1、FL 5962 ，、SJ 50597/35 95 、l气L 口口Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JC4520 CMOS dual 4 bit binary up-counters 一1996-06-14发布1996-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准1 2 3 4 5 6 吕次范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 引用文件. . . . . . . . 要
2、求. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 质保证规定. 交货准备. . . . . 说明事项. . . . . (1) (2) (3) (10) (21) (21) 中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路.JC4520型CMOS双4位二进制同步计数器详细规范SJ 50597/35 95 Semiconductor integrated circuits Detail specification for type JC4520 CM
3、OS dal 4-hit hinary up-counters 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了半导体集成电路JC4520型CMOS双4位二进制同步计数器(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范给出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类。1. 3. 1 器件编号器件编号应按GJB597(微电路总规范第3.6.2条的规定。1. 3. 1. 1 器件型号:器件型号如下:jC4520 器件名称CMOS双4位二进制同步计数器器件型号1. 3. 1. 2 器件等级器件等级应为GJB597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。1.
4、 3. 1. 3 封装形式封装形式应按GB/T7092(半导体集成电路外形尺寸的规定。封装形式如下:类型D-hr-H一j卜)一一-一外形代号Dl6S3 F16X2 H16X2 Jl6S3 中华人民共和国电子工业部1996-0614发布1996-10-01实施SJ 50597/35 95 1. 4 绝对最大额定值绝对最大额定值如下:数值项目符号最最大电电压Vnn - 0.5 18 入电压V1 一0.5VDD +0.5 入电流(每个入端)I 1 I I 10 功耗Po 200 贮存温度m:围r咆- 65 175 引线耐焊接温度(lOs)Th 300 结温TJ 175 1. 5 推荐工作条件推荐工作
5、条件如下:数值工页目符号条件最最大电源电压Vrm 3 15 工作环境温度TA - 55 125 f陀PVrm = 5V 15 时钟脉冲上升、下降t fcp Vnn = lO V 5 时间Vw = 15V 5 t , Vnn = 5V 15 上升时间、下降时间If Vw = 10V 15 Vnn = 15V 5 脉冲宽度Iw Cp Vw = 5V 200 Vw = 10V 100 Vw = 15V 70 CR Vw = 5V 250 V口=10V 110 Vnn = 15V 80 EN Vw = 5V 400 Vw = 10V 200 Vnn二15V140 2 引用文件GB 3431.1 82
6、2一半导体集成电路文字符号电参数文字符号单位V V mA mW 单位V s ns GB 3431.2 86 GB 3439 82 GB 3834 83 GB 4590 84 GB4728.12 85 GB/T 7092 93 GJB 548 88 GJB 597 88 GJB 1649 93 3 要求3. 1 详细要求SJ 50597/35 95 半导体集成电路文字符号引出端功能符号半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理半导体集成电路机械和气候试验方法电气图用图形符号二进制逻辑单元半导体集成电路外形尺寸微电子器件试验方法和程序微电路总规范电子产品
