细规泡IEC 60748-2一20半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第二十篇低气压集成电路族规范本部分为第10部分，等同采用IEC60748-2-10: 1994(QC 790107)(半导体器件集成电路第2部分=数字集成电路第10篇集成电路动态读/写存储器空白详细规范)(英文版)。本部分作了如下编辑性修改.) 删除IEC原文中的前言。2) 将所有引用文件放入本部分正文，已经等同转化为国家标准的引用国家标准，否则引用IEC原文。本部分由中华人民共和国信息产业部提出。本部分由中国电子技术标准化研究所(CES
5、J)归口。本部分起草单位z中国电子技术标准化研究所(CESJ)。本部分主要起草人.王琪、李燕荣。GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10 ,1994 半导体器件集成电路第2-10部分:引言数字集成电路集成电路动态法/写存错器空白详摇摆茹IEC电子元器件质援评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定羡量评定程序，以这矜方式使一个参加思按有关统范重要求放行弱电子元器件无言寄送一步试验湾为其他所有参加国同样接受。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用。GB/T 4728.12-1996 电气简图用阁形符号第
6、12部分=二进制逻镜元件(idtIEC 617-12 , 1991) GB/4937-1995 半导体器件事:饿和气候试验方法(idtIEC 749，1984，修改革事1(1991)，修改单2(993) ) GB/T 17574-1998半导体器件集成电路第2部分z数字集成电路(凶IEC748-2，1985，修改单1(991) IEC 60068-2-17: 1978环境试验第2部分z试验试验Q，密封IEC 60134，19们棍子管寄电真空管和类似部半导体器件的辍定僚体系IEC 60747-10 , 1991/QC 700000 半导体器件分立器件和集成电路第10部分:分立器件和然成电路总规范
7、IEC 60748-1 1, 1990/QC 790100半导体器件集成电路第11部分E半导体集成电路分规范(不包括混合电路要求的资料本页和下页括号内的数字与下列各项要求的资料相对应，这些资料成填入本规范相应的栏中。详细规范的，R别IJ 授权发布详缎烧范的居家标准机构名称。2J 详细规范的IECQ编号。3J 总规范和分规浓的编号及版本号。 4J 详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的其他资料e器件的识到5J 主要功能和缀号。6J 典型结构材料、主要工艺和封装资料。器件若具有若干种派生产品，员tll就指出其特性差异。详细规范rN.给出包括以下的简短描述g一一工艺(NMOS等川一一综梅字
8、Xw.)，一一输出电路的形式例如三态h:要功能。7J 外形图，引出端识别、标志和/或有关外形的参考文件。8J 按总规范2.6的质量评定类别。参考数据。t本规范下页方括号给出的条款构成了详细规范的首页，这些条款仅供指导详细规范的编写，而不应纳入详细规范中JGB/T 17574. 10-2003/IEC 60748号-10，19例当任一条款指导编写可能引起混淆时，mtE括号内说明J阁家代表机掏(NAJ)(和发布规范剧团体)Jj 详细规范的IECQ编号、版本号和/或日期J名称(地址)JQC 790107一.i事:s电子元器件E重量约依靠居3J I南缩短范姻问替、魏范=若00家主自号与lECQ编号一致
9、，本栏丐不填标准60747-10/QC700000 分规范.标准60748-11/QC790100 及编号不同时的国家编号集成电路动态渎/写存储器空白详细规范有关器件的型号3订货资料z觅丰巍范1.2机械说明简要说明外形依据=应用m给出标准封装资料，IEC编号如有，贝u需遵循)和/功能:阔家编号1典型结构，硅、单片、MOS工艺外形图:封装，空封或非空封1望i苹缔的资科应在本模型军第5章绘出3;滋生产品总特制附注意静电敏感器件寻|出端识别:质量评定类别闹出引出端排列图，包括图形符号C按总规范2.6J标志，字母和图形，或色码1参考数据若有时，详细规范应规定器件上标志的内容能在各型号f司比较的缎重要性
