1、中华人民共和国国家标准锦化锢单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal UDC 661. 868. 27 4 1621. 193.4 GB11297.6-89 本方法采用硝酸氢氟酸腐蚀剂腐蚀，适用于锦化锢原始晶片（111）锢面位错的显示和测定。测量面偏离（111）面应不大于了。1 原理在晶体中，由于缺陷处的势能较高，在缺陷处的腐蚀速率较大，在适当的腐蚀剂中，当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时，在缺陷
2、处就会形成位错蚀坑和其他斑痕，在金相显微镜下可以观测多种缺陷。通常用位错密度来量度晶体中位错的多少。它可定义为单位体积内位错线的总长度，大致等于在单位表面积内露头的位错数，所用单位符号为cm-2。采用硝酸氢氟酸腐蚀剂腐蚀，位错线在（111）锢面的露头处形成乳头状的腐蚀坑，如果观测面积为A(cm2），腐蚀坑数为n，则位错密度N0(cm一2）为：2 测量仪器和试剂2. 1 金相显微镜。2.2 氢氟酸：分析纯，浓度40%。2.3 硝酸z分析纯，浓度65%68%。2.4 去离子水。3 测量步骤3. 1 样品制备N0 = n/A 3. 1. 1 按（111）锢面切好样品，清洗去油，用粒度不大于20.m的
3、金相砂纸或粒度不大于10.m的金刚砂研磨，去除切割机械损伤。经清洗后，样品表面不应有肉眼可见的划痕。3. 1. 2 配制腐蚀剂，其配比为HF:HN03= 1: 1 （体积比）。3. 1. 3 将样品用腐蚀剂腐蚀510s ，腐蚀时间的长短根据腐蚀剂的温度而定。腐蚀后用去离子水清洗，用滤纸吸干水分。3.2 位错的观测3.2. 1 首先用肉眼观察样品上是否有宏观缺陷以及位错蚀坑的分布情况。3.2.2 在金相显微镜下，对位错密度进行观测。视场面积可根据位错蚀坑密度大小进行选择：Nol 103 cm-z，视场面积选0.5 mm2左右。3. 2. 3 测量点取法在Noll03cm-2时，取两点即中心点和距边缘2mm的周界内位错密度最大点。/ / / I - 、飞 / / / , 、卢、. . - - , / I I / / / / 图1九点取法示意图2mm GB 112 9 7. 6-8 9 附录A锦化锢单晶中的缺陷图片（参考件）本附录提供一些锦化锢晶体中的位错蚀坑和其他缺陷斑痕的图片，只做为识别参考。请见单行本。附加说明z本标准由机械电子工业部第十一研究所负责起草。本标准主要起草人李文华。