7、防静电放电控制大纲各项要求应按GJB597和本规范的规定。本规范规定的B1级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和要求不同于B级器件。致性检验的某些项目和3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定。3.2. 1 逻辑符号、逻辑图和引出端排列逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。逻辑符号符合GB4728.12的规定。逻辑符号引出端排列D型1CR CTR 4 lCP口1-16口Vpl1 CT=O 1 EN. 。l1Q1 1 EN q2 15U 2CR 二三I21 lQ2 1 CP I CT IU 14 U 2Ql + lQl 3 4 1
8、3口2lQ1 1Q2 5 122Q1 2CR I CTR4 2 CT=O 。IQ1U6 11口22EN 112Q1 1 CR口710口2EN CT 212Q2 2CP + 飞口89 tJ 2CP .3 1 2Q 3一SJ 50597/35 95 逻辑图(1/2) GtD EI 00 EN Q. R 11 C, Q2 R 10 QJ CR R 10 图1逻辑符号、逻辑固和引出端排列注:F、H、J型封装的引出端排列同n到封装。3.2.2 功能表功能表如下:输入输出CP EN CR 00 QI Q2 Q3 X H + 保持 保持 保持H 保持H t 数t 数注:H一高电平;一任意志;L一低电平。4一
9、SJ 50597/35 95 波形图CPEN c， Qo Q, Q2 Q) 3.2.3 电路图1 2 3 4. 5 6 7 8、910 11 12 13 14 15 0 1 2 3 4-制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构，存档备查。3.2.4 封装形式封装形式应按本规3.3 引线材料和涂覆1.3.1.3条的规定。引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4 电特性电特性应符合本规范表1的规定。表1电特性条件规特性符号(若无其他规定.V , = OV Voo T A = - 55t: (V) 最小最大入正符位电压VK+ V割开路，出端开路，接地IK = 1mA 输入负符立电压V
10、K V阻接地，输出端开路.开JlIK =一1mAV. = OV. Vm = 5V 5 0.5 电源电流Ioo V. = OV. VH = 10V 10 l V. = OV. Vm = 15V 15 2 输出高电平电压VOH V. = OV. V1H = 15V 15 14.95 输出低电平电压VOL VH = 15V. VII = 9V 15 0.05 VOH二4.5V或VOI.= 0.5V 5 3.5 输入高电平电压V1H VOH = 9V或VOI.= lV 10 7 VOH= 13.5V或VOI.=1.5V15 11 范值TA = 25t: TA = 125t: 单位最小最大最小最大1.
11、5 V 一6V 0.5 15 A 30 2 60 14.95 14.95 V 0.05 0.05 V 3.5 3.5 7 7 V 11 11 5一SJ 50597/35 95 续表1规范值条件特性符号TA = - 55t: TA = 25t: TA = 125t: 单位(若无其他规定VSS= OV) Vnn (V) 最小最大最小最大最小最大VOL= 0.5V或VoH=4.5V5 1.5 1. 5 1. 5 入低电平电压VI1 VOL = lV或V佣=9V 10 3 3 3 V VOI. = 1.5V或VQH=13.5 15 4 4 4 V , = 5V. VOH = 4.0V 5 - 0.64
12、 - O. 51 -0.3叫出禽电平电流OH V , = 10V. VOH = 9.5V 10 -1.6 -1. 3 - 0.9 mA V , = 15V. VOH = 13.5V 15 一4.2一3.4一2.4V , = OV. VOL = 0.4V 5 0.64 0.51 0.36 出低电平电流 01. V , = OV. VOI. = 0.5V 10 1. 6 1. 3 0.9 mA V , = OV. VOI. = 1. 5V 15 4.2 3.4 2.4 入高电平电流H VlH = 15V 15 10 100 nA 入低电平电流 11. VH =OV 15 - 10 一100入电容C