10、能的参考数据:兔总裁范2.5和/或本规裁1.1J饺本规范鉴定合格的器件，其有关制造厂的资抖，可在现行合格产品吕录中llIIJ。1 标志和订货资料1. 1 标志兑总规范Z.501. 2 订货资科除另有规定外，订购器件至少需要下列资料z一一准确的型号(必婆时，标称电压值): 一一适用时，详细规范的IECQ编号、版本号和/或日期$分规范第9毒室规定的类别，及如果需要哥时，分规范第8章规定的筛选程序g一一发货包装，一一其他特殊必资科。32 应用说a应给出下午列特性:标称电源电压p刷新模式;工作模式伊j郊地址浓祥)，2J 4J 5J 6J 8J GB/T 17574. 10-2003月EC6自748幡2
11、刊，1994电气兼容(边用时)。应当标注出集成电路存储器是否与其他集成电路或集成电路践电气兼容，或是否需要特殊接口。3 功能说明3.1 i羊缀框噩框m应该充分撼述存储器内独立功能然元，并以宾主要输入、输出路径来加以识到，并识到其外部连接(片允许，地址码、编程等)，Jt应给出功能的商Jfj符号。这可从标准罔形符号的目录中得到，或按GBjT4728. 12的规定编制。3.2 引出端识别和;功能f所有引出端E挂在根图中注明(电源端、地址、数据和控制端), J 引出端功能fill夜下表中注明。1引出端功能 输入/输出识别| 输出咆路的类型3.3 功能说明lli绘出下;9lJ释然z一一存储器大小:能存储
12、在存储器电路中的信息、容量总位数g一一存储器结构g能存储在存储器电路中的每个字的位数;一一寻址方式;一片选悟(适用时);输出允许缉运用自才)，户一备用模式运宝鸡对)，真值表该若是应能反映对应地址输入手自选择输入不同级含的输出状态)，4 极限值(绝对最大额定值体系)见IEC60134 , 除另有规定外，这段极限值适用于整个工作温度范围。除另有规定外.lli绘出下列极限值2一应该包括特态集成电路才有的警示状态，例如MOS电路费号处i董事一一应娩定任何将关的极限值;一一应注明极限值适用的所有条件，一一若允许瞬时过载，应规定其幅值和持续时间。所有电压以一个确定参考端为基准。电摄电lli输入电压输出电压
13、参数并区别片选和输出:允许。得号Vn.血.Vcc.V陌毛，。G/T 17574. 10-2003/IEC 60748-公10，1994参数截止电压输出电流输入电流功耗工作温度贮存温度 代数值1) 适用时。5 工作条件(在规定的工作温度范围内)这些条件不考核但可用于质量评定。特性符号vm13 电源电压VEB ZJ VCC13 VEE I 输入低电平电压V 输入高电平电压VH 工作温度T.mb和/或T，1) 适用时，这些值也可在岳用条件下引用.6 电特性表(续)符号V oz 10 1, PD T.mb和/或T山T咆最小 除另有规定外，特性适用于第5章全部工作条件。最小最大单位 V mA mA I
14、w -c I 最大单位 V V V V V V L电路指定参数在工作温度范围内变化的，应给出25C下和商、低温下的输入、输出电压值和对应的电流。应给出每个不同功能类型的输入和/或输出对应的电流和电压值。应规定特殊特性和时序要求。16.1 静态特性所有电压以一个确定参考端为基准。特性条件的.;)读/写周期平均工作电流Vccmax 备用电流平均刷新电源电流平均页模式电源电流输出高电平电压V(min l oHA 符号VOH 最小最大单位 mA mA mA mA V GB/T 17574.10-23/IEC 60748-2-10: 1994 表(续)特性条件4)，5)符号最小最大单位输出低电平电压Vc
