1、ICS 3 1. 200 L 55 GB 中华人民共和国国家标准GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术术语Micro-electromechanical system technology-Terms 2011-01-10发布2011-10-01实施量生哥马防伪中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T 26111一2010目次前言.m l 范围-2 规范性引用文件.3 术语和定义3. 1 综合性术语.1 3.2 科学与工程术语.2 3.3 与材料相关的术语.3 3.4 与设计相关的术语.4 3.5 与加工工艺相关的术语3.6 封装与组装术语
2、.10 3. 7 测量技术术语.13 3.8 与器件相关的术语.15 参考文献.索引汉语拼音索引英文对应词索引27I GB/T 26111-2010 目U昌本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。本标准主要起草单位:中机生产力促进中心、中国电子科技集团第13研究所、清华大学、上海交通大学、中北大学。本标准主要起草人:丁红宇、刘伟、张苹、崔波、杨拥军、叶雄英、陈迪、石云波。皿GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术术语1 范围本标准规定了微机电系统领域所涉及的材料、设计、加工、封装、测量以及器件
3、等方面的通用术语和定义。本标准适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 2900. 66-2004 电工术语半导体器件和集成电路(lEC60050-521: 2002 , IDT) 3 术语和定义3.1 综合性术语3. 1. 1 微机电系统micro-electromechanical systems , MEMS 微系统microsystem 微机械micromachine 关键(部件)特征尺寸在亚微米至
4、亚毫米之间，能独立完成机电光等功能的系统。注1:微机电系统一般包括微型机构、微传感器、微执行器、信号处理和控制、通讯接口电路以及能源等部分，注2.微机电系统通常需要多学科领域技术的综合应用，例如机、电、光、生物等多种领域。注3:MEMS主要在美国使用，微系统主要在欧洲使用，微机械主要在日本使用。3.1.2 微机电系统技术micro-electromechanical system technologies MEMS技术实现微机电系统的技术。3.1.3 微科学与工程micro-science and engineering 针对于微机电系统的微观科学与工程。注:随着微机电系统构件尺寸的减小，许多
5、物理特性发生了变化。主要有两类情况:1)这些变化有时可以由宏观世界的变化推断出来;2)随着微观效应的增强，使得这种推断变得不可能。对于后者，我们不仅要建立新的理论和经验公式来解释微观世界的现象，而且需要研究新的工程分析和归纳方法。可以针对微机电系统开展材料学、流体力学、热力学、摩擦学、控制工程、运动学等微观科学的系统研究。3.1.4 生物MEMS bio-MEMS 与生物或生物医学技术相结合的MEMS。IEC 62047-1:2005，定义2.8. 1J 1 GB/T 26111-2010 3. 1.5 射频MEMSradio frequency MEMS , RF MEMS 与元线通信技术相
6、结合的MEMS。3. 1. 6 微光机电系统micro-optical-electronicmechanical systems , MOEMS 与光学技术相结合的MEMS。3.2 科学与工程术语3.2. 1 尺寸效应scale effec 由于物体尺寸的变化而导致各方面的性质和特性发生改变的现象。3.2.2 表面效应surface ffect 由于物体尺寸变小，表面积与体积比增大，而导致物体表面的性质和特性发生改变的现象。3.2.3 粘附stiction 因表面张力或静电力等使微结构附着于基底或其他结构体的现象。3.2.4 防粘附antistiction 避免发生粘附现象。3.2.5 亲水性
7、hydrophilicity 物质对水有较高的亲和能力，即可以吸引水分子，或溶解于水。注:亲水固体材料的表面，易被水所润湿。3.2.6 疏水性hydrophobicity 物质与水相互排斥的现象。注:对固体，疏水表现为浸润性差;对液体，表现为与水之间不相溶。3.2.7 静电驱动elecr咽taticactuation 利用结构间的静电场力进行的驱动。3.2.8 电磁驱动electromagnetic acuaton 利用电磁力进行的驱动。3.2.9 压电驱动piezoelecric acuation 利用外电场使压电材产生伸缩形变进行的驱动。3.2.10 电热驱动electrothermal
8、acuation 利用材料在电流产生的热能作用下升温膨胀进行的驱动。3.2.11 光热驱动photothermal actuation 利用材料在光照产生的热能作用下升温膨胀进行的驱动。2 GB/T 26111-2010 3.2.12 声波驱动sound wave actuation 利用声波振动特性进行的驱动。3.2.13 彤状记忆合金驱动shape memory alloy actuation 利用形状记忆合金进行的驱动。3.2.14 表面张力surface tension 作用于液体表面单位长度上使表面收缩到最小的力。注1:表面张力是分子力的一种表现。注2:表面张力的方向与液面相切。3.