13、, 扩=1MHz 5 7.5 pF Cl = 100pF. R2 = 1. 5kn 400 V 入试电压VZAP (见本规范4.5.3条)RL = 200kn Cp ENQ 5 560 560 840 C(. = 50pF. 10 230 230 395 t ,. tf = 20ns 15 180 160 184 tpLH 传输延迟时间f= 200kHz ns tpHL CRPQ 5 650 650 975 (见本规范图寸2) 10 225 225 337 15 170 170 255 PL = 200kn. C,. = 50pF 5 200 200 280 输出转换时间tTLH 儿.tf =
14、 20ns. f = 200kHz 10 100 100 140 ns tUIL (见本规范图2)15 80 80 112 5 1.5 1. 5 1. 1 RL = 200kn. C(. = 50pF 最命时钟频率fm., 10 3 3 2.2 MHz 儿t f = 20ns. f = 200kHz 15 4 4 3 3.5 电试验要求器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按本规范表3的规定。6一SJ 50597/35 95 表2电试验要求B级牛B1 级件项目分组(见表3)变化量极限分组(见表3)变化最极限中间(老化前)A1 A1 电测试中间(老化后)A1 1) Ll
15、 2) A1 1) Ll 2) 电测试最终电测试A2,A3, A7, A9 A2,A3, A7, A9 A组电测试Al,A2, A3 , A4 , A7 , Al,A2,A3, A4 , A7, A9, AlO, A11 A9 8组电测试A1 A1 C组终点电试A1 , A2, A3 Ll 2) Al ,A2,A3 Ll 2) C组检验增加的电测A10, A l1 试分组D组终点电测试Al , A2, A3 Al, A2, A3 注:1 )该分组要求PDA计算(见本规范第4.2条)。2)老化和寿命试验要求变化量(Ll )测试，变化量极限按本规范第4.5.2条的规定。表3电测试引用标准条件规范值
16、分组符号单位(若无其他规定，V田二OVo)GB 3834 最最大V1K+ 引用标准Voo接地，V割开路。被测入IK=-lmA，非被测Al 1. 5 V t入开路，输出开路。为( TA GB 3439 Vo口开路，V割接地。被测输入IIK二一lmA，非被测= 25C ) V1K 第2.1条-6 V I入开路，输出开路。Vno = 5V , VII = OV , VIH = 5V，输出开路。0.5 no 2.15 V no = 10V , VII. = OV , V1H = lOV , 出开路。1 A Vno = 15V , VII. = OV , VIH = 15V，输出开路。2 Voo = 1
17、5V , 测入VII.= OV，输出开路;VOH 2.7 14.95 V 所有其它非被测端开路，被测输出OH= 0。Vnn = 15V，被测，入VIH= 15V，输出开路;VOI. 2.8 0.05 V 所有其它非被fjlIJ开路，被测输出01.= 0。一7一SJ 50597/35 95 续表3引用标准条件范值分组符号单位(若无其他规定，V皿=OVo) GB 3834 最最大Voo = 5V.被测入端为V1其它输入端接地，被测输出端VOI.= 0.5V或VOH= 4.5V。3.5 Voo = lOV.被测输入为叭，其它入端接地，被VIH 2.1 测输出7 V VOI. = lV或VOH= 9V
18、。Voo = 15V.被测输入端为叭，其它输入端接地，被测输出端VOJ= 1.5V或VOH= 13.5V。11 Voo = 5V. 测l入端为叭，其它t入端接地，被测输出端VOJ= 0.5V VOH = 4.5V。1. 5 Voo = 10V.被测输入端为叭，其它输入地，被VII 2.2 测输出端VOI.= lV或VOH= 9V。3 V V口10= 15V .被l入为町，其它输入地，被4 视IJ输出VOI. = 1.5V或VOH= 13.5V。Voo = 15V.输出测V1H= 15V.其入端10 接地。I. J) IH 2.9 Voo= 15V.所有输入端并接VIH= 15V(仅25(;条6
