1、二FL5962 SJ 50597/33一1995主Semiconductor integrated circuits DetaiI specification of type JB 200 CMOS dual SPST analog switch 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JB 200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范SJ 50597/33 1995 1 范围1. 1 主题内容Semiconductor integrated circuits Detail specification of typ
2、e JB 200 CMOS dual SPST analog switch 本规范规定了半导体集成电路JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采用。1. 3 分类本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、功率和热特性分类。1. 3. 1 器件编号器件编号应按GJB597微电路总规范第3.6.2条的规定。1. 3. 1. 1 器件型号器件型号如下:器件型号B 200 1. 3. 1. 2 器件等级器件等级应为GJB597 1. 3. 1. 3 封装形式封装形式应按GB7092 封装形式如下:类型器件名称CMOS双路
3、单刀单掷模拟开关3.4条规定的B级和本规范规定的Bl级。成电路外形尺寸的。外形代号D I Dl4S3(陶瓷双列封装)J I 14臼(陶瓷熔封双列封装)T I TIOB4(带支柱、金属园形封装)中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实一1一, 1.3. 1. 4 功功率和热特性 臼50597/331995 最大允许功耗(mW)最大值(t/W)封装形式TA = 125t D14S3 J14臼T10B4 1. 4 绝对绝对项目V+至V_电(v+-v_) 数字输入电压入电压S D 最大电其贮存度结引线耐(10s) 1. 5 推荐工作条件推荐工作条件如下z正电源电压:V +
4、 =15V 负电源电压:V _ = -15V 400 400 350 符号Vs Vm V. 1mn Ts Ti Th 输入高电平电压:VIH二二2.4V入低电平电压:V1L0.8V 工作环境温度:-55TA125t 2 引用文件R曲。-Cl35 35 40 数最-0.3 V_-2 -65 GB 3431. 1 86 GB 3431.2 86 GB 4590 84 GB/T 7092 93 GJB 548 88 GJB 597 88 GJB 1649 93 半导体半导体电电路文字符号电参数文字符号电路文字符号引出端功能符号电路机械和气候试验方法电路外形尺寸方法和程序微电路总规范电子产品防静电放电
5、控制大纲3 一2一一一一一-最大40 V+ V+2 20 30 150 175 300 R由(J-A】120 120 140 单位v v v mA mA SJ 50597133一19953. 1 详细要求各项要求应按GJB597和本规范的规定。定和B1级器件仅在产品保证规定的要求不同于B级。、鉴定和质量一致性检验的某些项目和3.2 设计结构和外形尺寸设计结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定3.2.1 引出端排列引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。a. D14S3、J14S3引出b. TI0B4引出3.2.2 功能表2IN. NC GND NC 25. 2D V_ ;ND
6、1 2 3 4 5 6 7 lIN 2S 14 13 12 11 10 9 8 V+ l lN NG 飞JNC IS NC ;lS 飞V_图1引出端排列NC 3一SJ 50597/33一1995功能表如下:入电压开关状态2.4VV，运15V断开OV运V，0.8V 导通3.2.3 功能框图功能框图应符合图2的规定。V+ IN 平换阳电转则. . S D V_丰图23.2.4 电路图制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构，各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。3.2.5 封装形式封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3 引线材料和涂覆引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.
