1、UDC 621.38.032 中GB 6802 86 降为SJ/T10807-96 H、aJ飞、吨、I I I I L I i :J I )_J、1.1土Detai I specification for electronic component Glass passivated high voltage rectifier silicon stack for types 2CL61、2CL62、2CL63、2CL64、2CL65、2CL66、2CL67、2CL68(可供认证用)1986-08-28发布-1987-07 01试行批准中华人民共和国国家标准一7c 2CL61、2CL62、2CL6
2、3、2CL64、2CL65、2CL66、2CL67、2CL68亮U璃封装高压Detail specification for electronic component Glass passivated high voltage rectifier silicon stack for types 2CL61、2CL62、2CL63、2CL64、2CL65、2CL66、2CL67，2CL68(可供认证用)UDC 62 1. 38.032 GB 6802 86 本标准适用于2CL61、2CL62、2CL63、2CL64、2CL65、2CL66、2CL67和2CL68型玻璃饨化封装高压硅堆。它是按照G
3、B6351 86 ( 100 A以下环境和管壳额定整流二极管空白详细规范(包括雪崩整流二极管)制订的，符合国家标准GB 4936.1 85 (半导体分立器件总规范)I1类的要求。中国电子元器件质量认证委员会标准化机构是中国电子技术标准化研究所。国家标准局1986-08-28发布1987-07-01试行GB 6802 86 国家标准局电子元定的根据是zGB 6802 86 GB 4936.1 85 半导体分立器件总规范2 CL 61、2CL62、2CL63、2CL64、2CL町、2CL66、2CL67和2CL68型玻璃钝化封装高压硅堆Lr.Hl规范订货资料:见本规范第7条。机明:2 略说明:外厅
4、主标准:I EC191-2 半导体器件的半体材料:N型单晶硅。机械标准化第一部分尺寸结构与封装z玻璃钝化封装，非丰腔z轴 向引线。3.5max Gm . 28m ia 应用z白、彩色电视机体化28min C+P 1 .j. 钮，. 国扫变压器及其他电子设备Q 唱b中作高压整流。-3max 负极色环标志:在负极引线上用色环表示极性;3 质评;在类别zH类色泽表示电压等级。型号与玻璃体长度、色环(阴极对应关参考数据:系表z参数几RM1 F (AV) VFM Irr 型号G旧，mm 阴极色环型号kV mA V mA 2 CL61 浅蓝2 CL61 8 10VFM max或IR 200A 0.7 2
5、CL61 GB 4936.1 85 附录E中gD甲041A2b分组正向峰值电压VFM hM = 5 mA 27 V 2 CL62 35 V 2 CL63 40 V 2 CL64 50 V 3 2 CL65 60 V 2 CL66 65 V 2 CL67 70 V 2 CL68 80 V 反向峰倪电流IlRMl I D一042VR = VRRM 2 A A3分组GB 4936.1 85 反l句恢复电流Jrr 附录E叶12JF = 2 mA D-045 VRO : 2. 5 mA 7 14 V一2CL61 17V -2 CL62 20V -2 CL63 23V2 CL64 26V -2 CL65
6、29V -2 CL66 32V -2 CL67 40V一2CL68 (电路见图4) 5 GB 6802 86 B组一逐批只有标明(D)的试验是破坏性的(见GB4936.1一邸，3.6.6)。条件检验要求枪验或试验符号型号引用标准除非另有规定极限值评定T amb = 25C 最小值最大值单位LTPD Bl分组GB 4936.1 85 见本规范机械说明15 Ji!. f 5.2/附录CT 斗B3分组1GB 4937 85 本试验采用方法1们线弯曲试验(0)2. 1. 2 受试引出端数，2 无损坏15 加力，5 N 84 5组GB 4937 85 本试验采用g焊槽法呵焊叶:试验2.2. 1 受试引出