19、0 件不濒Ij)。nA Voo = 15V.输入端逐溃IJVII = OV.其它入端-10 接15VoI 1) 11. 3.0 Voo = 15V.所有入端并接VII= OV (仅25(;条-60 件下浪IJ)。Voo = 5V.被测输入端VII= OV. - O. 51 被f出端VOH= 4.6V。I佣2.11 V lJD = lOV. 入端VII= OV. 一1.3mA 被测输出端VOH= 9.5V c V 00 = 15V. 测入VII= OV 一3.4被视u出VOH= 13.5V。Voo = 5V.被测输入端V1H= 5V. 0.51 被溃IJ输出端VOI.= 0.4V。IOL 3.1
20、2 Voo = 10V.被测t入端VIH= lO V. 1. 3 mA 被狈IJ输出端VOI.= 0.5V 0 Voo = 15V.被测入V1H= 15V. 3.4 被测输出端VOI.= 1.5V。一8一SJ 50597/35-95 续表3引用标准条件规程值分组符号单位(若无其他规定.V ,. = OVo) GB 3834 最最大A2 除V1K+= VII不测外，所有参蚊条件Al分组，规程值按表10( TA = 125 C ) A3 除VII轩VII不测外，所有参数条件同Al分组，市值按表1。( TA = - 55C ) 斗A4 C1 3.1 Vnn = OV . I = lMHz.分别测每个
21、输入端对V，.之7.5 pF ( TA = 间的电容。25 C ) J_ A7 VDD = 5V.功能测试，按本规范第3.2.2条的规定。( TA = 25 C ) 寸A9 R I. = 200kn. VDD = 5V 560 CpQ ( TA = CI. = 50pF Vnn = 10叫230 25C ) ENQ t r 1 f二20nsV 00 = 15 160 tpl.H 3.9 (见本规范图2)ns tpHL 3.10 Vnn = 5V 650 CR Q VOD = 10 225 V口=15 170 + R 1. = 200kn. CI. = 50pF . Vnn = 5V 200 3
22、.16 tTI.H t ,. tf = 20ns VDO = 10 100 ns tTHI. 3.15 测出端。(见本规范图2)Vnn = 15叫80 VDD = 5V 1.5 lmax 3.8 R I. = 200kn. CI. = 50pF. VDO= 10V 3 MHz t ,. t f = 20ns VDO= 15V 4 AI0 参数、条件同A9分组，规泡值按表10( TA = 125C ) All 参数、条件同A9分组。规范值按表10( TA = - 55C) 注:1)对25C条件下测IIH、111.制造厂可选择分别测每一个输入端或所有输入端并接测量的方法。9一测试电路波形图入输出G
23、 入90%一-50% 10% 一-90% 50% -一SJ 50597/35 95 YDD DUT RL丰c;_- -tw 一一t , tpHL - - -一一-一一-10%一-T-k-一-一一出-I THI. I -l t Tl.H 图2开关测试电路和波形图注:RL= 200k!l, C I. = 50 + 5pF (包括探头及夹具电容)。脉冲发生器具有下列特性:脉冲幅度:vm = Vf)f)士1%占空比:q = 50% 上升、下降时间:t r运20:t 2. Ons ; t f运20士2.0ns; 频率:f = 200kHz 0 3.6 标志器件标志应按GJB597第3.6条的规定。3.6
24、. 1 总剂量辐射强度标志总剂量辐射强度等级标志应按GJB597第3.6.2.6条的规定。3.6.2 标志的正确性Vm tf tpLH 所有器件在标上器件编号后，应经受表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认可的电测试，以验证器件编号标志的正确性。3.7 微电路组的划分本规范所涉及器件应为第39微电路组(见GJB597附录E)。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验一10一SJ 50597/35 95 若无其他规定，抽样和检验程序应按GJB597和GJB548方法5005的规定。4.2 筛选在鉴定检验和质量一致性检验之前，全部器件应按GJB548方法5004和本规范表4的规定进行筛选。表4筛