7、4 电特性电特性应符合表1的规定。3.5 口合应按GJB597第3.7.1.1条的规定。4 -SJ 50597133 1995 表1电特性特性符号件规范值单(若, V + = lSV, V _ = -ISV)最最大位V1L=0.8V TA=2St , -sst 70 V1(S =10VTA= 12St 100 导通电阻R国.8V。TA=2St , -sst 70 V I(S) = -10V =lmA TA= 12St 100 TA=2St -2 2 V I(O) = -14V T A = 12St, - sst V Df=2.4V -100 100 电流I l(oifnA V I(S) = -
8、14V TA=2St -2 2 V1(D) = 14V VIU=2.4V T A = 12St, - sst -100 100 1(0) = 14 TA=2St -2 2 V I(S)= -14V I V=2.4V T A = 12St, - sst -100 100 出电流nA oif) I v1(0) = -14V TA=2St -2 2 V I(S) = 14V V Df=2.4V T A = 12St, - sst -100 100 V1(0)=Vs=14Y TA=2St -2 2 V1=0.8V TA= 12st, -sst -200 200 开关导通电流I nA VUO) = Vs
9、 TA=2St -2 2 = -14V V1=0.8V T A = 12St, - sst -200 200 V1L =0.8V TA=2st -O.s 。.s低电平电流I也A V Df=2.4V T A = 12St, - sst -1.0 1.0 V1L=0.8V TA=2St -O.s O.S 高电平电流I Df A V Df= ISV T A = 12St, - sst -1.0 1.0 V1L=OV或T A = 2St 12St I.S 正电电1+ mA V1=SV TA= -sst 2.0 VIL=OV或T A = 2St , 12St -1.0 电负电L A V Df=SV TA
10、= -sst -10 电容EC1 TA=2St , GND=OV, v1L=OV,f=1 IS pF 开关输入电容1) CIS TA=2St, CND=OV. V1H=SV, f= IS pF 开关输出电容1) Cc路TA=2St, CND=OV, VIH=SV,f= 20 pF TA=2st, -sst 400 CL=100pF 开关导t皿ns RL=IKO TA=12st SOO CL=100pF TA=2St, -sst 400 开关关断时toif ns RL=lkO TA= 12St SOO 关断隔离度lSO TA=2St , v , = lV，f=200k出60 dB 通道串拢到TA
11、 Z25.VF ZIV.f=20OKE也Qz 60 注:1)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化响输入电容时进行5一SJ 50597133 1995 2)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化时进行测试。3.6 电试验要求器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求分组(见表3)项目B 器件s. 器件中间(老化Al A1 中间老化后)电All) Al1最终电试A2、A3、A42l、A9A2、A3、A42l、A9A组试验要求A1.A2.A3.A42lA9 .AI0.All A1.A2.A3.A42l A9 C组终点电试Al和表4的A极限Al和表4的AC 加的电分
12、组不要求AI0.All D组终点电测试Al Al 注:1)该分组要求PDA计算(见本规班4.2条)。2)该分组仅在初始鉴定和当工艺或设计改变时进行。对C，、CIS和Cc陷进行测量时，在被测量的输入端和地之间连接电容电桥，f=lM恼。6一JB 200电测试表3guomSlzs 引出端条件1)规范值被单分符号1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 测注号端位最小最大21N NC GND NC 2S 2D 飞V_NC 10 IS NC V NC lIN Al 0.8V GND 15V -1m 10叫15V 0.8V 9 -10 70 TA=25t 2 0.8V GND 10
13、V - lmAt- 15V 15V 0.8V 6-5 70 Ron Q 3 3 0.8V GND 15V lmA -10叫15V 0.8V 9-10 70 4 0.8V GND -10V lmA 15V 15V 0.8V 6-5 70 5 2.4V GND 15V -14V 14叫15V 2.4V 10 -2 2 I l(cif) 6 2.4V GND 14V -14Vf-1 5V 15V 2.4V 5 -2 2 nA 5 7 2.4V GND 15V 14V -14 15V 2.4V 10 -2 2 8 2.4V GND -14V 14VI- 15V 15V 2.4V 5 -2 2 9 2.
