1、B.J 中华人民共和国电子行业军用标准FL 5962 SJ 50597/3996 半导体集成电路JC54日C221型HCMOS双单稳态触发器(斯密特触发输入)详细规范Semiconductor integrated circuits DetaiL specification for type JC54HC221日CMOSdual monostable multivibrators with schmitt triggers inputs 1996-08-30发布1997 -01-01实施中华人民共和回电子工业部批准自次1 范围(1)1. 1 主题内容.,. . .,. (1) 1. 2 适用施
2、围. . . . . ., .监.(1) 1. 3 分类.f.(1) 1. 4 绝对敢大额定值. . . (2) 1. 5 推荐工作条件.，.a.，.(2) 2 引用文件.，.，.(3) 3 要求.，.，.f.t.(3)3.1 详细要求.，.，.(3) 3.2 设计、结构和外形尺寸.，.，.(4) 3.3 号|绒材料和涂覆.t.，.，. (5) 3.4 咆特性.t.(的3.5 电试验要求.(7) 3.6 标志们的3.7 微电路组的划分.忱的4 质量保证规定.，. I . . (10) 4.1 拍样和检验.t.，.，. (11) 4.2 筛逃.，.(11) 4.3 鉴定检验.，.01.，. .,
3、 . 4 f . (12) 4.4 质量一致性愉验.t.(1 2) 4.5 检验方法.1. . ,(18) 4嗣6数据报告.，.(19) 5 交货准备.t. (1 9) 5.1 包装要求.t., . . . . . . (19) 6 说明事项.t.，.，. . , . .,.,. (1 9) 6.1 订货资料.，. (19) 6.2 缩写词、符号和定义.*.t.响. . . . . . . . . . *. , . . . , . . . . . . . . (20) 6.3 替代性.，.(20)6.4 操作口的中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JC54HC221型HCMOS双单稳态
4、触发器(斯密特触发输入)详细规范1 范围Semiconduotor integrated circuits Detail specification for type J4日C221日CMOSdual monostable multivtbrators with schmitt triggea-s inputs 1. 1 主题内容8J 50597/3996 本规范规定了半导体集成电路JC54HC221型HCMOS双单稳;(;5触发器(斯密特触发输入)(以下简称器件)的详锢要求。1. 2 适用范围本规疏通用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规施纷出的器件按器件型号、器件等级和封装形式分类
5、。1. 3. 1 糯件编号器件编号应按GJB597(微电路总规施第3.6.2条的规定。1. 3. 1. 1 器件型号器件型号如下:器件名称器件型号JC54HC221 双总稳态触发指(斯密特触发输入)1. 3. 1. 2 器件等级器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规戒规定的问级。1.3. 1.3 封柴形式封装形式按GB/T7092(半导体集成电路外形尺寸的规定。封装形式如下:中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01实施SJ 5059713996 提型外形代号，0P3 016S3 F16X2 日16X216S3 C DF日1. 4 绝对最大额定值绝对最大额
6、定值如下:数值项自符号单位最最大电惊电压Vcc -0.5 7.0 V 输入电服V( -0.5 V由+0.5 V 输出电压Vo -0.5 V+ 0.5 v 输出电流(每端)1 101 25 mA 精位工极管电流1 IK 1 一20 mA 电糠电流11阴|一50 mA 功耗Po 500 mW 贮存温度丁，幅-65 150 结植飞175 引钱耐焊接祖皮(108)Th 一300 1. 5 推荐工作条件推帮工作条件如下:若无其他规定，由55tTA125t。数值项目符号单位最最大电糠电压V 阻2 6 V 输入高电-f电压V V由=2.0V VIH 1. 50 一V国=4.5V 3.15 一V阳=6.0V
7、4.20 输入低电-f电压V1L v V阳=2.0V 0.3 V, = 4.5V 一0.9 V明白6.0V1. 2 一一-2一臼50597/39叩96数值项自符号单位最最大最小脉冲宽度tw ns (于页，TR+和Ro端)V帽=2.0V 123 一TA = 25t V酣目4.5V30 一V, = 6.0V 21 一最小陈冲宽度tw ns (TR】，TR+和Ro端)V出口2.0V157 一V, = 4.5V 42 V= 6.0V 30 一最小情除时间tREM ns V酣=2.0V 75 一V由=4.5V 15 一V由骂=6.0V 13 一最小输出脉冲宽度t wQ s CEXT = 0.1F V出=