25、选若无其他规定，表中引用的试验方法系指GJB548的试验方法。条件和要求筛选项目B级器件B，级器件说明方法条件方法条件内部自检2010 试验条件B2010 试验条件B(封装前)性烘熔(不要求终点试验条件C试验条件C1008 1008 电测试)(150C .24h) (1 50 C .24h) 温度1010 试条件C1010 试验条件C可用方法1011试验条件A替代。恒定加速度2001 试验条件E2001 试验条件D.试验后进行目检，引线断落、外壳破裂、封普脱落为失效。Y1方向Y，方向中间(老化前)本规范Al分本规范Al分l试并剔除Al分组不合格品，并电测试组组记录要求(. )测试的IDD、IO
26、L、IOH的值。1015 试验条件B1015 试验条件B采用本规范图3、图4线路。静态老化老(125C. 160h) (125C .160h) 可选取静态或动态老化的其中种方式。试验条件D或试验条件D或1t 动态老化E E (125C. 160h) (125C 160h) 中间(老化后)本规范Al分本规范Al分电测试组和表10. 组和表10. 极限极限允许不合格品率(PDA)5%.本规范10% .本规范用老化失效数(包括超过Al分组及其计算Al分组。当Al分组。当规范值和A极限值的器件)除以不合格品率不不合格品率不提交老化的器件数为PDA。超过20%时，超过20%时，不大于规定的PDA时则该批
27、应可重新提交老可重新交老收。化，但只允许化，但只允许次次最终电测试本规范A2、本规范A2、本项筛选后，若件的引线涂A3、A7、A9分A3、A7，A9分或返工，则应再进行Al分组测组fl 试。11一SJ 50597/35 - 95 续表4条件和要求筛选项目B级件B1级器件方法条牛方法条件密封1014 试验条件:1014 试验条件:细检Al或A2Al或A2粗检Cl或C2Cl或C2外部目检2009 本规范3.1条2009 本规m:3.1条鉴定或质量致性检验5005 本规范3.5条5005 本规程3.5条的试验样品抽取Voo Voo lCR I CTR4 ICT=O I 100 1 EN 二月lCP
28、I + .2 SI T 13111.l3 2CR ,CTR 2EN T=O 200 二注12CP r - l CT + 图3静态老化试验电路i注主:静态老化1:所有输入端接OV，e即fl开关S臼l置1静态老化ll:所有输入端接V口nn口)，即开关S剖1置飞2飞。说明在发货前按批进行。i S2 VDD/2 2 开路除Vnn和V皿端外，每个引出端应通过一个2kO-47kO的电阻相连接，由于工作，受热和老化，选用电阻的实测值应不超过其标称值的:t20% 输出端开关S2可以置141或2。( Vnn= 15V , V揭=OV 0 12一G SJ 50597/35 95 lCP V CTR4 =0 -咱二
29、月+ CTR4 =0 + CT 图4动态老化和稳态寿命试验电路V/2 注:除Voo和Vss外，每个引出端应通过一个2kn-47kn的电阻相连接，由于使用、受热或老化，选用电阻的实测值应不超过其标称值的:t20%。对输入信号的要求:a方波:占空比q= 50% b频率:f = 200kHz C tr 20ns; 11 20ns; d 幅度Vm:最小值为(Vss-O.5V)+VDDX lO%; 最大值为(Voo+O.5V)- Voo XIO%。( Voo = 15V. Vss =OV。4.3 鉴定检鉴定检验应按GJB597的第4.4条的规定。所进行的检验应符合GJB548方法5005和本规范A、B、
30、C、D、E组检验(见本规范4.4.1-4.4.5条)的规定。4.4 质量一致性检验质量一致性检验应按GJB597的第4.5条和本规范的规定。所进行的检验应符合GJB 548方法5005和本规范A、B、C、D、E组检验(见本规范4.4.1-4.4.5条)的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按本规范表5的规定。各分组的电测试按本规范表3的规定。各个分组的测试可用同一个样本进行，当所要求的样本大小超过批的大小时，允许100%检验。各分组测试可按任意顺序进行。合格判定数(C)最大为2。一13一SJ 50597/35 95 表5A组检验LTPD 试验B 件Bt级器件A1分组25C下静态测试2 2 A2
