1、ICS 33.100.10 ;33. 100.20 L 06 中华人民共和国国家标准GB/T 17626.20-2014/IEC 61000-4-20: 20 10 电磁兼容试验和测量技术横电磁波(TEM)波导中的发射和抗扰度试验Electromagnetic compatibility-Testing and measurement techniques-Emission and immunity tting in transverse electromagnetic (TEM) waveguide (IEC 61000-4-20:2010 ,IDT) 2014-12-22发布2015-06
2、-01实施/?!飞中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局也世:平时旷GB/T 17626.20-2014月EC61000-4唰2012010目次前言. . . . . m 1 范围和目的. . 2 规范性引用文件. 3 术语、定义和缩略语. . . 2 3.1 术语和定义. . . . 2 3.2 缩略语. . . . . 4 4 概述. . 5 TEM波导要求5.1 榻述. . . . . 5 5.2 使用TEM披导的通用要求5.2.1 TEM模的验证. 5.2.2 试验区域和EUT最大尺寸. 5.2.3 可用试验区域的确认. . 6 5.3 对某些类型TEM波导的特定要求和建议 . . .
3、 . 8 5.3.1 开放式TEM波导的布置. . . . 8 5.3.2 双端口TEM波导TEM模的替代验证方法. . . . . 8 6 EUT类型. . . . . . . 9 6.1 概述6.2 /j、EUT. . . . . . . 9 6.3大EUT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 7 实验室试验环境. . . . . 9 7.1 概述. . 7.2 气候环境，7.3 电磁环境8 试验结果的评价与报告. 附录A(规范性附录)TEM波导中的发射试验附录B(规范性附录)TE
4、M披导中的抗扰度试验. . 附录C(规范性附录)TEM披导中的HEMP瞬态试验. 附录D(资料性附录)TEM披导的特性附录E(资料性附录)TEM波导中电场探头的校准方法相关标准和参考文献. 图A.1引出电缆被引至位于试验区域底部和正交角上的角落. 19 图A.2基本的正交轴定位装置或试验支撑装置. . . . . . . 20 图A.3辐射发射试验的3个正交轴旋转方位. . . . . . . 21 GB/T 17626.20-2014月EC61000-4-20: 20 10 图A.4典型EUT的12面/轴试验方位 . 21 图A.5OATS示意图. . n 图A.6双端口TEM室(对称芯板)
5、 . . 22 圈儿7单端口TEM窒非对稼芯极). . . 23 圄A.8带状线双导体. . . . . 24 图A.9带状线(四导体，平衡馈电. . 25 图B.1单极化方向的TEM波导的试验布置图B.2TEM波导中场均匀区确认的位置点圄C.1100 kHz到300MHz的频谱幅值. . 35 图0.1简单披导不存在TEM波. . . . 40 图0.2传输TEM模的波导示例. . . . . . 40 图0.3极化矢量. . . . 40 图0.4传输TEM波的传输线. . . 41 图0.5单端口和双端口TEM波导. . . . 41 图E.1校准区域的确认测量点示例. . . 43 图