8、5.0V 630 770 REXT = lOk!l TA = 2St 输入脉冲上升和下降时间t r tf ns V时出2.0V1000 V时=4.5V 500 V由=6.0V 一400 工作环境撒皮TA 由55125 2 sl用文件GB 3431.1-82 半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB 3431.2-86 半导体集成电路文字符号引出端功能符号GB 343982 半导体集成电路丁TL电路测试方法的基本原理GB 3834-82 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理GB 459084 半导体集成电路机械和气候试验方法GB 4728.12-85 电气阁用阁形符号二进制逻辑单元GB/
9、丁7092-93半导体集成电路外形尺寸GJB 548-88 微电子器件试验方法和程序GJB 59788 微电路总规拖GJB 1649-93 电子产品防静电放电控制大纲3 要求3.1 详细要求各项要;求应按GJB597和本规范的规定。一3SJ 50597/39-96 本规施规定的民银器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和质量一致性检验的某搜项目和要求上不同于B级。3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应符合GJB597和本规施的规定。3.2.1 逻辑符号、引出端排列和逻辑团逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合阁1的规定。寻1m端排列为俯视图。逻辅符号应符合GB4728.12的规定。逻幢符号2
10、夜。2CEXT 2REXT/CEXl lQ lQ 引出端排列D型、F型、日型、J型C型lTR+ V盹lN陶阳四+凶归时1 TR 2Q 中宁MHNIN嗣护N2REXT/rl7 VEXT GND 一4一时50597/39响96逻辑图(1/2)TR El Rn Q Q VA 俨-hFU J VA Fiw pn :EXT 因1逻辑符号、引出端排列和逻辑图3.2.2 功能表功能表如下J输入输出RD TR叩TR+ Q Q L x X L E王X H x L 日x x L L 日H L n u 日日It 工fL H n 飞I拉:H一高电.1fjL一低电.1f;x任意川一从低电平到高电平的转换川一从商电平到低
11、电平的转换;J飞一一个商电平脉冲U一一个低电平脉冲3.2.3 电路团制造厂在鉴定前应将电路阁提交给认证机构存档备查。3.2.4 封装形式时装形式应符合本规市1.3.1.3条的规定。3.3 引线材料和涂覆引绒材料和除覆应按GJB597第3.5.6条的规烧。3.4 电特性一5一时50597/39叩96电特性应符合亵1的规定。表1电特性条件1)V 规施值特性喃号(若无其他规定，(V) 单位-sst TA运12st)最小最大输入:iE摊位电压V1K+ V帽接地IIIK辑lmAI T A = 2St I 0 一1. 5 v 输入负精位电压V1K-V白开路IIIK口-lmA，TA器25t开路一-1.5 V
12、 电糠电流1 V1 = V或GND6.0 一160 A 输入高电平电流IIH V1 = V嘀6.0 一0.2 A 输入低电平电梳IIL V, = GND 6.0 时0.2P.A 输出高电平电压Vf z VH = 1. 5V. VL = 0.3V 2.0 1. 95 一v I惆口-20A VH =3.15V I恻嚣-20A 4.5 4.45 VL=0.9V I恻=- 4.0mA 3.70 一VIH4.2V IQH= -20A 6.0 5.95 一Vu.: 1. 2V I惆-5.2m人5.20 一输出低电平电服VOL V1L口0.3V，VH 1. 5V 2.0 0.05 v IOL : 20队V1
13、L=0.9V I佣20p.A 4.5 一0.05 V1H= 3.15V IOL口4.0mA一0.40 VL骂骂1.2VIOL出20p.A6.0 0.05 V1H=4.2V IOL: 5.2mA 一0.40 输出姐路电流Ic附V, OV就V.Vo口OV4.0 -10 呻135mA TA = 25t 7，15端到 20 输入电容C, V,: OV pF 其他端一10 传输延迟时间tpHL CL盟50pF士10%2.0 一2 ns (数据到输出口)TA: 25t 4.5 一48 6.0 一38 CL口50pF士10%2.0 一300 4.5 一67 6.0 一51 传输路边时间tpLH CL 50p