31、分组125C下静态测试3 3 A3分组-55C下静态测试5 5 A4分组25C下动态测试(C1)1) 2 2 A7分组25C下功能测试2 2 A9分组25C下开关测试2 2 A10分线125C下开关测试3 A11分组-55C下开关测试5 注:1)仅在初始鉴定或工艺、设计改进时才进行该分组检验。(即在1MHz频率下测量指定输入端和V. 间的电容)。4.4.2 B组检验B组检验应按本规范表6的规定。B1-B5分组可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。表6B组检验若无其他规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求样品数/(接收数)分组B级器件BJ级器件或说明方法条件方法条件LT
32、PD B1分组2016 按规定2016 按规定2/(0) 尺寸B2分组2015 按规定2015 按规定4/(0) 抗溶性B3分组2022 焊接温度:2022 焊温度:15 LTPD系对引线数可焊性或245 :t 5C 或245 :t 5C 而言，被试器件应2003 2003 不少于3个。寸B4分组2014 按规定2014 按规定1/(0) 内部目检和机械性B5分组15 可在密封前的内合强度2011 试验条件C2011 试验条件C部目检筛后，超卢或D或D机抽取样品进行本分组试验。一14一SJ 50597/35-95 续表6条件和要求祥品数/(接收数)分组B级器件B)级f牛或方法条f牛方法条f牛L
33、TPD B8分组(a)电试(b)静电放电灵敏GJB 本规范Al分组GJB 本规范Al分组15/(0) 度等级1649 1649 ( c)电测试本规范Al分组本规范Al分组十四分组入la压(VZAP) 本规程本规范4.5.3条15 试验4.5.3条4.4.3 C组检验C组检验应按本规范表7的规定。表7C组检验若无其他规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法试验Cl分组稳态寿命终点电测试C2分级温度循环恒定加速密封(1)细检(2)粗目检终点电测试条件B级器件方法l条件I 1005 试验条件D温度:125C 时间:1000h 本规范Al.A2.A3分组(见本规范表3)和表10Ll极限1010
34、试验条件C2001 试验条件EY1方向1014 试验条件:AI或A2Cl或C2按方法1010的自检判据本规范Al，但A3分组见本规范表3)级器件方法l条件1005 试验条件D温度:125C 时间:1000h 本规范Al，A2.A3分组(见本规m;表3)和表10Ll极限1010 试验条件C2001 试验条件DY)方向1014 试验条件:A)或A2Cl或C2按方法1010的日检判据本规范Al，A2.A3分组(见本规范表3)祥品数/(接收数)或LTPD 5 15 说明初始鉴定或产品重新设计进行。初始鉴定或工设计改变时进行。说明采用本规范图3或图4电路或其等效电路15一SJ 50597/35 95 续
35、表7条件和要求样品数/(接试验B级器件B.级器件或说明方法条件方法条件LTPD C3分组本规范AI0不要求125C 分组3 开关测试(见本规范表3) c4分组本规泡All不要求- 55C 分组5 开关测试(见本规市表3) 4.4.4 D组D组检验应按本规范表8的规定。DLD2，D5，D6、D7和D8分组可用同一批检验批中电性能不合格的器件作为样本。表8D组检若无其他规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。试D1分组尺寸D2分组引线牢固性密封( 1)细检漏(2)粗检漏D3分组热冲击温度循环抗潮湿密封(1)细检(2)粗检漏目检验16一寸条件和要求B级器件B.级器件方法l条件l方法|条件20
36、16 I按规定2004 I试验条件B21014试验条件:AI或A2C1或G1011 I试验条件B15次循环1010 I试验条件C100次循环1004 I按规定1014 I试验条件:A.或AzC.或G按方法10042016 I按规定2004试验条件B21014试验条件:A.或AzC.或G1011 I试验条件A15次循环1010 I试验条件C10次循环1004按规定1014 I试验条件:A.或AzC.或G按方法1004样品数/(接收数)或LTPD 15 15 15 说明B.级器件可用GB4590 第3.6条严格度D(即56d)替代SJ 50597/35 95 续表8条件和要求试验B级器件| B1级