15、cmin V oc V Im.A 输入高电平电流或漏电流Vccmax IIH(1) A V , 输入高电平电流或漏电流Vccmax l IH (2J A VHA 输入低电平电流或漏电流V cc m8X lIL(l A V u 输入低电平电流或漏电流Vccrnax In,m A VLB 输出高电平电流Vccmin 10H A V O, 输出低电平电流V c.c m8X loc mA VOLA 输出高电平电流(漏电流)Vccmax I。因 A VO阳输出低电平电流(漏电流)Vccmax Ic比X A VOLB 三态输出的输出高电平漏电流(若Vccmax 0田 A 适用)VOHB 兰态输出的输出低电
16、平漏电流(若Vcc m8X IoLz A 适用)VOCA 输出短路电流创Vcc m8X 105 mA Vo=O 代数值。1) 适用时。2) IoHx和I皿x仅适用于集电极开路或源极/漏极开路)的输出，这种情况下它代替IOH和IOL0 3) 规定持续时间。的适用时VDD用于代替VCCo5) 这些条件用于相关特性测量的最坏情况下。适用时也应标出下列条件:若某些引出端既可作输入也可作输出，应注明所有条件。GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10 , 1994 6.2 动态特性只要适用于器件工作则应给出下表所列特性=特性条件符号最小最大单位周期(注1)tc ns 读写读写读
17、改写页模式(读写、读写，读一改-写)刷新周期时间和刷新时间存取时间(注1)t. ns 开始到列地址选择开始到行地址选择(RAS)脉冲持续时间(注1)tw (注2)ns 读操作列地址选择有效列地址选择元效行地址选择有效行地址选择无效写操作列地址选择奇效列地址选择无效行地址选择有效1丁地址选择无效写允许读改写操作同写操作页模式读操作同读操作页模式写操作 同写操作RAS刷新操作行地址选择有效行地址选择无效自刷新操作们刷新自动刷新操作千J地址选择前刷新结束GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10 ,1994 表(续)特性条件符号最小最大单位建立时间(注1)t. ns 读操作
18、列地址选择前列地址行地址选择前行地址列地址选择前片选开始列地址选择前读写操作列地址选择前列地址行地址选择前行地址列地址选择前片选开始列地址选择前数据输入写前数据输入列地址选择结束前写行地址选择结束前写读改写操作列地址选择前列地址行地址选择前行地址列地址选择前片选开始列地址选择前数据输入写开始前数据输入列地址选择结束前写行地址选择结束前写列地址选择开始前读页模式读操作同读操作页模式写操作同写操作RAS刷新操作行地址选择开始前行地址自刷新操作刷新自动刷新 行地址选择开始前刷新结束GB/T 17574. 1Q-2003/IEC 60748-2-10 , 1994 表(续)特性条件符号最小最大单位保持
19、时间(注1) ns 读操作 列地挝芷择开始后列地址行地址品异开始后行地址行地址选择开始后列地址 列地址选择开始后片选 行地址选择开始后片选到列地址选择开始结束后读 行地址选择开始后列地址写操作列地址选择开始后列地址行地址选择开始后行地址行地址选择开始后列地址列地址选择开始后片选 行地址选择开始后片选列地址选择后写列地址选择开始后数据输入列地址选择开始后数据输入行地址选择开始后数据输入 写开始后数据输入行地址选择开始后列地址选择读改写 同写操作一页模式读操作同读操作页模式写操作同写操作RAS刷新操作行地址选择开始后行地址GB/T 17574.10-2003月EC60748-2-10: 1994
20、表(续)特性条件符号最小最大单位延迟时间(注1)d (注2)ns 具有多路地址输入的存储器一一读操作列地址选择结束行地址选择开始列地址选择开始行地址选择结束行地址选择开始列地址选择结束写操作列地址选择结束行地址选择开始行地址选择结束列地址选择开始列地址选择开始直到行地址选择开始写开始到列地址选择开始读改写操作行地址选择开始列地址选择结束行地址选择结束列地址选择开始列地址选择结束行地址选择开始列地址选择开始直到写开始行地址选择开始直到写开始页模式读操作同读操作页模式写操作同写操作自刷新操作幻刷新结束直到行地址选择开始行地址选择结束直到刷新开始自动刷新操作刷新开始直到行地址选择开始刷新结束直到行地