14、F土10%2.0 一240 ns (数据到输出Q)TA出25t4.5 48 6.0 一41 CL且50pF土10%2.0 一360 4.5 72 6.0 一61 一一一6邸50597139-96续表1条件1)Vc 规部值特性怖号(若无其他规定，-55t TA喝足125t)(V) 最小传输延迟时间PUi CL血50pF土10%2.0 一(清除到输出口)TA黯25t4.5 6.0 一CL = 50pF土10%2.0 一4.5 6.0 一传输延迟时间tPHL CL踹50pF士10%2.0 一(清除到输出Q)TA = 25t 4.5 6.0 CL出50pF土10%2.0 一4.5 一6.0 一输出脉冲
15、宽度tWQ CL坦50pF土10%5.0 0.63 TA = 25t CEXT = 0.1卢士10%REXT = 10kO土5%CL = SOpF土10%S.O 0.595 CEXT出0.1卢士10%REXT坦10kO土5%输出转换时间t 1lfL 2.0 一CL = SOpF土10%tTLH TA = 25t 4.5 一6.0 2.0 CL = SOpF士10%4.5 一6.0 一id)完整的测试条件刑予我3D2)囊中V由=2.0V和4.SV条件下的VOH、VOL值只作为保证参数，可不测试。3)C型封雄为9.19端。3.5 电试验要求单位最大210 ns 42 36 315 63 S4 18
16、0 ns 36 31 270 54 46 0.77 院lS0.805 75 ns 15 13 110 22 19 器件的电试验要求，应为本规拖费2所舰定的有关分组，各分组的电测试按本规范表3的规定。 7 时50591/39-96亵2电试验要求B银器件Bt银器件项因分组变化量极限分组变化量极限(见本规黯寰的(见本规范表3)中间(者熄前)电测试Al 一Al 一中间(者炼脂)电测试Al l) 2) All) 2) 最终电测试A2,A3.A9 一A2.A3.A9 一A组检瞌电测试Al. A2.A3.A4.A7 一Al. A2.A3 .A4 -A8. A9. AlO. Al1 A7.A8. A9 B组终
17、点电测试Al 一Al 一C组终点电测试Al. A2.A3 2) Al. A2.A3 1) C组检验增加的电测试 AI0.All D组终点电测试Al. A2.A3 一Al. A2.A3 一出:1)该分组费求PDA计算(见本规市4.2条)。2)者炼和郑命试验要求变化最( )测试，变化最极限按本规部4.5.2条的规定。表3电测试引用标准条件1)规范值分组符号(若无其他规定，GND=OV，单位GB 3834 TA = 25t ) 最最大Al VK+ GB 3439 输V时入接端地I，GND开路，输出端开路，辙测一1. 5 v 2.1 K: lmA。VK-GB 3439 输V即入开端路I，GND接地，输
18、出端开酶，被测一-1.5 v 2.1 IK =】lmA。I回2.15 输V出$端6开.0路V.GND接地V, = 6.0V 一1. 6 A V,:= OV V佣2.7 回胃vaQ口z蜡躏6.0V. I倒出叫20A5.95 一V 时V,=4.2V; 时，V, = 1. 2V I佣2叩5.2mA5.48 VOl 2.8 I恻口20A一0.05 V 回胃V健Q口=捕墙6时时0V., , VE 2 1 2V g V，踹4.2VI恻=5.2mA一0.26 IIH 2.9 被V帽测拙输6.0V.被测IL嚣输。入v端，输V出If端i=开6路.O，V分，非明0.1 A 入端入V端L 别测试每个输菌别V输圃=入
19、试6端每0个VVa输刷瞌入酣a捕输6。入OV蜻，抽V比出a捕O开V，非植一呻0.1A IL 2.10 路，分别lc路GB 3439 V出口4.0V.被测输出端接地;测Q端时时10响135mA 2.21 V，=4.0V;测百端时V,=OV 一8一SJ 50597/39-96 续亵3引用标准条件1)规拖值分组符号(若无其他规定，GND=OV，单位GB 3834 TA = 25t ) 最最大A2 TA= 125t.除VK+、VK-不测外，所有参数、条件同Al分坝，规市值按本规范表10A3 TA=呻55t，只测VOH、VoL，Ic焰，参数、条件同Al分组，规施值按本规施表10A4 C, 3.1 嗣间V
20、. 每电2睿个OV输，入f=瑞I对MI毡GN，#D 之别7.15端2)一20 pF 其他端一10 A7 V=4.5V，按功能表(见本规范3.2.2条)。A8 V帽器4.5V，TA=125t和-55t.按功能表(见本规范3.2.2条)。A9 V面=2.0V一200 tpHL 3.9 避一测对应的数据端白端V.=4.5V 一48 到输出端V=6.0V 一38 CL = 50pF士10%V=2.0V 一ns 240 tpLH 3.10 见本规范圈2同端V帽=4.5V一48 V帽=6.0V- 41 V=2.0V 一210 tPLH 3.9 逐一测对应清除端到5端V.= 4.5V 一42 输出端V嚣6.