14、4V GND 15V -14V 14叫15V 2.4V 9 -2 2 lo(耐10 2.4V GND 14V -14Vf- 15V 15V 2.4V 6 -2 2 nA 图411 2.4V GND 15V 14V -14叫15V 2.4V 9 -2 2 12 2.4V GND -14V 14V 15V 15V 2.4V 6 -2 2 13 0.8V GND 15V 14V 14 川15V 0.8V 9.10 -2 2 11/0(011) 14 0.8V GND 14V 14VI- 15V 15V 0.8V 5.6 -2 2 nA 图715 0.8V GND 15V -14V -14叫15V 0
15、.8V 9.10 -2 2 16 0.4V GND -14V1- 15V 15V 0.8V 5.6 -2 2 -14V IIL 17 0.8V GND -15V 15V 2.4V 1 -0.5 0.5 A 18 2.4V GND -15V 15V 0.8V 14 -0.5 0.5 8 IIH 19 0.8V GND -15V 15V 15V 14 -0.5 0.5 A 20 15V GND 由15V15V 0.8V 1 -0.5 0.5 、guogu可l-m寻|出端条件1)毡值测单分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 注号+ 位最小最大21N NC GND N
16、C 2S 2D V_ NC 10 IS NC 飞qNC llN + Al 21 OV GND ISV OV 12 1. 5 1+ A 9 TA=25t 22 5V GND 15V 5V 12 1. 5 23 OV GND 15V OV 7 -1.0 L A 图924 GND 15V 5V 7 -1.0 5V A2 25 0.8V GND 15V 0.8V 9-10 100 TA = 125t 26 0.8V GND 10V -1 10V 15V 0.8V 6-5 100 -R 。困3GND 100 。m27 0.8V 15V 0.8V 9-10 28 0.8V GND -lOvllmA -15
17、VI lmA -lovl 15V 。.8V6-5 100 29 2.4V GND -14VI 14V 15V 2.4V 10 -100 100 I l(off) 30 2.4V GND 14V 15V 2.4V 5 -100 100 nA 图531 2.4V GND 14V -14VI 15V 2.4V 10 -100 100 32 2.4V GND -14VI 14V -lsvl 15V 2.4V 5 -100 100 33 2.4V GND -14VI 14V ISV 2.4V 9 -100 100 34 2.4V GND ISV 2.4V 6 -100 100 Io(耐nA 图435 2
18、.4V GND 14V -14VI 15V 2.4V 9 -100 100 -14VI 14V 36 2.4V GND 15V 2.4V 6 -100 100 37 0.8V GND 14V 14飞J15V 0.8V 9.10 -200 200 1 Vo( on) 38 0.8V GND 15V 0.8V 5.6 -200 200 nA 图739 0.8V GND -14VI-14VI 15V 0.8V 9.10 -200 200 40 0.8V GND -14VI-14VI 15V 0.8V 5.6 -200 2 。guomSi-gm 续表3引出端条件1)规范值测被单分组符号试l 2 3 4
19、 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 测注号端位最小最大21N NC GND NC 25 2D V喃NC 10 15 NC V+ NC lIN A1 41 0.8V GND -15V 15V 2.4V -1.0 1.0 111 A TA=125C 42 2.4V GND -15V 15V 0.8V 14 -1.0 1. 0 图8寸l lH 43 0.8V GND -15V 15V 15V 14 -1.0 1.0 P.A 44 15V GND -15V 15V 0.8V 1 -1.0 1.0 斗45 OV GND -15V 15V OV 12 1.5 1+ mA 图946 5V G
20、ND -15V 15V 5V 12 1. 5 47 OV GND -15V 15V 。v7 -10 1-A 图948 GND 自15V5V 15V 5V 7 -10 A3 49 0.8V GND -15V -lmAJ 10V 15V 0.8V 9 -10 70 rr A = - 55 C 50 0.8V GND 10飞J-1m -15V 15V 0.8V 6-5 70 Ron Q 图351 0.8V GND -15V lmA -10V 15V 0.8V 9-10 70 52 O.8V GND -10V lmA -15V 15V 0.8V 6呻570 53 2.4V GND -15V -14V
21、14V 15V 2.4V 10 -100 100 II(off) 54 2.4V GND 14V -14V -15V 15V 2.4V 5 -100 100 nA 图555 2.4V GND -15V 14V -14V 15V 2.4V 10 -100 100 56 2.4V GND -14V 14V -15V 15V 2.4V 5 -100 100 57 2.4V GND -15V 14V 14V 15V 2.4V 9 -100 100 10(耐58 2.4V GND 14飞J-14V -15V 15V 2.4V 6 -100 100 nA 囡459 2.4V GND -15V -14V -
22、14V 15V 2.4V 9 -100 100 60 2.4V GND -14V 14V -15V 15V 2.4V 6 -100 100 、。续表3坦白白白白ls山寻|出端条件1)范测、单分组符号试1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 注号端位最小最大21N NC GND NC 2S 2D V_ NC 10 IS NC V+ NC lIN + A3 61 0.8V GND -15V 14V 14V 15V 0.8V 9.10 -200 200 rr A = -55甘62 0.8V GND 14V 14V -15V 15V 0.8V 5.6 -200 200 11/
23、0(011) nA 图763 0.8V GND - 15V -14V -14V 15V 0.8V 9.10 -200 200 64 0.8V GND -14V -14V -15V 15V 0.8V 5.6 -200 200 llL 65 0.8V GND -15V 15V 2.4V -1.0 1.0 A 66 2.4V GND -15V 15V 0.8V 14 -10 1. 0 + 图811M 67 0.8V GND -15V 15V 15V 14 -1.0 1. 0 A 68 15V GND -15V 15V 0.8V -1.0 1. 0 69 OV GND -15V 15V 。v12 2.