6、E.2探头扰乱确认布置. . . . 43 图E.3到达场强发射设备的净功率测量布置. . . 46 图E.4电场探头校准布置举例. . . . . 47 图E.5另一种电场探头校准方法的校准布置. 图E.6天线和测量仪器的等效电路. . 表l正态分布下扩展不确定度的K值. . . . . 8 表B.1场均匀区确认的测量位置点. . 27 表B.2试验等级. . . . . 28 表C.1现行标准定义的辐射抗扰度试验等级. . . . . 35 表E.1校准频率点. . . . 44 表E.2校准场强大小. . . . . . . 44 E GB/T 17626.20-2014月EC61000
7、斗20:2010前言GB/T 17626; tV/EEl . .( A.19 ) n i=i 注5，因子t(辐射方向图不确定度因子也可以采用六方位法21J或十二方位法(增强的三位置法)36J，问题的关键是应接收到EUT的所有辐射功率，19J和20J给出了测量数据的比较结果.A.5 TEM搜导中的发射测量程序A.5.1 EUT类型A.5. 1. 1 IJ、EUT小EUT应在TEM波导中选择两个起始位置进行试验。第一个起始位置是任意的，而第二个起始位置是第一个起始位置按图A.4所示旋转所得。从每一个起始位置开始，应根据换算算法的要求对EUT进行旋转。例如，A.3.2.3.2中的三方位法要求在3个方
8、位上进行测量，因此试验时就要从图A.4所示的起始位置a1和a3或a2和a4开始旋转(共计2X3=6个方位。应记录每个频率点上由这两组数据换算得到的场强最大值。注=试验频率范围囱所适用的限值或试验目的决定，对于/JEUT通常是30MHz到1GHz. TEM波导的可用频率范围取决于TEM模的验证结果(见5.2.1和5.3.2) A.5.1.2大EUTA.5.1.1的方法可以应用于大EUT.但是换算算法中的偶极子假设对大EUT不一定有效。17 GB/T 17626.20-20 14/IEC 61000牛20:2010以下是指导性信息。针对在TEM被导中对大EUT进行的符合性试验结出如下步骤，更多细节
9、见2J。a) 对于特定类型的EUT，应在特定的符合要求的OATS和特定的TEM搜导中分别进行三次独立的试验。b) 在每个频率点上利用式(A.12)和式(A.13)计算TEM波导与OATS试验结果的平均值之差和标准差之差，此时n=m=3.。对于步骤b)计算的各个频率点上的平均值和标准差之差，至少应在10个频率点上满足以下条件z平均值的差值应大于odB且小于或等于3dB，标准差的差值应不大于4dB。d) 在确定是否符合骚扰限值时，TEM波导的试验结果不需要另外附加平均值的差值。如果满足步骤。中的条件，可以认为相应的骚扰眼值适用于该类型的EUT。A.5.2 EUT的布置以下是指导性信息。将EUT放置
10、在位于可用试验区域(5.2.2)中心的试验支撑装置3.1.21和图A.1、图A.2b)及图A.2c)或试验布置支撑上(3.1.1的。不带线缆的EUT应固定在试验支撑装置的旋转中心，通过试验支撑装置使EUT围绕其电中心(可以假设与EUT的几何中心重合)旋转。对于带线缆的EUT，按以下要求布置线缆，线缆应根据CISPR16亿-3:2006中7.2.5.2的规则捆扎在一起z互连电缆在离开壳体处应垂直于壳体;为获得可重复的测量结果，在三方位法换算测量过程中，互连电缆之间、互连电缆和EUT以及EUT之间的相对位置应保持不变J日果互连电缆过长，可以根据CISPR16-2-3 :2006中7.2.5.2的规
11、定将其捆扎起来。引出电缆在超出可用试验区域的边界之前应垂直于EUT的壳体布置，然后电缆应情可用试验区域的边缘被引至试瞌区域底部位于正交角上的角落图A.口。如果采用图A.2b)所示的定位装置，引出电缆应沿正交轴布置.应对电缆的位置进行控制，例如，采用不导电的夹具。引出电缆从试验区域底部位于正交角上的角落被引至位于波导接地面上的吸收钳。电缆之间的距离应为约100mm.在TEM波导接地面上，每根电缆终端应分别穿过吸收钳或者套上铁氧体环(见lJ).吸收钳或铁氧体环)的插入损耗在30MHz 1 000 MHz的频率范围内庇大于15dB。在电缆络端穿过吸收钳或者铁氧体环之前，连接电缆不应接触TEM披导的内