21、0V一36 CL = 50pF士10%ns V但目2.0V一180 tpHL 3.10 见本规施回2Q端V出口4.5V一36 V, =6.0V 一31 测每一Q端和白端V回=2.0V一75 t TlR 3.15 CL = 50pF土10%V由=4.5V一15 ns tiL 3.16 见本规市图2V由=6.0V一13 4:XT=O.l卢土10%tWQ REXf口10k!l士5%ns 见本规市圈2.V, =5.0V 0.63 0.77 AI0 TA口125t，彝数、条件问A9分姐，规施值按本规范表10All TA=叩55t，参胜、条件问A9分缆，规部值按本规施表1。注:1)表中列出的输入端和输出端
22、条件，均指被测端，米栋明的输入端可为低电平、高电平就开蹄，朱部明的输出端可接负辑或开路。2)C封辑为9，19端。一9一a. 测试电路b. 被形图TR叩输入TR+输入GND 。tLH Q 3.6 标志时50597139-96v . 由叩-50% 因2开关测试电路和披形图标志应按GJB597第3.6条的规定。3.6.1 总剂量幅射强度标志总剂最辅射强度标志应按GJB597第3.6.2.6条的规定。3.6.2 标志的正确性输出所有器件在标上器件编号后，应经受本规范表2规定的最终电测试，以验证器件编号标志的正确性。3.7 微电路细的划分本规范所涉及的器件为第38微电路细(见GJB597附录E)。4 服
23、童保证规定10一时50597/39-964. 1 抽样和检验除本规范另有规定外，抽样和检验穗序应按GJB597和GJB548方法5005的规定。4.2 筛选在鉴定检验和质撒一致性检验之前，全部器件应按GJB548方法5004和本规施表4的规定进行筛选。表4筛选若无其他规定，表中来用的方法系指GJB548的试验方法。品件和费求筛选项目日银器件银器件说明方怯条件方法条仲内部目检2010 试验条件B2010 试验条件8(封辑前)稳定性烘熔1008 试跪条件C1008 试瞌条件C(不要求终点(lS0t ,24h) (150t ,24h) 电测试)温度循环1010 试瞌条件C1010 试验条件C愤j加速
24、2001 试磁条件E2001 试验条件D试跑后进行目栓，引绒断Yl方向Yl方向帮、外壳破裂、封锺脱带为失雄。中电测间试(老炼前)本规施Al分组本规范Al分组记录要求A测试的1. 值。动态老炼1015 试125验条，件160。h 1015 试125验条，件160Dh 采用本规抱回3电路。中间(老炼眉)本规范Al分组本规市Al分组电测试和表10.1极限和我10.1极限允许的其不计合算格品率S%。10%。用A值的不1者的青大卦于蜂器幅姐规央件器姐定撞件嚣障曲撞盘值国即P(和包提E为A括虫A时P超植者D.过限蝉则(PDA)及当不合格品率不当不合格品惑不跑过20%时，炼可, 超过20%老时，可i但E只新
25、允提许交一者次。重新提交炼，但只允许一次。该批应接收。最终咆测试本A9规分拖组。A2、A7、本规拖A2、A7、A本改I变理卦筛革组选返副后工试，。到若血寻l再钱进撞行覆A9分组。密粗封细检棱捅捕1014 幢A试Z 幢瞌矗件Al茸1014 试验条件Al或A2 条件Cl或试验条件Cl戒外部目检2009 本规范第3.1条2009 本规范第3.1条的鉴试定验和样质品量抽一取政性检瑜5005 本规拖第3.5条5005 本规市第3.5条一11一创50597139幽幽96v cc 生E士0.5V1_fl_ 1 ; lQ R2 2民日r植:REXT:;: 10kO土5%，CEXT = O.l，.，.F士10%
26、; Rl据680-47kO，民2= 6800士5%。GND (11. 2Q 2Q 输入借号要求:方被t占空比为50%士15%，频率f瞌25kHz-1M也幅度:V1H坦4.SV-V.明iV1L = 0士0.5V;t.，延0.5间。V帽出6.0V士O.SV。阁3动态老炼和稳态寿命试验电路回4.3 鉴定检验R2 R2 R2 鉴定检股股按GJB597第4.4条的规定。所进行的枪验应符合GJB548方法5005和本规泡A、B、C、口和丑组检验(见本规范4.4.1-4.4.5条)的规定。4.4 质量致性检验质量一致性检验应按GJB597第4.5条的规定和本规袍的规定。所进行的检脸应按GJB 548方法50