9、2.15 范德华力Van der Waals force 存在于分子间的一种吸引力。注z范德华力作用能的大小一般只有每摩尔几千焦至几十千焦，比化学键弱得多。3.3 与材料相关的术语3.3. 1 功能材料function material 在力、电、磁、声、光和热等方面具有特殊性质，或在其作用下表现出特殊功能的材料。3.3.2 压电材料piezoelectric material 在外力作用下发生极化而在两端表面间出现电位差，或在外电场作用下发生形变的材料。3.3.3 压阻材料piezor四istivematerial 在应力作用下电阻率发生明显变化的材料。3.3.4 形状记忆合金shape m
10、emory alloy 发生塑性变形后，在某一温度下能恢复原来形状的合金材料。注:材料在某一温度下受外力变形，去除外力后能保持其变形后的形状，但当温度上升到某一温度，材料会自动恢复到变形前原有的形状。IEC 62047-1:2005，定义2.3.1J3.3.5 单晶硅monocrystalline silicon 硅的一种形态，具有完整的点阵结构且晶体内原子都是呈周期性规则排列的硅晶体，是MEMS用作衬底的主要材料。3.3.6 多晶硅polycrystalline Silicon 硅的一种形态，晶体内各个局部区域里原子呈周期性排列，但不同局部区域之间原子排列元序。在微机电系统中多用于结构层和电
11、极导电层。3.3.7 非晶硅amorphous silicon 硅的一种形态，是晶体内分子不呈空间有规则周期性排列。3 G/T 26111-2010 3.3.8 N型硅N type silicon 在硅中掺入微量的V族元素，能形成以电子导电为主的半导体。3.3.9 P型硅P type silicon 在硅中掺入微量的田族元素，能形成以空穴导电为主的半导体。3.3. 10 二氧化硅silicon dioxide 硅的一种氧化物。一般是指通过热氧化或沉积等方法而成的薄膜材料，在MEMS中多作为绝缘层、掩膜或牺牲层使用。3.3. 11 氯化硅silicon nitride 硅的一种氮化物，一般是指通
12、过气相沉积而成的薄膜材料。在MEMS中多作为绝缘层、掩膜或支撑结构层使用。3.3.12 碳化硅silicon carbide 硅的一种碳化物，一般是指通过气相沉积而成的薄膜材料。在MEMS加工中，常在结构表面沉积一层碳化硅以防止被高温破坏或氧化。3.3.13 光fil肢photoresist用以产生抗蚀膜的感光树脂，通过见光和不见光的选择性去除，实现图形化。注:光刻胶通常分为负性光刻胶和正性光刻胶。3.3.14 聚酷亚服polyimide 分子链中含有酷亚胶环状结构的环链高聚物，具有耐高温等特性。注1:在MEMS中通常做厚结构使用。注2:光敏聚酿亚胶可作为光刻胶用。3.3.15 聚二甲基硅氧皖
13、polydimethylsiloxane, PDMS 分子链中含有硅氧结构的聚合物，具有较高的透明、生物相容等特性。3.3.16 囊甲基丙烯酸甲醋poly methyl methacrylate, PMMA 由甲基丙烯酸甲醋组成的聚合物。在微加工中多指对X线或电子束敏感的一种光刻肢。3.4 与设计相关的术语3.4.1 MEMS系统级设计MEMS system level desi伊按照系统的角度将要设计的MEMS系统划分成不同的功能模块，采用系统级的分析方法和工具对设计的系统进行分析，确定各模块的功能和结构。3.4.2 MEMS器件组设计MEMS device level design 采用解
14、析和数值计算的方法对MEMS器件的具体材料、结构参数和性能进行分析，从而得到器件的最终结构。4 G/T 26111-2010 3.4.3 MEMS工艺级设计MEMS process level design 考虑系统和器件的具体结构以及可以采用的工艺设备和条件，结合工艺之间的相关性、条件限制等引述，得到具体的工艺过程。3.4.4 MEMS版图级设计MEMS layout level design 采用版图设计工具，对结构和工艺过程进行具体化、参数和图形化的设计，得到加工中所需要的掩膜版图形。3.4.5 自上向下的设计top-down design 指在MEMS设计过程中从系统级、器件级到工艺级