37、器件终点电测试D4分组机械冲击变频振动亘定加速度密封(1)细检(2)粗检目检终点电测试05分组盐雾密封( 1)细检漏(2)粗目检D6分组内部水汽含量方法l条件(方法|条件和1010的目和1010的目检判据检判据|本规市Al.A2本规范Al，A3分组A2，A3分组(见本规范表3)(见本规范表3)2002 1试验条件BI 2002试验条件A2007 1试验条件A2007 I试验条件A2001 1试验条件E，2001试验条件。Yl方向1014 1试验条件:Al或A2Cl或C2按方法2002和2007的日检葬。据本规范Al，A2 A3分组l (见本规范表3)1009 1试验条件A试验条件:1014 I
38、Al或A2Cl或C2按方法1009的目检判据10181100C时最大水汽含量为:5000ppm Yl方向1014 1试验条件:Al或A2Cl或C2按方法2002和2007的日检判据本规范Al，A2A3分组(见本规范3)适用时同B级不要求样品数/(接收数)或LTPO 15 15 3/(0) 或5/( 1) 说明用作03分组的样品可用在D4分组当试验3个器件出现1个失效时，可加试2个器件并且不失效，若第一l次试验未通过，可在鉴定机构认可的另一实验室进行第二次实验若试过，则该批应被接收。17一SJ 50597/35 95 续表8条件和要求样品数/(接收数)试B级器件Bt 器件或说明方法条件方法条件L
39、TPD D7分组2025 按方法2025按方法2025引线涂覆2025 15 LTPD系指用于试第3条的失效第3条的失效粘附强度|验的引线数而亩。判据判据D8分组封普扭Rg2024 按规定2024 按规定5/(0) 仅适用于陶瓷封外壳。4.4.5 E组检验仅对有辐射强度标志保证有要求的器件才进行E组检验(见本规范3.6.1条)。E组检验应按本规范表9的规定。表9E组检验若无其他规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求样品数/(接收数) 试验B级件Bt级器件或说明方法条f牛方法条件LTPD E2分组试电测试按本规范4.5.5条的规定。稳态总剂量辐射1019 TA = 25 C
40、1019 TA = 25 C V DI)= 10V V OI)= lOV (a)鉴定检15/(0) 3个品片批，每批5(b) 量致性11/ (0) 个器件性检验本规范A7和本规范A7和按本规范终点电测试表14表144.5.5条的规定。4.5 检验方法检验方法应按下列规定。4.5. 1 电压和电流所有电压以器件的Vss端为基准，电流约定以流入器件引出端为正。4.5.2 老化和寿命试验被试器件(DUT)在完成试验之后，应先冷却至iJ25:t3t才能去掉偏置电压，然后再进行电数终点测试。并按要求计算变化最(. )，见表10。一18一SJ 50597/35 95 表10变化量(L )极限(T A =
41、25t ) 岳-.:;是数1)V口D变化量( )极限lDD 15V 士100nA101 5V 土20%loH 5V 士20%注:1)老化和寿命试验前后，应记录参数值，以确定变化量( )。4.5.3 输入保护电路的高压(V ZA! )试验试器件(DUT)的所有输入端(每次最多4个)应经受由充电到VZA!= 400V的100pF电容器所产生的电压脉冲。i亥破坏性试验采用图5试验电路，按下列规定进行。a. 25t下测定输入端的11L和11H ;在最大VDD下每个被试输入端的试验规范值为士100nA。25t下测量被试器件(DUT)的1DD:在最大VDD下，1 DD的试验规范值最大增加到表3规定的1DD
42、规范值的20%。b. 高压试验方式见表11。每种试验方式要求首先将Sl置于1，使C1充电到VZAP, 然后将Sl置于位置2，将VZAI加到被试器件(DUT)。C. 在24h内按上述操作重复测量同一引出端的11L、11H和1DD。如果VZAP试验后被测试器件(DUT)的漏电流超过规定的试验规范值，则该器件视为失效。+ RI 1 2 R2 + 高压SI VZA I .1 电阳 Cl 图5高压(V ZA! )试验电路注:1M!l R I 50M!l， R2 - 1. 5k!l C1 - 100pF, S1为水银无回跳继电器。VZAP- 400V (C1充电电压)。表11高压试验方式方式正端1 VDd