27、05和本规范A、民C、D和E细检验(见本规班4.4.1-4.4.5条)的规定。4.4.1 A细检验A组检验应按本规施表5的规定。电试验要求按本规部表2的规定，各分组的电测试按本规施表3的规定。各分组的测试可用同一个样本进行。当所要求的样本大小姐过批的大小时，允许100%检验。各分组测试可按任意顺序进行。合格判定数(C)敢大为2012一创50597139-96我5A组检验LTPD 试验日银器件Bt级器件Al分组2 2 2st下静态测试A2分组3 3 12st下静态测试A3分组5 5 叩55t下静态测试A4分组1)2 2 25t下动态测试A7分组2 2 25t下功能涮试A8分组5 5 12st和-
28、sst下的功能测试A9分组2 2 25t下开关测试AlO分组3 一125t下开关测试All分组5 一-55t下开关测试注:1)仅在初始鉴定和工艺、设计改变时才进行该分组测试。(即在lMI也频率下测量指定输入端与GND间的电容。)4.4.2 B组检脸B组检验应按本规拖褒6的规定。对其中不要求电测试的分组(Bl部分组)可采用同一枝验批中电性能不合格的器件为样本。表6日组检验若无其他规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求试验8银棉件BI银器件样品数/(接收数)说明或LTPD方法条件方法条件Bl分组尺寸2016 按规定2016 按规定2/(0) 13 SJ 50597/39-96
29、续表6条件和要求试验B锻器件民银器件样品数/(接收数)说明-一就LTPD方怯条件方法条件 B2分组抗熔性2015 接规定2015 按规定4/(0) B3分组2022 焊接温度:2022 焊接由度;15 LTPD系对引钱数可焊性或245士5C或245士5C而亩，被试器件应2003 2003 不少于3个。民4分组内部目检和机2014 按规定2014 按规定1/(0) 械检查一B5分组可在封辈革前的内键合强度2011 试验条件C2011 试验条件C15 部自检筛选后，随超?好焊就D或D机抽取样品进行本分组试验3/(0) 初始鉴定或产品重B8分组新设计时应进行。(a)电测试本规部Al分组本规fAl分组
30、(b)静电放电灵GJB GB 敏皮等级1649 1649 (c)电测试本规范Al分组本规拖Al分组4.4.3 C组检验C组检验应按本规施表7的规定。表7C组榄验帮其他规定，我中引用的方挫系指GJB548的试验方法。条件和要求试验8银器件日1级器件LTPD 说明方法条件方法条件Cl分组5 稳态寿命1005 试验条件D.1005 试验条件D，来用本规部邵3电路125C , 1000h 125C, 1000h 或等效电路终点电测试Al, A2, A3分组Al，A2，A3分组A1分组要求测试井(见本规班费3)(见本规施表3)计算A极限值(见本和表10.c1极限和褒10.c1极限规程4.5.2条)口分组
31、15 混度循环1010 试验条件C1010 试验条件C14一时50597139-96续表7条件和要求试验8银棉仲Bt锻糟件LTPD 说明方法条件方法条件假定加速度2001 试跄条件览，2001 试翰条件D，Yl方向。Yl方向。密封1014 试脆条件:1014 试黯条件:细检捕Al就A2Al或A2粗检捕Cl就口Cl或自检按方梅1010的按方法1010的目检判据自检判掘终点电测试Al，A2，A2分组Al，A2.A3分组(见本规施费3)(见本规范袤的由C3分组3 125t 不要求AI0分组(见本开关测试规部表3)c4分组5 -55t下不要求All分组(见本天关测试规范表3)4.4.4 0组检脸D组检