24、0 1+ mA 图970 5V GND -15V 15V 5V 12 2.0 + 71 OV GND -15V 15V OV 7 -10 L A 图972 5V GND -15V 15V 5V 7 -10 -r 十A4 73 GND -15V 15V 。v14 15 TA =25t Cj pF 2) 74 OV GND -15V 15V l 15 75 GND -15V 15V 。v10 15 C pF 2) 76 5V GND -15V 15V 5 15 77 GND -15V 15V OV 9 20 Coo pF 3) 78 5V GND -15V 15V 6 20 79 2.4V GND
25、 -15V 15V 2.4V 9 60 dB lSO 图1280 2.4V GND -15V 15V 2.4V 6 60 L一户。ggg己也l吕S寻|出端条件1) 艳、单分组符号1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 注号位最小最大飞卢21N NC GND NC 2S 2D NC 1D IS NC V+ NC lIN ? x 81 0.8V GND -15V 15V 2.4 V 9 60 dB 图13A9 82 GND -15V OUT 10V 15V lN 14-9 400 TA =25t: 83 lN GND lOV OUT -15V 15V 1-6 400 图6
26、tan 84 GND -15V OUT -10V 15V lN 14-9 400 ns 85 lN GND -10V OUT -15V 15V 1-6 400 86 GND -15V OUT 10V 15V lN 14-9 400 87 lN GND 10V OUT -15V 15V 1-6 400 图6t Oft 88 GND -15V OUT -10V 15V lN 14-9 400 ns 89 lN GND -10V OUT -15V 15V 1-6 400 AI0 tan 90 GND -15V OUT 10V 15V lN 14-9 500 TA = 125t: 91 lN GND
27、10V OUT -15V 15飞J1-6 500 图692 GND -15V OUT -10V 15V lN 14-9 500 ns 93 lN GND -10V OUT -15V 15V 1-6 500 + 94 GND -15V OUT 10V 15V lN 14-9 550 95 lN GND 10V OUT -15V 15V 1-6 550 图6t 96 GND -15V OUT -10V 15V lN 14-9 550 ns 97 lN GND -10V OUT -15V 15V 1-6 550 -+ 98 GND 15V OUT 10V 15V lN 14-9 400 Al1 99
28、 lN GND 10V OUT -15V 15V 1-6 400 图611 = -55 tan 100 GND -15V OUT -10V 15V lN 14-9 400 ns 101 lN GND -10V OUT -15V 15V 1-6 400 . . 续表3如N ? 号i出条件1)规范值测单分组符号试l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 注号端位最小最大21N NC GND NC 25 2D V_ NC 10 15 NC V+ NC lIN 102 GND -15V OUT 10V 15V lN 14 - 9 400 103 lN GND lOV OUT -
29、15V 15V 1-6 400 图6t ott 104 GND -15V OUT -10V 15V lN 14 -9 400 ns 105 lN GND -10V OUT -15V 15V 1-6 400 注:所给出的均与双列封装的引出应.封装的测试方法相同。1)未被标注的引出端可以是高电平、低电平或开路。2)C1、C1S仅在初始鉴定和当工艺或设计的改变可能影响输入电容时进行测量，在被测量的输入端和地之间连接电容电桥。f=lMHzo 3)Cc后仅在初始鉴定和当工艺或设计的改变可能影响输入电容时进行测量，在被测量的输出端和地之间连接电容电桥，f=lMl句。mom电i m Vs 2.4V SJ 5