21、址选择结束(这里指的引出端可能包含不止一个功能，应给出每个功能的信息说明。1) 应标明试验条件和负载电路。2) 适用时。6.3 时序图应给出时序图，包括完整信号集表明每个电路模式的操作。应注明需要用户了解的任一时间间隔以确保存储器正常工作(例如备用期间和离开备用状态的操作)oJ6.4 电容特性输入电容输出电容(若适用)GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10 ,1994 7 编辑不适用。8 机械和环境的额定值、特性和数据见分规范12.209 附加资料L作为最少设计数据可选下列附加资料。一一热阻应包括对应于推荐最高工作条件的额定功耗下允许在器件表面参考点产生的最高温度
22、。抗扰度(输入，电源电压等)。电源适用时，应给出控制信号频率范围(包括脉冲电源)内的电源电流(或者，适用时的电压)的典型变化。一-负载规则给出输出负载能力。输入或输出电路简图(若需要)oJ10 筛选程序(如要求)见分规范第8章。老炼条件应规定下列条件:环境温度最高工作温度，除另有规定外;一一电源电压.额定值，除另有规定外;频率;电路图和条件。11 质量评定程序下列任一程序都可用于鉴定。11. 1 鉴定批准程序见总规范3.1和分规范5.1oJ11. 2 能力批准程序见总规范3.I1oJ12 结构相似性程序见分规范第6章。13 试验条件和检验要求13.1 总则13. 1. 1 电气和功能测量的通用
23、条件见总规范4.3.10测试程序是产品规范的部分。制造厂应向NSI(国家标准机构)证明功能测试程序是充分的，参照制造厂给出的定义(功能、试验范围等)oJ该资料应由制造厂和NSI保密，没有制造厂允许不得公开。13. 1. 2 功能验证10 GBjT 17574. 102003/IEC 60748-2-10: 1994 13. 1. 2.1 总赂觅总规范。13. 1. 2. 2 功能定义和验证t在详细规范或本空白详细规范第3j在中应尽可能详细的描述集成电路实现的功能。应用领盖章厂的测试程序进行功能验证，这个测试程序慈产品规范始一部分。3Ii!适广应!句NSI保证测试程序对于功能验证是充分的，另外，
24、还应肉菜保证通过测试程序的功能验证在整个电源电压和工作汲度范围内是有效的。1NSI可以要求制造厂说明测试程序及其任一变化，但该资料是保密的JNSI有权向被制造厂认可的专家咨询。二测试程序中的功能验证不在详细规范中说哥哥oJ13.2 抽样婆求和检验批构成抽样要求见分规范第9:l壁和总规范3.7, A组试验应选AQL体系。检验按:见分规范第9敛。13.3 检验袋除另有规定外，试验在25C下进行。标有(川的试验是破坏性的。褒1A锺z遂挺立分组检查或试验试验条件Al 外部目检见IEC60747-10/QC 700000 4.2. 1. 1 A2 25C的功能验证(除另有规定外按本窥范13.1A2a 激
25、低和最高工作混Il下的功能验证(不适用于I类)A3 j肌下静态特性觅丰规范串.1iM于输出参数应给出预就顺序和负载若需要应规定未用输入端咆平A3a 最低相最高工作温度下静态特性在Tamb= T Amb rnn和T，础maxA4 25(下动态特性(除另有规定外)见本规范6.2在规定的控制序列图中给出现压、输入信号的序列和组合及由此产生的输出波形.:窥定基本的序条件部适当部输出负载A4a 章主低和最高工作温度下动态特性(不边用Tamb=T耐mm和Tmbmax 于I类)条件同A4极限值l见本规范6.1极限锺可以与A3分缠不岗见本规范6.2|时可以与A4分组不同1) 如果制造厂能定期证明2个极限温度下
26、的试验结果与25(下的试验结果相关，则可使用2SC下的试验结果。11 GBjT 17574.10-2003月EC60748-2-10 , 1994 表2B组逐批分组检查或试验引用标准详细条件极限值Bl 尺寸IEC 60747-10 , 4. 2. 2 见本规范第2页(ND) 和附录BB2c 电额定值验证不适用B4 可焊性Gll!T 4937，第E篇，浸润良好(D) 2.1 按规定ll5 温度快速变化(ND) 的空封温度快速变化，随后GB!T 4937.第E篇，10次循环同A2.A3和A4分组电测试(A2，A3和A的1.1和Al同A2，A3和A4分组 密封，细检漏GB!T 4937，第皿篇，按规