32、脸应按本规范表8的规定。01、02，05、阳、07和I到分组可用间一检验批中电性能不合格的器件为样本。表80组检脆翁无其他规定，表中采用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求样品数/试毡B银器件阶级糟件(接收数)说明方法条件方法条件或LTPDDl分组IS 尺寸2016 按规定2016 按规定四分组15 引钱牢剧性2004 试验菇件即2004 试验条件四(片式载体封(片式载体封接来用试瞌条辑来用试验条条件。)条件D)密封1014 试揄条件:1014 试验条件:细检漏Al或A2Al或A2粗检躏Cl就c2Cl或一15时50597/39时96续表8条件和要求样品数/试瞌8级糟仲Bt级糟件(接收数
33、)说明方法条件方法条件就LTPD。3分组15 热冲谐1011 试验条件B1011 试磁条件AlS循环15次循环氓皮帽环1010 试验条件C1010 试瞌条件C100 f).:铺环10次循环抗潮m1004 按规定1004 按规定B1银器件可按(片式载体不(片式载体不GB 4590第3.6条费求引线弯曲要求引绒弯曲严格度P应力的珊处理应力的预处理)膺封1014 试磁条件:1014 试验条件:细检漏Al或A2Al就A2粗检捕Cl或Cl或自检按方法1004按方法1004和1010的自检和1010的目检判掘判据终点电测试Al，A2，A.3分组Al.A2.A.3分组(见本规施袭3)(见本规范表3)阳分组1
34、5 用于D3分组的样品机械冲击2002 试验条件B2002 试磁条件A可用在D4分组变频搬动2007 试瞌条件A2007 试验条件A假定加速度2001 试瞌条件E.2COl 试验条件队Yl方向Yl方向密封1014 试瞌条件:1014 试磁条件:细检捕Al或A2Al或A2粗检漏Cl或Cl或自检按方怯2002按方法2002和27的自和2007的目检判据检判据终点电测试Al，A2分组(见Al.A2分组(见规范表3)规范表3)。5分组适用时间B级15 盐算1009 试翰条件A器件带封1014 试黯条件:细检捕Al就A2粗检漏Cl或目性按方怯1009的目检判掘一16一回50597/39叩96续表8条件和
35、要求样晶数/试跪8级糟仲Bt银器件(接收敷)说明方法条件方指条件或LTPD时分组1018 100t时最大不要求3/(0) 当试验3个器件出现内部水问水汽含量为z或5/(1)1个央放时，可加试含1世5000ppm 试2个器件并且不失效。若第一次试磁来通过时，可在鉴定机构认可的另一试验室进行第工次试瞌。若试验通过，则该批应被接收。D7分组15 LTPD系对号|钱数而引线涂覆粘附2025 按规定2025 按规定宵。强度不适用于片式载体封骤。四分组5/(0) 仅适用于陶晓熔封外辈t鼓扭姐2024 按规定2024 按规定究4.4.5 E组检验仅对辅射强度保证等级有要求的器件进行E细检验(见本规戒3.6.
36、1条)0B组检验应按本规范表9的规定。表9E组检验若无其他规定，表中采用的方法系指GJB548的试验方法。条件和婴求样品数/试验B银器件B1级器件(接收数)说明方法条仲方法条件或LTPD瓦2分组试验前电测试Al分组及Al分组及搪本规市4.5.4杂的规定。VTN, VTP VTN, VTP 稳态总剂量1019 TA = 25t 1019 T = 25t 抽样方法战GJB548方法辐射V由=6V V = 6V 5005表V的规定。(a)鉴定检验15/(0) 3个晶片批，每批5个器件。接晶片批。(b)质最一致性11/(0) 检脸终点电测试本规施本规市按本规施4.5.4杂的规定。A7分组及A7分组及表
37、13表134.5 检验方法一17一时50597139-96检验方法按下列规定。4.5.1 电压和电流所有给出的电压均以器件GND端为慕准。电流以流入器件引出端为.Eo4.5.2 :t炼和寿命试磁被试器件(DUT)在完成试验之后，应先冷却到25土3t，才能去掉偏置电底，然后再进行电参数终点电测试并按要求计算变化最( )值，见本规范表10。我10变化最极限(TA = 25t ) 参数1)v . 变化最(A )极限I睛6V 企120nA注:1)老炼和寿命试瞌前后成记录I町的参数债，时确定变化量(A )。4.5.3 电糠电流(Icc )的测试进行电摞电流测量时，电表安置应使全部电流流过该电装。4.5.