12、外导体。吸收钳之前的电缆部分可达1.3m.如果电缆长度不足1.3m，则电缆全部放置在吸收钳之前z如果电缆长度大于1.3m，则放置在吸收钳之前的电缆长度至少为1.3m(见图A.l).引出电缆从吸收钳被引至位于侧壁或底板上的电缆连接器，然后连接到位于TEM披导外部的辅助设备。A.6 试验报告试验报告应包含修正的场强结果(E)和未修正的场强结果Emax.E=E, -Cf . .( A.20 ) 式中:E、Emu.和Cf的单位为V/m，EJIJJ.和Cf分别由式(A.6)和式(A.11)求出。或E dB =Em皿IdB - 20 19(c f) - 120 . . . . . . . . ( A.21
13、 ) 式中:EdB和EmaxldB的单位为分贝微伏每米(dBV/m)Cf的单位为伏每米(V/m) .Emax I dB和Cf分别由式(A.9)和式(A.ll)求出。18 GB/T 17626.20-20 14/IEC 61000-4-20: 20 1 0 /正交轴a) 倒视图互连电缆号111:1电缆b) 俯视图注:EUT壳体和终端之间连接电缆的长度应为约1.3m. +120. -120. 吸收钳圄A.1冒ItI:I电缆截引至位于试验区域底部和正变角上的角落19 GB/T 17626.20-2014/IEC 61000-4-20:2010 正交角54.735.3 8) 正变输和正变角电缆b) 侧
14、视固见3.1.21和A.5.2)波导导体3个位置相距120千H 波导中心线正交轴波导导体c) 俯视圄(见3.1.21和A.5.2)注s类似于图A.l试验布置，这个定位装置通过绕正交轴的3次120。旋转给出3个正交的位置.圄A.2基本的正主辅定位装置或试瞌支撑装置20 y z 位置a. . y 位置bGB/T 17626.20-2014月EC61000-4-20: 20 10 y x .X z 位置c注，这3个正交轴旋转方位对应图AA中的方位al、bl和cl.x，y，z是TEM波导坐标轴，而z、y、z是EUT的坐标轴.y , x a1. xxy= b 1. x:y.T=y c1.碍如址圄A.3辐
15、射发射试验的3个正变轴旋转方位3 c:二二3回a2. X= y=( -x) 回a3.x(-x).月I-=币回a4. .x( -=)yy;:x 回- 日b2. .x( -x)y:=y 回b3.x( -=)(-，啊回b4.xx(-=l亨回y 回c2.习，(-x乍工回d拟-回注1，在这个例子中.x、y、z是TEM波导坐标轴，z、y、z是EUT的坐标轴，电磁场极化方向为y方向，传播方向为z方向.EUT的虚拟(或几何戎相位)中心相对于TEM波导导体应保持不变.注2，EUT的各商在方位al且z=z，y=y，z=z时定义如下=左(L)=右(R)=y=yz平面，后(B)=前(F)=xy= xy平丽，顶(T)=
16、底(U)=xz= xz平面.传播方向沿z轴.因此，在al中朝向波前的是EUT的后面.EUT的每个方位可以用两个字母描述s第一个字母指的是面向TEM波导底板的面，第二个字母指的是割向波前的面(沿传播方向).注3，图中每一列(例如.83、b3、c3)是可用于三方位换算算法的3个一组的正交方位.同样，在抗扰度试验中，最少的8个面可采用两组4个一组的方位，例如.al、a2、a3、a4和bl、c2、b3、c4.当抗扰度试验需要所有的12个方位时，加上cl、b2、c3和b44个方位，其中c3和b4通常绕z轴旋转180.此时c3由xyy (-z)z( -x)变成x(-y)yzz(-x). b4由xxy(-z