27、定7.3(和Al)或7.4密封，植检漏IEC 60068-2-17 , QC 按规定(D) b)非密封和环氧封接的空试验封器件温度快速变化，随后.GB!T 4937，第皿篇，10次循环1.1和Al外部目检IEC 60747-10 , 4.2. 1. 1 稳态湿热GB/T 4937 , (A)第E严酷度1，24h 篇，5B 电测试(A2，A3和A的同A2，A3和A4分组同A2，A3和A4分组B8 电耐久性见分规范12.3时间，168h.按分规范见分规范12.3(ND) 12.3和(适用时)12.4 规定CRRL 就缸.B5和B8分组提供汁数检查结果表3C组周期分组检查或试验引用标准详细条件极限值
28、Cl 尺寸IEC 60747-10.4. 2. 2 (ND) 和附录BCZc 瞬态能量额定值按规定按规定(D) C3 GB/T 4937.第E篇，第按相应封装的规定(D) 引出端强度1章C4 耐焊接热GB/T 4937.第E篇，2.2按规定12 GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10 , 1994 表3C续)分组检查或试验引用标准详细条件极限值C5 温度快速变化(ND) a)空封器件温度快速变化，随后:GB/T 4937，第四篇，10次循环1.1和Al电测试(A2、A3和A4)向A2，A3和A4分组同A2.A3和A4分组密封，细检漏GB/T 4937.第E篇，按规
29、定7.3(和Al)或7.4密封，粗检漏I配66&-2-17.QC试验按规定(D) b)非空封器件和环氧封接的空封器件温度快速变化，随后:Gll/T 4937，第皿篇，500次循环1.1和A1外部目检IEC 60747-10 , 4.2. 1. 1 稳态湿热GB/T 4937 (A1)第E严酷度1.24h 电测试(A2，A3和A的籍，5B同A2.A3和A4分组伺A2.A3和A4分组C5a 盐雾适用时)GB/T 4937，第E篇，第(D) 8章C6 稳态加速度(适用于空封器GB/T 4937，第E篇，第按规定件)5章(和Al)C7 稳态湿热(D) a)空封器件GB/T 4937 (Al)，第E严酷
30、度.篇，5AE类、皿类为56d I类为21d b)非空封器件GB/T 4937 (Al).第皿严酷度l篇，5B偏置z按详细规范规定时间，0类、皿类1000 h 随后:I类500h A2.A3和A4分组电测试同A2，A3和A4分组同A2.A3和A4分组C8 电耐久性见分规范12.3时间，1000 h，按分规见分规范12.3(D) 范12.3和(适用时)12.4的规定C9 高温贮存GB/T 4937.第E篇.21000 h.T啕最大值(D) Cl1 标志耐久性GB/T 4937(A1).第凹方法1(ND) 篇.2CRRL 按C3.C4 , C5 , C6 , C7 .C8，C9和Cl1分组提供计数
31、检查结果。13 GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10, 1994 表4D组分组检查或试验引用标准详细条件极限值D8 电耐久性见分规漉12.3I 1类不适用见分规范12.3(f) I I II类，2000 h 器类，3000hI 条件i闲时)12.4012输入电容见本规范6.4I JlI.本规范6.4见本规范6.4(ND iD1 3 输出电容(若适用)见本规辑16.4几本规范6.4见本规范6.4(ND) 014 锁)E(若适用)I GB;T 17574，第E篇，I GB;T 17574，第N篇，按详细规被规定总第2节第8掌第2节第8章i1) D级试验应在鉴定批准后立即进行，其后一年进行一次。13.4 延期我货见IEC60747-10中3.67。14 黯1llI部最方法不适用。14
