SJ 50597 33-1995 半导体集成电路.JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范.pdf
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1、二FL5962 SJ 50597/33一1995主Semiconductor integrated circuits DetaiI specification of type JB 200 CMOS dual SPST analog switch 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JB 200型CMOS双路单刀单掷模拟开关详细规范SJ 50597/33 1995 1 范围1. 1 主题内容Semiconductor integrated circuits Detail specification of typ
2、e JB 200 CMOS dual SPST analog switch 本规范规定了半导体集成电路JB200型CMOS双路单刀单掷模拟开关(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采用。1. 3 分类本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、功率和热特性分类。1. 3. 1 器件编号器件编号应按GJB597微电路总规范第3.6.2条的规定。1. 3. 1. 1 器件型号器件型号如下:器件型号B 200 1. 3. 1. 2 器件等级器件等级应为GJB597 1. 3. 1. 3 封装形式封装形式应按GB7092 封装形式如下:类型器件名称CMOS双路
3、单刀单掷模拟开关3.4条规定的B级和本规范规定的Bl级。成电路外形尺寸的。外形代号D I Dl4S3(陶瓷双列封装)J I 14臼(陶瓷熔封双列封装)T I TIOB4(带支柱、金属园形封装)中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实一1一, 1.3. 1. 4 功功率和热特性 臼50597/331995 最大允许功耗(mW)最大值(t/W)封装形式TA = 125t D14S3 J14臼T10B4 1. 4 绝对绝对项目V+至V_电(v+-v_) 数字输入电压入电压S D 最大电其贮存度结引线耐(10s) 1. 5 推荐工作条件推荐工作条件如下z正电源电压:V +
4、 =15V 负电源电压:V _ = -15V 400 400 350 符号Vs Vm V. 1mn Ts Ti Th 输入高电平电压:VIH二二2.4V入低电平电压:V1L0.8V 工作环境温度:-55TA125t 2 引用文件R曲。-Cl35 35 40 数最-0.3 V_-2 -65 GB 3431. 1 86 GB 3431.2 86 GB 4590 84 GB/T 7092 93 GJB 548 88 GJB 597 88 GJB 1649 93 半导体半导体电电路文字符号电参数文字符号电路文字符号引出端功能符号电路机械和气候试验方法电路外形尺寸方法和程序微电路总规范电子产品防静电放电
5、控制大纲3 一2一一一一一-最大40 V+ V+2 20 30 150 175 300 R由(J-A】120 120 140 单位v v v mA mA SJ 50597133一19953. 1 详细要求各项要求应按GJB597和本规范的规定。定和B1级器件仅在产品保证规定的要求不同于B级。、鉴定和质量一致性检验的某些项目和3.2 设计结构和外形尺寸设计结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定3.2.1 引出端排列引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。a. D14S3、J14S3引出b. TI0B4引出3.2.2 功能表2IN. NC GND NC 25. 2D V_ ;ND
6、1 2 3 4 5 6 7 lIN 2S 14 13 12 11 10 9 8 V+ l lN NG 飞JNC IS NC ;lS 飞V_图1引出端排列NC 3一SJ 50597/33一1995功能表如下:入电压开关状态2.4VV,运15V断开OV运V,0.8V 导通3.2.3 功能框图功能框图应符合图2的规定。V+ IN 平换阳电转则. . S D V_丰图23.2.4 电路图制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构,各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。3.2.5 封装形式封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3 引线材料和涂覆引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.