17、)zy变成xC-x)yzzy.圄A.4典型EUT的12面/轴试验方位21 GB/T 17626.20-20 14/IEC 61000-4-20: 2010 z 注I%轴与接地平面一样为水平方向，并与传播方向一致.这与TEM波导的坐标系相一致，在TEM波导的坐标系中z输也是平行于导体并与传播方向一致.圄A.5OATS示意圄y倒视图a) 侧视图主视图y w 芯板可用试验区域b) 翻视图注IhElJT是EUT与波导的导体或吸波材料之间的最小距离。8 圄A.6双端口TEM室对称芯板)22 z x 侧视图芯板末端y a) 侧视圄y 主视图w 芯板可用试验区域一王三 b) 翻视回注:hEUT是EUT与波导
18、的导体或吸波材料之间的最小距离.GB/T 17626.20-2014月EC61000斗20:2010电磁波吸收材料z h x 圄A.7单端口四M童(非对称芯摄)23 GB/T 17626.20-2014/IEC 61000-4-20: 20 10 俯视图y 、a) 侧视图单端口创视图可用试验区城芯板L /分布式负载、/、/、.，-、负载 . 注g根据该形状和镜像理论可以得到有中心导体的三导体带状线，其侧视图与图A.6a)相同岛b) 侧视图基本上类似于一个双蝙口的TEM波导，但有的输出捕口为分布式负载y 主视图可用试验区域接地平面c) 剖银圈注:hEUT是EUT与被导的导体或吸波材料之间的最小距
19、离.圄A.8带状结(双导体)24 h x . GB/T 17626.20-2014月EC61000-4-20: 20 1 0 Y I 俯视图O.5Lm z 地一接-载L巾，负一/、-/、.-，/J/阳、/剧/ 、/OHV/ 、，a) 侧视图主视图y 导体J 可用试验区域h x b) $J槐图注s整个TEM波导结构被元反射壳体包围.由于对称的原因，允许的最大EUT高度将在0.33h-0.6 h的范围内(见5.2.2) 圄A.9带状绵(四导体，平衡馈电25 GB/T 17626.20-2014/IEC 61000-4-20: 20 10 附录B规范性附录TEM遮导中的抗扰度试验B.1 概述本附录介
20、绍TEM波导中的抗扰度试验方法，其目的是进行设备的辐射抗扰度试验。试验要求EUT在规定的布置状态进行试验。这就要求具体的产品或产品族标准对试验布置和试验限值加以规定。B.2 试验设备B.2.1 概述推荐的试验设备如下z一-TEM破导z有足够的尺寸以便形成足以容纳EUT的场均句区。一-EMI撼披器。一-RF信号掘z在建立一定大小的场强时通常需要监视输入TEM波导的前向功率和反向功率。定向藕合器连同RF电压表或功率计可用于测量输入TEM波导的实际前向功率相对于RF信号源的标称输出功率而言).RF信号据和定向藕合器的带宽都必须覆盖预期带宽。一一功率放大器。一一场探头，能分别监测3个相互正交的电场分量
21、，所有场探头和光电转换电路都必须对试验场强有足够的抗扰度，并通过光纤或滤波性能足够的信号线连接到TEM波导外的监视器。TEM波导需要能够分别测量3个相互正交场分量的场探头。如果使用小型单向天线，必须改变天线方向以分别测试各电场分量。-一记录功率电平的相关设备。B.2.2 试验髓备介绍注ITEM窒类似于屏蔽窒.静状线(开放型必须放置在较大的屏蔽室内以保证隔离.此屏蔽室可能需要一定数量的吸波材料以使得带状线能满足场均匀性要求.对于TEM波导，TEM模等效于抗扰度试验中的人射平面波。理想平面波在任意等相位面上都是不变的，而传输线中TEM模的场随横截面的变化而变化。在放人EUT之前，暗窒和TEM波导法
22、中都是基于平面波的场分布。TEM波导中TEM模主场与暗室中的垂直极化场较为相似。当晴室中的场为水平极化时，更容易受接地平面的反射影响。B.2.3 场均匀区确认根据5.2.3.1的注2和注3.在一个矩形截面上进行场均匀区确认，并且在该截面上至少取5个测量点(4个在角上，一个在中心。如果根据式(5)租式(6)得到的标准差满足以下要求，可以确定场均句性。a) 在规定区域内，试验场E;的主场分量幅值有75%的点满足以下公式zEUmi.巳ELimi+2. K (1J;: 注1.EUmit是标准给出的限值.26 G8/T 17626.20-2014/皿C61000-4-20 12010 注21根据5.2.