15、的自顶向下设计。3.4.6 自下向上的设计bottom-up design 指在MEMS设计过程中从工艺级、器件级到系统级的自底向上设计。3.4.7 MEMS计算机辅助设计MEMS computer aided design , MEMS CAD 运用MEMS计算机辅助设计软件，在计算机终端以人机交互的方式进行设计。3.4.8 微模具设计micro-mould design 指用于各种微模塑成型的微模具设计。设计微模具需要在常规模具设计的基础上，充分应用微纳设计方法，考虑到微尺度因素影响，提高微小塑件填充率和表面质量、微模具寿命和可复用性等。3.4.9 降阶模型。rder-reducedmod
16、el 用状态空间方法表达的数学模型，采用模型集结的方法降低状态空间模型的阶数，所获得的低阶模型，或对于用微分方程、差分方程或时间序列分析等方法建立的模型，忽略其高阶项而获得的低阶模型。3.4. 10 集总参数模型lumped parameter model 集总参数是描述系统内在本质特性模型的简化，通过单点参数描述空间场分布，早期多应用在电路设计中，并拓展到由多部件组成的微机电系统的设计。利用集总参数求解，计算量和计算复杂度显著下降。3.4. 11 硬件描述语言hardware description language 用于描述数字系统的结构、行为、功能和接口等硬件特征的语句。3.4.12 分
17、布参数模型distributed parameter model 不能用电阻、电容和电感或阻尼、质量和弹簧等集总元件参数来描述传输线电路的特性或机械系统特性，而必须用连续地分布在系统各处的元件参数来描述，这类参数称为分布参数。3.4.13 等效电路equivalent circuit 具有电路参数的电路元件的排列，在所考虑的范围内，与某特定的电路或器件参数电气等效。注:为了便于分析，用等效电路替代更复杂的电路或器件。5 G/T 26111-2010 3.4.14 空气阻尼air damping 由空气介质产生阻尼效应。空气阻尼是借助于联接到可动部件的阻尼叶片交替地压缩箱子上部和下部的空气，将动
18、能转换空气的压缩热和摩擦热。3.4.15 品质因子quantity factor 振动系统存储的总能量与在振动一周期内损失的能量之比乘以2。3.4.16 躁声noise 物质中微粒的元规则运动就产生噪声。在电路中指由于电子的持续杂乱运动或冲击性的杂乱运动所形成的频率范围比较宽的干扰。3.4.17 瞬态晌应transient response 系统在某一典型信号(如脉冲、阶跃、谐波信号等)输入作用下，其系统输出量从初始状态到稳定状态的变化过程。3.4.18 动态分析dynamic analysis 研究系统在快速变化的载荷作用下或在系统在不平衡状态下的特性，称为动态分析。注:系统的最小基频小于载
19、荷的变化频率。3.4.19 静态分析static analysis 研究系统在恒定载荷或缓变载荷作用下或在系统平衡状态下的特性，称为静态分析。注:系统的基频远离于载荷的变化频率。3.4.20 模态分析modal analysis 运用计算或实验分析取得结构固有振动特性参数(如频率和振型)的过程，称为模态分析。模态分析是系统辨别方法在工程振动领域中的应用。3.4.21 藕合场分析couple-field analysis 指在有限元分析的过程中考虑了两种或者多种工程学科(物理场)的交叉作用和相互影响(搞合)。3.4.22 有限元方法finite element method , FEM 将求解域
20、看成是由许多称为有限元的小的互连子域组成，对每一单元假定一个合适的(较简单的)近似解，然后推导求解这个域总的满足条件(如结构的平衡条件)，从而得到问题的解。3.4.23 MEMS结点化模型MEMS nodal model 将MEMS系统视为由若干个同一能量域或不同能量域的基本单元组成的，每个单元为一个结点，与电路中基本元件如电阻、电容等相对应，运用AHDL语言将上述MEMS结点与真实电路连接在一起形成网络，建立系统的微分方程，运用系统级的分析工具(如SABER或SPICE)进行系统仿真和分析。3.4.24 多尺度模型multiscale model 指用于描述微纳器件中跨原子、纳米、亚微米、微