30、0597/33 1995 V 15V Vs一一一5或1012 6或90.8V 1或143 回3DUT 15V 12 7 -15V 试线路5或106或9DUT V 1或143 7 lMn -15V VD v,-v, Ioc。=丁丽矿图4Io(off)测试线路R V 13一Vs lN Vs 0.8V ISV l5或1012 DUT 1或143 矗|5或10v二v Vs DUT 6或911PR8J 50597/33 1995 R 1MO 15V 5或1012 DUT 3 6或91或147 I 一旦二卫Itoft-1MQ 困5Il(of)测试线路lN ov it5O . 10V OUT 飞I I E
31、(.N飞80 7 lk -10V 80 . OUT 1-lSV t. 图6h、lolf测试线路及测试波形15V 12 6或9I I Vo l5或10E Vo 5V 5V 。v。v15V 12 6 9 。UT。UTI RI I (V飞14 1或143 7 1M!l. -15V Vo V-v, II/OM=丁丽之图71 I/O(测试线路14一3 7 R V 1如10-15V 15V或O.8V图811L、I试线路也50. . *8011. |骂.80h SJ 50597/33 1995 15V 15V 11 12 14 2.4V 2.4V-12 a 1) DUT 5 10 6或9I 10 I IG
32、!空5 DUT 1或14OV或5V1 3 7 I 6 9l 测试点3 lKO l kO 一15-15V 图91+、L测试线路因10lSO测试线路注:1)该被形发生器为正弦波发生器，频率200k施，幅度lVp_p。15V -1 12 14 2.4V O.8V 1) 立r-1s10 DUT I I I1 kO 毛dr,KO 9 试点lkO lKO -15V 图11串试线路注:1)该形发生器为正弦波发生器，频率200kf毡，幅度1飞-pO表4C组终点测试1)(TA=25t:) 规范值i 变化窒(.:1)Roo 11/0帽.)最大70 2 最小大单位特性别最小7 15 1 。nA 一15一SJ 505
33、97/33 1995 注:1)每个参数的测试均适用于所有的开关;2)每个参数均在所需要进行的老化寿3.7 标志前、后进行记录，以确定A值。标志应按GJB597第3.6条的规定。3.8 微电路组的划分本规起所涉及的器件应为第82微电路组(见GJB597附录E)。4 质量保证规定4.1 抽样和检验范另有规定外，抽样和检4.2 筛选程序应按GJB597和GJB548方法5005的规定。在鉴定检验和定进行筛选。项目内目(封普稳定性烘烙(不要求终点电测试温环恒定加速度中间老化)电试老化十中间(老化后)电试一16一方法2010 1008 1010 2001 1015 致性检验之，全部器件应按GJB548方
34、法5004和本规范表5的规表5条件和要求(GJB548) B 件s.级器件说明条件方法条件件B2010 B 斗试验条件C18 试验条件C(150t: , 24h) (l50t: ，24的试验条件1010 试验条件C可用方法1011条件A替代。试中E2001 条件D后进行目检.引线断lYl方向Yl方向落、外壳、封普脱落为失效。十本规范Al分组本规范Al分组由制造厂决定是否进行卒筛选条件D或1015 条件D或采用本规范图12试验条件C试验条件C采用本规范图13线路(125t: ，160时( 125t: , 160h) 采用本范图14线路或试验条件F或试验条件F本规范Al分组本规范Al分组一一SJ
35、50597/33 1995 续表5条件和要求(GJB548) 项目B级件B1 器件说明方法条件方法条件允许的不合格品5%.本范A1四%本规范A1分若老化前未进行中间电测率(PDA)计算分组，当不合格组当不合格品率试.则老化后中间电测试品率不超过不过20%时可A1分组的失效也应计入20%时可重新提重新提交老化，但PDA 交老化，但只允只允许次许次最终电l试本规范A2.A3. 本规范A2.A3. 本项选后，若引线涂覆改A4.A9分组A4.A9分组变或返工，则应再进行A1分组试。密封1014 试条件A1或1014 试条件Al或细A2 A2 粗检试条件C1或试条件Cl或口.c2 外部目检2009 按规