23、3.3中的表1，对应75%，K取1.15.注31如果2 K 112必须要小于等于6dB，根据5.2.3中式(6)计算的标准差如下, J=均EJ-j一一=- nl 、2X 1.15 . . 山注41如果75%的变化范围设置为10dB，则可接受的标准差为g10 +=01t 一一一一一=4.34dB w飞2X 1.15 b) 次场不必要的分量的幅值都要至少比主场分量小6dB。给定百分比的测量结果必须满足以下公式EE_ IEsec、一=-卜:sec)+ K a盟运二立嚣Epri; 飞飞EpriI dB 根据5.2.3.3中的表1选取K值.测量结果字的标准差必须满足如下公式zpri; 告剖立-(手) .
24、 、cpridB 对于5.2.1中规定的最大百分比的频率点，只要在试验报告中提供实际的变化范围和对应频率点，主场分量的允许变化范围见5.2.3中的式(7门可由一odB+6 dB放宽到一odB+10 dB，或者次场分量电平小于主场分量2础。注5:根据5.2.3中式(7)，标准差计算结果如下g10 J=均j?:!;一一一一=2.61dB和斗=均E一一一一=4.34dB 2X 1.15 对表B.l中没有列出的区域进行场均匀区确认时应采用网格间距不超过0.5m、能覆盖整个目标区域的最少网格数，每条边上的网格间距必须均匀。在进行试验布置时，EUT的一个面应与该平面相重合见图B.2)。表B.1场均匀区确认
25、的测量位置点尺寸测量位置点的数量与布局1.5 mX 1.5 m 4X4=l 1.0 mXl.5 m 3X4=12 1.0 mXl.O m 3X3=9 0.5 mXl.O m 2X3=6 0.5 mXO.5 m 4+H中心)=50.25 mXO.25 m 4+1(中心)=5倒120 cm X 20 cm的区域采用4+1(中心)=5个点，80cmX80 cm的区域采用3X3=9个点.1.2mXO.6 m的区域采用4X3=12个点.例2:1.2 mXO.6 m的场均匀区应采用0.4mXO.3 m的基本网格尺寸.场均匀区的要求基于5.2.1中TEM模的验证方法，原则上，场均句区确认应使用TEM模的主场
26、分量。如果换成合成场，则必须满足以上所有要求，并且满足5.2.1关于次场分量的要求。更多关于场均匀性的信息见16J。8.2.4 试验等级表B.2中的试验等级仅作为指导。27 GB/T 17626.20-20 14/IEC 61000-4-20:2010 表B.2试验等级试验等级试验场强/(V/m)1 1 2 3 3 10 x 待定注:X是一个开放试验等级，可在产品规范中给出具体场强值.B.2.5 谐波有些TEM波导在大于推荐使用频率上限的某些频率点可能会发生谐振。注:ISO 11452-3要求安装低通滤波器，滤波器的插入损耗在大于1.5倍的TEM波导截止频率时至少为60dB. B.3 试验布置