21、米尺度现象的数学模型，通常由分子动力学模型、量子物理模型、连续介质模型组成，体现了理论与试验关系的新认知方法，是多学科的交融与渗透结果。6 建立多尺度模型的核心问题是多过程捐合和跨尺度关联。3.5 与加工工艺相关的术语3.5. 1 微加工技术micromachining 实现微结构的加工技术的总称。注:微加工技术主要包括硅加工技术、LIGA技术、超精密与特种加工技术。3.5.2 硅加工工艺silicon process 硅微加工技术。注:虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工，但其中的许多技术是相同的。3.5.3 光刻photolithography 运用曝光的方法将精细的图形转移到光刻肢上
22、的技术。GB/T 26111-2010 注2光刻时使用有预定图形的玻璃板作为掩膜，掩膜放在涂有光刻胶的基底上，然后用紫外线或可见光使光刻胶基底部分曝光。曝光会改变光刻胶在显影液中的溶解性，掩膜上图形通过显影工艺转移到了光刻胶上。IEC 62047-1:2005，定义2.5. 7J 3.5.4 光刻掩模photom臼k有预定图形的部分透明的玻璃板或胶片。3.5.5 电子束刻蚀electron beam Iithography 利用电子束在衬底上生成高精度图形的技术。3.5.6 X射线光Jx-ray Iithography 运用X射线将高精度的图形转移到光刻胶上的技术。IEC 62047-1 :2
23、005，定义2.5.14J3.5.7 接触式曝光contact printing 掩模板直接与光刻胶层接触的曝光方法。3.5.8 接近式曝光proximity printing 掩模版与光刻胶层略微分开的曝光方法。3.5.9 投影式曝光projection printing 在掩模版与光刻肢之间使用光学系统实现曝光。3.5.10 表面微加工工艺surface micromachining 在基底表面逐层淀积不同材料并进行刻蚀，形成微结构的微机械加工工艺。IEC 62047-1: 2005，定义2.5.6J3.5.11 气相沉积vapor deposition 将物质由气体状态沉积到固体表面的技
24、术。注:气相沉积是利用加热或电子束照射将固体物质(通常为金属)气化，并将衬底暴露在气体中进行沉积，从而得到薄膜的技术。薄膜的纯度依赖于腔体内的压力，由于薄膜仅靠附着力薪附，所以，附着力较小且晶体结构不完7 GB/T 26111一2010整。因此，为了提高附着力并改善晶体结构，有时将衬底进行预热来促进沉积后的化学反应。IEC 62047-1:2005，定义2.5.29J3.5.12 物理气相沉积工艺physical vapor deposition process , PVD 利用热能或等离子体能量将淀积靶材料从固态变为气态，并再变成固态沉积在基底的过程。注:物理气相淀积工艺主要包括原子的真空蒸
25、发，和惰性或反应气氛下的单靶或多靶溅射淀积例如RF磁性溅射、离子束溅射、分子束外延、激光消融)。3.5.13 化学气相沉积工艺chemical vapor deposition process , CVD 把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽及反应所需其他气体引人反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。IEC 62047-1:2005，定义2.5. 31J 3.5.14 J蚀工艺etching process 用化学和(或)物理方法有选择的去除部分薄膜或者基底材料的加工工艺。IEC 62047-1 :2005，定义2.5. 18J 3.5.15 牺牲层刻蚀sacrificia