38、4 幅射强度保证(RHA)试验RHA试验应按GJB548方法5005褒V和本规范表9规定的试验程序和抽样进行。a. 牺射前，抽取的样品应经过25t下的Al分组电测试合格;井进行阀值电压(VTN VTP)的测试，以便计算辅射扁的阀值电压变化量(VT)。样品应放在合格的包辑之中。b. 阙值电器测试电路和测试条件按本规范阁4和本规范表11的规定。C. 附于被试的RHA等级，器件应经受GJB597中第3.4.1.3条规定的总剂最辐射。辅射期间，糟件应按本规范表12的规定加偏置电压，且在整个过程中始终保持偏置。d. 牺射后，器件应进行原位测试或移位测试。作移位测试时，器件应使用可动偏置央具，并按规定保持
39、其温度和偏置。移动偏置装置时，偏盟电雁的中断时间不得越过1分钟。e. 牺射后，器件在25t下终点电测试，电参数应符合本规施表13的规定。A7分组的功能测试按本规范表3规定。终点电测试应在辐射腊2h内完成。N沟测试(某一输入端)按规定的引出端-5V 按规定的引出端啪，.-10A (VJ P沟测试(某一输入端)咿叶端端山川同山山的川削川定定规规攘接阁4阀值电(VTN，VTP)测试电路18一时50597139叩96表11阀值电压测试条件VTN测试引出端边接条件Vyp测试引出端遍接条件封辑形式GND SV -10队GND 问SV10A D.F.日.J8 16 1.2.3,9, 10, 11 8 1.2
40、.3.9. 10. 11 16 C 10 20 2.3.4.12.13.14 10 2.3.4.12.13.14 20 表12辐射期间的偏置寻|出端连接1)封装形式4.SV(通过30-60kO电阻)GND V由=4.SV 。.F.日.J1.2.3.9.10.11 8 C 2.3.4.12.13.14 10 拉:1)来给出的寻ItI:I端为开路，就通过30町60kO电阻器接4.5Vo表13辐射强度终点电参数参数V 毡VTN S.OV 最小币。.3VVyp S.OV 最大2.8VVT S.OV 最大1.0VI懦6.0V 1最大规施值tpUi 4.SV 1.35X最大规范值t阿乱4.5V 1.3SX
41、最大规部值一4.6 数据报告3结果购文件有规定时，应提供下列数据的副本:16 20 围a. 所有筛选试验的特征数据(见本规班4.2条)，所有老炼和稳态寿命试验的变化最数据(见本规拖3.5条); b. 质量一致性检验数据(见本规范4.4条); C. 老炼期间的电参数分布放据(见本规范3.5条); d. 最后电测试数据(见本规范4.2条)。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB597第5.1条的规定。6 说明事项6. 1 订货资料订货合间应规定下列内容:a. 完整的器件编号(见本规拖1.3.1条); b. 需要时，对器件制造厂提供与所交付器件相应的检验批质量一致性检验数据的要求;一19时
42、50597139-96C. 需要时，对合格证书的要求:d. 幡要时，对产品设计或工艺更改时，通知采购单位的要求:e. 需要时，对失效分析(包括GJB548方法5003所要求的试验条件)、纠正措施和结果提供报告的要求;r. 对产品保证逃拇的要求:g. 需要时，对特殊载体、引绒长度或引线形式的要求;h. 对认证标志的要求:i. 需要时，对总剂量辐射试验的要求;j. 需要时，其官要求。6.2 缩写词、符号和定义本规拖所用的缩写、符号和定义按GB3431.1、GB3431.2和GJB597的规定。6.3 替代性本规?也规定的器件，其功能可替代普通工业用器件。不允许用普通工业用器件替代军用器件。6.4 操作器件必须采取防静电措施进行操作。推荐下列操作措施:a. 器件应在防静电的工作台上操作;b. 试验设备和器具应接地;C. 不能触摸器件引钱;d. 糟牛应存放在导电材料制成的容器中;e. 生产、测试、使用及流转过程中，MOS器件区域内应避免使用能引起静电的塑料、橡胶或她织物;r. 相对温度应尽可能保持在50%以上。附加说明:本规施由中国电子技术标准化研究所归口。本规班由电子工业部第四十七研究所起草。本规范主要起草人:张继勇、毕思庆。计划项目代号:B41003o 20