27、B.3.1 台式设备的布置对于TEM披导，EUT放置在试验布置支撑(见3.1.16)或者形状和大小合适、在每个位置都能让EUT正面位于场均匀区内的试验支撑装置(见3.1.21)上，而不使用有些抗扰度试验布置通常采用的高度为0.8m的绝缘桌。典型的EUT布置见图B.1.B.3.2 落地式设备的布置对于TEM披导，EUT放置在试验布置支撑上时要使其正面位于场均句区内。使用不导电的试验布置支撑防止EUT意外接地和场的畸变。试验布置支撑应采用绝缘体，不能采用在金属上覆盖绝缘层的结构。B.3.3 连接线的布置连接线暴露在电磁场中直至离开EUT1 m处。连接线布置在底板之上，在EUT的高度上或者沿xy平面
28、的对角线引到位于TEM波导外导体(TEM室的侧壁或者底板)上的引出点。应避免靠近内导体或外导体在z轴方向布置电缆，与TEM披导的内导体或外导体平行布置的电缆需要与导体之间至少保持0.1m的距离。引出电缆终端需要穿过功率吸收钳(见A.5.2).引出电缆的终端布置在场均匀区的边缘。关于吸收钳的特性，见CISPR16-1-4中的描述。B.4 试验方法通常EUT4个侧面中的任意一个都应朝向信号源端口进行试验。对于TEM波导，电场的极化方向单一典型的是垂直极化。因此，为确保EUT能受到完全与水平和垂直两种极化方式相等效的电磁照射，需要旋转EUT。例如，对于垂直极化的电场，要获得与水平极化相等效的照射，可
29、以首先将EUT围绕与场均匀区垂直的轴即TEM模的传播方向旋转900，重新定位EUT的第一个面，然后围绕与场均句区平行的水平轴旋转3次，照射EUT的其他各面(图B.1)。由此可能导致无法在TEM披导内对与方位相关的EUT进行试验。或者，可以让TEM波导围绕EUT旋转，或使用具有多个极化方向的TEM波导(见图A.9)获得等GB/T 17626.20-2014月EC61000-4-20 :2010 效的极化方式，频率步长应是前一频率点的1%。在每个频率点上的驻留时间不能少于EUT运行和响应所需时间，并且在任何情况下都不应少于0.5s，建议驻留时间为1S. 注g如果EUT由几部分组成，旋转时应注意保持
30、各部分的相对位置，这可能需要将EUT各部分和电缆仔细地固定在试验布置支撑或试验支撑装置上.在所需频率范围内按照上述要求设置频率步长，采用1kHz的正弦波进行80%的幅度调制，必要时可暂停试验以调整RF信号电平或切换振荡源。B.5 试瞌结果和试验报告除了通常的辐射抗扰度试验摄告的内容外，TEM披导的尺寸、型号和验证方法等细节应包含在试验报告中。说明gE-一电场主场分量，H一一磁场ph一一传播方向波矢量) Ek: H 0, 900, 180, 270 w a) 垂直极化四M波导导体b) 水平极化位于中心位置的滤波器旁的电缆布置应保持不动.试验布置支撑(3.1.1日在旋转时可能会根据简要进行重新定位
31、，试验布置支撑的厚度应为0.1m，包含多个单元的EUT必须固定在试验布置支撑上或者类似的试验台t，并以相同的方式旋转.也可以使用试验支撑装置以及可旋转的TEM波导见6J)或具有多种极化方式的TEM波导图A.的，以实现EUT与入射场极化方式之间的相对方位要求.圄B.1单极化方向前TEM波导的试验布置29 GB/T 17626.20-2014月EC61000-4-20: 20 1 0 输入端口何视图v 确认点场均匀区仰视图可用试验区域横截面场均匀场均匀区确认点区-芯板(内导体hnt厅L a) 倒视图y ,V !芯板 . a b) 剖视囡g t -h -_-_-L- t I I I h i lEt.