26、l etching 在几种不同材料的多层组合结构中，选择性地去除一层材料的工艺。3.5.16 体微加工工艺bulk micromachining 通过选择性去除部分基成材料实现微结构的微机械加工方法。注:体微机械工艺是通过化学方法刻蚀去除基底不需妄部分的加工方法。通过使用SiO，或Si3风掩模可以保护表面不被刻蚀。砌掺杂层也可以停止表面层以下部分的刻蚀。3.5.17 湿法刻蚀wet etching 利用与待刻材料可产生化学反应的溶液对薄膜或器件结构进行腐蚀的技术。注:在进行湿法刻蚀时，将不需要腐蚀的一部分掩簇，暴露其余的部分，然后将材料浸入反应溶液中。可分为各向同性刻蚀和各向异性J蚀。IEC
27、62047-1: 2005 ,2.5. 19J 3.5.18 干法刻蚀dryetching 利用可产生物理和/或化学反应的气体或等离子体进行刻蚀的技术，通常又称为干法刻蚀。注:电子能量所产生的可反应气体与衬底反应并移除材料，形成所帘的形状或尺寸。干法刻蚀可分为利用化学反应的各向同性腐蚀等离子刻蚀和利用物理反应的直接刻蚀离子刻蚀)。IEC 62047-1:2005，定义2.5. 20J 3.5. 19 各向同性刻蚀isotropic etching 刻蚀速度不随晶向或能量束方向改变的腐蚀过程。IEC 62047-1: 2005，定义2.5.21J3.5.20 各向异性刻蚀anisotropic
28、etching 随晶向或能量束方向不同，刻蚀速度不同的刻蚀过程。8 GB/T 26111-2010 IEC 62047-1: 2005，定义2.5.22J3.5.21 停蚀etch stop 防腐蚀层，停止过多的腐蚀。注:对于硅的腐蚀，停蚀主要利用在硅中掺杂其他元素(例如砌)来实现。硅的氮化层或氧化层同样可以实现停蚀。3.5.22 固片去除工艺lost wafcl- !lrocess 一种利用选择性刻蚀来去除大部分衬底材料而留下部分扩散层的工艺技术。IEC 62047-1:2005，定义2.5.24J3.5.23 化学机械抛光chemical-mechanical polishing 化学腐蚀
29、和机械磨削相结合的工艺技术。3.5.24 LIGA工艺LIGA process 利用基于X射线(同步辐射)和电铸成型的深层光刻获得微观结构的工艺。注1:LIGA是德语中的光刻、电铸成型和注塑成型，即:Lithographie、Galvanoformung、Abformu吨的首字母简写。注2:LIGA加工的特点包括可以大量生产宽度在1m-lOm，深度为几百微米的高深宽比的结构，LIGA技术可用于硅半导体、陶瓷、金属和塑料等各种材料。IEC 62047-1: 2005，定义2.5. 12J 3.5.25 UV-LIGA 利用极紫外线代替X射线的LIGA技术。IEC 62047-1: 2005，定义
30、2.5. 13J 3.5.26 电铸成型electroforming 通过在模型或模具上电镀，模型或模具随后与淀积的物体分离，进行的物品的生产或复制。注:通过非电镀使树脂或其他模具具有导电性，该模具作为电镀中的阴极，快速进行厚金属的电镀，通过分离模具得到产品。IEC 62047-1:2005，定义2.5. 31J 3.5.27 热压加工hot embossing process 将硬模挤轧在加热软化后的衬底上，从而将模具的微结构复制到衬底的加工过程。IEC 62047-1:2005，定义2.5.33J3.5.28 微注成型micromoulding 将液化后的材料注入模型，从而得到希望的细微零
31、件形状的加工过程。IEC 62047-1:2005，定义2.5.34J3.5.29 微电火花加工micro-electrodischarge machining 利用在微电极和材料之间进行放电而实现的加工过程。IEC 62047-1 :2005，定义2.5.32J3.5.30 能量束加工beam process 利用高密度能量束进行的加工技术。注:在微机械加工中使用的高密度能量束包括:激光束、电子束、离子束(典型的离子束是聚焦离子束，也就是FIB)和分子或原子束。9 GB/T 26111-2010 IEC 62047-1:2005，定义2.5.15J3.5.31 聚焦离子束加工focused