43、端2 输入端3 输入端4.5.4 电源电流(I DD )的测试进行电源电流测量时，电表的安置应使全部电流流过该电表。4.5.5 辐射强度保证(RHA)试DUT 负入端V剧端相关输出RHA试验应按GJB548方法5005表V和本规范表9规定的试验程序和抽样进行，并应符合如下的规定。a. 辐射前，抽取的样品应经过25t下的Al分组电测试合格;并进行阔值电压(VTN, 一19一SJ 50597/35 95 VTP)测试，以便计算辐射后阔值电压变化量(L:.VT)。样品应放置在合格的包装中。b. 阔值电压测试电路按图6和表12的规定。阔值电压测试也可采用GJB548中1022测试方法。在实测静态电流I
44、DD的基础上增加20A(电流增量法)，分别测出VTN、VTP0 c. 对被试的RHA等级，器件应经受GJB597(第3.4.1.3条)规定的总剂量辐射。辐射期间，器件应按表13的规定加偏置电压，且在整个试验过程中，始终保持偏置。d. 辐射后，器件应进行原位测试或移地测试(按本规范表14和A7分组)。作移地测试时，器件应使用可动偏置夹具，并按规定保持其温度和偏置。移动偏置装置时，偏置电压的中断时间不得超过1分钟。e. 辐射后器件在25t下的终点电测试，电参数应符合表14的规定。A7分组的功能测试按本规范表3的规定。终点电视IJ试应在辐射后2小时内完成。N沟测试1 16 I 2 15 3 14 4
45、DUT 13 5 12 , 6 11 7 10 一8 9 P沟测试1 16 4 15 3 14 l-4 DUT 13卜5 12 6 11 间10 , 8 9 的引出监规定的引出端接定的引出端定的引出图6阔值电压试验电路表12阔值电压测试( V V 寻|连接方式出Vr、4测试端号型主地10V -20A 地JC4520 2、1016 l!、27、9、15一-2、10一20一10V -20A -10V 2胁。AVTP测试-lOV 20A 1、2、6、7、9、1516 SJ 50597/35 95 表13辐照期间的偏置引连接方式引出端连接出端号10V(通过30-60kn电阻)Vss接地V )d = 1
46、0V 型1、2、3、4、5、6、7、9、JC4520 10、11、12、13、14、158 16 注:未标出的引出端为开路，或通过30-60kn的电阻品接10V。表14辐射强度电参数(T A = 25C ) 参数Vcc 范围VTN 10V 最小0.3VVTP 10V 最大2.8VVT 10V 最大1.4VIDD 15V 100X最大规范值tpLH 5V 1.35 X最大规范值tpHI. 5V 1.35 X最大规范值 4.6 数据报告当采购方需要时，应提供下列数据的副本:a. 所有筛选试验的特征数据(见本规范4.2条)和所有老化及稳态寿命试验的变化数据(见本规范3.5条); b. 质量一致性检验
47、数据(见本规范4.4条); c. 老化期间的电参数分布数据(见本规范3.5条); d. 最后电测试数据(见本规范4.2条)。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB597第5.1条的规定。6 说明事项6. 1 订货资料订货合同应规定下列内容:a. 完整的器件编号(见本规程1.3.1条); b. 需要时，对器件制造厂应提供与所交付器件相应的检验批质量一致性数据的要求:c. 需要时，对合格证的要求:d. 需要时，对产品或工艺更改时应通知采购单位的要求;e. 需要时，对失效分析(包括GJB548方法5003要求的试验条件)、纠正措施和结果提供报告的要求:21一SJ 50597/35-95 f
48、. 对产品保证选择的要求;g. 南要时，对特殊载体、引线民度或引线形式的要求;h. 对认证标志的要求;i. 需要时，对总剂量辐射试验的要求;j. 需要时，其他要求。6.2 缩写词、符号和定义本规范所用的缩写词、符号和定义符合GB3431.1、GB3431.2和GJB579的规定。6.3 替代性本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。但不允许用普通工业用器件替代军用器件。6.4 操作器件必须采取防静电措施进行操作。推荐下列操作措施:a. 器件应在防静电的工作台上操作;b. 试验设备和器具应接地;C. 不能触摸器件引线;d. 器件应存放在导电材料或容器中;e. 生产、测试、使用以及流转过程中的MOS器件区域内避免使用能引起静电的塑料、橡胶或丝织物;f. 相对温度尽可能保持在50%以上。附加说明:本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准由北京市半导体器件三厂起草。本标准主要起草人