32、厅x 1 l A 1 t 电磁波吸收材料-唱z 注s本例是GTEM室场均匀区内按照B.2.3设置的3X3个确认点.图B.2b)绘出场均匀区的最大可能尺寸.场均匀区(平面)的边界由四周的确认点确定.确认点不能超出可用试验区域见5.2.2和图A.6-图A.的.圄B.2四M迪辱中场均匀区确认的位置点30 GB/T 17626.20-2014月EC61000-4-20:2010 附录C(规范性附暴四M波导中的HEMP鹏态试验C.l 简介本附录的制定是为了规范电子和电气设备及系统的HEMP抗扰度试验。目的是使制造商可以对设备和小的系统进行评价，并可采用许多与IEC实验室巳有的其他电磁抗扰度试验相同的试验
33、方法，这些试验方法是出于其他电磁兼容性目的而制定的。需要注意的是，在HEMP业界模拟器这一术语经常用于描述多种不同类型的、可以形成合适的HEMP照射环境的试验设备(见IEC61000-4-32).在本附录中，该术语仅指可以产生HEMP波形的TEM波导。尽管本附录拟采用与在TEM波导内进行其他类型试验相一致的方式描述TEM波导中的HEMP试验要求，但由于本附录涉及的瞬态试验与连续波试验在本质上差别很大，当本附录中HEMP试验要求与标准主体内容的描述不一致时，HEMP的要求应取代其他所有要求。C.2 抗扰度试验C.2.1 慨述HEMP抗扰度试验主要包括两种类型z辐射抗扰度试验和传导抗扰度试验。出于
34、本部分的考虑，术语电子设备指执行特定功能的装置，它可能是小型计算机或者电话。有的设备(例如，连接到其他外设的计算机、工厂里监视生产流程的控制板可认为是更大系统的一部分。通常电子设备相对较小，大敢为1mX1mXlm或者更小。这些小设备的大多数试验最好能在实验室内采用电流注人模拟器和TEM波导完成。当模拟器内没有受试对象时，试验区域内的场近似为平面波，电场可以表示为2.5ns/25 ns的双指数脉冲波形，即10%-90%的上升时间为2.5ns，脉冲宽度等于25ns的单极性波形。该波形可用式(C.l)表示，单位V/m。式中za=6.0X108s-l; = 4.0 X 107 S-1 ; k=1.3,
35、 E(t) =E陆.k(e一声-e-ot) E 一-电场主场分量，单位为伏每米(V/m);E阳k-一电场强度的峰值，单位为伏每米(V/m); t 一一时间，单位为秒(s); Epe是从表巳1中选取的严酷等级试验电平。式(C.2)给出了式(C.l)所描述波形的频谱幅值，单位是V/(m.Hz-勺。.( C.1 ) Epeakk (a - ) |E(f|=HHH. . ( C.2 ) (2j)Z +aZ)(2j)Z+Z)J 31 GB/T 17626.20-20 14/IEC 61000-4-20:2010 式中zf是频率，单位为赫兹(Hz)。对应上述波形参数，式(C.2)的频谱幅值见图C.1.注2
36、更多信息见22J.C.2.2 辐射试验装置因为小试验装置的参数变化容差较小，它比大模拟器更容易满足场规范要求。这些小试验装置主要用于测试相对小的设备。对于早期HEMP脉冲波形，小试验装置在整个试验区域内的容差如下z一一电场峰值与磁场峰值的比值应等于Vo=3770士500，一一从10%90%峰值电压的上升时间应为2.25ns土0.25ns; 一一在10%90%的上升时间内电场应连续增加s一-脉冲宽度(脉冲上升沿和下降沿上等于Epeak的50%的两点之间的时间间隔)应为2.25ns士0.25 ns; 一一电场的预脉冲幅值应小于等于电场峰值的7%，一一-模拟器终端反射的电场应小于电场峰值的10%;一
37、一与100kHz300 MHz带宽内的理论频谱相比，试验区域中心处经平滑处理的电场频谱的波动不应超过士3dB; 一一当电场主场分量达到峰值时，其他次场分量见3.1.19)应小于主场分量峰值的10%，这比5.2.1的要求更加苛刻p一一在试验区域内，电场峰值的均匀性应满足如下标准z试验区域内的电场峰值在时域应位于Epeak2E陆范围之内z一一为评估场的容差，应在未放人EUT时对试验区域中心和8个角上的电磁场进行测量。C.2.3 频谱要求除了瞬态场的要求外，模拟器内电磁场的频谱还应满足如下要求za) 在起始时间0s到终止时间2间的时间段内对瞬态波形进行等间隔采样计算其频谱，采样点数为4096.采用FFT或DFT计算4096个点的复数域频谱，计算频率间隔为0.5MHz，最高频率为1GHz; b) 频谱应采用包含5个点的窗口平均值进行平滑(即在2MHz的窗口上对频谱进行平均); c