32、ion beam machining 利用加速并聚焦的离子溅射，将材料表面的细微部分去除的技术。注:利用直径大约在o.1m的聚焦离子束，可以加工高精度的微孔，加工各种探针，或加工、修改非球面透镜面。通过测量从材料反射的次级电子或离子的强度的变化，可以精确的控制加工的深度。缺点是加工的速度很慢，另外，为了获得高真空环境，需要相对复杂的设备。IEC 62047-1:2005，定义2.5. 17J 3.5.32 扫描隧道显微镜加工scanning tunneling microspe machining 利用扫描隧道显微镜(STM)进行的原子和分子级的表面加工(原子操作)。IEC 62041-1:
33、2005，定义2.5.35J3.5.33 键合bonding 将两层或多层硅片(或其他材料)叠放在一起，用一定外界手段促使其在接触面结合为一体的技术。3.5.34 晶圄键合wafer bonding 硅膜或者带玻璃的硅膜整体表面相连接的一种技术。3.5.35 粘接键合adhesive bonding 利用聚合物材料作为粘合剂，将两片材料键合在一起的技术。3.5.36 阳极键合anodic bonding 利用含有可移动离子的玻璃衬底和硅、金属等衬底进行的键合的技术。将晶片加热，并以硅作为正极，在两片衬底间施加高压，产生静电引力从而完成键合。IEC 62047-1 :2005，定义2.6.3J3
34、.5.37 扩散键合diffusion bonding 加热到熔点之下，通过原子间的相互扩散将处于固体状态的材料粘结在一起的技术。IEC 62047-1:2005，定义2.6.4J3.5.38 硅融熔键合silicon fusion bonding 硅、氧化硅等亲水衬底通过表面间氢键键合在一起，当高温退火后，变为Si-O-Si键键合的技术。IEC 62047-1: 2005，定义2.6. 5J 3.5.39 超声键合ultrasonic bonding 一种使用超声能量和压力焊接两种材料的工艺。3.6 封装与组装术语3.6.1 封装packaging 为了保护元器件，将其安装在具有连接端子的外
35、壳的操作。lEC 62047-1:2005，定义2.6. 8J 10 GB/T 26111-2010 3.6.2 固片级封装wafer level packaging 在划片前完成的封装。IEC 62047-1:2005，定义2.6.9J3.6.3 多芯片封装multichip package 指能装载若干块芯片并通过几个导体图形层将它们互连在一起的一种电子封装。3.6.4 封装延迟package delay 与完成组成逻辑电路的元件间的互连有关的时间延迟、它的量值取决于材料和距离。3.6.5 可键合性bond ability 当用超声或热压引线键合其中任何一种方法时，为使互连材料达到满意的键
36、合，键合面必须具有的表面特性和洁净度。3.6.6 引线键合工艺wire bonding 为了使半导体元件互连或与封装引线连接，常采用金属丝将它们互连的方法。3.6.7 芯片粘接die attach 整个芯片背面与一个涂有粘结肢的封装面进行粘接。3.6.8 芯片间的连接interchip wiring 为实现某种功能把一块芯片上的电路与另一块芯片上的电路用导线连接成通路。3.6.9 微组装microassembling 微技术结构单元和具有封装面的微结构元件进行的组装，或将这些元件安装在带有外壳且有电信号接触的其他产品上进行的连接。3.6.10 非接触操作non-contact handling
37、 采用非接触方式抓取并转移物体。IEC 62047-1: 2005，定义2.6.7J3.6. 11 微操纵器micromanipulator 用于操纵微小零件和微小工具、基因、细胞等细小物体的器械。注:微操纵器可以由机械、气动、液压(油压或水压)，电磁或压电执行器或电动马达进行驱动。用于对细胞进行操纵动的微操纵器一般由两个独立驱动组成z距离的微词和粗调方式。大部分微操纵器通过显微镜或摄像系统的视频图像来手动调节距离。IEC 62047-1 : 2005，定义2.6. 6J 3.6.12 附加键additive plating 混合电路基板通过掩模依次镀涂导体、电阻和绝缘材料的工艺，由此确定线条