7、端数，2 浸润良好15 其他要求见本规范附录A85分组GB 4937 85 试验Nc严格度1温度变化继之交3. 1. 2 TA = 0 C. TB = 100C 交温热试验(D)IEC 68一2- 30 环次数50次试验Db方式220 严格度等级b(55C) 循环次数=2次最后测试zIlflfd峰值电压VFM 2 CL61 按本规范A2b27 V 2 CL62 35 V 2 CL 63 40 V 、2CL64 50 V 20 2 CL65 60 V 2 CL66 65 V 2 CL 67 70 V 2 CL 68 80 V 反f，j哗俏电流IRM J 按本规范AZb2 A B 8 5Hfi G
8、B 4938 85 r:作寿命电耐久性容性负载最后测试2Vp-p=VRRM.h = 1 mA lF.f问l制自电压VFM 2 CL61 V + 16 29.7 Tamb = 97C 168一10h 2 CL62 38.5 V 10 2 CL63 电路见图544 V 2 CL64 按本规范A.2b55 V 2 CL65 66 V 2 CL 66 71. 5 V 2 CL67 77 V 2 CL68 88 V 反Ib峰值电流IRM I 按本规范A2b4 A 6 GB 6802 86 C组一周期只有标明1250C t升至1250C，恒温30min2 试验后有整流20 电路见图B3效应9 11 特性曲
9、线和11.1 行颇下，电路见图5。GB 6802 86 试电路正向斗之均电流减额曲线见图1。IF (A V ) (mA) 3 2 l 。- 40 。，/拐点50 拐点图1120 11.2 伏安特性曲线见国2和图30 10 100 向峰值1包流11-40 斗-n讪10 4 l 同0, 4 0.1 0 5Jl 阁2100 1 2 CL64 刷+150 200 250 300 正向峰值电压(V) 正向伏安特性曲线T.mb (C) GB 6802 86 反T e = T , = 1 VO C l句100 峪值+ 电40 i成F、A 2 CL64 V 10 4 ill 1 牛0.4 牛0.1 o 5 1
10、0 15 20 25 30 反向峰值电压(k V) 阁3反rJ犬去特tt:曲线11 .3 反向恢复电流测试电路。0.01F D Irr Tc d |lL C. 电路说明和要求S，为电fJf关，一分钟开关50次。S2为普通jf关。C均负载电容，选2000pF。D为被测硅堆，浸在绝缘袖中。Q3-V为IfJj压电压表。V p_ p电压为zV 一一旦旦一p- p 1一其中=d. 测试步因B1E-E+E 0.75 VRRM ，电流lr= 1 mA。调整触发电极(球)与圆板的距离，使放电次数为1次/秒，1发/次。共放电10000次(时间2h 50min)。试验后测量VFM和IRM1。e. 规定条件环境温度
11、Tamb = 15-35.C, 温度45-75%R H。VRRM为本规范4.4.2的规定值。试验后VFM和IRM1测试条件按本规范A2b。B.3 热失效试验a. 日的在规li二条件下，测量硅堆的热失效点的温度。b. 电路阁T RU!tBItt-ttltill-F0. 75VRRM ，电流IF= 1 mA 以o.5 - 2 c / mi n升温至125C，若未出现整流失效(即h= 0)继续恒温30min。rj需测热失效点温度，可继续升温至出现整流失效，记下失效点温度TR并立即关行频电至低f125C，重开行频电源，硅堆应具有整流效应。e. 规定条件环境温度15-35C; 温度45-75%RHo VRRM为本规范4.4.2。冷却15 新型号2CL 61 2CL 62 2CL 63 2CL 64 2CL 65 2CL 66 2CL 67 2CL 68 附加说明:GB 6802 86 附录C新旧型号对照(参考件)本标准由中华人民共和国电子工业部提出。原型号SHG 308 SHG 310 SHG 312 SHG 314 SHG 316 SHG 318 SHG 320 SHG 325 本标准由电子工业部标准化研究所和广东省中山市无线电二厂共同起草。16