36、定2009 按规定鉴定或质量致5005 第3.5条5005 第3.5条位检验的试验样品抽取17一lkO 町50597133一199515V Vo 10001 t 1000 14 12 10 9 DUT 3 5 6 7 1000 G -15V 图12老化及寿V. -15V D田-注:IN输入信号、方波、占空比50%频率50kHz土10%，TTL电平EVD输入信号、方波、占空比50%电压土15V，频率小子25kHz;ISV 15V 1000 1a 1000-1 12 15V 1 12 lSV 6 15V 1000 6 14 I 110kO 114 DUT 1000 ISV DUT 工1000 5
37、15V 5 9 9 10 , L才1033 7 7 10kO 1000 1000 -15V -lSV 图13老化(18一、功反偏)及寿线路图14老化及寿命(温度加速)试验线路 SJ 50597/33 1995 4.3 鉴定检验鉴定检验应按GJB597的规定，所进行的检验应符合GJB548方法5005和本规范A、B、C和D组检验(见本规范第4.4.1-4.4.4条)的规定。4.4 质量一致性检验性检验应按GJB597的规定，所进行的检验应符合GJB548方法5005和本规范A、B、C和D组检验(见本规范第4.4.1-4.4.4条)的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按本规范表6的规定。电试验要
38、，求应按本规范表2的规定，各分组的电测试应按本规施表3的规定。各分组的测试可用同一个样本进行，当所要求的样本大小超过批的大小时，允许100%检，各分组的测试可按任意顺序进行。合格判定数(C)最大为2。表6A组检验样品数/(接收数)试验或LTPDB级件BI 器件Al分组2St下静试2 2 A2分组12St下静态测试3 3 A3分组-sst下静试5 5 A4分组1)2St下动态测试5/(0) 5/(0) A9分组2 2 2St下开关测试AIO分组12St下开关测试3 All分组-sst下开关试5 注:1)A4分组仅在初始鉴定和当工艺或设计改变时进行。4.4.2 B组检验B组检验应按本规施表7的规定
39、。BI-B5分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。19一SJ 50597/33 .1995 可表7B组检验若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548规定的方法条件和要求样品数/试验B级件Bt级器件(接收数)说明方法条件方法条件或LTPDB1分组2016 按规定2016 按规定2/(0) 尺寸B2分组2015 按规定2015 按规定4/(0) 抗溶性B3分组2022 焊接温度2022 焊接度15 LTPD系对引线数言，被可焊性或2003245 :t 5t: 或2003245 :t 5t: 试器件数应不少于3个。B4分组2014 按规定2014 按规定1/(0) 内部目检和机械性能
40、B5分组2011 试验条件2011 试验条件15 可在封羔前的内部目检键合强度C或DC或D选后任意抽取样品进行超卢焊本分组。四分组15/(0) (a)电参数本规范Al本规程Al分组分组( b)静电放电GJB 1649 GJB 1649 仅在初始鉴定或产品重灵敏度等级设计时进行。( c)电参数本规范Al本规范Al分组分组4.4.3 C组检验C组检验应按本规市表8的规定。表8C组检验若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548规定的方法。条件和要求样品数/试验B级器件BI 级件(接收数)说明方法条件t打法条件或LTPD-一-一Cl分组5 砖、态寿命1005 试验条件。1005 试验条件D采用本
41、规范图12线路或试验条件C或试验条件C采用本规范图13线路(125t: .lOOOh) (125t: 1000h) 或试验条件F或试验条件F采用本规范图14线路终点电测试Al和表4的Al和表4的i1极限值A极限值一20一臼50597/331锦5续表8若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548规定的方法。试 分组温度恒定加速度密封粗目检终点电测试C3分组125C下开关c4分-55C下开关试4.4.4 D组检验条件B级器件条件1010 2001 1014 验条件CE. 方向条件Al或条件Cl或法1010目检范Al分组和4的A极求求D组检验应按本规范表9的规定。1010 2001 1014 验