38、、焊盘和元件的区域(部位)。11 G/T 26111-2010 3.6.13 纤焊braze 两种不同材料通过在其界面形成液相而形成连接。3.6.14 载带自动焊tape automated bonding, T A 一种采用热压键合技术将硅芯片与聚合物载带上带图形的金属(如覆铜的聚酷亚胶)焊接在一起，然后用外引线键合技术焊接到基板或电路板上的工艺。诸如测试、包封、老炼等中间工艺可用带状形式完成，然后从带上切下每个封装。3.6.15 带凸焊点的载带bumped tape 用于TAB工艺的一种载带，即把内引线键合区上的金属凸焊点做在带上，而不是做在芯片上。这就保证了内引线键合和被焊芯片的元焊点区
39、之间的机械和电气隔离。3.6. 16 片式载体chip carrier 封装半导体器件的一种专门的包封或封装形式，其电端点排布在它的周边，或是在四周的下面排布焊盘，而不是扩展的引线框架或插脚。3.6.17 芯片chip 管芯die 晶片的一部份(或整体)，可完成一种或若干功能。GBjT 2900.66-2004，定义521-05-30J3.6.18 板上芯片chip-on-board 用引线键合的方法把一块芯片直接粘接到电路板或基板进行的电连接。3.6.19 己测合格芯片known good die 封装前已测试的芯片，其功能符合要求。3.6.20 倒装芯片flip Chip 包含有电路元件的
40、一种元引线单片结构，通过适当数量的凸焊点，在这些焊点上面再覆盖导电粘接剂，使其电气或机械互连到混合电路上。此外，也可以带接触焊盘的芯片面朝下用焊料进行焊接。3.6.21 导电胶conductive adhesive 粘接材料，通常是环氧，其中添加金属粉以增加其电导率，常用的添加材料是银CAg)。3.6.22 共面引线coplanary leads 从电路封装的侧面引出的带状引线，为了便于表面安装，所有的引线均在同一平面上。3.6.23 包封encapsulation 密封或涂覆元件或电路的工艺，以便于机械及环境保护。3.6.24 共晶eutectic 应用于两种或两种以上物质的混合物的术语，该
41、混合物具有这些组分之间可能的最低熔点。G/T 26111-2010 3.6.25 玻璃轴烧结仕it把玻璃组分研磨成粉末，作为厚膜组分，烧结熔化，使其与基板粘接，并与导体组分固着在一起。3.6.26 玻璃化温度glass transition temperature 在聚合物和玻璃化学中，相应于玻璃向液相转变的温度。在该温度以下，热膨胀系数较小，而且接近常数;在该温度以上，热膨胀系数很大。3.6.27 接地面ground plane 基板上或埋置在基板中的导体层，它连接许多点到一个或多个接地电极上。3.6.28 混合摸块hybrid module 混合微电路和其他元件互连成一体或是互连成电子子系
42、统的一个部件的模块，这里所说的混合模块也叫做含有厚膜和薄膜的复合型模块。3.6.29 激光焊接laser soldering 通常是用长波长YAG或CO2激光器将焊料加热到再流焊温度，使其进行焊料互连的技术。这种焊接方法具有依次加热、迅速冷却的特点。3.6.30 引线框架lead frame 一种在其上进行芯片粘接，引线键合，然后模塑封装的片状金属框架。3.6.31 无引线片式载体leadless-chip carrier 一种周边带有金属化触点(而不是金属引线)的表面安装型封装。这些金属化触点可与印制板或基板上的金属化触点相焊接。3.6.32 硅片效率silicon efficiency 所
43、有硅芯片的总面积与总的封装面积之比。3.6.33 烧结sintering 对金属或陶瓷粉末加热，使它们的颗粒粘接在一起而形成一种单体结构。3. 7 测量技术术语3.7. 1 光学显微镜optical microscope 利用光学原理，把人眼所不能分辨的微小物体放大成像，以供人们提取微细结构信息的光学仪器。3.7.2 干涉显微镜interference microscope 采用通过样品内和样品外的相干光束产生干涉的方法，把相位差(或光程差)转换为振幅(光强度)变化的显微镜。3.7.3 体视显微镜stereomicroscope 一种具有正像立体感的目视仪器。13 G/T 26111-2010
