1、中华人民共和国国家标准硅抛光片表面质量目测检验方法Standard method for measuring the surface quality 。.fpollshed sil icon sli . 国by由uali田P田tion1 主题内容与适用范围GB!T 6624-1995 代替GB6624-86 本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片以下简称抛光片)表面质量的方法.本标准适用于硅抛光片表面质量检验。2 引用标准GB/T 14264 半导体材料术语3 方法原理硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且能目测观察，据此可目测检验其表面缺陷。目测检验的光照
2、条件分成二类z直射汇聚光和大面积漫射光.目测检验的缺陷包括单晶的原生缺陷和抛光片制备及包装过程中所引入的缺陷.4 设备和器具4. 1 高强度汇聚光源.鸽丝灯。离光源100mm处汇聚光束斑直径2040mm，照度不小于160001x，4.2 大面积漫射光源可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为430650lx , 4.3 净化台s大小能容纳检测设备，净化级别优于100级，离净化台正面边缘Z30mm处背景照度为50-650 lx, 4.4 真空吸笔s吸笔头可拆卸清洗，抛光片与其接触后不留下任何痕迹，不引入任何缺陷。4.5 照度计s应可测到1002200 lx。5 试样按照规定的抽样方案或
3、商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。6 检测程序6.1 检测条件6. 1. 1 在100级净化台内，用真空吸笔吸住抛光片背面，使抛光面向上，正对光源。光源、抛光片与检测人员位置如图所示e光源离抛光片距离为50-100mm，角为45土100，角为90士10。国事技术监督局1995-04-18批准1995-12-01实施93 GB!T 6624-1995 班回观精万5O -100mm 磁片真空囔雹用高强度汇聚光被测硅片的正面的示意图6. 1. 2 检测光源分别为.高强度汇票光g照度;16000lx. 大面积散射光E照度430-650lx.6.2检测步骥6.2.1 用真空吸笔吸住抛光片背面，使
4、高强度汇聚光束斑直射描光片表面如图所示九晃动撞到监片，改变入射光角度，目测检验.个抛光片正面的缺陷z沽污、雾、划道、顺越.6:2-2将光目换成大面恢散射光源，自测幢碰抛光片正面的缺陷，边缘碎裂、稽皮、鸦爪、裂敏、楠、波纹、tt坑、小丘、刀痕、条纹-f. 2. 3用真空吸蜡吸住抛光片背圃，使背面向上，在大商棋漫射光照射下目测检验抱光片背面的缺陷s边缘碎裂、沽污、裂纹、刀痕等。6.2.4 6.2.1-6.2.4条中的术语应符合GB/T14264的规定1检测结果计算7. 1 计算和记录观察到的颗位数.7.2 :估计和记录油污或缺陷面积占硅片总面枫的百分数(精确到10%)。7.3记录tJ道银数及1*度
5、(精确到10%7.4计算和记录所观察到边缘碎裂、孤坑、波纹、小丘、浅坑数.7.5记录抛光片裂纹、鸦爪和条纹数.7.6估计和记录铺皮、未抛光部分的面积占抛光片总面朝的百分数(精确到10%7.7 记录槽的根数和累计长度以直径为单位，精确到10%)。7.8估计和记录抛光片的刀痕、退刀痕长度精确到1mm 8 试曲报告8. 1 检测报告应包括以下内容za 硅抱光片批号，. 硅抛光片生产单位，已检测条件，d: 检测结果，e. 本标准号，9-t GB!T 6624-1995 f. 检验者签章$g. 检测日期。附加说明g本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由上海第二冶炼厂负责修订。本标准主要修订人陆梓康、杨癫、严世权、曹彩华。本标准等效采用美国材料与试验协会标准ASTMF523-88硅抛光片目测检验规程。95