42、条件C验条件D.1方向牛Al或件Cl或1010目规范Al分组和4的A极规范AI0分组规范All分样品数/(接收数)LTPD 15 3 5 说明D1、D2、D5、时、四和四分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。试Dl分组尺寸D2分组引线牢固性密封粗表9D组检验若无其它规定，表中引用的试验方法系指GJB548规定的方法。条件和要求B级器件条件2016 2004 I试验条件B21014 条件Al或条件Cl或BI级器件条件2016艘规定2004 1014 件B2条件Al或件Cl或/ (接收数)LTPD 15 15 说明一21一创505971331995 B 9 条件和要求件|战条件|方法试金
43、样品数/ (接收数)或LPO说明方法03分组15 热冲击1011 条件B1011 件A次环5次环环11010阳验条件C1010 件C次环抗潮湿11004悻规定B1级允许按GB4590 I ;jJ3;6条严格度D进行试验t 密封1014 1014 件Al或条件Al粗检f牛Cl条件Cl或因检1010和方法1010和自步。1004目检判终点电测试体规市Al分组规范Al分组D4分组15 机械冲击2002 件B2002 条件A用于03变频动2007 条件A2007 验条件A分组的恒定加12001陆输条件E2001 条件D样品可方向l方向用在M密封1014 1014 分组细检件Al或验条件Al或粗检i试验
44、条件Cl或C件Cl或自|按方法2002和2002和目检判目检判据终点电试体规范Al分组范Al分组05分组15 盐雾I 1009 条件A，悻用时B级器件l I 密封1014 检件Al或粗检件Cl或自检方法1009目检。q臼50597/3319959 条件和要求HJ样品数试验B级器件BI级件/ 说明(或接收数)，方法条件方法条件LTPO D6分组不要求3/(0)或内部水气1018 100C时最大水当3个件含量汽含量为:5/(1) 出1个失效时.I 5000ppm 可加试2个件并且不失效，若未通9 过，可在鉴定机构认可的另试-, 试，过，该批被接收07分组15 引线涂覆2025 按规定2025 按规
45、定LTPO系对引沾附强度数而言D8分组仅适用于陶瓷5/(0) 封矩仅适用于陶瓷2024 2024 熔封封装熔封封装4.5 检验方法检验方法应符合相应表格和如下规定。4.5.1 电压和电流所有给出的电压均以器件GND端为基准，给定的电流以流入器件引出端为正。4.5.2 老化和寿命试验冷却程序器件进行工作寿命或者化试验后，应先将器件冷却至室温，才能除去偏置，然后进行25t下。4.6 数据报告当订货合同有规定时，应提供下列数据的副本:a. 所有筛选试验的特征数据(见本规范4.2条)和所有老(见本规范3.5条)。b. 质量一致性检验数据(见本规范4.4条)。C. 老化期间的电参数分布数据(见本规范3.
46、5条)0d. 最后电测试数据(见本规范4.2条)。态寿命试验的变化数据/ 5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB597第5.1条的规定。今-臼50597/331995 6说明6. 1 订货资料订货合同应规定下列内容:a. 完整的器件编号(见第1.3.1条)。b. 需要时，对器件制造厂提供与所交付器件相应的检验批质量一致性检验数据的要求。C. 南要时，对合格证书的要求。d. 需要时，对产品或工艺的更改通知采购单位的要求。e. 需要时，对失效分折(包括GJB548方法5003要求的试验条件)、纠正措施和结果提供报告的要求。f. 对产品保证选择的要求。岛市要时，对特殊载体、引线民度或引线形
47、式的要求。h. 对认证标志的要求。i. 需要时的其他要求。6.2 缩写词、符号和定义本规范所使用的缩写词、符号和定义按GB3431.1、GB3431.2和GJB597的规定。6.3 替代性本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。不允许用普通工业用器件。6.4 操作4若器件必须采取防静电措施进行操作，推荐下列措施:a. 器件应在防静电的工作台上操作;b. 试验设备和器具应接地;C. 不能触摸器件引线;d. 器件应存放在导电材料或容器中;e. MOS区域内避免使用塑料、橡胶或丝织物;1 若可行，相对温度保持在50%以上。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第二十四研究所起草。本规范主要起草人:郑雷、胡永清。计划项目代号:B31017一24一用器