44、 3.7.4 荧光显微镜f1110rescence microscope 以紫外线或其他光为光源，测量具有荧光特性的物体的显微镜。3.7.5 工具显微镜tool microscope 工具显微镜又称工具制造用显微镜，是一种工具制造时所用高精度的二次元坐标测量仪。3.7.6 扫描探针显微镜scanning probe microscope 利用原子尺寸的探针针尖在靠近样品表面的光栅图形内进行扫描，根据测得的探针与样品表面的物理量获得图像的显微镜。IEC 62047-1: 2005，定义2.7.1J3.7.7 原子力显微镜atomic force microscope 悬臂梁顶端与被测物之间产生原
45、子力，造成悬臂梁的移动。通过检测悬臂梁的位移得到被测物体表面几何形状的一种显微镜。IEC 62047-1 :2005，定义2.7.2J3.7.8 扫描隧道显微镜scanning tllnneling microscope 保持探针与被测物之间的隧道电流为一常量，通过检测探针来获得物体表面几何形状的显微镜。IEC 62047-1:2005，定义2.7.3J3.7.9 近场显微镜near-field microscope 近场显微镜利用距待测物体非常接近的针孔测量电磁和超声辐射强度，并通过检测针孔内的光栅获得高解析图像。IEC 62047-1: 2005，定义2.7.4J3.7.10 扫描电子显微
46、镜scanning electron microscope 通过收集电子束与样品相互作用所激发出的各种信息，经电子线路处理后得到样品表面结构图像的电子光学仪器。3. 7. 11 透射电镜transmission electron microscope 透射电镜是以电子束透过样品经过聚焦与放大后所产生的物像，技射到荧光屏上或照相底片上进行观察。3.7.12 表面轮廓仪sllrface profilometer 通过触针或光学探针对被测表面形貌进行测量的仪器。注3表面轮廓仪一般分为接触轮廓仪和非接触轮廓仪。3.7.13 纳米压痕仪nano indenter 通过触针以一定压力接触被测表面进行测量的
47、仪器。3.7.14 深宽比aspect ratio 立体结构的垂直尺寸(高)与水平尺寸(宽)的比例，该参数用来表征结构的相对厚度。14 IEC 62047-1: 2005，定义2.7.5J3.7.15 面内测量in-plane measurements 对平行于底层表面(或x-y表面)进行的测量。3.7.16 离面测量out-of-plane measurements 对离面结构在z轴方向(就是指，垂直于底层结构的方向)上进行的测量。3.7.17 片上测试test on chip 将测试结构同测试装置集成在一块芯片上的测试方法，称为片上测试。3.7.18 片外测试test out-of-chi
48、p 测试结构独立于测试装置的测试方法，称为片外测试。3.7.19 测试结构test structure GB/T 26111-2010 为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微结构(例如，悬臂梁或者是固定梁)。3.7.20 锚点anchor 悬空结构与基底连接的点。3.7.21 双端固支梁fixed-fixed beam 一种机械结构，它由两端固定的梁构成。3.7.22 结构层structural layer 完成MEMS工艺后，作为机械结构最终留下且含有MEMS结构的层。3.7.23 支撑区support region 由错点组成的区域。3.7.24 底层underlying layer 当移除牺牲层后直接位于结构层之下的层。3.7.25 牺牲层sacrificial layer 在结构层和底层之间最终被移除的那个层。3.8