7、4 电特性电特性应符合表1的规定。3.5 口合应按GJB597第3.7.1.1条的规定。4 -SJ 50597133 1995 表1电特性特性符号件规范值单(若, V + = lSV, V _ = -ISV)最最大位V1L=0.8V TA=2St , -sst 70 V1(S =10VTA= 12St 100 导通电阻R国.8V。TA=2St , -sst 70 V I(S) = -10V =lmA TA= 12St 100 TA=2St -2 2 V I(O) = -14V T A = 12St, - sst V Df=2.4V -100 100 电流I l(oifnA V I(S) = -
8、14V TA=2St -2 2 V1(D) = 14V VIU=2.4V T A = 12St, - sst -100 100 1(0) = 14 TA=2St -2 2 V I(S)= -14V I V=2.4V T A = 12St, - sst -100 100 出电流nA oif) I v1(0) = -14V TA=2St -2 2 V I(S) = 14V V Df=2.4V T A = 12St, - sst -100 100 V1(0)=Vs=14Y TA=2St -2 2 V1=0.8V TA= 12st, -sst -200 200 开关导通电流I nA VUO) = Vs
9、 TA=2St -2 2 = -14V V1=0.8V T A = 12St, - sst -200 200 V1L =0.8V TA=2st -O.s 。.s低电平电流I也A V Df=2.4V T A = 12St, - sst -1.0 1.0 V1L=0.8V TA=2St -O.s O.S 高电平电流I Df A V Df= ISV T A = 12St, - sst -1.0 1.0 V1L=OV或T A = 2St 12St I.S 正电电1+ mA V1=SV TA= -sst 2.0 VIL=OV或T A = 2St , 12St -1.0 电负电L A V Df=SV TA
10、= -sst -10 电容EC1 TA=2St , GND=OV, v1L=OV,f=1 IS pF 开关输入电容1) CIS TA=2St, CND=OV. V1H=SV, f= IS pF 开关输出电容1) Cc路TA=2St, CND=OV, VIH=SV,f= 20 pF TA=2st, -sst 400 CL=100pF 开关导t皿ns RL=IKO TA=12st SOO CL=100pF TA=2St, -sst 400 开关关断时toif ns RL=lkO TA= 12St SOO 关断隔离度lSO TA=2St , v , = lV,f=200k出60 dB 通道串拢到TA
11、 Z25.VF ZIV.f=20OKE也Qz 60 注:1)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化响输入电容时进行5一SJ 50597133 1995 2)仅在初始鉴定及当工艺和设计发生变化时进行测试。3.6 电试验要求器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组,各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求分组(见表3)项目B 器件s. 器件中间(老化Al A1 中间老化后)电All) Al1最终电试A2、A3、A42l、A9A2、A3、A42l、A9A组试验要求A1.A2.A3.A42lA9 .AI0.All A1.A2.A3.A42l A9 C组终点电试Al和表4的A极限Al和表4的AC 加的电分
12、组不要求AI0.All D组终点电测试Al Al 注:1)该分组要求PDA计算(见本规班4.2条)。2)该分组仅在初始鉴定和当工艺或设计改变时进行。对C,、CIS和Cc陷进行测量时,在被测量的输入端和地之间连接电容电桥,f=lM恼。6一JB 200电测试表3guomSlzs 引出端条件1)规范值被单分符号1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 测注号端位最小最大21N NC GND NC 2S 2D 飞V_NC 10 IS NC V NC lIN Al 0.8V GND 15V -1m 10叫15V 0.8V 9 -10 70 TA=25t 2 0.8V GND 10
13、V - lmAt- 15V 15V 0.8V 6-5 70 Ron Q 3 3 0.8V GND 15V lmA -10叫15V 0.8V 9-10 70 4 0.8V GND -10V lmA 15V 15V 0.8V 6-5 70 5 2.4V GND 15V -14V 14叫15V 2.4V 10 -2 2 I l(cif) 6 2.4V GND 14V -14Vf-1 5V 15V 2.4V 5 -2 2 nA 5 7 2.4V GND 15V 14V -14 15V 2.4V 10 -2 2 8 2.4V GND -14V 14VI- 15V 15V 2.4V 5 -2 2 9 2.
14、4V GND 15V -14V 14叫15V 2.4V 9 -2 2 lo(耐10 2.4V GND 14V -14Vf- 15V 15V 2.4V 6 -2 2 nA 图411 2.4V GND 15V 14V -14叫15V 2.4V 9 -2 2 12 2.4V GND -14V 14V 15V 15V 2.4V 6 -2 2 13 0.8V GND 15V 14V 14 川15V 0.8V 9.10 -2 2 11/0(011) 14 0.8V GND 14V 14VI- 15V 15V 0.8V 5.6 -2 2 nA 图715 0.8V GND 15V -14V -14叫15V 0
15、.8V 9.10 -2 2 16 0.4V GND -14V1- 15V 15V 0.8V 5.6 -2 2 -14V IIL 17 0.8V GND -15V 15V 2.4V 1 -0.5 0.5 A 18 2.4V GND -15V 15V 0.8V 14 -0.5 0.5 8 IIH 19 0.8V GND -15V 15V 15V 14 -0.5 0.5 A 20 15V GND 由15V15V 0.8V 1 -0.5 0.5 、guogu可l-m寻|出端条件1)毡值测单分组符号试2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 注号+ 位最小最大21N NC GND N
16、C 2S 2D V_ NC 10 IS NC 飞qNC llN + Al 21 OV GND ISV OV 12 1. 5 1+ A 9 TA=25t 22 5V GND 15V 5V 12 1. 5 23 OV GND 15V OV 7 -1.0 L A 图924 GND 15V 5V 7 -1.0 5V A2 25 0.8V GND 15V 0.8V 9-10 100 TA = 125t 26 0.8V GND 10V -1 10V 15V 0.8V 6-5 100 -R 。困3GND 100 。m27 0.8V 15V 0.8V 9-10 28 0.8V GND -lOvllmA -15
17、VI lmA -lovl 15V 。.8V6-5 100 29 2.4V GND -14VI 14V 15V 2.4V 10 -100 100 I l(off) 30 2.4V GND 14V 15V 2.4V 5 -100 100 nA 图531 2.4V GND 14V -14VI 15V 2.4V 10 -100 100 32 2.4V GND -14VI 14V -lsvl 15V 2.4V 5 -100 100 33 2.4V GND -14VI 14V ISV 2.4V 9 -100 100 34 2.4V GND ISV 2.4V 6 -100 100 Io(耐nA 图435 2
18、.4V GND 14V -14VI 15V 2.4V 9 -100 100 -14VI 14V 36 2.4V GND 15V 2.4V 6 -100 100 37 0.8V GND 14V 14飞J15V 0.8V 9.10 -200 200 1 Vo( on) 38 0.8V GND 15V 0.8V 5.6 -200 200 nA 图739 0.8V GND -14VI-14VI 15V 0.8V 9.10 -200 200 40 0.8V GND -14VI-14VI 15V 0.8V 5.6 -200 2 。guomSi-gm 续表3引出端条件1)规范值测被单分组符号试l 2 3 4
19、 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 测注号端位最小最大21N NC GND NC 25 2D V喃NC 10 15 NC V+ NC lIN A1 41 0.8V GND -15V 15V 2.4V -1.0 1.0 111 A TA=125C 42 2.4V GND -15V 15V 0.8V 14 -1.0 1. 0 图8寸l lH 43 0.8V GND -15V 15V 15V 14 -1.0 1.0 P.A 44 15V GND -15V 15V 0.8V 1 -1.0 1.0 斗45 OV GND -15V 15V OV 12 1.5 1+ mA 图946 5V G
20、ND -15V 15V 5V 12 1. 5 47 OV GND -15V 15V 。v7 -10 1-A 图948 GND 自15V5V 15V 5V 7 -10 A3 49 0.8V GND -15V -lmAJ 10V 15V 0.8V 9 -10 70 rr A = - 55 C 50 0.8V GND 10飞J-1m -15V 15V 0.8V 6-5 70 Ron Q 图351 0.8V GND -15V lmA -10V 15V 0.8V 9-10 70 52 O.8V GND -10V lmA -15V 15V 0.8V 6呻570 53 2.4V GND -15V -14V
21、14V 15V 2.4V 10 -100 100 II(off) 54 2.4V GND 14V -14V -15V 15V 2.4V 5 -100 100 nA 图555 2.4V GND -15V 14V -14V 15V 2.4V 10 -100 100 56 2.4V GND -14V 14V -15V 15V 2.4V 5 -100 100 57 2.4V GND -15V 14V 14V 15V 2.4V 9 -100 100 10(耐58 2.4V GND 14飞J-14V -15V 15V 2.4V 6 -100 100 nA 囡459 2.4V GND -15V -14V -
22、14V 15V 2.4V 9 -100 100 60 2.4V GND -14V 14V -15V 15V 2.4V 6 -100 100 、。续表3坦白白白白ls山寻|出端条件1)范测、单分组符号试1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 注号端位最小最大21N NC GND NC 2S 2D V_ NC 10 IS NC V+ NC lIN + A3 61 0.8V GND -15V 14V 14V 15V 0.8V 9.10 -200 200 rr A = -55甘62 0.8V GND 14V 14V -15V 15V 0.8V 5.6 -200 200 11/
23、0(011) nA 图763 0.8V GND - 15V -14V -14V 15V 0.8V 9.10 -200 200 64 0.8V GND -14V -14V -15V 15V 0.8V 5.6 -200 200 llL 65 0.8V GND -15V 15V 2.4V -1.0 1.0 A 66 2.4V GND -15V 15V 0.8V 14 -10 1. 0 + 图811M 67 0.8V GND -15V 15V 15V 14 -1.0 1. 0 A 68 15V GND -15V 15V 0.8V -1.0 1. 0 69 OV GND -15V 15V 。v12 2.
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